JPH03109290A - 結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH03109290A JPH03109290A JP24436589A JP24436589A JPH03109290A JP H03109290 A JPH03109290 A JP H03109290A JP 24436589 A JP24436589 A JP 24436589A JP 24436589 A JP24436589 A JP 24436589A JP H03109290 A JPH03109290 A JP H03109290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- baffle
- crucible
- evaporated
- scattered
- materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、材料を収容されたルツボを加熱して材料を蒸
発させ、これを基板上に蒸着させて結晶成長を行なうホ
ットウォール装置に関する。
発させ、これを基板上に蒸着させて結晶成長を行なうホ
ットウォール装置に関する。
上記のような構成の装置は材料の蒸発を利用しているの
で、基板上における結晶成長にムラを生じ易いが、半導
体デバイスとして良好な特性を得るには均一な組成の結
晶成長を行なう必要がある。
で、基板上における結晶成長にムラを生じ易いが、半導
体デバイスとして良好な特性を得るには均一な組成の結
晶成長を行なう必要がある。
第３図は従来の一例の構成図を示す。同図において、ル
ツボ１は容器１ａ及び１ｂに分れており、特に、容器１
ｂは容器１ａを貫通して上方まで延在６ている。容器１
ａには例えば亜鉛（Ｚｎ ）等の材料２．容器１ｂには
例えばセレン（Ｓｅ ）等の材料３が夫々収容されてい
る。材料２は容器１ａの外周に設けられたヒータ４．材
料３は容器１ｂの外周に設けられたヒータ５にて夫々加
熱されて蒸発し、ルツボ１内で混合されてヒータ６にて
加熱されている基板７に蒸着される。
ツボ１は容器１ａ及び１ｂに分れており、特に、容器１
ｂは容器１ａを貫通して上方まで延在６ている。容器１
ａには例えば亜鉛（Ｚｎ ）等の材料２．容器１ｂには
例えばセレン（Ｓｅ ）等の材料３が夫々収容されてい
る。材料２は容器１ａの外周に設けられたヒータ４．材
料３は容器１ｂの外周に設けられたヒータ５にて夫々加
熱されて蒸発し、ルツボ１内で混合されてヒータ６にて
加熱されている基板７に蒸着される。
一方、第４図は従来の他の例の構成図を示し、同図中、
第３図と同一構成部分には同一番号を付す。第４図中、
８はバッフルで、椀形をなしており、容器１ａ、１ｔ）
の上方に伏せた状態で設置されている。バッフル８には
その胴部の数個所に孔９が設けられている。ヒータ４，
５で加熱されて蒸発した材料２．３はバッフル８の内部
を経て孔９から横方向に放出されてルツボ１の内壁１′
に衝突して散乱され、この散乱状態で基板７に至ってこ
こに蒸着される。
第３図と同一構成部分には同一番号を付す。第４図中、
８はバッフルで、椀形をなしており、容器１ａ、１ｔ）
の上方に伏せた状態で設置されている。バッフル８には
その胴部の数個所に孔９が設けられている。ヒータ４，
５で加熱されて蒸発した材料２．３はバッフル８の内部
を経て孔９から横方向に放出されてルツボ１の内壁１′
に衝突して散乱され、この散乱状態で基板７に至ってこ
こに蒸着される。
（発明が解決しようとする課題）
第３図に示す従来例は、蒸発した材料２．３はルツボ１
内で余りよく散乱されずに夫々そのまま直接基板７に到
達してしまうことが多い。このため、例えば基板７の中
央部では材料３の成分が多く、一方、基板７の周辺部で
は材料２の成分が多くなり、結晶成長膜厚にムラを生じ
、均一な組成のものを得ることができない問題点があっ
た。
内で余りよく散乱されずに夫々そのまま直接基板７に到
達してしまうことが多い。このため、例えば基板７の中
央部では材料３の成分が多く、一方、基板７の周辺部で
は材料２の成分が多くなり、結晶成長膜厚にムラを生じ
、均一な組成のものを得ることができない問題点があっ
た。
一方、第４図に示す従来例は、ルツボ１内にバッフル８
が設けられているので、蒸発した材料２゜３がバッフル
８の孔９から横方向に放出されてルツボ１の内壁１′に
衝突して散乱され、このために材料２．３がほどよ（混
合され、第３図に示す従来例のような膜厚ムラ等の不都
合を生じることはない。然るに、第４図に示す従来例は
、バッフル８が設けられているために材料２．３がバッ
フル８内で反応してしまい、このため、基板７に到達す
る材料が少なくなってしまい、成長レートが小さく非能
率的であるばかりでなく、材料２．３が無駄になり、コ
スト高となる問題点があった。
が設けられているので、蒸発した材料２゜３がバッフル
８の孔９から横方向に放出されてルツボ１の内壁１′に
衝突して散乱され、このために材料２．３がほどよ（混
合され、第３図に示す従来例のような膜厚ムラ等の不都
合を生じることはない。然るに、第４図に示す従来例は
、バッフル８が設けられているために材料２．３がバッ
フル８内で反応してしまい、このため、基板７に到達す
る材料が少なくなってしまい、成長レートが小さく非能
率的であるばかりでなく、材料２．３が無駄になり、コ
スト高となる問題点があった。
本発明は、成長レートを大きくしたままムラのない結晶
成長を行なうことができる結晶成長装置を提供すること
を目的とする。
成長を行なうことができる結晶成長装置を提供すること
を目的とする。
本発明は、バッフル内に仕切板を設け、該バッフル内を
、該仕切板によってルツボを構成する複数の各容器に通
じる部屋に仕切り、該各部屋に夫々孔を設ける。
、該仕切板によってルツボを構成する複数の各容器に通
じる部屋に仕切り、該各部屋に夫々孔を設ける。
（作用）
各容器に収容された各々の材料は加熱されて蒸発し、バ
ッフルの孔から放出されてルツボ内壁に衝突して散乱さ
れ、これによりほどよく混合されて基板にａＳされ、ム
ラなく結晶成長が行なわれる。本発明では、特に、バッ
フル内に仕切板を設けたため、各容器から蒸発された各
材料はバッフル内で反応することはなく、夫々独立にル
ツボ内壁に衝突して散乱されることになる。バッフル内
で反応が起らないので、各材料を基板に十分に供給でき
、成長レートを大にとることができ、経済的である。
ッフルの孔から放出されてルツボ内壁に衝突して散乱さ
れ、これによりほどよく混合されて基板にａＳされ、ム
ラなく結晶成長が行なわれる。本発明では、特に、バッ
フル内に仕切板を設けたため、各容器から蒸発された各
材料はバッフル内で反応することはなく、夫々独立にル
ツボ内壁に衝突して散乱されることになる。バッフル内
で反応が起らないので、各材料を基板に十分に供給でき
、成長レートを大にとることができ、経済的である。
（実施例〕
第１図は本発明の第１実施例の構成図を示し、同図中、
第３図及び第４図と同一構成部分には同一番号を付して
その説明を省略する。第１図中、１０は仕切板付きバッ
フルで、椀形をなしており、容器１ａ、１ｂの上方に伏
せた状態で設置されている。バッフル１０の内部にはそ
の内周に沿って仕切板１１が一体的に設けられており、
バッフル１０内は仕切板１１によって容器１ａと通じる
部屋１２と、容器１ｂと通じる部屋１３とに仕切られる
。又、部屋１２の胴部の数個所には孔１４゜部屋１３の
１１部の数個所には孔１５が設けられている。
第３図及び第４図と同一構成部分には同一番号を付して
その説明を省略する。第１図中、１０は仕切板付きバッ
フルで、椀形をなしており、容器１ａ、１ｂの上方に伏
せた状態で設置されている。バッフル１０の内部にはそ
の内周に沿って仕切板１１が一体的に設けられており、
バッフル１０内は仕切板１１によって容器１ａと通じる
部屋１２と、容器１ｂと通じる部屋１３とに仕切られる
。又、部屋１２の胴部の数個所には孔１４゜部屋１３の
１１部の数個所には孔１５が設けられている。
容Ｂ１ａ内の材料２ （Ｚｎ ）はヒータ４で加熱され
て蒸発し、バッフル１０内の部屋１２を経て孔１４から
横方向に放出され、ルツボ１の内壁１′に衝突して散乱
される。一方、容器１ｂ内の材料３ （Ｓｅ ）はヒー
タ５で加熱されて蒸発し、バッフル１０内の部屋１３を
経て孔１５から横方向に放出され、ルツボ１の内壁１′
に衝突して散乱される。このようにして蒸発した材料２
，３はルツボ１の内壁１′にて散乱されながらほどよく
混合されて基板７に至り、ここに膜厚ムラなく蒸着され
、均一な組成の結晶成長が行なわれる。
て蒸発し、バッフル１０内の部屋１２を経て孔１４から
横方向に放出され、ルツボ１の内壁１′に衝突して散乱
される。一方、容器１ｂ内の材料３ （Ｓｅ ）はヒー
タ５で加熱されて蒸発し、バッフル１０内の部屋１３を
経て孔１５から横方向に放出され、ルツボ１の内壁１′
に衝突して散乱される。このようにして蒸発した材料２
，３はルツボ１の内壁１′にて散乱されながらほどよく
混合されて基板７に至り、ここに膜厚ムラなく蒸着され
、均一な組成の結晶成長が行なわれる。
この場合、本発明ではバッフル１０内に仕切板１１が設
けられているため、蒸発した材料２，３はバッフル１０
内で反応することはなく、夫々独立にルツボ１の内壁１
′に衝突して散乱されることになる。このようにバッフ
ル１０内で反応が起らないので、バッフル内に仕切板が
設けられていない第４図に示す従来例に比して基板７に
材料を十分供給でき、成長レートを大にとることができ
る。従って、能率的であり、しかも材料２．３を無駄に
使用することがなく、低コストである。
けられているため、蒸発した材料２，３はバッフル１０
内で反応することはなく、夫々独立にルツボ１の内壁１
′に衝突して散乱されることになる。このようにバッフ
ル１０内で反応が起らないので、バッフル内に仕切板が
設けられていない第４図に示す従来例に比して基板７に
材料を十分供給でき、成長レートを大にとることができ
る。従って、能率的であり、しかも材料２．３を無駄に
使用することがなく、低コストである。
第２図は本発明の第２実施例の構成図を示す。
同図中、２０はルツボで、容器２０ａ、２０ｂ。
２０Ｇに分れており、特に、容器２０ｂは容器２０ａを
貫通して上方まで延在しており、容器２０Ｃは容！２０
ｂを貫通して上方まで延在している。容器２０ａ、２０
ｂ、２０ｃには夫々材料２１．２２．２３が収容されて
おり、これらは容器２０ａ、２０ｂ、２０ｃの外周に設
けられたヒータ２４．２５．２６で加熱される。
貫通して上方まで延在しており、容器２０Ｃは容！２０
ｂを貫通して上方まで延在している。容器２０ａ、２０
ｂ、２０ｃには夫々材料２１．２２．２３が収容されて
おり、これらは容器２０ａ、２０ｂ、２０ｃの外周に設
けられたヒータ２４．２５．２６で加熱される。
２７は仕切板付きバッフルで、椀形をなしており、容器
２０ａ、２０ｂ、２０ｃの上方に伏せた状態で設置され
ている。バッフル２７の内部にはその内周に沿って下部
に仕切板２８．上部に仕切板２９が夫々一体内に設けら
れており、バッフル２７内は仕切板２８．２９によって
容器２０ａと通じるｆｆ１ｌ１３０と、容器２０ｂと通
じる部屋３１と、容器２０Ｃと通じる部屋３２とに仕切
られる。
２０ａ、２０ｂ、２０ｃの上方に伏せた状態で設置され
ている。バッフル２７の内部にはその内周に沿って下部
に仕切板２８．上部に仕切板２９が夫々一体内に設けら
れており、バッフル２７内は仕切板２８．２９によって
容器２０ａと通じるｆｆ１ｌ１３０と、容器２０ｂと通
じる部屋３１と、容器２０Ｃと通じる部屋３２とに仕切
られる。
又、部屋３０の胴部の数個所には孔３３９部屋３１の胴
部の数個所には孔３４２部屋３２の胴部の数個所には孔
３５が夫々設けられている。
部の数個所には孔３４２部屋３２の胴部の数個所には孔
３５が夫々設けられている。
このものは３種類の材料に適用されるものであり、第１
実施例と同様に、材料２１を孔３３から放出させ、材料
２２を孔３４から放出させ、材料２３を孔３５から放出
させ、３つの材料をバッフル２７内で反応させないよう
にして夫々ルツボ２０の内壁２０′に衝突させて散乱さ
せるようにしたものである。その他の作用及び効果は第
１実施例のものと同様であるので、その説明を省略する
。
実施例と同様に、材料２１を孔３３から放出させ、材料
２２を孔３４から放出させ、材料２３を孔３５から放出
させ、３つの材料をバッフル２７内で反応させないよう
にして夫々ルツボ２０の内壁２０′に衝突させて散乱さ
せるようにしたものである。その他の作用及び効果は第
１実施例のものと同様であるので、その説明を省略する
。
なお、バッフルに設ける穴は各実施例では対向箇所に各
々２個設けたが、これに限定されることはなく、また、
その位置も実施例に限定されることはない。
々２個設けたが、これに限定されることはなく、また、
その位置も実施例に限定されることはない。
（発明の効果）
以上説明した如く、本発明によれば、バッフルに仕切板
を設けたため、蒸発した各材料はバッフル内で反応する
ことはなく、従って、バッフル内で反応を生じてしまう
従来例に比して各材料を基板に十分に供給でき、成長レ
ートを大にとることができ、能率的であり、しかも無駄
に材料を使わないで済むので経済的である。
を設けたため、蒸発した各材料はバッフル内で反応する
ことはなく、従って、バッフル内で反応を生じてしまう
従来例に比して各材料を基板に十分に供給でき、成長レ
ートを大にとることができ、能率的であり、しかも無駄
に材料を使わないで済むので経済的である。
第１図及び第２図は夫々本発明の第１及び第２実施例の
構成図、 第３図及び第４図は従来の各側の構成図である。 図において、 １．２０はルツボ、 １’ 、２０’ は内壁、 ２．３．２１〜２３は材料、 ７は基板、 １０．２７は仕切板付きバッフル、 １１．２８．２９は仕切板、 １２．１３．３０〜３２は部屋、 １４．１５．３３〜３５は孔 を示す。 本発明の第２笑７！伊ｊの構へ図 第２図
構成図、 第３図及び第４図は従来の各側の構成図である。 図において、 １．２０はルツボ、 １’ 、２０’ は内壁、 ２．３．２１〜２３は材料、 ７は基板、 １０．２７は仕切板付きバッフル、 １１．２８．２９は仕切板、 １２．１３．３０〜３２は部屋、 １４．１５．３３〜３５は孔 を示す。 本発明の第２笑７！伊ｊの構へ図 第２図
Claims (1)
- ルツボ（１）に設けられた複数の容器（１ａ、１ｂ）内
に夫々収容された材料（２、３）を蒸発させ、これを該
各容器（１ａ、１ｂ）の上方に設けられたバッフル（１
０）の孔（１４、１５）から放出させて上記ルツボ（１
）の内壁（１′）に衝突させて散乱させ、上方に配置さ
れた基板（７）に結晶成長を行なう構造の結晶成長装置
において、上記バッフル（１０）内に仕切板（１１）を
設け、該バッフル（１０）内を、該仕切板（１１）によ
って上記複数の各容器（１ａ、１ｂ）に通じる部屋（１
２、１３）に仕切り、該各部屋（１２、１３）に夫々上
記孔（１４、１５）を設けた構成としてなることを特徴
とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24436589A JPH03109290A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24436589A JPH03109290A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109290A true JPH03109290A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17117612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24436589A Pending JPH03109290A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03109290A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6202591B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP24436589A patent/JPH03109290A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6202591B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
| US6367414B2 (en) | 1998-11-12 | 2002-04-09 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
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