JPH03108362A - 半導体塔載用回路基板及びその製造方法 - Google Patents
半導体塔載用回路基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03108362A JPH03108362A JP1245036A JP24503689A JPH03108362A JP H03108362 A JPH03108362 A JP H03108362A JP 1245036 A JP1245036 A JP 1245036A JP 24503689 A JP24503689 A JP 24503689A JP H03108362 A JPH03108362 A JP H03108362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor circuit
- resin
- circuit board
- semiconductor device
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、導体回路の少なくとも部品塔載部分を除Ａて
樹脂状で被覆して耐電圧の低下を防止し、しかもダイオ
ード、トランジスター、サイリスタトライアック等のパ
ワー半導体装置を塔載した際の高放熱性にもすぐれた半
導体塔載用回路基板及びその製造方法に関するものであ
る。
樹脂状で被覆して耐電圧の低下を防止し、しかもダイオ
ード、トランジスター、サイリスタトライアック等のパ
ワー半導体装置を塔載した際の高放熱性にもすぐれた半
導体塔載用回路基板及びその製造方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、回路基板にはアルミナ、窒化アルミニウム、ベリ
リア、シリコーンカーバイド等のセラミックス層を持っ
たアルミニウム板、銅板、鉄板及びステンレス板のセラ
ミックス基板する＾はアルミニウム、銅、鉄及びステン
レス等に樹脂又は無機充てん剤を含有した樹脂絶縁層を
設けた金属ベース基板が使用されて論る。そしてこの回
路基板は第４図に示すように導体回路４に気泡１２が付
着した夕、回路基板作成時に半田付着防止のため半導体
装置、抵抗体及びリード端子部分以外の導体回路部分に
半田レジストを全ｙｊＪ塗布し、しかも第６図に示すよ
りに例えば導体回路４間に半田レジスト１３を塗布し半
田の流入を防止する使用万法もあるが、このような方法
であっても導体回路４としての一部が露出して＾るため
に電界集中が起り、導体回路４周囲の絶縁層が除々に破
壊されて絶縁不良を発生させて耐電圧の低下を招くとさ
れてｈる。また第５図のように中空パッケージの場合に
は、中空内で放電現象が発生し、この際発生したプラズ
マによって絶縁層表面が酸化し、この現象が繰り返され
ることにより、絶縁層が薄肉化して絶縁不良が生じ耐電
圧が低下する原因となる。
リア、シリコーンカーバイド等のセラミックス層を持っ
たアルミニウム板、銅板、鉄板及びステンレス板のセラ
ミックス基板する＾はアルミニウム、銅、鉄及びステン
レス等に樹脂又は無機充てん剤を含有した樹脂絶縁層を
設けた金属ベース基板が使用されて論る。そしてこの回
路基板は第４図に示すように導体回路４に気泡１２が付
着した夕、回路基板作成時に半田付着防止のため半導体
装置、抵抗体及びリード端子部分以外の導体回路部分に
半田レジストを全ｙｊＪ塗布し、しかも第６図に示すよ
りに例えば導体回路４間に半田レジスト１３を塗布し半
田の流入を防止する使用万法もあるが、このような方法
であっても導体回路４としての一部が露出して＾るため
に電界集中が起り、導体回路４周囲の絶縁層が除々に破
壊されて絶縁不良を発生させて耐電圧の低下を招くとさ
れてｈる。また第５図のように中空パッケージの場合に
は、中空内で放電現象が発生し、この際発生したプラズ
マによって絶縁層表面が酸化し、この現象が繰り返され
ることにより、絶縁層が薄肉化して絶縁不良が生じ耐電
圧が低下する原因となる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明はかかる欠点を解決するものであり、回路基板の
導体回路を部品塔載部分を除＾て樹脂状物で被覆して気
泡を除去し、使用時の電界集中全緩和することにより、
耐電圧の低下を防止すると共に絶縁層の厚さを極力おさ
えることにより放熱性の低下も防ぐことができること金
兄い出し、半導体塔載用回路基板及びその製造方法全完
成するに至った。
導体回路を部品塔載部分を除＾て樹脂状物で被覆して気
泡を除去し、使用時の電界集中全緩和することにより、
耐電圧の低下を防止すると共に絶縁層の厚さを極力おさ
えることにより放熱性の低下も防ぐことができること金
兄い出し、半導体塔載用回路基板及びその製造方法全完
成するに至った。
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、導体回路を設けた絶縁基板の前記導
体回路の少なくとも周縁部分に樹脂又は無機充てん剤含
有樹脂絶縁物ｔ−被覆してなることを特徴とし、葦だ前
記導体回路の露出部分に半導体装置等を塔載なることを
特徴とする半導体塔載用回路基板及びその製造方法であ
る。
体回路の少なくとも周縁部分に樹脂又は無機充てん剤含
有樹脂絶縁物ｔ−被覆してなることを特徴とし、葦だ前
記導体回路の露出部分に半導体装置等を塔載なることを
特徴とする半導体塔載用回路基板及びその製造方法であ
る。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の一例を表わ丁ものであり、放
熱板２に絶縁層又はセラミックス板３が積層されて導体
回路４が設けられている。そして導体回路４には半導体
装置５及び抵抗体６等が塔載されており、前記導体回路
４の少なくとも縁部分には絶縁物１１が被覆てれてｂる
。さらに第２図は放熱板２に放熱フィン１が接合され、
半導体装置５等は樹脂封止材９により封止された本発明
の実施例の一例を表わすものである。また前記の半導体
装置は、第５図に示す中空となるパッケージ８で封止す
る方法でもよい。
熱板２に絶縁層又はセラミックス板３が積層されて導体
回路４が設けられている。そして導体回路４には半導体
装置５及び抵抗体６等が塔載されており、前記導体回路
４の少なくとも縁部分には絶縁物１１が被覆てれてｂる
。さらに第２図は放熱板２に放熱フィン１が接合され、
半導体装置５等は樹脂封止材９により封止された本発明
の実施例の一例を表わすものである。また前記の半導体
装置は、第５図に示す中空となるパッケージ８で封止す
る方法でもよい。
本発明に用いる放熱板２の材質としては、銅、鉄、ニッ
ケル、アルミニウム、真ちゅう及びステンレス鋼等の板
である。また絶縁層又はセラミックス板３としては、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びこれら樹脂に無機充て
ん剤を充てんしたり、ガラス繊維等の繊維で補強した絶
縁層、アルミナ、シリコーンカーバイド、窒化アルミニ
ウム、ベリリア等のセラミックス板が使用される。
ケル、アルミニウム、真ちゅう及びステンレス鋼等の板
である。また絶縁層又はセラミックス板３としては、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びこれら樹脂に無機充て
ん剤を充てんしたり、ガラス繊維等の繊維で補強した絶
縁層、アルミナ、シリコーンカーバイド、窒化アルミニ
ウム、ベリリア等のセラミックス板が使用される。
本発明に用Ａられる導体回路４は、銅、鉄、ニッケル、
真ちゅう等の金属箔及びこれらの会合又は異種金属が積
層されたものであってもよい。嘔うに銅箔の場合にはワ
イヤーボンディング全容易にするため、あらかじめ金め
つき又はニッケルめっきを施しておいてもよい。
真ちゅう等の金属箔及びこれらの会合又は異種金属が積
層されたものであってもよい。嘔うに銅箔の場合にはワ
イヤーボンディング全容易にするため、あらかじめ金め
つき又はニッケルめっきを施しておいてもよい。
次に本発明に用Ａられる絶縁物１１は、導体回路４に付
着した気泡１２を除去するため導体回路４に密着性に富
んだものが好ｌしく、例えばエポキシ樹脂、ポリエステ
ル樹脂又はこれら樹脂と重縮合可能な異種樹脂、さらに
シリカ、溶融シリカ、アルミナ等の熱伝導性にすぐれた
無機充てん剤及び異種耐熱樹脂粉末を含有させたもので
もよい。
着した気泡１２を除去するため導体回路４に密着性に富
んだものが好ｌしく、例えばエポキシ樹脂、ポリエステ
ル樹脂又はこれら樹脂と重縮合可能な異種樹脂、さらに
シリカ、溶融シリカ、アルミナ等の熱伝導性にすぐれた
無機充てん剤及び異種耐熱樹脂粉末を含有させたもので
もよい。
そして絶縁物１１は導体回路４に厚さ３μｍ〜ｉ、ｏｏ
ｏμｍで被覆するのが好ましく、厚さが６μｍ未満では
気泡全十分に除去することができず、耐電圧の低下を防
止することができない。さらに被覆の厚さｕ ｉ、ｏ
ｏ ｏμｍｆｃ越えても何んら差し支えないが、耐電圧
低下の防止にはＩＵ効来がなく、塗工等の処理王台から
ｉ、ｏｏｏμｍが好ましい厚さである。
ｏμｍで被覆するのが好ましく、厚さが６μｍ未満では
気泡全十分に除去することができず、耐電圧の低下を防
止することができない。さらに被覆の厚さｕ ｉ、ｏ
ｏ ｏμｍｆｃ越えても何んら差し支えないが、耐電圧
低下の防止にはＩＵ効来がなく、塗工等の処理王台から
ｉ、ｏｏｏμｍが好ましい厚さである。
次に絶縁物１１は導体回路４の全面に被覆し、半導体装
置５等を塔載する部分を剥離して使用することができる
が、あらかじめ半導体装置５等を塔載する位置が決めら
れていれば、その場所ｔ−あらかじめ露出するようにす
ることも可能である。
置５等を塔載する部分を剥離して使用することができる
が、あらかじめ半導体装置５等を塔載する位置が決めら
れていれば、その場所ｔ−あらかじめ露出するようにす
ることも可能である。
また導体回路４に半導体装置５等を塔載した後、残９の
部分に絶縁物１１に被覆する方法であってもよい。そし
て絶縁物１１は第３図に示すとおり導体回路４の表面層
から側面そして底面葦で連続して被覆することが耐電圧
の低下を防止する上で効果があり、さらに表面層は（ａ
）の幅が５０丸以上であることが耐電圧低下の防止で効
果がある。
部分に絶縁物１１に被覆する方法であってもよい。そし
て絶縁物１１は第３図に示すとおり導体回路４の表面層
から側面そして底面葦で連続して被覆することが耐電圧
の低下を防止する上で効果があり、さらに表面層は（ａ
）の幅が５０丸以上であることが耐電圧低下の防止で効
果がある。
また側面から底面にかけては（１））の幅が１００μｍ
以上好１しくに５００μｍ以上が耐電圧低下の防止に効
果がある。絶縁物１１の導体回路４への被覆する方法と
しては、スクリーン印刷、吹き付は法が好葦しく、その
他回路基板全損傷しないものであれば、どのような被覆
方法でも差し支えなｈ０本発明の回路基板を製造する具
体的な方法としては、前記の絶縁層又はセラミックス板
が接金された放熱板に接着剤を介して前記の金属箔から
なる導体回路を形成させる。次に導体回路の半導体装置
（トランジスター ダイオード等）、抵抗体（チップ抵
抗、チップコンデンサー等）及び端子等が塔載予定され
る部分を除＾て、導体回路表面層の全面又は表面層にか
けての周縁部分から側面、絶縁層又はセラミックス板の
面に連続するように絶縁物を例えばスクリーン印刷又は
吹き付けにて塗布する。次いで絶縁物が硬化した後導体
回路の露出部分に半導体装置等の部品を塔載する。そし
て樹脂封止材又は中空パッケージで、導体回路面を密封
し、さらに必要に応じて放熱板は底面に放熱フィンを取
り付ける。
以上好１しくに５００μｍ以上が耐電圧低下の防止に効
果がある。絶縁物１１の導体回路４への被覆する方法と
しては、スクリーン印刷、吹き付は法が好葦しく、その
他回路基板全損傷しないものであれば、どのような被覆
方法でも差し支えなｈ０本発明の回路基板を製造する具
体的な方法としては、前記の絶縁層又はセラミックス板
が接金された放熱板に接着剤を介して前記の金属箔から
なる導体回路を形成させる。次に導体回路の半導体装置
（トランジスター ダイオード等）、抵抗体（チップ抵
抗、チップコンデンサー等）及び端子等が塔載予定され
る部分を除＾て、導体回路表面層の全面又は表面層にか
けての周縁部分から側面、絶縁層又はセラミックス板の
面に連続するように絶縁物を例えばスクリーン印刷又は
吹き付けにて塗布する。次いで絶縁物が硬化した後導体
回路の露出部分に半導体装置等の部品を塔載する。そし
て樹脂封止材又は中空パッケージで、導体回路面を密封
し、さらに必要に応じて放熱板は底面に放熱フィンを取
り付ける。
そして本発明の牛導体塔載用回路基板は、広義でいうパ
ワー半導体装置塔載モジュール用であり混成集積用回路
基板（［Ｃ）も含まれる。
ワー半導体装置塔載モジュール用であり混成集積用回路
基板（［Ｃ）も含まれる。
また導体回路周縁部分への樹脂又は無機充てん剤含有樹
脂絶縁物の塗布は、導体回路の周縁部分全体に被覆する
ことが望ましいが、半導体装置、抵抗体、リード端子及
び基板の大きさの部会上導体回路の周縁部分の一部が露
出することがあるが、耐電圧低下の程度は小さく効果に
はさほど影響を与えるものでない。さらに本発明に用い
る絶縁物１１は、第１図及び第２図に示すとおり半導体
装置５等の塔載部品に密着するよりに、またその他の全
ての導体回路４を被覆してもよ＾。
脂絶縁物の塗布は、導体回路の周縁部分全体に被覆する
ことが望ましいが、半導体装置、抵抗体、リード端子及
び基板の大きさの部会上導体回路の周縁部分の一部が露
出することがあるが、耐電圧低下の程度は小さく効果に
はさほど影響を与えるものでない。さらに本発明に用い
る絶縁物１１は、第１図及び第２図に示すとおり半導体
装置５等の塔載部品に密着するよりに、またその他の全
ての導体回路４を被覆してもよ＾。
このように本発明は導体回路の少なくとも周縁部分に樹
脂状の絶縁換金形成による気泡を除去することと、各構
成材料の比誘電率の相違すなわちセラミックス基板又は
金属ベース基板の絶縁層の比誘電率は通常７．０〜４．
０稲度であるが、これを封止する樹脂は通常５．０、そ
して導体回路の周縁部分に塗布する樹脂又は無機充てん
剤含有樹脂絶縁物の比誘電率は、通常４．０〜４．５程
度であり、これら３稲の比誘電率が′異なることによっ
て電界集中の緩和を導くことができ耐電圧の低下を防止
することができる。
脂状の絶縁換金形成による気泡を除去することと、各構
成材料の比誘電率の相違すなわちセラミックス基板又は
金属ベース基板の絶縁層の比誘電率は通常７．０〜４．
０稲度であるが、これを封止する樹脂は通常５．０、そ
して導体回路の周縁部分に塗布する樹脂又は無機充てん
剤含有樹脂絶縁物の比誘電率は、通常４．０〜４．５程
度であり、これら３稲の比誘電率が′異なることによっ
て電界集中の緩和を導くことができ耐電圧の低下を防止
することができる。
（実施例）
実施例１
厚さ１００μｍのアルミナ基板に銀ロクペーストによジ
厚さ１（１７５μｍの銅箔を接金して導体回路を形成し
た。次贋で導体回路の表面層縁部分より中心に向って１
．１１幅、側面及びアルミナ面２趨幅にわたって連続的
に極低粘度液状エポキシ樹脂を５μｍの厚さとなるよう
にスプレーした。エポキシ樹脂を加熱・硬化させた後に
導体回路の露出部分に半導体装置等の部品を塔載し外装
ケースを接着した後、Ｓ１０□含有エポキシ樹脂を注入
し封止した。
厚さ１（１７５μｍの銅箔を接金して導体回路を形成し
た。次贋で導体回路の表面層縁部分より中心に向って１
．１１幅、側面及びアルミナ面２趨幅にわたって連続的
に極低粘度液状エポキシ樹脂を５μｍの厚さとなるよう
にスプレーした。エポキシ樹脂を加熱・硬化させた後に
導体回路の露出部分に半導体装置等の部品を塔載し外装
ケースを接着した後、Ｓ１０□含有エポキシ樹脂を注入
し封止した。
次に導体回路と放熱板との間にＡ Ｃ４，Ｑ ｋｖ／室
温にて電圧をかけ寿命ナス１１−行った。絶縁破壊平均
寿命は１４６時間であった。また比較として導体回路に
樹脂塗布しないもの全測定したところ平均寿命は４７時
間であった。
温にて電圧をかけ寿命ナス１１−行った。絶縁破壊平均
寿命は１４６時間であった。また比較として導体回路に
樹脂塗布しないもの全測定したところ平均寿命は４７時
間であった。
実施例２
厚さ８０μｍの絶縁層を有する６Ｂ厚のアルミニウム基
板に無機充てん剤高充てんエポキシ樹脂全接着剤として
厚さ８５μｍの銅箔及び厚さ４０μ出のアルミニウム箔
の複会箔を接着し、エツチング処理して導体回路全形成
した。次いで導体回路面半導体装置等の導体回路の表面
層Ｒ部分より中心に向って２００μｍ幅、側面、絶縁層
３Ｈ幅にわたって連続的にＳｉＯ□含有エポキシ／メラ
ミン樹脂ｔ−１５μｍの厚さでスクリーン印刷した。
板に無機充てん剤高充てんエポキシ樹脂全接着剤として
厚さ８５μｍの銅箔及び厚さ４０μ出のアルミニウム箔
の複会箔を接着し、エツチング処理して導体回路全形成
した。次いで導体回路面半導体装置等の導体回路の表面
層Ｒ部分より中心に向って２００μｍ幅、側面、絶縁層
３Ｈ幅にわたって連続的にＳｉＯ□含有エポキシ／メラ
ミン樹脂ｔ−１５μｍの厚さでスクリーン印刷した。
次に樹脂コート部分が硬化後半導体装置、抵抗体、端子
等を塔載した後に外装ケースを接着し、８１０□含有エ
ポキシ樹脂金注入し封止した。出来上った回路基板を１
２５℃のオープン内でＡＣ片波８００ｖピークで寿命試
験を行ったところ平均寿命２７時間であった。また比較
として導体回路に樹脂塗布しないものを測定したところ
平均寿命は８時間であった。
等を塔載した後に外装ケースを接着し、８１０□含有エ
ポキシ樹脂金注入し封止した。出来上った回路基板を１
２５℃のオープン内でＡＣ片波８００ｖピークで寿命試
験を行ったところ平均寿命２７時間であった。また比較
として導体回路に樹脂塗布しないものを測定したところ
平均寿命は８時間であった。
実施例３
実施例２０回路基板でＳｉＯ□含有エポキシ樹脂注入封
止の代わりに中空パック−２２行った以外は、実施例２
と同様の操作を行った結果平均寿命は１５時間であり、
また半田レジストを塗布しない場合は、４時間であった
。
止の代わりに中空パック−２２行った以外は、実施例２
と同様の操作を行った結果平均寿命は１５時間であり、
また半田レジストを塗布しない場合は、４時間であった
。
（発明の効果）
以上のとおり本発明は、回路基板全作成するにあたって
、導体回路の周縁部分全樹脂状絶縁物で被覆して気泡付
着全防止すると共に異なる比誘電率の組仕せによる回路
基板を用いることにより、電界集中全緩和し、耐電圧の
低下を防止して回路基板としての寿命を延ばす効果を有
するものである。
、導体回路の周縁部分全樹脂状絶縁物で被覆して気泡付
着全防止すると共に異なる比誘電率の組仕せによる回路
基板を用いることにより、電界集中全緩和し、耐電圧の
低下を防止して回路基板としての寿命を延ばす効果を有
するものである。
第１図は本発明の回路基板、第２図は樹脂封止材で封止
した本発明の回路基板のそれぞれ側面断面図を表わす。 また第５図は、本発明の回路基板の拡大側面断面図全表
わす。第４図は従来の回路基板の側面断面図でらり、第
５図は導体回路に気泡が付着した状態を表わす部分側面
断面図ｔ−表わす。第６図は導体回路部分全露出させ、
その他を半田レジストで被覆した従来例の平面図を表わ
す。 符号 １・・放熱フィン １・・・端子２・・
・放熱板 ８・・・パッケージ３・
・・絶縁層又はセラミックス板 ９・・・樹脂封止材４
・・・導体回路 １０・・・ワイヤー５
・・・半導体装＃ｔ １１・・・絶縁物６
・・・抵抗体 １２・・・気泡１３・
・・半田レジスト
した本発明の回路基板のそれぞれ側面断面図を表わす。 また第５図は、本発明の回路基板の拡大側面断面図全表
わす。第４図は従来の回路基板の側面断面図でらり、第
５図は導体回路に気泡が付着した状態を表わす部分側面
断面図ｔ−表わす。第６図は導体回路部分全露出させ、
その他を半田レジストで被覆した従来例の平面図を表わ
す。 符号 １・・放熱フィン １・・・端子２・・
・放熱板 ８・・・パッケージ３・
・・絶縁層又はセラミックス板 ９・・・樹脂封止材４
・・・導体回路 １０・・・ワイヤー５
・・・半導体装＃ｔ １１・・・絶縁物６
・・・抵抗体 １２・・・気泡１３・
・・半田レジスト
Claims (3)
- １．導体回路を設けた絶縁基板の前記導体回路の少なく
とも周縁部分に樹脂又は無機充てん剤含有樹脂絶縁物を
被覆してなることを特徴とする半導体塔載用回路基板。 - ２．導体回路を設けた絶縁基板の前記導体回路の少なく
とも周縁部分に樹脂又は無機充てん剤含有樹脂絶縁物を
被覆された前記導体回路露出部に半導体装置等を塔載し
てなることを特徴とする半導体塔載用回路基板。 - ３．絶縁基板上に導体回路を形成し、該導体回路の少な
くとも周縁部分を樹脂又は無機充てん剤含有樹脂絶縁物
で被覆した後、前記導体回路の露出部に半導体装置を塔
載することを特徴とする半導体塔載用回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503689A JP2726515B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 半導体塔載用回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503689A JP2726515B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 半導体塔載用回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108362A true JPH03108362A (ja) | 1991-05-08 |
| JP2726515B2 JP2726515B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=17127630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24503689A Expired - Fee Related JP2726515B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 半導体塔載用回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726515B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268786A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板 |
| JPH07161757A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Fuji Dies Kk | ヒート駒 |
| JP2008085169A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体モジュール |
| JP2020129589A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 積水化学工業株式会社 | 半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52151863A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Hitachi Ltd | Method of coating integrated circuit |
| JPS57125542U (ja) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | ||
| JPS59107147U (ja) * | 1983-01-07 | 1984-07-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6364049U (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP24503689A patent/JP2726515B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52151863A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Hitachi Ltd | Method of coating integrated circuit |
| JPS57125542U (ja) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | ||
| JPS59107147U (ja) * | 1983-01-07 | 1984-07-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6364049U (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268786A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板 |
| JPH07161757A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Fuji Dies Kk | ヒート駒 |
| JP2008085169A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体モジュール |
| JP2020129589A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 積水化学工業株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2726515B2 (ja) | 1998-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6004094B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器 | |
| US20080153211A1 (en) | Insulated power semiconductor module with reduced partial discharge and manufacturing method | |
| US5886457A (en) | Sealing structure and method of sealing electronic component | |
| JP2698278B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| EP0645812A1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH08125071A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4545022B2 (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
| JP2726515B2 (ja) | 半導体塔載用回路基板及びその製造方法 | |
| JP3570999B2 (ja) | バンプ付電子部品の実装構造 | |
| WO2024214425A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06188530A (ja) | 電気絶縁材及びそれを用いた回路基板 | |
| JP2828553B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3862632B2 (ja) | 金属ベース多層回路基板とそれを用いた混成集積回路 | |
| JP2001077488A (ja) | 回路基板とその製造方法およびリードフレーム | |
| TWI897604B (zh) | 具有散熱結構的電子部件 | |
| JP3305574B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2817553B2 (ja) | 半導体パッケージ構造及びその製造方法 | |
| KR20030005751A (ko) | 파워 모듈용 기판 | |
| JP3448369B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH08204299A (ja) | 配線構造 | |
| JP2592869Y2 (ja) | 混成ｉｃ装置 | |
| JP2831219B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3323060B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH03297159A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08236663A (ja) | 混成集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |