JPH03108111A - 薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア及びその製造方法Info
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- JPH03108111A JPH03108111A JP24777489A JP24777489A JPH03108111A JP H03108111 A JPH03108111 A JP H03108111A JP 24777489 A JP24777489 A JP 24777489A JP 24777489 A JP24777489 A JP 24777489A JP H03108111 A JPH03108111 A JP H03108111A
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- film
- magnetic film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度磁気記録に適した薄膜磁気ヘッド用磁
性膜コア及びその製造方法に関する。
性膜コア及びその製造方法に関する。
近年、コンピューター用ハードディスクの高密度記録化
に適した記録ヘッドとして、磁気異方性を有する磁性膜
を積層し、リソグラフィー技術を用いてパターンを形成
させて作製する薄膜磁気ヘッドが開発され、使用されて
いる。
に適した記録ヘッドとして、磁気異方性を有する磁性膜
を積層し、リソグラフィー技術を用いてパターンを形成
させて作製する薄膜磁気ヘッドが開発され、使用されて
いる。
第８図は磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドの平面図であり
、漏斗形の磁性膜コア８にコイル９を巻回した構成を有
する（特開昭６３−１７５２１２号参照）。
、漏斗形の磁性膜コア８にコイル９を巻回した構成を有
する（特開昭６３−１７５２１２号参照）。
該磁性膜コア８の下部の記録媒体対向面１０に近い部分
の磁路幅Ｔ。は、記録トラック幅に対応してその寸法を
狭く形成する。従って記録の高密度化に伴い磁路幅Ｔ。
の磁路幅Ｔ。は、記録トラック幅に対応してその寸法を
狭く形成する。従って記録の高密度化に伴い磁路幅Ｔ。
をより狭くする必要が生じる。
また、薄膜磁気ヘッドに使用される磁性膜は高周波域に
おける高透磁率が必要である。前記磁性膜は一軸磁気異
方性を有しており、高周波における透磁率は磁化困難軸
方向の方が磁化容易軸方向よりも高い。これは膜中での
ほとんどの磁化が磁化容易軸方向を向いているため、磁
化困難軸方向の磁化過程において、高周波域で応答性の
速い磁化回転による磁化現象が主として起こるためであ
る。従って磁性膜の磁化困難軸方向を磁路方向に一致さ
せ、磁化容易軸方向を磁路幅Ｔ。に一致させることが一
般に行われている。
おける高透磁率が必要である。前記磁性膜は一軸磁気異
方性を有しており、高周波における透磁率は磁化困難軸
方向の方が磁化容易軸方向よりも高い。これは膜中での
ほとんどの磁化が磁化容易軸方向を向いているため、磁
化困難軸方向の磁化過程において、高周波域で応答性の
速い磁化回転による磁化現象が主として起こるためであ
る。従って磁性膜の磁化困難軸方向を磁路方向に一致さ
せ、磁化容易軸方向を磁路幅Ｔ。に一致させることが一
般に行われている。
ところで、磁性膜中の磁区構造を決定するエネルギーは
静磁エネルギー、磁壁エネルギー、磁気異方性エネルギ
ー、磁気弾性エネルギー等からなる。第９図は磁性膜コ
アの磁区構造を示す模式図である。磁性膜コアの磁区は
磁化容易軸方向に磁化が向いた図中中央部の六角磁区１
４．１４・・・と、その両端部に生じ、磁化困難磁区方
向に磁化が向いた三角磁区１３．１３・・・とにて構成
される。前記三角磁区１３．１３・・・はこのうち主と
して静磁エネルギーを減少させた場合に磁束が還流して
生ずるものである。ここで、三角磁区中の磁化は磁化困
難軸方向を向いているため、磁化困難軸方向での磁化過
程において、高周波域での応答性の遅い磁壁移動の起こ
る原因となり、磁化困難軸方向での高周波域における透
磁率減少の原因となる。また磁区の大きさを決定するの
は主に磁壁エネルギー及び三角磁区１３．１３・・・の
部分の磁気異方性エネルギーであり、高密度記録のため
磁路幅Ｔ。を狭くすると、三角磁区１３，１３・・・の
膜中に占める割合が増加し、磁性膜の高周波での透磁率
が低下することとなる。
静磁エネルギー、磁壁エネルギー、磁気異方性エネルギ
ー、磁気弾性エネルギー等からなる。第９図は磁性膜コ
アの磁区構造を示す模式図である。磁性膜コアの磁区は
磁化容易軸方向に磁化が向いた図中中央部の六角磁区１
４．１４・・・と、その両端部に生じ、磁化困難磁区方
向に磁化が向いた三角磁区１３．１３・・・とにて構成
される。前記三角磁区１３．１３・・・はこのうち主と
して静磁エネルギーを減少させた場合に磁束が還流して
生ずるものである。ここで、三角磁区中の磁化は磁化困
難軸方向を向いているため、磁化困難軸方向での磁化過
程において、高周波域での応答性の遅い磁壁移動の起こ
る原因となり、磁化困難軸方向での高周波域における透
磁率減少の原因となる。また磁区の大きさを決定するの
は主に磁壁エネルギー及び三角磁区１３．１３・・・の
部分の磁気異方性エネルギーであり、高密度記録のため
磁路幅Ｔ。を狭くすると、三角磁区１３，１３・・・の
膜中に占める割合が増加し、磁性膜の高周波での透磁率
が低下することとなる。
一方、磁化困難磁区の透磁率μは飽和磁界Ｂ。
を磁気異方性磁界ＨＫによって除した値と近似させるこ
とができる（μ＃Ｂ、 ／ｌ（ｘ ）。つまり、透磁率
を上げるためには磁性膜の磁気異方性磁界Ｈ８を小さく
すればよい。しかし、磁性膜の磁気異方性を小さくし過
ぎると三角磁区１３．１３・・・の占める領域が増加し
、高周波での透磁率が低下する。
とができる（μ＃Ｂ、 ／ｌ（ｘ ）。つまり、透磁率
を上げるためには磁性膜の磁気異方性磁界Ｈ８を小さく
すればよい。しかし、磁性膜の磁気異方性を小さくし過
ぎると三角磁区１３．１３・・・の占める領域が増加し
、高周波での透磁率が低下する。
特に高密度記録のために磁路幅Ｔ１を狭くした場合、磁
性膜中の三角磁区の占める割合が増加するので高周波域
での透磁率が低下し、磁気ヘッドの記録再生効率が劣化
するという問題があった。
性膜中の三角磁区の占める割合が増加するので高周波域
での透磁率が低下し、磁気ヘッドの記録再生効率が劣化
するという問題があった。
従来、この問題点を改善させるものとして、磁性膜コア
の磁路幅の異なる部分でそれぞれ磁気異方性の強さを最
適化させ、なるべく高い透磁率を得る薄膜磁気ヘッドが
提案されている（特開昭６３１７５２１２号）。
の磁路幅の異なる部分でそれぞれ磁気異方性の強さを最
適化させ、なるべく高い透磁率を得る薄膜磁気ヘッドが
提案されている（特開昭６３１７５２１２号）。
ところが上述の如き構成の薄膜磁気ヘッドでは磁路幅Ｔ
１．ｌを狭くした場合、最適な強さの磁気異方性は、磁
路幅Ｔ。が広い場合に比較して強くなるため、磁路幅Ｔ
。が広い場合に比べて六角磁区における磁化困難磁区方
向の透磁率が低くなるという問題があった。
１．ｌを狭くした場合、最適な強さの磁気異方性は、磁
路幅Ｔ。が広い場合に比較して強くなるため、磁路幅Ｔ
。が広い場合に比べて六角磁区における磁化困難磁区方
向の透磁率が低くなるという問題があった。
また、磁性膜を複数の部分に分け、スパッタ法により磁
気異方性が異なる材料を別々に成膜する方法を用いた場
合、各部の境界ですき間または段差が生じ、製品の品質
が悪いという問題があった。
気異方性が異なる材料を別々に成膜する方法を用いた場
合、各部の境界ですき間または段差が生じ、製品の品質
が悪いという問題があった。
更にまたスパッタ法による磁性膜の成膜方法は大量生産
に適さない。
に適さない。
本発明は斯かる事情に鑑みなされたものであり、磁気異
方性を有する第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の
両端部に、第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する
第二の磁性膜を電気めっき法により付着させた後、磁場
中で熱処理を行うことにより、磁性膜の中央部での磁気
異方性を強めることなく、前記三角磁区の膜中に占める
割合を減少せしめ、高密度記録のために磁路幅を狭くし
た場合でも透磁率が良好である薄膜磁気ヘッド用磁性膜
コアと、これを量産性及び品質良好に製造する方法とを
提供することをその目的とする。
方性を有する第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の
両端部に、第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する
第二の磁性膜を電気めっき法により付着させた後、磁場
中で熱処理を行うことにより、磁性膜の中央部での磁気
異方性を強めることなく、前記三角磁区の膜中に占める
割合を減少せしめ、高密度記録のために磁路幅を狭くし
た場合でも透磁率が良好である薄膜磁気ヘッド用磁性膜
コアと、これを量産性及び品質良好に製造する方法とを
提供することをその目的とする。
（課題を解決するための手段〕
本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアは、磁気異方
性を有する第一の磁性膜を用いてなる薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の
両端部に、第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する
第二の磁性膜が付着してあることを特徴とする。
性を有する第一の磁性膜を用いてなる薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の
両端部に、第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する
第二の磁性膜が付着してあることを特徴とする。
また本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアの製造方
法は、第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の両端部
に、第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する第二の
磁性膜を電気めっき法により付着させた後、磁場中で熱
処理を行うことを特徴とする特 〔作用〕 本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアは、第一の磁
性膜の磁路方向と交叉する方向の両端部に、第一の磁性
膜よりも強い磁気異方性を有する第二の磁性膜が付着し
であるので、第一の磁性膜の磁気異方性を強めることな
く、即ち第一の磁性膜の透磁率を減少させることなく、
前記両端部近傍に生ずる三角磁区の膜中に占める割合を
減少させることができる。
法は、第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の両端部
に、第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する第二の
磁性膜を電気めっき法により付着させた後、磁場中で熱
処理を行うことを特徴とする特 〔作用〕 本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアは、第一の磁
性膜の磁路方向と交叉する方向の両端部に、第一の磁性
膜よりも強い磁気異方性を有する第二の磁性膜が付着し
であるので、第一の磁性膜の磁気異方性を強めることな
く、即ち第一の磁性膜の透磁率を減少させることなく、
前記両端部近傍に生ずる三角磁区の膜中に占める割合を
減少させることができる。
また本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアの製造方
法は、第一の磁性膜と第二の磁性膜とを電気めっき法に
より付着させた後、磁場中で熱処理を行う。これにより
第一の磁性膜と第二の磁性膜との境界にすき間または段
差が生じず、良質の製品が大量生産される。
法は、第一の磁性膜と第二の磁性膜とを電気めっき法に
より付着させた後、磁場中で熱処理を行う。これにより
第一の磁性膜と第二の磁性膜との境界にすき間または段
差が生じず、良質の製品が大量生産される。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき詳述する
。
。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアの製
造工程を示す模式図、第２図は磁性膜たるパーマロイ膜
の組成と磁歪定数との関係を示すグラフ、第３図は８４
−ｔ％Ｎｉ組成のパーマロイ膜の磁区構造、第４図は８
２−１％Ｎｉ組成のパーマロイ膜の磁区構造である。
造工程を示す模式図、第２図は磁性膜たるパーマロイ膜
の組成と磁歪定数との関係を示すグラフ、第３図は８４
−ｔ％Ｎｉ組成のパーマロイ膜の磁区構造、第４図は８
２−１％Ｎｉ組成のパーマロイ膜の磁区構造である。
第１２図において縦軸には磁歪定数が、横軸にはパーマ
ロイ膜の組成（Ｎｉｗｔ％）が示されている。
ロイ膜の組成（Ｎｉｗｔ％）が示されている。
図より明らかな如＜Ｎｉ組成の多いパーマロイ膜はど磁
歪定数が小さい。磁気異方性には、結晶磁気異方性、ｖ
Ｊ導導磁気力方性応力誘起磁気異方性、形状磁気異方性
がある。膜中には第３図中矢符で示される磁路方向に引
張応力が働いているため、磁歪定数が負の領域では、磁
歪定数の絶対値が大きい膜はど磁路方向と交叉する方向
に強い応力誘起磁気異方性を生ずる。Ｎｉ組成が多い膜
、即ち磁歪定数が小さいものほど応力誘起磁気異方性が
強い。従ってＮｉ組成８１ｗｔ％以上でＮｉ組成が多い
膜はど応力誘起磁気異方性が強く、三角磁区の膜中に占
める割合が小さい。一方、Ｎｉ組成が少ない膜、即ち負
の磁歪定数で、絶対値が小さいものまで応力誘起磁気異
方性が弱いので三角磁区の膜中に占める割合は大きい。
歪定数が小さい。磁気異方性には、結晶磁気異方性、ｖ
Ｊ導導磁気力方性応力誘起磁気異方性、形状磁気異方性
がある。膜中には第３図中矢符で示される磁路方向に引
張応力が働いているため、磁歪定数が負の領域では、磁
歪定数の絶対値が大きい膜はど磁路方向と交叉する方向
に強い応力誘起磁気異方性を生ずる。Ｎｉ組成が多い膜
、即ち磁歪定数が小さいものほど応力誘起磁気異方性が
強い。従ってＮｉ組成８１ｗｔ％以上でＮｉ組成が多い
膜はど応力誘起磁気異方性が強く、三角磁区の膜中に占
める割合が小さい。一方、Ｎｉ組成が少ない膜、即ち負
の磁歪定数で、絶対値が小さいものまで応力誘起磁気異
方性が弱いので三角磁区の膜中に占める割合は大きい。
本実施例においては第一の磁性膜として８２−ｔ％Ｎｆ
組成のパーマロイ膜を、第二の磁性膜として第一の磁性
膜よりも磁気異方性が強い８４ｗｔ％Ｎｉ組成のパーマ
ロイ膜を用いて以下に示す如き製造工程で本発明の薄膜
磁気ヘッド用磁性膜コアを作製した。
組成のパーマロイ膜を、第二の磁性膜として第一の磁性
膜よりも磁気異方性が強い８４ｗｔ％Ｎｉ組成のパーマ
ロイ膜を用いて以下に示す如き製造工程で本発明の薄膜
磁気ヘッド用磁性膜コアを作製した。
以下に第１図に基づいて本発明に係る薄膜磁気ヘッド用
磁性膜コアの製造工程を説明する。
磁性膜コアの製造工程を説明する。
まずアルミナコートＴｉＣ基板４上に密着用Ｔｉ薄膜３
を、更にその上に電極用金属膜２を形成する。
を、更にその上に電極用金属膜２を形成する。
該電極用金属膜２上の磁性膜の輪郭となる部分に特開昭
５０−９５１４７号公報に開示されるフレームめっき法
によりフレーム用レジスト１を立てパターンを形成する
（第１図（ａ））。ここで磁性膜の形は第５図に示すよ
うなものにする。即ち磁性膜コア８の記録トランク幅に
対応して磁路幅Ｔ。が狭くなっている部分から導電路８
ａが連なって形成されているような形状にする。これは
後行程において磁気異方性の強い膜、即ち第二の磁性膜
を付着させるためである。
５０−９５１４７号公報に開示されるフレームめっき法
によりフレーム用レジスト１を立てパターンを形成する
（第１図（ａ））。ここで磁性膜の形は第５図に示すよ
うなものにする。即ち磁性膜コア８の記録トランク幅に
対応して磁路幅Ｔ。が狭くなっている部分から導電路８
ａが連なって形成されているような形状にする。これは
後行程において磁気異方性の強い膜、即ち第二の磁性膜
を付着させるためである。
上述の如くフレーム用レジストを立てた電極用金属膜２
上に、第一の磁性膜５たる８２−ｔ％Ｎｉパーマロイ膜
を磁場中で電気めっき法により成膜する（第１図（ｂ）
）。
上に、第一の磁性膜５たる８２−ｔ％Ｎｉパーマロイ膜
を磁場中で電気めっき法により成膜する（第１図（ｂ）
）。
次に第一の磁性膜５上にアルミナをスパッタ法で成膜し
、その後リソグラフィー技術とＣＦ４ガスを用いたイオ
ンミリングによってエツチングすることにより、第一の
磁性膜５上のフレーム用レジスト１で囲まれた部分にカ
バー用アルミナ６を形成する（第１図（Ｃ））。
、その後リソグラフィー技術とＣＦ４ガスを用いたイオ
ンミリングによってエツチングすることにより、第一の
磁性膜５上のフレーム用レジスト１で囲まれた部分にカ
バー用アルミナ６を形成する（第１図（Ｃ））。
続いてカバー用アルミナ６に覆われていない部分の第一
の磁性膜５をウェットエツチングにより除去した後、フ
レーム用レジスト１を有機溶媒により除去する。その後
、電極用金属膜２及び密着用薄膜３をフレーム用レジス
ト１に囲まれていた部分を残してイオンミリングで除去
する。そして第一の磁性膜５の両側面、即ちフレーム用
レジストｌが形成されていた部分の基板４上に第二の磁
性膜７を電気めっき法により磁場中で付着させる（第１
図（ｄ））。
の磁性膜５をウェットエツチングにより除去した後、フ
レーム用レジスト１を有機溶媒により除去する。その後
、電極用金属膜２及び密着用薄膜３をフレーム用レジス
ト１に囲まれていた部分を残してイオンミリングで除去
する。そして第一の磁性膜５の両側面、即ちフレーム用
レジストｌが形成されていた部分の基板４上に第二の磁
性膜７を電気めっき法により磁場中で付着させる（第１
図（ｄ））。
更に第一の磁性膜５上のカバー用アルミナ６をイオンミ
リングによって除去する。そして第一の磁性膜５と第二
の磁性膜７との整合性をより高めるためと、安定した磁
区構造を得るために磁場中で熱処理を行う（第１図（ｅ
））。
リングによって除去する。そして第一の磁性膜５と第二
の磁性膜７との整合性をより高めるためと、安定した磁
区構造を得るために磁場中で熱処理を行う（第１図（ｅ
））。
以上のようにして形成された本発明の薄膜磁気ヘッド用
磁性膜コアの磁区構造（第６図）は高密度記録を図るべ
く磁路幅Ｔ８を狭くした場合でも、本発明を適用しなか
った場合の磁区構造（第７図）と比して三角磁区の占め
る領域を減少させることができる。
磁性膜コアの磁区構造（第６図）は高密度記録を図るべ
く磁路幅Ｔ８を狭くした場合でも、本発明を適用しなか
った場合の磁区構造（第７図）と比して三角磁区の占め
る領域を減少させることができる。
以上詳述した如く、本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性
膜コアは、第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の両
端部に第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する第二
の磁性膜が付着しであるので、第一の磁性膜の透磁率を
減少させることなく、三角磁区の膜中に占める割合を減
少させることができる。これにより、高密度記録のため
に磁路幅を狭くした場合でも良好な透磁率の薄膜磁気ヘ
ッド用磁性膜コアが得られる。
膜コアは、第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の両
端部に第一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する第二
の磁性膜が付着しであるので、第一の磁性膜の透磁率を
減少させることなく、三角磁区の膜中に占める割合を減
少させることができる。これにより、高密度記録のため
に磁路幅を狭くした場合でも良好な透磁率の薄膜磁気ヘ
ッド用磁性膜コアが得られる。
また本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアの製造方
法は、第一の磁性膜と第二の磁性膜とを電気めっき法に
より付着させた後、磁場中で熱処理を行う。これにより
、第一・の磁性膜と第二の磁性膜との境界にすき間また
は段差が生じず、製品の品質を向上させると共に、大量
生産を可能ならしめる等本発明は優れた効果を奏する。
法は、第一の磁性膜と第二の磁性膜とを電気めっき法に
より付着させた後、磁場中で熱処理を行う。これにより
、第一・の磁性膜と第二の磁性膜との境界にすき間また
は段差が生じず、製品の品質を向上させると共に、大量
生産を可能ならしめる等本発明は優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアの製
造工程を示す模式図、第２図はパーマロイ膜の組成と磁
歪定数との関係を示すグラフ、第３同は８４Ｈｔ％Ｎｉ
組成のパーマロイ膜の磁区構造を示す模式図、第４図は
８２ｗ ｔ％Ｎｉ組成のパーマロイ膜の磁区構造を示す
模式図、第５図は本発明の薄膜磁気ヘッド用コアの磁性
膜の形状を示す模式図、第６図は本発明の薄膜磁気ヘッ
ド用磁性膜コアの磁区構造を示す模式図、第７図は本発
明を適用しなかった場合の薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア
の磁区構造を示す模式図、第８図は磁性膜を用いた薄膜
磁気ヘッド用コアの平面図、第９図は磁性膜中の磁区構
造を示す模式図である。
造工程を示す模式図、第２図はパーマロイ膜の組成と磁
歪定数との関係を示すグラフ、第３同は８４Ｈｔ％Ｎｉ
組成のパーマロイ膜の磁区構造を示す模式図、第４図は
８２ｗ ｔ％Ｎｉ組成のパーマロイ膜の磁区構造を示す
模式図、第５図は本発明の薄膜磁気ヘッド用コアの磁性
膜の形状を示す模式図、第６図は本発明の薄膜磁気ヘッ
ド用磁性膜コアの磁区構造を示す模式図、第７図は本発
明を適用しなかった場合の薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア
の磁区構造を示す模式図、第８図は磁性膜を用いた薄膜
磁気ヘッド用コアの平面図、第９図は磁性膜中の磁区構
造を示す模式図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気異方性を有する第一の磁性膜を用いてなる薄膜
磁気ヘッド用磁性膜コアにおいて、前記第一の磁性膜の
磁路方向と交叉する方向の両端部に、第一の磁性膜より
も強い磁気異方性を有する第二の磁性膜が付着してある
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア。 ２、請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアを製造
する方法において、 第一の磁性膜の磁路方向と交叉する方向の両端部に、第
一の磁性膜よりも強い磁気異方性を有する第二の磁性膜
を電気めっき法により付着させた後、磁場中で熱処理を
行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用磁性膜コアの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24777489A JPH03108111A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24777489A JPH03108111A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108111A true JPH03108111A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=17168453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24777489A Pending JPH03108111A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 薄膜磁気ヘッド用磁性膜コア及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03108111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7263762B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies | Method for reducing pole height loss in the formation of a write pole for a magnetic write head |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP24777489A patent/JPH03108111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7263762B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies | Method for reducing pole height loss in the formation of a write pole for a magnetic write head |
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