JPH03107205A - レシーバ回路 - Google Patents
レシーバ回路Info
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- JPH03107205A JPH03107205A JP1244555A JP24455589A JPH03107205A JP H03107205 A JPH03107205 A JP H03107205A JP 1244555 A JP1244555 A JP 1244555A JP 24455589 A JP24455589 A JP 24455589A JP H03107205 A JPH03107205 A JP H03107205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- preamplifier
- bias
- circuit
- gain control
- control amplifier
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術 （第３図）発明が解決し
ようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明 （第１図）本発明の一実施
例 （第２図）発明の効果 〔概要〕 微弱な信号を検出し、その信号を処理するために適当な
振幅へ増幅するレシーバ回路に関し、周囲温度の変化に
対し動作および消費電流を安定させることができ、微弱
信号の検出精度を向上させることのできるレシーバ回路
を提供することを目的とし、 入力信号を所定の大きさに増幅するプリアンプと、該プ
リアンプに所定のバイアス電流を供給する第１バイアス
回路と、該プリアンプの出力に所定のゲインを与えるゲ
インコントロールアンプと、該ゲインコントロールアン
プに所定のバイアス電流を与える第２バイアス回路と、
を備えたレシーバ回路であって、前記プリアンプおよび
第１バイアス回路は温度上昇に伴ってバイアス電流を増
大させることにより温度変化に対する特性の変動を抑制
する回路構成にするとともに、前記ゲインコントロール
アンプおよび第２バイアス回路は温度上昇に伴ってバイ
アス電流を減少させることにより温９度変化に対する特
性の変動を抑制する回路構成とし、温度変化による特性
劣化を防止しながら全体の消費電流の変化を小さくする
ように構成する。
ようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明 （第１図）本発明の一実施
例 （第２図）発明の効果 〔概要〕 微弱な信号を検出し、その信号を処理するために適当な
振幅へ増幅するレシーバ回路に関し、周囲温度の変化に
対し動作および消費電流を安定させることができ、微弱
信号の検出精度を向上させることのできるレシーバ回路
を提供することを目的とし、 入力信号を所定の大きさに増幅するプリアンプと、該プ
リアンプに所定のバイアス電流を供給する第１バイアス
回路と、該プリアンプの出力に所定のゲインを与えるゲ
インコントロールアンプと、該ゲインコントロールアン
プに所定のバイアス電流を与える第２バイアス回路と、
を備えたレシーバ回路であって、前記プリアンプおよび
第１バイアス回路は温度上昇に伴ってバイアス電流を増
大させることにより温度変化に対する特性の変動を抑制
する回路構成にするとともに、前記ゲインコントロール
アンプおよび第２バイアス回路は温度上昇に伴ってバイ
アス電流を減少させることにより温９度変化に対する特
性の変動を抑制する回路構成とし、温度変化による特性
劣化を防止しながら全体の消費電流の変化を小さくする
ように構成する。
本発明は、レシーバ回路に係り、詳しくは、微弱な信号
を検出し、その信号を処理するために適当な振幅へ増幅
するレシーバ回路に関する。
を検出し、その信号を処理するために適当な振幅へ増幅
するレシーバ回路に関する。
近年、検出信号の微弱化、広帯域化、使用環境の多様化
に伴い、レシーバ回路の高利得、広帯域、高安定化が求
められている。このため、ディスクリートによるプリア
ンプと汎用乗算器によるレシーバ回路が提案されている
が、周囲温度の変化に対し、特性の劣化、消費電流の増
大により検出精度の低下が生じるので、これを安定させ
る必要がある。
に伴い、レシーバ回路の高利得、広帯域、高安定化が求
められている。このため、ディスクリートによるプリア
ンプと汎用乗算器によるレシーバ回路が提案されている
が、周囲温度の変化に対し、特性の劣化、消費電流の増
大により検出精度の低下が生じるので、これを安定させ
る必要がある。
従来この種のレシーバ回路としては、例えば第３図に示
すようなものがある。この図において、１はレシーバ回
路であり、レシーバ回路１は入力を適当な大きさに増幅
するディスクリートによるプリアンプ２と、プリアンプ
２により増幅された検出信号に任意のゲインを持たせる
汎用乗算器３と、により構成されている。
すようなものがある。この図において、１はレシーバ回
路であり、レシーバ回路１は入力を適当な大きさに増幅
するディスクリートによるプリアンプ２と、プリアンプ
２により増幅された検出信号に任意のゲインを持たせる
汎用乗算器３と、により構成されている。
この構成において、プリアンプ２に微弱な信号が入力さ
れると、プリアンプにより汎用乗算器３で扱える適当な
信号に増幅し、汎用乗算器３で所定のゲインを持たせて
所望の振幅に増幅する。
れると、プリアンプにより汎用乗算器３で扱える適当な
信号に増幅し、汎用乗算器３で所定のゲインを持たせて
所望の振幅に増幅する。
しかしながら、このような従来のレシーバ回路にあって
は、ディスクリートによるプリアンプと汎用乗算器とを
単に組み合わせてレシーバ回路を構成していたため、両
者の温度特性が一致せず、特性の劣化や消費電流が増加
し、周囲温度が変化すると動作が不安定となり、微弱信
号の検出精度の劣化と消費電力の増大を招くという問題
点があった。すなわち、プリアンプ２および汎用乗算器
３によりレシーバ回路１を単純に設計した場合にはトー
タルとしてレシーバ回路１は温度特性を持つことから消
費電流が変化し、これをシステムに組み込んだときに消
費電流が変化すると、それをまかなえるだけの電源が必
要となる。例えば、常温で消費電流が少ないときこのレ
シーバ回路１を動かせるだけの能力しかない場合に消費
電流が増大するとドライブ能力がなくなって特性が劣化
してしまう。
は、ディスクリートによるプリアンプと汎用乗算器とを
単に組み合わせてレシーバ回路を構成していたため、両
者の温度特性が一致せず、特性の劣化や消費電流が増加
し、周囲温度が変化すると動作が不安定となり、微弱信
号の検出精度の劣化と消費電力の増大を招くという問題
点があった。すなわち、プリアンプ２および汎用乗算器
３によりレシーバ回路１を単純に設計した場合にはトー
タルとしてレシーバ回路１は温度特性を持つことから消
費電流が変化し、これをシステムに組み込んだときに消
費電流が変化すると、それをまかなえるだけの電源が必
要となる。例えば、常温で消費電流が少ないときこのレ
シーバ回路１を動かせるだけの能力しかない場合に消費
電流が増大するとドライブ能力がなくなって特性が劣化
してしまう。
そこで本発明は、周囲温度の変化に対し動作および消費
電流を安定させることができ、微弱信号の検出精度を向
上させることのできるレシーバ回路を提供することを目
的としている。
電流を安定させることができ、微弱信号の検出精度を向
上させることのできるレシーバ回路を提供することを目
的としている。
本発明によるレシーバ回路は上記目的達成のため、入力
信号を所定の大きさに増幅するプリアンプと、該プリア
ンプに所定のバイアス電流を供給する第１バイアス回路
と、８亥プリアンプの出力に所定のゲインを与えるゲイ
ンコントロールアンプと、該ゲインコントロールアンプ
に所定のバイアス電流を与える第２バイアス回路と、を
備えたレシーバ回路であって、前記プリアンプおよび第
１バイアス回路は温度上昇に伴ってバイアス電流を増大
させることにより温度変化に対する特性の変動を抑制す
る回路構成にするとともに、前記ゲインコントロールア
ンプおよび第２バイアス回路は温度上昇に伴ってバイア
ス電流を減少させることにより温度変化に対する特性の
変動を抑制する回路構成とし、温度変化による特性劣化
を防止しながら全体の消費電流の変化を小さくするよう
にしたことを特徴とするレシーバ回路を備えている。
信号を所定の大きさに増幅するプリアンプと、該プリア
ンプに所定のバイアス電流を供給する第１バイアス回路
と、８亥プリアンプの出力に所定のゲインを与えるゲイ
ンコントロールアンプと、該ゲインコントロールアンプ
に所定のバイアス電流を与える第２バイアス回路と、を
備えたレシーバ回路であって、前記プリアンプおよび第
１バイアス回路は温度上昇に伴ってバイアス電流を増大
させることにより温度変化に対する特性の変動を抑制す
る回路構成にするとともに、前記ゲインコントロールア
ンプおよび第２バイアス回路は温度上昇に伴ってバイア
ス電流を減少させることにより温度変化に対する特性の
変動を抑制する回路構成とし、温度変化による特性劣化
を防止しながら全体の消費電流の変化を小さくするよう
にしたことを特徴とするレシーバ回路を備えている。
本発明では、プリアンプおよびバイアス回路からなるプ
リアンプ部のバイアス電流に正の温度特性を持たせると
ともに、ゲインコントロールアンプおよびそのバイアス
回路からなるゲインコントロールアンプ部のバイアス電
流には負の温度特性を持たせている。
リアンプ部のバイアス電流に正の温度特性を持たせると
ともに、ゲインコントロールアンプおよびそのバイアス
回路からなるゲインコントロールアンプ部のバイアス電
流には負の温度特性を持たせている。
したがって、周囲温度の変化に対する特性の劣化はプリ
アンプ部およびゲインコントロールアンプ部内で各々適
切に防止されるとともに、プリアンプ部およびゲインコ
ントロールアンプ部を合わせたトータルのレシーバ回路
全体で消費電流の変化を小さくすることができる。その
結果、消費電流の変化がなくなり、動作が安定し、微弱
信号の検出精度が向上する。
アンプ部およびゲインコントロールアンプ部内で各々適
切に防止されるとともに、プリアンプ部およびゲインコ
ントロールアンプ部を合わせたトータルのレシーバ回路
全体で消費電流の変化を小さくすることができる。その
結果、消費電流の変化がなくなり、動作が安定し、微弱
信号の検出精度が向上する。
最初に本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の詳細な説明するための図である。この
図において、１１はレシーバ回路であり、レシーバ回路
１１は入力信号を適当な大きさに増幅するプリアンプ１
２と、プリアンプ１２に所定のバイアス電流を供給する
プリアンプバイアス回路（第１バイアス回路）１３と、
プリアンプ１２で増幅された入力信号にゲインコントロ
ール電圧１４により設定される所定のゲインを乗算する
乗算回路を含むゲインコントロールアンプ１５と、ゲイ
ンコントロールアンプ１５に所定のバイアス電流を供給
するゲインコントロールアンプバイアス回路（第２バイ
アス回路）１６と、により構成され、プリアンプバイア
ス回路１３はプリアンプ１２のバイアス源であり、プＪ
ノアンブ１２の特性を決定し、ゲインコントロールアン
プバイアス回路１６はゲインコントロールアンプ１５の
バイアス源であり、ゲインコントロールアンプ１５の特
性を決定する。
図において、１１はレシーバ回路であり、レシーバ回路
１１は入力信号を適当な大きさに増幅するプリアンプ１
２と、プリアンプ１２に所定のバイアス電流を供給する
プリアンプバイアス回路（第１バイアス回路）１３と、
プリアンプ１２で増幅された入力信号にゲインコントロ
ール電圧１４により設定される所定のゲインを乗算する
乗算回路を含むゲインコントロールアンプ１５と、ゲイ
ンコントロールアンプ１５に所定のバイアス電流を供給
するゲインコントロールアンプバイアス回路（第２バイ
アス回路）１６と、により構成され、プリアンプバイア
ス回路１３はプリアンプ１２のバイアス源であり、プＪ
ノアンブ１２の特性を決定し、ゲインコントロールアン
プバイアス回路１６はゲインコントロールアンプ１５の
バイアス源であり、ゲインコントロールアンプ１５の特
性を決定する。
以上の構成において、プリアンプ１２およびゲインコン
トロールアンプ１５に個別のバイアス源を持たせるとと
もに、それぞれが温度に対して安定するようにする。安
定させるためにバイアスに敢えて温度特性を持たせて入
出力関係をそれぞれ一定に保つようにする。例えば、プ
リアンプ１２側（プリアンプ部１７）およびゲインコン
トロールアンプ１５側（ゲインコントロールアンプ部１
８）の両方が温度上昇に対してバイアス電流が増えるよ
うな特性を持たせておくと、温度特性は向上するものの
、消費電力がどんどん上がってしまう。したがって、そ
のような構成ではなく、一方のプリアンプ部１７では、
プリアンプ１２を安定させるために温度上昇に伴って消
費電流が増加するような正の温度特性を有するバイアス
回路構成にするとともに、他方のゲインコントロールア
ンプ部１８では、温度上昇にあわせてバイアス電流が減
少するような負の温度特性を有するバイアス回路構成と
し、プリアンプ部１７およびゲインコントロールアンプ
部１８の各々が温度変化に対して安定して動（とともに
、レシーバ回路１１のトータルとしては消費電流が一定
に抑制されるようにする。すなわち、温度特性を持たな
いように回路構成をすると、消費電流が変化することが
あるが、本発明では消費電流の変わり方が逆なものを組
み合わせることにより、トータルで消費電流を一定にし
ようとするものであるここで、入出力の特性自体が温度
特性を持つわけではなく、温度変化に対して信号は変化
しないようにする。変化するものは消費電力の温度特性
である。
トロールアンプ１５に個別のバイアス源を持たせるとと
もに、それぞれが温度に対して安定するようにする。安
定させるためにバイアスに敢えて温度特性を持たせて入
出力関係をそれぞれ一定に保つようにする。例えば、プ
リアンプ１２側（プリアンプ部１７）およびゲインコン
トロールアンプ１５側（ゲインコントロールアンプ部１
８）の両方が温度上昇に対してバイアス電流が増えるよ
うな特性を持たせておくと、温度特性は向上するものの
、消費電力がどんどん上がってしまう。したがって、そ
のような構成ではなく、一方のプリアンプ部１７では、
プリアンプ１２を安定させるために温度上昇に伴って消
費電流が増加するような正の温度特性を有するバイアス
回路構成にするとともに、他方のゲインコントロールア
ンプ部１８では、温度上昇にあわせてバイアス電流が減
少するような負の温度特性を有するバイアス回路構成と
し、プリアンプ部１７およびゲインコントロールアンプ
部１８の各々が温度変化に対して安定して動（とともに
、レシーバ回路１１のトータルとしては消費電流が一定
に抑制されるようにする。すなわち、温度特性を持たな
いように回路構成をすると、消費電流が変化することが
あるが、本発明では消費電流の変わり方が逆なものを組
み合わせることにより、トータルで消費電流を一定にし
ようとするものであるここで、入出力の特性自体が温度
特性を持つわけではなく、温度変化に対して信号は変化
しないようにする。変化するものは消費電力の温度特性
である。
正および負の温度特性をプリアンプ１２およびゲインコ
ントロールアンプ１５の何れの側に持たせるようにして
もよいが、例えばプリアンプ１２の温膣特性を向上させ
るため、プリアンプ１２には消費１流が増えていくこと
により高い周波数でも安定朗に動作する正の温度特性を
持たせ、ゲインコントロールアンプ１５には内部抵抗の
温度特性に依存してバイアス電流が減少する負の温度特
性を持たセる。
ントロールアンプ１５の何れの側に持たせるようにして
もよいが、例えばプリアンプ１２の温膣特性を向上させ
るため、プリアンプ１２には消費１流が増えていくこと
により高い周波数でも安定朗に動作する正の温度特性を
持たせ、ゲインコントロールアンプ１５には内部抵抗の
温度特性に依存してバイアス電流が減少する負の温度特
性を持たセる。
したがって、周囲温度の変化に対する特性の劣化を防止
することができるとともに、消費電流の増大を防ぐこと
ができ、検出精度の向上を図ることができる。
することができるとともに、消費電流の増大を防ぐこと
ができ、検出精度の向上を図ることができる。
（実施例〕
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第２図は上記基本原理に基づく本発明の一実施例を示す
図である。
図である。
第２図において、２１はレシーバ回路でアリ、レシーバ
回路２１は、プリアンプのバイアス回路（第１バイアス
回路）２２と、プリアンプのバイアス回路２２からのバ
イアス電流により駆動されるプリアンプ２３と、ゲイン
コントロールアンプのバイアス回路２５と、ゲインコン
トロールアンプのバイアス回路２５からのバイアス電流
により駆動されるゲインコントロールアンプ２６と、図
中○印で囲んだ外部端子Φ〜■と、により構成され、端
子■には高電位側電源ｖｃｃが、端子［相］にはグラン
ドレベルＧＮＤが、端子■には低電位側電源■。が、端
子■、■には各抵抗ＲＩＲ２を介してＶ□がそれぞれ接
続されるとともに、端子■、０間にはメインの入力ｖＶ
が入力され、端子■、■間にはゲインコントロールの入
力ｖＸがそれぞれ入力される。上記プリアンプのバイア
ス回路２２およびプリアンプ２３はプリアンプ部２８を
、ゲインコントロールアンプのバイアス回路２５および
ゲインコントロールアンプ２６はゲインコントロールア
ンプ部２９をそれぞれ構成し、プリアンプ部２８および
ゲインコントロールアンプ部２９は全体としてレシーバ
回路３０を構成する。
回路２１は、プリアンプのバイアス回路（第１バイアス
回路）２２と、プリアンプのバイアス回路２２からのバ
イアス電流により駆動されるプリアンプ２３と、ゲイン
コントロールアンプのバイアス回路２５と、ゲインコン
トロールアンプのバイアス回路２５からのバイアス電流
により駆動されるゲインコントロールアンプ２６と、図
中○印で囲んだ外部端子Φ〜■と、により構成され、端
子■には高電位側電源ｖｃｃが、端子［相］にはグラン
ドレベルＧＮＤが、端子■には低電位側電源■。が、端
子■、■には各抵抗ＲＩＲ２を介してＶ□がそれぞれ接
続されるとともに、端子■、０間にはメインの入力ｖＶ
が入力され、端子■、■間にはゲインコントロールの入
力ｖＸがそれぞれ入力される。上記プリアンプのバイア
ス回路２２およびプリアンプ２３はプリアンプ部２８を
、ゲインコントロールアンプのバイアス回路２５および
ゲインコントロールアンプ２６はゲインコントロールア
ンプ部２９をそれぞれ構成し、プリアンプ部２８および
ゲインコントロールアンプ部２９は全体としてレシーバ
回路３０を構成する。
プリアンプのバイアス回路２２はトランジスタＱ１、Ｑ
２、ダイオードＤ２１〜Ｄ２４および抵抗Ｒ１１Ｒ１２
により構成され、プリアンプ２３はトランジスタＱ３〜
Ｑ８、ダイオードＤ２５〜Ｄ２７および抵抗Ｒ１３〜Ｒ
２０により構成されている。また、ゲインコントロール
アンプのバイアス回路２５はトランジスタＱ９〜Ｑ１６
および抵抗Ｒ２１〜２５により構成され、ゲインコント
ロールアンプ２６はトランジスタＱ１７〜Ｑ３１、ダイ
オードＤ２Ｂ、Ｄ２９および抵抗Ｒ２６〜Ｒ３６により
構成されている。ここで、同図中、×２とあるのはダイ
オード又はトランジスタのサイズが２倍のものを用いる
ことを示す。
２、ダイオードＤ２１〜Ｄ２４および抵抗Ｒ１１Ｒ１２
により構成され、プリアンプ２３はトランジスタＱ３〜
Ｑ８、ダイオードＤ２５〜Ｄ２７および抵抗Ｒ１３〜Ｒ
２０により構成されている。また、ゲインコントロール
アンプのバイアス回路２５はトランジスタＱ９〜Ｑ１６
および抵抗Ｒ２１〜２５により構成され、ゲインコント
ロールアンプ２６はトランジスタＱ１７〜Ｑ３１、ダイ
オードＤ２Ｂ、Ｄ２９および抵抗Ｒ２６〜Ｒ３６により
構成されている。ここで、同図中、×２とあるのはダイ
オード又はトランジスタのサイズが２倍のものを用いる
ことを示す。
なお、第２図（ａ）に示すようにダイオードＤ２１〜Ｄ
２９はトランジスタのベース−コレクタ間を直結するダ
イオード接続により構成する。
２９はトランジスタのベース−コレクタ間を直結するダ
イオード接続により構成する。
次に、作用を説明する。
プリアンプ部２８およびプリアンプ２３において、トラ
ンジスタＱ５のバイアス電流が一定であるとすると、ト
ランジスタのベース−エミッタ電圧Ｖ、！の温度特性と
抵抗の温度特性とは別個の温度特性を持っているからト
ランジスタＱ７の出力のポイントは変化し、オフセット
を持ち出すことになる。オフセットを持ち出すことによ
ってこのプリアンプ２３の帰還系は非常に不安定になる
。したがって、そのオフセットを持たせないようにバイ
アス回路２２に所定の温度特性を持たせてトランジスタ
Ｑ７の出カポインドが一定になるようにするが、その温
度特性の持たせ方としては電流を増加していく方向で持
たせるようにする。具体的にはプリアンプ部２８レシー
バ回路３０は十−電源ＶＣＣ〜ＶＥＥを基準にして動作
し、出力は無人力時においてＧＮＤレベルにあるとき動
作が安定し、無人力時においてＧＮＤレベルからずれる
と動作が不安定になる。また、バイアス回路２２はＧＮ
ＤとＶＥＥとの間で動作し、ダイオードＤ２１〜Ｄ２４
およびトランジスタＱ１、Ｑ２のＶｓｐ５段と抵抗Ｒ１
（例えば、１．１ Ｋ）で構成している。これに対し、
プリアンプ２３でもダイオードＤ２５〜Ｄ２７およびト
ランジスタＱ６、Ｑ７のＶｌｌ！５段と抵抗Ｒ１４（例
えば、１゜１ Ｋ）で構成され、これにより、前記ポイ
ントが無入力時ＧＮＤ近辺に安定するように構成されて
いる。温度特性に着目すると、抵抗とトランジスタの■
。とは全く別個の温度特性を示すのでこのプリアンプ２
３の回路構成では温度特性は大きく変化することになる
。しかし、バイアス回路２２も同様な温度特性を示すの
でプリアンプ２３で発生する電圧（トランジスタＱ７の
エミッタ出力）が適切に出力され、プリアンプ部２８自
体は温度に対し安定な特性を持つ。但し、消費電流は上
述した関係で増加し、電流を増やすことによりゲインの
劣化と位相余裕の劣化を防止している。
ンジスタＱ５のバイアス電流が一定であるとすると、ト
ランジスタのベース−エミッタ電圧Ｖ、！の温度特性と
抵抗の温度特性とは別個の温度特性を持っているからト
ランジスタＱ７の出力のポイントは変化し、オフセット
を持ち出すことになる。オフセットを持ち出すことによ
ってこのプリアンプ２３の帰還系は非常に不安定になる
。したがって、そのオフセットを持たせないようにバイ
アス回路２２に所定の温度特性を持たせてトランジスタ
Ｑ７の出カポインドが一定になるようにするが、その温
度特性の持たせ方としては電流を増加していく方向で持
たせるようにする。具体的にはプリアンプ部２８レシー
バ回路３０は十−電源ＶＣＣ〜ＶＥＥを基準にして動作
し、出力は無人力時においてＧＮＤレベルにあるとき動
作が安定し、無人力時においてＧＮＤレベルからずれる
と動作が不安定になる。また、バイアス回路２２はＧＮ
ＤとＶＥＥとの間で動作し、ダイオードＤ２１〜Ｄ２４
およびトランジスタＱ１、Ｑ２のＶｓｐ５段と抵抗Ｒ１
（例えば、１．１ Ｋ）で構成している。これに対し、
プリアンプ２３でもダイオードＤ２５〜Ｄ２７およびト
ランジスタＱ６、Ｑ７のＶｌｌ！５段と抵抗Ｒ１４（例
えば、１゜１ Ｋ）で構成され、これにより、前記ポイ
ントが無入力時ＧＮＤ近辺に安定するように構成されて
いる。温度特性に着目すると、抵抗とトランジスタの■
。とは全く別個の温度特性を示すのでこのプリアンプ２
３の回路構成では温度特性は大きく変化することになる
。しかし、バイアス回路２２も同様な温度特性を示すの
でプリアンプ２３で発生する電圧（トランジスタＱ７の
エミッタ出力）が適切に出力され、プリアンプ部２８自
体は温度に対し安定な特性を持つ。但し、消費電流は上
述した関係で増加し、電流を増やすことによりゲインの
劣化と位相余裕の劣化を防止している。
一方、ゲインコントロールアンプ部２９において、入力
ＶＶに電圧が印加されると、差動対を形成しているトラ
ンジスタＱ２５、Ｑ２９のコレクタ電流に入力ＶｖとＲ
？ （抵抗Ｒ３２）で決まる電流差が生じ、ＲＯ（抵
抗Ｒ３４）に流れていた電流が変化する。ここで、トラ
ンジスタＱ２４、Ｑ２７というのはトランジスタＱ２５
とＱ２９のコレクタ電流の変化をＶＸ側で印加したある
比でＲｏに与えるようにするもので、Ｑ２５のコレクタ
電流はＱ２３、Ｑ２４にある比率をもって分配され、Ｑ
２９のコレクタ電流はＱ２８とＱ２７にある比率をもっ
て分配される。これにより、Ｑ２５、Ｑ２９のコレクタ
電流の一部がＱ２３とＱ２８に流れ、乗算回路を形成す
る。上記比率はゲインコントロールの入力ＶＸによって
決められ、ＶＸによってゲインコントロールアンプ２６
のゲインをコントロールすることができる。
ＶＶに電圧が印加されると、差動対を形成しているトラ
ンジスタＱ２５、Ｑ２９のコレクタ電流に入力ＶｖとＲ
？ （抵抗Ｒ３２）で決まる電流差が生じ、ＲＯ（抵
抗Ｒ３４）に流れていた電流が変化する。ここで、トラ
ンジスタＱ２４、Ｑ２７というのはトランジスタＱ２５
とＱ２９のコレクタ電流の変化をＶＸ側で印加したある
比でＲｏに与えるようにするもので、Ｑ２５のコレクタ
電流はＱ２３、Ｑ２４にある比率をもって分配され、Ｑ
２９のコレクタ電流はＱ２８とＱ２７にある比率をもっ
て分配される。これにより、Ｑ２５、Ｑ２９のコレクタ
電流の一部がＱ２３とＱ２８に流れ、乗算回路を形成す
る。上記比率はゲインコントロールの入力ＶＸによって
決められ、ＶＸによってゲインコントロールアンプ２６
のゲインをコントロールすることができる。
ＶＸに加える電圧によってＲＸの電流が変化してダイオ
ードＤ２Ｂ、Ｄ２９に流れる電流が変わり、ダイオード
Ｄ２８、Ｄ２９両端の電圧が変化する。この場合、ダイ
オード０２８、Ｄ２９のベース−コレクタ側は同じ点に
接続されているのでエミッタ側の電位が変動する。さら
に、ダイオードＤ２８、Ｄ２９のエミータはトランジス
タＱ２３、Ｑ２４、Ｑ２７、Ｑ２８のベースにそれぞれ
接続されているからこのベース電位が変動する。また、
Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２７、Ｑ２８はエミッタ側が共通に
なっているので前記ベース電位が変化することによって
流れる電流が変わる。この流れる電流はそれぞれ前記比
率と同じになる。
ードＤ２Ｂ、Ｄ２９に流れる電流が変わり、ダイオード
Ｄ２８、Ｄ２９両端の電圧が変化する。この場合、ダイ
オード０２８、Ｄ２９のベース−コレクタ側は同じ点に
接続されているのでエミッタ側の電位が変動する。さら
に、ダイオードＤ２８、Ｄ２９のエミータはトランジス
タＱ２３、Ｑ２４、Ｑ２７、Ｑ２８のベースにそれぞれ
接続されているからこのベース電位が変動する。また、
Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２７、Ｑ２８はエミッタ側が共通に
なっているので前記ベース電位が変化することによって
流れる電流が変わる。この流れる電流はそれぞれ前記比
率と同じになる。
ところで、周囲温度が変化すると、バイアス電流等も変
わってくるが、Ｖ７側の入力というのは抵抗Ｒ３２で電
流変化として出てくる。このＲ３２には温度特性があり
、従って、■、による電流の変化分が温度特性を持つこ
とになる。しかし、このＲ３２による温度特性は抵抗Ｒ
３４により打ち消されるので問題はない。ＶＸ側も同じ
ように前記電流の比率には抵抗Ｒ２７の温度特性を持つ
ことになり、これがそのまま出力に出てきてしまう。こ
のＲ２７による温度特性を打ち消すためにゲインコント
ロールアンプのバイアス回路２５によって■にに温度特
性を持たす。ゲインコントロールアンプのバイアス回路
２５は抵抗Ｒ２１とＲ２２によっである基準電圧を生じ
させこの基準電圧がトランジスタＱＩＯおよびＱ１２側
の抵抗Ｒ２４に現れてくるように回路構成されている。
わってくるが、Ｖ７側の入力というのは抵抗Ｒ３２で電
流変化として出てくる。このＲ３２には温度特性があり
、従って、■、による電流の変化分が温度特性を持つこ
とになる。しかし、このＲ３２による温度特性は抵抗Ｒ
３４により打ち消されるので問題はない。ＶＸ側も同じ
ように前記電流の比率には抵抗Ｒ２７の温度特性を持つ
ことになり、これがそのまま出力に出てきてしまう。こ
のＲ２７による温度特性を打ち消すためにゲインコント
ロールアンプのバイアス回路２５によって■にに温度特
性を持たす。ゲインコントロールアンプのバイアス回路
２５は抵抗Ｒ２１とＲ２２によっである基準電圧を生じ
させこの基準電圧がトランジスタＱＩＯおよびＱ１２側
の抵抗Ｒ２４に現れてくるように回路構成されている。
トランジスタＱ１５、Ｑ１４によりＱ９、ＱＩＯあるい
はＱｌｌ、Ｑ１２に流れる電流が同じになるように設定
すればＱ９、ＱＩＯの■、は同じになりＱｌｌ、Ｑ１２
のＶｌｌ！も同じになる。すなわち、ＱＩＯのベース点
の電位はＱ９のベース点からＱ９のＶｌｌＥ下がりここ
からＱｌｌの■１下がり、Ｑ１２のＶＥＥ上がりＱＩＯ
のＶ、上がるということになり、Ｑ９とＱ１０のベース
点は同じになる。
はＱｌｌ、Ｑ１２に流れる電流が同じになるように設定
すればＱ９、ＱＩＯの■、は同じになりＱｌｌ、Ｑ１２
のＶｌｌ！も同じになる。すなわち、ＱＩＯのベース点
の電位はＱ９のベース点からＱ９のＶｌｌＥ下がりここ
からＱｌｌの■１下がり、Ｑ１２のＶＥＥ上がりＱＩＯ
のＶ、上がるということになり、Ｑ９とＱ１０のベース
点は同じになる。
トランジスタＱ１４、Ｑ１５に流れる電流はＱＩＯのベ
ース点と（、ＮＤの点の間の抵抗Ｒ２４にかかる電圧に
より決定されるが、Ｒ２４は温度特性を持っており、Ｒ
２４の温度特性でＱ１４、Ｑ１５に流れる電流が決まり
それがバイアス電流となる。したがって、各■にのバイ
アス電流はＲ２４の温度特性を持った電流が流れること
になる。ここで、Ｒ２４の両端の電圧は一定だから、Ｒ
２７に流れる電流によってできるＲ２７の両端の電圧は
一定になる。この場合にはプリアンプ部２８とは逆に負
の温度変化によって抵抗値が大きくなり、バイアス電流
が減少していく。このゲインコントロールアンプ ンコントロールアンプのバイアス回路２５により出力に
温度特性をも持たない回路構成になっている。
ース点と（、ＮＤの点の間の抵抗Ｒ２４にかかる電圧に
より決定されるが、Ｒ２４は温度特性を持っており、Ｒ
２４の温度特性でＱ１４、Ｑ１５に流れる電流が決まり
それがバイアス電流となる。したがって、各■にのバイ
アス電流はＲ２４の温度特性を持った電流が流れること
になる。ここで、Ｒ２４の両端の電圧は一定だから、Ｒ
２７に流れる電流によってできるＲ２７の両端の電圧は
一定になる。この場合にはプリアンプ部２８とは逆に負
の温度変化によって抵抗値が大きくなり、バイアス電流
が減少していく。このゲインコントロールアンプ ンコントロールアンプのバイアス回路２５により出力に
温度特性をも持たない回路構成になっている。
したがって、上述したプリアンプ部２８とゲインコント
ロールアンプ部２９を組み合わせてレシーバ回路３０を
構成しているため、トータルで消費電流の変化をなくす
ことができる。。
ロールアンプ部２９を組み合わせてレシーバ回路３０を
構成しているため、トータルで消費電流の変化をなくす
ことができる。。
すなわち、プリアンプのバイアス回路２２の温度特性は
ダイオードに依存し正の温度特性を示すとともに、プリ
アンプ２３は帰還をかけゲインを一定に保っている。
ダイオードに依存し正の温度特性を示すとともに、プリ
アンプ２３は帰還をかけゲインを一定に保っている。
そのため、周囲温度が上昇すると、Ｖａｔ （Ｖｏ）は
減少し、抵抗値は増大する。この周囲温度の上昇に伴う
バイアス電流の増加が、抵抗値の増加による周波数帯域
の劣化を防いでいる．また、本回路ではバイアス回路２
２とプリアンプ２３の構成を等しくすることにより出力
特性の変化（オフセ・７ト、位相余裕等）も防いでいる
。
減少し、抵抗値は増大する。この周囲温度の上昇に伴う
バイアス電流の増加が、抵抗値の増加による周波数帯域
の劣化を防いでいる．また、本回路ではバイアス回路２
２とプリアンプ２３の構成を等しくすることにより出力
特性の変化（オフセ・７ト、位相余裕等）も防いでいる
。
一方、ゲインコントロールアンプのバイアス回路２５の
温度特性は抵抗に依存し、負の温度特性を示すとともに
、ゲインコントロールアンプ２６は乗算器としての回路
構成をとっている。その出力Ｖ。
温度特性は抵抗に依存し、負の温度特性を示すとともに
、ゲインコントロールアンプ２６は乗算器としての回路
構成をとっている。その出力Ｖ。
の変化分Δｖ０は次式■で示される。
・・・・・・■
但し、Ｋ＝Ｒ．／ＲＶ
ΔＶＸ ：ＶＸの変化分
ΔＶｙ：Ｖｙの変化分
第０式に示すように、出力Δｖ０は■８とＲＸの積に依
存する。周囲温度が上昇すると抵抗値（Ｒ１１等）が増
加するがバイアス電流（Ｉｘ等）は定電圧と抵抗値によ
って決められ周囲温度の上昇に対し電流値は減少する。
存する。周囲温度が上昇すると抵抗値（Ｒ１１等）が増
加するがバイアス電流（Ｉｘ等）は定電圧と抵抗値によ
って決められ周囲温度の上昇に対し電流値は減少する。
したがって、ＩＸとＲ．の積は変化せず、その出力Δ■
。も変化せず一定となる。また、周波数帯域はプリアン
プに比べ十分床いためその変化は問題とならない。
。も変化せず一定となる。また、周波数帯域はプリアン
プに比べ十分床いためその変化は問題とならない。
以上説明したように、本実施例によれば、周囲温度の上
昇に対して周波数帯域・ゲイン・消費電力が一定である
ため動作が安定し、微弱信号の検出精度向上に寄与する
ところが大きい。
昇に対して周波数帯域・ゲイン・消費電力が一定である
ため動作が安定し、微弱信号の検出精度向上に寄与する
ところが大きい。
本発明によれば、周囲温度の変化に対し動作および消費
電流を安定させることができ、微弱信号の検出精度を向
上させることができる。
電流を安定させることができ、微弱信号の検出精度を向
上させることができる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明に係るレシーバ回路の一実施例を示す回
路図、 第３図は従来のレシーバ回路のブロック図である。 １１−・・・・・・レシーバ回路、 １２・・・・・・プリアンプ、 １３・・・・・・プリアンプバイアス回路（第１バイア
ス回路）、 １４・・・・・・ゲインコントロール電圧、１５・・・
・・・ゲインコントロールアンプ、１６・・・・・・ゲ
インコントロールアンプバイアス回路（第２バイアス回
路）、 １７・・・・・・プリアンプ部、 １８・・・・・・ゲインコントロールアンプ部、２１・
・・・・・レシーバ回路、 ２２・・・・・・プリアンプのバイアス回路（第１バイ
アス回路）、 ２３・・・・・・プリアンプ、 ２５・・・・・・ゲインコントロールアンプのバイアス
回路、 ２６・・・・・・ゲインコントロールアンプ、２８・・
・・・・プリアンプ部、 ２９・・・・・・ゲインコントロールアンプ部、３０・
・・・・・レシーバ回路、 ■〜０・・・・・・外部端子、 ０１〜Ｑ３１：トランジスタ、 Ｄ２１〜Ｄ２９：ダイオード、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１１〜Ｒ３６：抵抗、 Ｖ７ ：メインの入力、 ＶＸ ニゲインコントロールの入力、 ＶＣＣ：高電位側電源、 ＶＥＥ：定電位側電源、 ＧＮＤ ニゲランドレベル。 代 理 人 弁理士 井 桁 貞 従来例のブロック図 第 図
路図、 第３図は従来のレシーバ回路のブロック図である。 １１−・・・・・・レシーバ回路、 １２・・・・・・プリアンプ、 １３・・・・・・プリアンプバイアス回路（第１バイア
ス回路）、 １４・・・・・・ゲインコントロール電圧、１５・・・
・・・ゲインコントロールアンプ、１６・・・・・・ゲ
インコントロールアンプバイアス回路（第２バイアス回
路）、 １７・・・・・・プリアンプ部、 １８・・・・・・ゲインコントロールアンプ部、２１・
・・・・・レシーバ回路、 ２２・・・・・・プリアンプのバイアス回路（第１バイ
アス回路）、 ２３・・・・・・プリアンプ、 ２５・・・・・・ゲインコントロールアンプのバイアス
回路、 ２６・・・・・・ゲインコントロールアンプ、２８・・
・・・・プリアンプ部、 ２９・・・・・・ゲインコントロールアンプ部、３０・
・・・・・レシーバ回路、 ■〜０・・・・・・外部端子、 ０１〜Ｑ３１：トランジスタ、 Ｄ２１〜Ｄ２９：ダイオード、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１１〜Ｒ３６：抵抗、 Ｖ７ ：メインの入力、 ＶＸ ニゲインコントロールの入力、 ＶＣＣ：高電位側電源、 ＶＥＥ：定電位側電源、 ＧＮＤ ニゲランドレベル。 代 理 人 弁理士 井 桁 貞 従来例のブロック図 第 図
Claims (2)
- （１）入力信号を所定の大きさに増幅するプリアンプと
、 該プリアンプに所定のバイアス電流を供給する第１バイ
アス回路と、 該プリアンプの出力に所定のゲインを与えるゲインコン
トロールアンプと、 該ゲインコントロールアンプに所定のバイアス電流を与
える第２バイアス回路と、を備えたレシーバ回路であっ
て、 前記プリアンプおよび第１バイアス回路は温度上昇に伴
ってバイアス電流を増大させることにより温度変化に対
する特性の変動を抑制する回路構成にするとともに、 前記ゲインコントロールアンプおよび第２バイアス回路
は温度上昇に伴ってバイアス電流を減少させることによ
り温度変化に対する特性の変動を抑制する回路構成とし
、 温度変化による特性劣化を防止しながら全体の消費電流
の変化を小さくするようにしたことを特徴とするレシー
バ回路。 - （２）前記プリアンプおよび第１バイアス回路は温度上
昇に伴ってバイアス電流を減少させることにより温度変
化に対する特性の変動を抑制する回路構成にするととも
に、 前記ゲインコントロールアンプおよび第２バイアス回路
は温度上昇に伴ってバイアス電流を増大させることによ
り温度変化に対する特性の変動を抑制する回路構成とし
、 温度変化による特性劣化を防止しながら全体の消費電流
の変化を小さくするようにしたことを特徴とする請求項
（１）記載のレシーバ回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244555A JP2582442B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | レシーバ回路 |
| KR1019900014915A KR940000926B1 (ko) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | 제 1 및 제 2 증폭기를 구비한 리시버(receiver)회로 |
| EP90402610A EP0419366B1 (en) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Receiver circuit having first and second amplifiers |
| DE69018179T DE69018179D1 (de) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Empfängerschaltung mit erstem und zweitem Verstärker. |
| US07/729,883 US5159288A (en) | 1989-09-20 | 1991-07-11 | Receiver circuit having first and second amplifiers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244555A JP2582442B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | レシーバ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03107205A true JPH03107205A (ja) | 1991-05-07 |
| JP2582442B2 JP2582442B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17120451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244555A Expired - Fee Related JP2582442B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | レシーバ回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5159288A (ja) |
| EP (1) | EP0419366B1 (ja) |
| JP (1) | JP2582442B2 (ja) |
| KR (1) | KR940000926B1 (ja) |
| DE (1) | DE69018179D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032319A1 (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 温度補償機能付き差動増幅器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114910A (en) * | 1998-12-14 | 2000-09-05 | Raytheon Company | Temperature compensated amplifier and operating method |
| US6121838A (en) * | 1998-12-23 | 2000-09-19 | Finisar Corporation | Precision GaAs low-voltage DC amplifier |
| US6625238B2 (en) * | 2000-03-29 | 2003-09-23 | Sony Corporation | Low power and high linearity receivers with reactively biased front ends |
| US6583667B1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-24 | Institute Of Microelectronics | High frequency CMOS differential amplifiers with fully compensated linear-in-dB variable gain characteristic |
| EP2104182A1 (en) * | 2008-01-17 | 2009-09-23 | Raysat, Inc. | Integrated antenna phased array control device |
| KR101147295B1 (ko) | 2010-10-28 | 2012-05-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 리시버 회로 및 신호 수신방법 |
| JP2022039806A (ja) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 株式会社村田製作所 | 増幅装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059804A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-04-06 | テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多段信号伝送装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3195065A (en) * | 1963-06-26 | 1965-07-13 | Statham Instrument Inc | Temperature stabilization of transistor amplifiers |
| US3395359A (en) * | 1965-01-04 | 1968-07-30 | Electronic Associates | Differential amplifier |
| US3531733A (en) * | 1968-03-04 | 1970-09-29 | Sprague Electric Co | Linear amplifier with ac gain temperature compensation and dc level shifting |
| US3755751A (en) * | 1971-10-21 | 1973-08-28 | Motorola Inc | High voltage solid-state amplifier having temperature responsive shutdown |
| JPS5330850A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Hitachi Ltd | Gain control circuit |
| EP0054938A1 (de) * | 1980-12-23 | 1982-06-30 | Zdzislaw Gulczynski | Leistungsverstärker mit Ruhestromregler |
| US4476441A (en) * | 1980-12-23 | 1984-10-09 | Zdzislaw Gulczynski | Push-pull power amplifier |
| US4368420A (en) * | 1981-04-14 | 1983-01-11 | Fairchild Camera And Instrument Corp. | Supply voltage sense amplifier |
| US4454480A (en) * | 1981-07-15 | 1984-06-12 | Allfather Lars P | Amplifying with cascaded class B amplifiers |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1244555A patent/JP2582442B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-20 KR KR1019900014915A patent/KR940000926B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-20 EP EP90402610A patent/EP0419366B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-20 DE DE69018179T patent/DE69018179D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-11 US US07/729,883 patent/US5159288A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059804A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-04-06 | テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多段信号伝送装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032319A1 (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 温度補償機能付き差動増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582442B2 (ja) | 1997-02-19 |
| EP0419366A2 (en) | 1991-03-27 |
| EP0419366B1 (en) | 1995-03-29 |
| US5159288A (en) | 1992-10-27 |
| EP0419366A3 (en) | 1991-05-15 |
| KR910007236A (ko) | 1991-04-30 |
| DE69018179D1 (de) | 1995-05-04 |
| KR940000926B1 (ko) | 1994-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |