JPH03109746A - 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 - Google Patents
半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型Info
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- JPH03109746A JPH03109746A JP1247588A JP24758889A JPH03109746A JP H03109746 A JPH03109746 A JP H03109746A JP 1247588 A JP1247588 A JP 1247588A JP 24758889 A JP24758889 A JP 24758889A JP H03109746 A JPH03109746 A JP H03109746A
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- ejector
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子部分とゲート部分の切断を樹脂
封止金型内でおこなえるようにした、トランスファー成
形金型に関する。
封止金型内でおこなえるようにした、トランスファー成
形金型に関する。
（従来の技術〕
第２図は樹脂封止直後の被樹脂封止物を示す一般的な平
面図、第３図は従来例の金型の断面図である。第２図に
対し第３図は比例尺でなく、半導体素子２３を縮小して
いる。
面図、第３図は従来例の金型の断面図である。第２図に
対し第３図は比例尺でなく、半導体素子２３を縮小して
いる。
第２図は、半導体チップ２３ａをリードフレーム（フレ
ームともいう）２６及びリード線２６の電極に接続した
樹脂封止型電子部分の封止直後の一般的な構造を示す。
ームともいう）２６及びリード線２６の電極に接続した
樹脂封止型電子部分の封止直後の一般的な構造を示す。
２３は半導体チップ２３ａを封止した半導体素子、２６
はリードフレーム、２４ａはランナ２４から半導体素子
へ樹脂を充填するゲートである。
はリードフレーム、２４ａはランナ２４から半導体素子
へ樹脂を充填するゲートである。
従来、この種の半導体素子を樹脂封止する金型としては
、第３図に示すようなものがある。
、第３図に示すようなものがある。
図において、１及び２はキャビティブロックであり、こ
のキャビティブロック１及び２にはキャビティ１０が、
一方のキャビティブロック１にはランナ２４及びゲート
２４ａのための溝９が設けである。キャビティｌＯへの
樹脂注入には、ボット２８からランナ２４、ゲート２４
ａ、キャビティ１０の順に樹脂が順次注入されて行く。
のキャビティブロック１及び２にはキャビティ１０が、
一方のキャビティブロック１にはランナ２４及びゲート
２４ａのための溝９が設けである。キャビティｌＯへの
樹脂注入には、ボット２８からランナ２４、ゲート２４
ａ、キャビティ１０の順に樹脂が順次注入されて行く。
充填が完了してもキャビティブロックが加熱されている
ため、この熱により溶融状態であった樹脂が硬化しては
じめて半導体素子が成形される。
ため、この熱により溶融状態であった樹脂が硬化しては
じめて半導体素子が成形される。
成形終了後、図示しないモールドブレスの動作により、
金型は上型と下型が開かれる。この時ばね４１の力によ
り、リフタビン４３で拘束されていたエジェクタ板３７
が下方に押し出され、エジェクタ板３７に固定された本
体エジェクタピン３３及び溝エジェクタ板ン３４で半導
体素子２３及びランナ２４を同時にキャビティ１０から
突き出し、下型のキャビティブロック２の上に残す。さ
らに下型が降下すると、ばね４２で付勢されストッパボ
ルト４４で位置決めされていたエジェクタ板３８は固定
ロッド２５にあたり、エジェクタ板３８に固定された本
体エジェクタピン３５及び溝エジェクタピン３６がキャ
ビティより突き出て、ランナ２４を付けた半導体素子２
３が金型より離型する。
金型は上型と下型が開かれる。この時ばね４１の力によ
り、リフタビン４３で拘束されていたエジェクタ板３７
が下方に押し出され、エジェクタ板３７に固定された本
体エジェクタピン３３及び溝エジェクタ板ン３４で半導
体素子２３及びランナ２４を同時にキャビティ１０から
突き出し、下型のキャビティブロック２の上に残す。さ
らに下型が降下すると、ばね４２で付勢されストッパボ
ルト４４で位置決めされていたエジェクタ板３８は固定
ロッド２５にあたり、エジェクタ板３８に固定された本
体エジェクタピン３５及び溝エジェクタピン３６がキャ
ビティより突き出て、ランナ２４を付けた半導体素子２
３が金型より離型する。
その後、離型したゲート２４付の半導体素子２３を、金
型から取り出してゲート２４を切り離している。
型から取り出してゲート２４を切り離している。
しかしこのような従来の半導体素子を樹脂封止する金型
にあっては、リードフレーム２６にゲート２４ａが密着
しているので、金型より取り出して放置しておくと、樹
脂の収縮によりリードフレームに曲りが発生し、後工程
に多大な影響が出て来る。さらに、フレームとゲートが
密着している事により分離の方法が悪いと、フレーム上
にゲートが残ってしまい、後工程で取り除く工程が追加
となってしまう。従って作業性が悪く作業時間が長くて
、不経済である。
にあっては、リードフレーム２６にゲート２４ａが密着
しているので、金型より取り出して放置しておくと、樹
脂の収縮によりリードフレームに曲りが発生し、後工程
に多大な影響が出て来る。さらに、フレームとゲートが
密着している事により分離の方法が悪いと、フレーム上
にゲートが残ってしまい、後工程で取り除く工程が追加
となってしまう。従って作業性が悪く作業時間が長くて
、不経済である。
この発明の目的は、金型内で刃物等を使用しないで、樹
脂封止された半導体素子からゲートを切離すことにある
。
脂封止された半導体素子からゲートを切離すことにある
。
発明１の樹脂封止方法は
上型と下型との分離面に、電極材に接続した半導体素子
のためのキャビティと、このキャビティに連続し前記上
型又は下型の一方の型に設けたゲート及びランナからな
る溝とを形成した金型を使用する半導体素子の樹脂封止
方法において、前記金型は半導体素子部分を突き出す上
下一対の本体エジェクタピンと、前記電極材の存在しな
い領域で前記溝部分を突き出す上下一対の溝エジェクタ
ピンとを備え、 樹脂を注入して成形終了後に、前記一対の本体エジェク
タピンで前記半導体部分を他方の型に押え、かつ前記一
対の溝エジェクタピンで前記溝部分を前記一方の型に押
えたままの状態で前記金型を微小距離だけ分離して、前
記半導体部分と前記溝部分とをそれぞれの型に残したま
ま切離し、その後に前記金型を完全に分離しながら、前
記他方の本体エジェクタピンと前記一方の溝エジェクタ
ピンとを突き出して離型するものである。
のためのキャビティと、このキャビティに連続し前記上
型又は下型の一方の型に設けたゲート及びランナからな
る溝とを形成した金型を使用する半導体素子の樹脂封止
方法において、前記金型は半導体素子部分を突き出す上
下一対の本体エジェクタピンと、前記電極材の存在しな
い領域で前記溝部分を突き出す上下一対の溝エジェクタ
ピンとを備え、 樹脂を注入して成形終了後に、前記一対の本体エジェク
タピンで前記半導体部分を他方の型に押え、かつ前記一
対の溝エジェクタピンで前記溝部分を前記一方の型に押
えたままの状態で前記金型を微小距離だけ分離して、前
記半導体部分と前記溝部分とをそれぞれの型に残したま
ま切離し、その後に前記金型を完全に分離しながら、前
記他方の本体エジェクタピンと前記一方の溝エジェクタ
ピンとを突き出して離型するものである。
発明２の樹脂封止金型は
上型と下型との分離面に、電極材に接続した半導体素子
のためのキャビティと、このキャビティに連続し前記上
型又は下型の一方の型に設けたゲート及びランナからな
る溝とを形成して金型を構成し、 前記金型は半導体素子部分を突き出す上下一対の本体エ
ジェクタピンと、前記電極材の存在しない領域で前記溝
部分を突き出す上下一対の溝エジェクタピンとを備え、 前記一方の型に設ける、第１のばねで分離面方向に付勢
される第１のエジェクタ板に前記本体エジェクタピンの
一方と一方のリプタピンとを固定し、この一方のリプタ
ピンの先端が前記分離面に一致する時に前記一方の本体
エジェクタピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第１のエジェクタ板に隙間を介して前記分離面側に
配置されて反分離面方向に第２のばねで付勢される第２
のエジェクタ板に前記溝エジェクタピンの一方を固定す
るとともに、一方のストッパボルトを設け、前記第２の
エジェクタピン板が前記第２のばねで付勢されて前記一
方のス）７パボルトで止る時には前記一方の溝エジェク
タピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第２のばねは前記第１のばねより弱く、前記他方の
型に設けられ、第３のばねで分離面方向に付勢される第
３のエジェクタ板に前記溝エジェクタピンの他方と他方
のリプタピンとを固定し、この他方のリプタピンの先端
が前記分離面に一致する時に前記他方の溝エジェクタピ
ンの先端は樹脂成形成可能な位置にあり、 前記第３のエジェクタ板に隙間を介して前記反骨離面側
に配置されて反分離面方向に第４のばねで付勢される第
４のエジェクタ板に前記本体エジェクタピンの他方を固
定するとともに、他方のストッパボルトを設け、前記第
４のエジェクタ板が前記第４のばねで付勢されて前記他
方のストッパボルトで止る時には前記他方の本体エジェ
クタピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、前記第４
のばねに抗して前記第４のエジェクタ板を押し出すエジ
ェクタロッドを前記他方の金型に設けるものである。
のためのキャビティと、このキャビティに連続し前記上
型又は下型の一方の型に設けたゲート及びランナからな
る溝とを形成して金型を構成し、 前記金型は半導体素子部分を突き出す上下一対の本体エ
ジェクタピンと、前記電極材の存在しない領域で前記溝
部分を突き出す上下一対の溝エジェクタピンとを備え、 前記一方の型に設ける、第１のばねで分離面方向に付勢
される第１のエジェクタ板に前記本体エジェクタピンの
一方と一方のリプタピンとを固定し、この一方のリプタ
ピンの先端が前記分離面に一致する時に前記一方の本体
エジェクタピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第１のエジェクタ板に隙間を介して前記分離面側に
配置されて反分離面方向に第２のばねで付勢される第２
のエジェクタ板に前記溝エジェクタピンの一方を固定す
るとともに、一方のストッパボルトを設け、前記第２の
エジェクタピン板が前記第２のばねで付勢されて前記一
方のス）７パボルトで止る時には前記一方の溝エジェク
タピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第２のばねは前記第１のばねより弱く、前記他方の
型に設けられ、第３のばねで分離面方向に付勢される第
３のエジェクタ板に前記溝エジェクタピンの他方と他方
のリプタピンとを固定し、この他方のリプタピンの先端
が前記分離面に一致する時に前記他方の溝エジェクタピ
ンの先端は樹脂成形成可能な位置にあり、 前記第３のエジェクタ板に隙間を介して前記反骨離面側
に配置されて反分離面方向に第４のばねで付勢される第
４のエジェクタ板に前記本体エジェクタピンの他方を固
定するとともに、他方のストッパボルトを設け、前記第
４のエジェクタ板が前記第４のばねで付勢されて前記他
方のストッパボルトで止る時には前記他方の本体エジェ
クタピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、前記第４
のばねに抗して前記第４のエジェクタ板を押し出すエジ
ェクタロッドを前記他方の金型に設けるものである。
発明ｌにおいて、
成形終了後に、金型を微小距離だけ分離すると、一対の
本体エジェクタピンは半導体部分を他方の型の押えたま
ま、一対の溝エジェクタピンは溝部分を一方の型に押え
たままなので半導体部分と溝部分は切離されることとな
り、その後に溝エジェクタピンと本体エジェクタピンと
でそれぞれを離型、するという２重動作により、成形と
溝切離しと離型の順で金型は工程を進める。
本体エジェクタピンは半導体部分を他方の型の押えたま
ま、一対の溝エジェクタピンは溝部分を一方の型に押え
たままなので半導体部分と溝部分は切離されることとな
り、その後に溝エジェクタピンと本体エジェクタピンと
でそれぞれを離型、するという２重動作により、成形と
溝切離しと離型の順で金型は工程を進める。
発明２は発明１の工程に係わる方法を実施する金型であ
って、 成形された半導体素子２３部分は、零体エジエフタピン
３及び５により突き出し可能な構造となっており、ゲー
ト２４ａ及びランナ２４は溝エジェクタピン４及び、６
により突き出し可能な構造となっている（状態ｐ＋）。
って、 成形された半導体素子２３部分は、零体エジエフタピン
３及び５により突き出し可能な構造となっており、ゲー
ト２４ａ及びランナ２４は溝エジェクタピン４及び、６
により突き出し可能な構造となっている（状態ｐ＋）。
金型がわずかに開くと、（状態Ｐｇ ） 、前記４種類
のエジェクタピンの型に対する相対的動きは、一方の本
体エジェクタピン３及び他方の溝エジェクタピン６が動
きゲート２４ａ及びランナ２４は、一方の溝エジェクタ
ピン４及び他方の本体エジェクタピン５が動かないでそ
れぞれの型に固定されたままとなる。各エジェクタピン
のそのような動きは、例えば一方の本体エジェクタピン
３では、第１のばね１１、一方のリプタピン１３、第１
のエジェクタ板１５によって生じる一方の本体エジェク
タピン３で突き出された半導体素子２３はキャビティ１
０より突き出されて他方の型に残り、他方の溝エジェク
タピン６で突き出されたランナ２４は一方の型に残るこ
とになる。
のエジェクタピンの型に対する相対的動きは、一方の本
体エジェクタピン３及び他方の溝エジェクタピン６が動
きゲート２４ａ及びランナ２４は、一方の溝エジェクタ
ピン４及び他方の本体エジェクタピン５が動かないでそ
れぞれの型に固定されたままとなる。各エジェクタピン
のそのような動きは、例えば一方の本体エジェクタピン
３では、第１のばね１１、一方のリプタピン１３、第１
のエジェクタ板１５によって生じる一方の本体エジェク
タピン３で突き出された半導体素子２３はキャビティ１
０より突き出されて他方の型に残り、他方の溝エジェク
タピン６で突き出されたランナ２４は一方の型に残るこ
とになる。
このように半導体素子２３は他方の型に、ランナ２４は
他方の型に残るのでゲート２４８部分と半導体素子２３
部分とのつなぎ部分（例えば高さ０．４ｍ、幅４鶴）が
切離される事になり金型内部での切離しが実行される。
他方の型に残るのでゲート２４８部分と半導体素子２３
部分とのつなぎ部分（例えば高さ０．４ｍ、幅４鶴）が
切離される事になり金型内部での切離しが実行される。
金型を更に開くと（状ＧＰ３ ＞ 、一方の型では第１
のばね１１が第１のエジェクタ板１５を介して第２のエ
ジェクタ板７を押し、一方の溝エジェクタピン４を突き
出してゲート２４ａを付けたランナ２４を離型し、他方
の型ではエジェクタロッド２５が第４のエジェクタ板１
６を介して他方の本体エジェクタピン５を突き出して半
導体素子２３を離型する。
のばね１１が第１のエジェクタ板１５を介して第２のエ
ジェクタ板７を押し、一方の溝エジェクタピン４を突き
出してゲート２４ａを付けたランナ２４を離型し、他方
の型ではエジェクタロッド２５が第４のエジェクタ板１
６を介して他方の本体エジェクタピン５を突き出して半
導体素子２３を離型する。
第１図は実施例の金型を断面図で示した工程図である。
ここで状態Ｐ＋ は、成形が終了した状態、状態Ｐ！は
金型を微小距離間いた状態、状態Ｐ３は完全に開いた状
態を示す。状態ｐ Ｉで金型を透視して被封止物のみを
見た平面図は第２図に示すが比例尺ではない。
金型を微小距離間いた状態、状態Ｐ３は完全に開いた状
態を示す。状態ｐ Ｉで金型を透視して被封止物のみを
見た平面図は第２図に示すが比例尺ではない。
１及び２は成形するキャビティエ０及びゲート２４ａ１
ランナ２４のための溝９を有したキャビティブロック、
７及び８はゲート２４ａ、ランナ２４を突き出す一方の
溝エジェクタピン４及び他方の溝エジェクタピン６を有
する第２のエジェクタ板及び第３のエジェクタ板、１５
及び１６は半導体素子を２３部分を突き出す一方の本体
エジェクタピン３及び他方の本体エジェクタピン５を有
する第１のエジェクタ板及び第４のエジェクタ板、１３
は一方の本体エジェクタピン３を成形時に成形可能な位
置に動作させる一方のリプタピンである。
ランナ２４のための溝９を有したキャビティブロック、
７及び８はゲート２４ａ、ランナ２４を突き出す一方の
溝エジェクタピン４及び他方の溝エジェクタピン６を有
する第２のエジェクタ板及び第３のエジェクタ板、１５
及び１６は半導体素子を２３部分を突き出す一方の本体
エジェクタピン３及び他方の本体エジェクタピン５を有
する第１のエジェクタ板及び第４のエジェクタ板、１３
は一方の本体エジェクタピン３を成形時に成形可能な位
置に動作させる一方のリプタピンである。
１１は一方の本体エジェクタピン３を突き出す第１のば
ね、１Ｂは一方の溝エジェクタピン４を成形時に成形可
能な定位置に停止させるストッパボルトあり、第２のば
ね１７により定位置に動作している。ここで第１のばね
１１に比べ第２のばね１７の力を弱くしておく。
ね、１Ｂは一方の溝エジェクタピン４を成形時に成形可
能な定位置に停止させるストッパボルトあり、第２のば
ね１７により定位置に動作している。ここで第１のばね
１１に比べ第２のばね１７の力を弱くしておく。
また１９は他方の溝エジェクタピン６を成形時に成形可
能な定位置に動作させる他方のリプタピンであり、２０
は他方の溝エジェクタピン６を突き出す第３のばね、１
４は他方の本体エジェクタピン５を成形時に定位置に動
作させる他方のストッパボルトであり、第４のばね１２
により定位置に動作している。
能な定位置に動作させる他方のリプタピンであり、２０
は他方の溝エジェクタピン６を突き出す第３のばね、１
４は他方の本体エジェクタピン５を成形時に定位置に動
作させる他方のストッパボルトであり、第４のばね１２
により定位置に動作している。
エジェクタロッド２５は最終工程で（状態Ｐ３）で、半
導体素子２３部分をキャビティより突き出すためにもち
い、第４のエジェクタピン板１６を押し上げる役割をも
っている。状態Ｐ！は成形後に微小距離だけ金型が分離
面で分離した状態であり、第１のばね１１により第１の
エジェクタ板１５が降下し、一方の本体エジェクタピン
３により、半導体素子２３部分が突き出されることにな
る。
導体素子２３部分をキャビティより突き出すためにもち
い、第４のエジェクタピン板１６を押し上げる役割をも
っている。状態Ｐ！は成形後に微小距離だけ金型が分離
面で分離した状態であり、第１のばね１１により第１の
エジェクタ板１５が降下し、一方の本体エジェクタピン
３により、半導体素子２３部分が突き出されることにな
る。
しかしこの動作でゲー）２４ａ部分が半導体素子２３部
分とともに降下したのでは、ゲートの切り離しができな
いので、第３のばね２００力により第３のエジェクタ板
８が上昇することを利用して、一方の溝エジェクタピン
６が上昇し、ゲート２４ａ、ランナ２４部分が降下する
のを防ぎ、半導体素子２３部分と、ゲー）２４ａ部分と
が切り離される。
分とともに降下したのでは、ゲートの切り離しができな
いので、第３のばね２００力により第３のエジェクタ板
８が上昇することを利用して、一方の溝エジェクタピン
６が上昇し、ゲート２４ａ、ランナ２４部分が降下する
のを防ぎ、半導体素子２３部分と、ゲー）２４ａ部分と
が切り離される。
状態Ｐ３は状態Ｐ２がさらに進んだ状態であり、ゲート
２４ａ付のランナ２４は第１のばね１１の力を介して一
方の溝エジェクタピン４により突き出される。同時にエ
ジェクタロッド２５によりキャビティブロック２に埋設
されている半導体素子２３部分は、他方の本体エジェク
タピン５により突き出され、離型する。なお実施例のリ
ードフレーム２６に代り、他の電極材も使用できる。
２４ａ付のランナ２４は第１のばね１１の力を介して一
方の溝エジェクタピン４により突き出される。同時にエ
ジェクタロッド２５によりキャビティブロック２に埋設
されている半導体素子２３部分は、他方の本体エジェク
タピン５により突き出され、離型する。なお実施例のリ
ードフレーム２６に代り、他の電極材も使用できる。
〔発明の効果〕
この発明群による半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封
止金型は、以上に説明したように構成されているので、
次の効果を有する。
止金型は、以上に説明したように構成されているので、
次の効果を有する。
金型内部での半導体素子とゲートとが自動的に切離され
るので、従来方法ではフレーム曲り、ゲート残りが発生
していた状態がなくなり、フレームに成形された半導体
素子の品質が向上し、後工程のトラブルが改善されるこ
とになる。また従来は、金型より半導体素子を取り出し
、手作業又は、機械によりゲート切断を行っていたが、
この工程がなくなり、生産工程の簡素化が図れ、多数台
のモールドプレスを一人で運転することが容易となる。
るので、従来方法ではフレーム曲り、ゲート残りが発生
していた状態がなくなり、フレームに成形された半導体
素子の品質が向上し、後工程のトラブルが改善されるこ
とになる。また従来は、金型より半導体素子を取り出し
、手作業又は、機械によりゲート切断を行っていたが、
この工程がなくなり、生産工程の簡素化が図れ、多数台
のモールドプレスを一人で運転することが容易となる。
第１図は実施例の金型を断面図で示した工程図、第２図
は樹脂封止直後の被封止物の一般的な平面図であって第
１図及び第３図に係わり、第３図は従来例の金型の断面
図である。 １．２・・・キャビティブロック、３，３３・・・一方
の本体エジェクタピン、４，３４・・・他方の溝エジェ
クタピン、５．３５・・・他方の本体エジェクタピン、
６．３６・・・他方の溝エジェクタピン、１１・・・第
１のばね、１２・・・第４のばね、１３．１９．４３・
・・リフタピン、１４．１８．４４・・・ストッパボル
ト、１７・・・第２のばね、２０・・・第３のばね、２
３・・・半導体素子、２４・・・ランナ、２５・・・エ
ジェクタロッド、２８・・・ポット。 第 図 第 図 フ８ 第 図
は樹脂封止直後の被封止物の一般的な平面図であって第
１図及び第３図に係わり、第３図は従来例の金型の断面
図である。 １．２・・・キャビティブロック、３，３３・・・一方
の本体エジェクタピン、４，３４・・・他方の溝エジェ
クタピン、５．３５・・・他方の本体エジェクタピン、
６．３６・・・他方の溝エジェクタピン、１１・・・第
１のばね、１２・・・第４のばね、１３．１９．４３・
・・リフタピン、１４．１８．４４・・・ストッパボル
ト、１７・・・第２のばね、２０・・・第３のばね、２
３・・・半導体素子、２４・・・ランナ、２５・・・エ
ジェクタロッド、２８・・・ポット。 第 図 第 図 フ８ 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）上型と下型との分離面に、電極材に接続した半導体
素子のためのキャビティと、このキャビティに連続し前
記上型又は下型の一方の型に設けたゲート及びランナか
らなる溝とを形成した金型を使用する半導体素子の樹脂
封止方法において、前記金型は半導体素子部分を突き出
す上下一対の本体エジェクタピンと、前記電極材の存在
しない領域で前記溝部分を突き出す上下一対の溝エジェ
クタピンとを備え、 樹脂を注入して成形終了後に、前記一対の本体エジェク
タピンで前記半導体部分を他方の型に押え、かつ前記一
対の溝エジェクタピンで前記溝部分を前記一方の型に押
えたままの状態で前記金型を微小距離だけ分離して、前
記半導体部分と前記溝部分とをそれぞれの型に残したま
ま切離し、その後に前記金型を完全に分離しながら、前
記他方の本体エジェクタピンと前記一方の溝エジェクタ
ピンとを突き出して離型することを特徴とする半導体素
子の樹脂封止方法。 ２）上型と下型との分離面に、電極材に接続した半導体
素子のためのキャビティと、このキャビティに連続し前
記上型又は下型の一方の型に設けたゲート及びランナか
らなる溝とを形成して金型を構成し、 前記金型は半導体素子部分を突き出す上下一対の本体エ
ジェクタピンと、前記電極材の存在しない領域で前記溝
部分を突き出す上下一対の溝エジェクタピンとを備え、 前記一方の型に設ける、第１のばねで分離面方向に付勢
される第１のエジェクタ板に前記本体エジェクタピンの
一方と一方のリプタピンとを固定し、この一方のリプタ
ピンの先端が前記分離面に一致する時に前記一方の本体
エジェクタピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第１のエジェクタ板に隙間を介して前記分離面側に
配置されて反分離面方向に第２のばねで付勢される第２
のエジェクタ板に前記溝エジェクタピンの一方を固定す
るとともに、一方のストッパボルトを設け、前記第２の
エジェクタ板が前記第２のばねで付勢されて前記一方の
ストッパボルトで止る時には前記一方の溝エジェクタピ
ンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第２のばねは前記第１のばねより弱く、前記他方の
型に設けられ、第３のばねで分離面方向に付勢される第
３のエジェクタ板に前記溝エジェクタピンの他方と他方
のリプタピンとを固定し、この他方のリプタピンの先端
が前記分離面に一致する時に前記他方の溝エジェクタピ
ンの先端は樹脂成形成可能な位置にあり、 前記第３のエジェクタ板に隙間を介して前記反分離面側
に配置されて反分離面方向に第４のばねで付勢される第
４のエジェクタ板に前記本体エジェクタピンの他方を固
定するとともに、他方のストッパボルトを設け、前記第
４のエジェクタ板が前記第４のばねで付勢されて前記他
方のストッパボルトで止る時には前記他方の本体エジェ
クタピンの先端は樹脂成形可能な位置にあり、 前記第４のばねに抗して前記第４のエジェクタ板を押し
出すエジェクタロッドを前記他方の金型に設けることを
特徴とする半導体素子の樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1247588A JP2502387B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1247588A JP2502387B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109746A true JPH03109746A (ja) | 1991-05-09 |
| JP2502387B2 JP2502387B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=17165740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1247588A Expired - Fee Related JP2502387B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502387B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017043302A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | コニカミノルタ株式会社 | 成形金型及びそれを用いて作製された板状部品並びにその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1247588A patent/JP2502387B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017043302A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | コニカミノルタ株式会社 | 成形金型及びそれを用いて作製された板状部品並びにその製造方法 |
| JPWO2017043302A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2018-06-28 | コニカミノルタ株式会社 | 成形金型及びそれを用いて作製された板状部品並びにその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502387B2 (ja) | 1996-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |