JPH057249Y2 - - Google Patents
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- JPH057249Y2 JPH057249Y2 JP11551485U JP11551485U JPH057249Y2 JP H057249 Y2 JPH057249 Y2 JP H057249Y2 JP 11551485 U JP11551485 U JP 11551485U JP 11551485 U JP11551485 U JP 11551485U JP H057249 Y2 JPH057249 Y2 JP H057249Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter plate
- particles
- tip
- container
- forming apparatus
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は例えば分子線エピタキシヤル装置
(MBE)等の膜形成装置に係り、特にその分子線
源から発生する分子線を遮断するシヤツター板の
改良に関するものである。
(MBE)等の膜形成装置に係り、特にその分子線
源から発生する分子線を遮断するシヤツター板の
改良に関するものである。
この種、従来の膜形成装置である分子線エピタ
キシヤル装置には例えば第5図に示す様に粒子体
を収容する容器として複数のるつぼを備えたもの
がある。図に於て、1は分子線源すなわち粒子発
生源で、この粒子発生源1は開口部4からこの開
口部4の前方に向かつてガリウム(Ga)等の比
較的低融点の分子線である膜成形用の粒子を放射
するるつぼからなる粒子体2の収容容器3と、こ
のるつぼ3を暖めるヒーター線5と、上記るつぼ
3の温度を感知して制御するための熱電対6と、
これらるつぼ2及びヒーター線5並びに熱電対6
を収容するための円筒形の穴を複数有し、これら
複数の円筒形の穴の中心が全て基板7の方向に向
かつて設けられているとともにこれら複数の円筒
形の穴の開口部8が設けられている面9が球面状
に快られた形状となつている第6図に示す様な液
体窒素シユラウド10とからなるものである。1
1は上記粒子発生源1上に設けらて、この粒子発
生源1から発生する粒子を遮断する第7図に示す
様な円板状のシヤツター板、12は、このシヤツ
ター板11を支持するとともに上記液体窒素シユ
ラウド10の円筒形の穴内に納められ回転導入端
子13の半回転によつて上記シヤツター板11を
開閉する棒状の支持体、14は上記液体窒素シユ
ラウド10上の円筒形の穴中心の方向に設けられ
るとともに重力方向Gに対して45度の角度で設け
られた基板、15はこの基板14を熱するヒータ
ーである。
キシヤル装置には例えば第5図に示す様に粒子体
を収容する容器として複数のるつぼを備えたもの
がある。図に於て、1は分子線源すなわち粒子発
生源で、この粒子発生源1は開口部4からこの開
口部4の前方に向かつてガリウム(Ga)等の比
較的低融点の分子線である膜成形用の粒子を放射
するるつぼからなる粒子体2の収容容器3と、こ
のるつぼ3を暖めるヒーター線5と、上記るつぼ
3の温度を感知して制御するための熱電対6と、
これらるつぼ2及びヒーター線5並びに熱電対6
を収容するための円筒形の穴を複数有し、これら
複数の円筒形の穴の中心が全て基板7の方向に向
かつて設けられているとともにこれら複数の円筒
形の穴の開口部8が設けられている面9が球面状
に快られた形状となつている第6図に示す様な液
体窒素シユラウド10とからなるものである。1
1は上記粒子発生源1上に設けらて、この粒子発
生源1から発生する粒子を遮断する第7図に示す
様な円板状のシヤツター板、12は、このシヤツ
ター板11を支持するとともに上記液体窒素シユ
ラウド10の円筒形の穴内に納められ回転導入端
子13の半回転によつて上記シヤツター板11を
開閉する棒状の支持体、14は上記液体窒素シユ
ラウド10上の円筒形の穴中心の方向に設けられ
るとともに重力方向Gに対して45度の角度で設け
られた基板、15はこの基板14を熱するヒータ
ーである。
従来の膜形成装置は上記のように構成され、た
とえば、ガリウム(Ga)及びヒ素(As)を同時
に蒸着する場合には異なるるつぼ3に各々ガリウ
ム(Ga)及びヒ素(As)を入れ、ヒーター線5
によつてるつぼ3を暖めた状態で各々のるつぼ3
のシヤツター板11を開閉し、これによつてガリ
ウム(Ga)及びヒ素(As)の蒸着割合を調節す
るものである。
とえば、ガリウム(Ga)及びヒ素(As)を同時
に蒸着する場合には異なるるつぼ3に各々ガリウ
ム(Ga)及びヒ素(As)を入れ、ヒーター線5
によつてるつぼ3を暖めた状態で各々のるつぼ3
のシヤツター板11を開閉し、これによつてガリ
ウム(Ga)及びヒ素(As)の蒸着割合を調節す
るものである。
上記の様な従来の膜形成装置に於ては、るつぼ
1を暖めた状態でるつぼ3のシヤツター板11を
閉じていると、シヤツター板11の裏面には蒸発
したガリウム(Ga)が付着し、この付着したガ
リウム(Ga)がシヤツター板最低位部15に溜
つて、その溜り量が多くなるとシヤツター板11
の開閉動作中落下し、るつぼ3の外壁、あるいは
るつぼ3中に落下し、るつぼ3の外壁との化学反
応を生じてるつぼ3の寿命を短くしたり、るつぼ
3内の蒸着材料を汚染するという問題点があり、
また、これを避けるために、支持体12によるシ
ヤツター板11の支持部をシヤツター11の最低
位部15に設け、この支持体12を伝えて上記シ
ヤツター板11に付着したものを取り出そうとす
ると、支持体12を伝つて落ちる付着物が支持体
12下部の回転導入端子13のベアリング等に付
着し、支持体12が回転しなくなるという問題点
があつた。
1を暖めた状態でるつぼ3のシヤツター板11を
閉じていると、シヤツター板11の裏面には蒸発
したガリウム(Ga)が付着し、この付着したガ
リウム(Ga)がシヤツター板最低位部15に溜
つて、その溜り量が多くなるとシヤツター板11
の開閉動作中落下し、るつぼ3の外壁、あるいは
るつぼ3中に落下し、るつぼ3の外壁との化学反
応を生じてるつぼ3の寿命を短くしたり、るつぼ
3内の蒸着材料を汚染するという問題点があり、
また、これを避けるために、支持体12によるシ
ヤツター板11の支持部をシヤツター11の最低
位部15に設け、この支持体12を伝えて上記シ
ヤツター板11に付着したものを取り出そうとす
ると、支持体12を伝つて落ちる付着物が支持体
12下部の回転導入端子13のベアリング等に付
着し、支持体12が回転しなくなるという問題点
があつた。
この考案は、上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、不純物の少ない高品質の膜が得られるとと
もに、粒子体を収容する容器が長寿命化する膜形
成装置を得ることを目的とする。
ので、不純物の少ない高品質の膜が得られるとと
もに、粒子体を収容する容器が長寿命化する膜形
成装置を得ることを目的とする。
この考案に係る膜形成装置は、粒子体を収容す
る容器の開口部外に先端が位置する突出体をシヤ
ツター板の最低位部に設けてかつこの先端が突出
体の最も低い位置となるようにしたものである。
る容器の開口部外に先端が位置する突出体をシヤ
ツター板の最低位部に設けてかつこの先端が突出
体の最も低い位置となるようにしたものである。
この考案においてはシヤツター板の最低位部に
設けられた突出体の先端が粒子体を収容する容器
の開口部外に設けられているから、上記シヤツタ
ー板の裏面に付着した粒子は上記突出体の先端に
導かれ、この先端から落下するものであり、この
落下地点には上記容器及びその開口部がないから
容器を傷めたり、容器内の粒子体を汚染したりす
ることはないものである。
設けられた突出体の先端が粒子体を収容する容器
の開口部外に設けられているから、上記シヤツタ
ー板の裏面に付着した粒子は上記突出体の先端に
導かれ、この先端から落下するものであり、この
落下地点には上記容器及びその開口部がないから
容器を傷めたり、容器内の粒子体を汚染したりす
ることはないものである。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第1図は、従来装置の第7図に相当する図で
あり、この図に於ては円板状のシヤツター板11
の最低位部15に、このシヤツター板11と一体
成形された先端が鋭角な三角形状の突出体16を
設け、この突出体16の先端17を粒子体2を収
容する容器3の開口部4外に位置させるととも
に、この先端17を上記シヤツター板11の最低
位部15より低くした点が上記第7図のものと異
なる。
る。第1図は、従来装置の第7図に相当する図で
あり、この図に於ては円板状のシヤツター板11
の最低位部15に、このシヤツター板11と一体
成形された先端が鋭角な三角形状の突出体16を
設け、この突出体16の先端17を粒子体2を収
容する容器3の開口部4外に位置させるととも
に、この先端17を上記シヤツター板11の最低
位部15より低くした点が上記第7図のものと異
なる。
上記の様に構成された膜形成装置に於ては突出
体16の先端17が鋭角な三角形状をしているか
ら、シヤツター板11の裏面に付着した粒子は突
出体16に効率よく集束されるとともに、の集束
された粒子もまた効率良く先端17から落下する
ものであり、従つて、シヤツター板11の裏面に
付着している粒子の量が非常に少なくなるからシ
ヤツター板11を開放したときにシヤツター板1
1に付着したまま凝固してしまう粒子が減り、シ
ヤツター板11を再び閉じたときに凝固した粒子
がはがれ落ちて容器13内に落下することはなく
はなるものである。また、この落下地点には容器
13及びその開口部4がないから、容器13を傷
めたり、容器13内の粒子体2を汚染することは
ないものである。そしてまた、上記の様な構造の
ものを第5図の様な複数の容器13を備えた粒子
発生源1に適用することはお互いの突出体16が
接触することなくシヤツター板11を開閉できる
ため、非常に有効な手段となるものである。
体16の先端17が鋭角な三角形状をしているか
ら、シヤツター板11の裏面に付着した粒子は突
出体16に効率よく集束されるとともに、の集束
された粒子もまた効率良く先端17から落下する
ものであり、従つて、シヤツター板11の裏面に
付着している粒子の量が非常に少なくなるからシ
ヤツター板11を開放したときにシヤツター板1
1に付着したまま凝固してしまう粒子が減り、シ
ヤツター板11を再び閉じたときに凝固した粒子
がはがれ落ちて容器13内に落下することはなく
はなるものである。また、この落下地点には容器
13及びその開口部4がないから、容器13を傷
めたり、容器13内の粒子体2を汚染することは
ないものである。そしてまた、上記の様な構造の
ものを第5図の様な複数の容器13を備えた粒子
発生源1に適用することはお互いの突出体16が
接触することなくシヤツター板11を開閉できる
ため、非常に有効な手段となるものである。
なお、上記実施例に於てはシヤツター板11の
最低位部15に設けた突出体16を先端が鋭角な
三角形状のものとしたが、鈍角な三角形状のもの
でも良く、また、棒状のものでも良いものであ
る。
最低位部15に設けた突出体16を先端が鋭角な
三角形状のものとしたが、鈍角な三角形状のもの
でも良く、また、棒状のものでも良いものであ
る。
また、上記実施例に於ては、シヤツター板11
を円形状のものとしてこれに突出体16を設けた
が第2図に示す様な半円形のシヤツター板11に
三角形状の突出体16を設けても良いものであ
る。
を円形状のものとしてこれに突出体16を設けた
が第2図に示す様な半円形のシヤツター板11に
三角形状の突出体16を設けても良いものであ
る。
更に上記実施例に於ては、シヤツター板11の
開閉を回転導入端子13を半回転させることによ
つて行つていたが、第3図に示す様なハネ上げ
式、或いは第4図に示す様なベローズ18を用い
た前後直進式によつて行つても良く、これらのも
のに突出体16を設けても同様の効果を呈すもの
である。
開閉を回転導入端子13を半回転させることによ
つて行つていたが、第3図に示す様なハネ上げ
式、或いは第4図に示す様なベローズ18を用い
た前後直進式によつて行つても良く、これらのも
のに突出体16を設けても同様の効果を呈すもの
である。
この考案は以上説明したとおり、シヤツター板
の最低位部に設けられた突出体の先端が粒子体を
収容する容器の開口部外に設けられているから、
上記シヤツター板の裏面に付着した粒子が容器及
び容器内に落下することがなく、従つて不純物の
少ない高品質の膜が得られるとともに、粒子体を
収容する容器が長寿命化するという効果がある。
の最低位部に設けられた突出体の先端が粒子体を
収容する容器の開口部外に設けられているから、
上記シヤツター板の裏面に付着した粒子が容器及
び容器内に落下することがなく、従つて不純物の
少ない高品質の膜が得られるとともに、粒子体を
収容する容器が長寿命化するという効果がある。
第1図はこの考案の第1の実施例を示すシヤツ
ター板及び突出体並びに支持体及び容器の斜視
図、第2図はこの考案の第2の実施例を示すシヤ
ツター板及び突出体の斜視図、第3図及び第4図
はこの考案の第3及び第4の実施例に於るシヤツ
ター板の開閉機構を示す図、第5図は従来の膜形
成装置の斜視図、第6図はちこの膜形成装置に於
る液体窒素シユラウドの傾斜図、第7図はこの膜
形成装置に於るシヤツター板及び突出体並びに支
持体及び容器を示す斜視図である。 図において、2は粒子体、3は粒子体2の収容
容器、4はこの容器3の開口部、7は基板、11
はシヤツター板、12は支持体、15は上記シヤ
ツター板11の最低位部、16は突出体、17は
ちこの突出体16の先端、Gは重力方向である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示
すものである。
ター板及び突出体並びに支持体及び容器の斜視
図、第2図はこの考案の第2の実施例を示すシヤ
ツター板及び突出体の斜視図、第3図及び第4図
はこの考案の第3及び第4の実施例に於るシヤツ
ター板の開閉機構を示す図、第5図は従来の膜形
成装置の斜視図、第6図はちこの膜形成装置に於
る液体窒素シユラウドの傾斜図、第7図はこの膜
形成装置に於るシヤツター板及び突出体並びに支
持体及び容器を示す斜視図である。 図において、2は粒子体、3は粒子体2の収容
容器、4はこの容器3の開口部、7は基板、11
はシヤツター板、12は支持体、15は上記シヤ
ツター板11の最低位部、16は突出体、17は
ちこの突出体16の先端、Gは重力方向である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示
すものである。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 開口部からこの開口部の前方に設けられる基
板に向かつて膜形成用の粒子を放射する粒子体
の収容容器と、この容器の開口部と上記基板と
の間に設けられるとともに重力方向に傾斜して
設けられて上記膜形成用の粒子を遮断するシヤ
ツター板と、このシヤツター板を支持する支持
体とを備えたものに於て、上記開口部外に先端
が位置するとともにこの先端が上記重力方向に
傾斜して設けられたシヤツター板の最低位部よ
りも低くなる様な突出体を上記シヤツター板の
最低位部に設けたことを特徴とする膜形成装
置。 (2) 突出部は先端が鋭角であることを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第1項記載の膜形成装
置。 (3) 粒子体の収容容器を複数有することを特徴と
する実用新案登録請求の範囲第1項または第2
項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11551485U JPH057249Y2 (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11551485U JPH057249Y2 (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223871U JPS6223871U (ja) | 1987-02-13 |
| JPH057249Y2 true JPH057249Y2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
ID=30999236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11551485U Expired - Lifetime JPH057249Y2 (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH057249Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-07-27 JP JP11551485U patent/JPH057249Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6223871U (ja) | 1987-02-13 |
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