JPH03109792A - 高周波用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波領域で使用される金属張り積層板からな
る高周波用基板の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

最近の電子工業、通信工業の各分野において使用される
信号の周波数は次第に高周波の領域に移行し、従来多用
されていたキロヘルツの領域からメガヘルツやギガヘル
ツの領域の方に重要性が移行している。これらの高周波
領域では信号速度や信号の損失の回路、性能への影響が
大きく、使用する電気部品や積Ｎ板に対して高周波領域
での信号速度の向上、損失の低減が求められている。積
層板上の回路の信号速度は誘電体の比誘電率（以下ε、
と称す）に依存しており、ε、が低いほど信号速度は速
くなる。また信号の損失は誘電体のε、とｔａｎδ（δ
：誘電損角）に依存しており、ε７やｔａｎδが低いほ
ど損失が少なくなる。このため高周波用基板に使用され
る誘電体にはε、やｔａｎδの低いものが要求される。

ε１やｔａｎδの低い誘電体としてポリテトラフルオロ
エチレンやポリエチレンなどの樹脂をガラスクロスに含
浸させたものが用いられ、これに銅箔を積層させた高周
波用基板が一般的に使用されている。

ガラスクロスにポリテトラフルオロエチレンを含浸させ
た誘電体を用いたポリテトラフルオロエチレン／ガラス
クロス基板は、ポリテトラフルオロエチレンの高融点低
流動性のため、その製造に高温度で長時間の成形を要し
コストが高くなるという問題があった。一方ガラスクロ
スにポリエチレンを含浸させたポリエチレン／ガラスク
ロス基板はポリエチレンの融点が低いため、はんだ耐熱
性に劣る欠点があった。

これらの点の改良のため例えば特開昭６０−２５３５２
８号公報に示されているように、ガラスクロスの両面に
ポリエチレンフィルムを配置して、加熱加圧してポリエ
チレンをガラスクロスに含浸させ、これを電子線により
架橋した後、銅箔を積層し基板を製造する方法や、特開
昭６１−１０８２０２、特開昭６１−２７７２０７、特
開昭６１２７７２０８号公報に示されているように、ガ
ラスクロスにポリエチレンを加熱加圧し含浸させ、さら
にポリエチレンフィルムを重ねて熱圧着後、電子線によ
りポリエチレンフィルムを架橋し、この電子線により架
橋した超高分子量ポリエチレンフィルムの上に銅箔を積
層して基板を製造する方法が提案されている。このよう
にポリエチレンの耐熱性改良には、基本的にポリエチレ
ンを架橋し、樹脂の流動性を低下させる手法がとられて
いる。

耐熱性改良の目的のためにはもともと樹脂の流動性が低
い超高分子量ポリエチレン（以下ＨＭＷＰＥと称す）を
使用すればよいが、ＨＭＷＰＥはポリテトラフルオロエ
チレンと同様加熱溶融時の粘度が高いため、通常の押出
成形法や射出成形法が適合しに（いという欠点があった
。このためＨＭＷＰＥのシートやフィルムの成形法とし
ては、ポリテトラフルオロエチレンの場合と同様二重円
筒容器にＨＭＷＰＥを投入し）（ＭＷＰＥの融点以上に
加熱加圧した後、徐冷しパイプ状のＨＭＷＰＥのブロッ
クを成形し、これをスカイビングマシーンによりシート
やフィルムに切削する方法が採用されている。しかし、
この方法ではＨＭＷＰＥのブロック成形時にボイドが入
らないよう温度や圧力を微妙に調整しなければならず、
また切削するときＨＭＷＰＥのブロックの温度を切削に
適するよう加温しなければならない等製造条件を厳しく
コントロールする必要がある。またバッチ方式のため量
産性に劣る成形法であるという問題もある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、ε１やｔａｎδが低く、耐熱性、特に形状保
持性に優れた高周波基板を容易に製造する方法を提供す
ることを目的とする。

本発明は、耐熱性に著しく優れた高周波用基板の製造方
法を提供することを目的とする。

本発明は、さらに基板の反りや強度及び表面高度に優れ
ていると共に、はんだ等の高温雰囲気中でのポリエチレ
ンの酸化を防止でき、酸化によるε、やｔａｎδの値が
高くなるのを抑制することができる高周波用基板の製造
方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、高周波用基板の誘
電体に主としてε、やｔａｎδが小さく誘電特性の良好
な超高分子量ポリエチレン（）ＴＭＷＰＥ）からなるポ
リマーを用い、その成形加工性を改良するためＨＭＷＰ
Ｅの多孔質シートを加熱加圧してＨＭＷＰＥのシートを
成形することにより、その目的を達成することがされる
ことを見出し本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、超高分子量ポリエチレンの多孔質シ
ートを加熱加圧して多孔質シートのみかけ密度が超高分
子量ポリエチレンの真の密度の８０％以上になるよう多
孔質を消失させた超高分子量ポリエチレンシートを成形
し、得られたシートに直接又は接着層を介して金属箔又
は金属板を積層することを積層成形する高周波用基板の
製造方法を提供するものである。

本発明の超高分子量ポリエチレンの多孔質シートに用い
られるＨＭＷＰＢは、チーグラー法重合技術により製造
され、その平均分子量は粘度法による測定で１００万〜
５０−０万と一般のポリエチレンの２万〜２０万に比べ
て極めて大きい分子量をもつものである。例えば、三井
石油化学工業（ハイゼックスミリオン、ミペロン）、旭
化成工業（サンチック）、西独ヘキスト社（ＨＯ３ＴＡ
ＬＥＮ、０ＵＲ）、米国パーキュレス社（ＨＩ　ＦＡＸ
、１０００）などで上布しているものが好適に用いられ
る。

ＨＭＷＰＥの多孔質シートはＨＭＷＰＥ粉末粒子を焼結
させ、粒子同士を融着により接合し、厚み０．５〜５　
ｍｍのシートに成形したものである。接合した粒子の外
側には空気の連続層が存在する。

ＨＭＷＰＥの多孔質シートの製造法は、例えばフィルム
、金属ベルトなどの基材上にＨＭＷＰＥの粉末粒子を投
入し、これをロールやバーによりそれらと基材との間隔
を一定に保つようにして得た間隙に通しＨＭＷＰＥの粉
末粒子を一定厚みに賦形させ、さらに加熱炉に通し粒子
同士を加熱焼結させて、ＨＭＷＰＥの多孔質シートを連
続して成形する方法がある。このとき、ＨＭＷＰＥ粉末
粒子に接着剤をコートしたり、接着性を有する粒子や安
定剤、難燃剤、着色剤などを添加することもできる。

ＨＭＷＰＥ粉末は平均粒子径が０．　ＯＯ１〜１胴であ
るものが好ましい。得られるＨＭＷＰＥの多孔質シート
の表面が平滑になるためには、平均粒子径がｏ、ｏｏｔ
〜０．１ｆｆＩＩＩ＋であるものが特に好ましい。

ＨＭＷＰＥの多孔質シートは、粉末粒子同士の融着によ
り気泡構造をとっており、その気泡構造は連続気泡とな
っている。このときさらに焼結を進行させると、融着が
進み、ついには独立気泡を少量含むシートになる。しか
し本発明では加熱加圧により多孔質を消失させるので、
加熱加圧時に気泡を抜は易くするため気泡構造は連続気
泡であることが好ましい。連続気泡の気泡構造を得るた
めには、焼結時の加熱温度や加熱時間を調整し、ＨＭＷ
ＰＥの多孔質シートのみかけ密度がＨＭＷＰＥ粉末粒子
の真の密度の８０％未満になるようにすれば良い。ＨＭ
ＷＰＥの多孔質シートの厚みは（１）式で求められるの
で、間隙を調整し所望の厚みにすると良い。

ＨＭＷＰＥの多孔質シートの厚み −（（得ようとするＨＭＷＰＥ誘電体の厚み）Ｘ　（Ｈ
ＭＷＰＥの真の密度）） ／（ＨＭＷＰＥ多孔質シートのみかけ密度）（１） 上記のＨＭＷＰＥの多孔質シートを加熱加圧して、多孔
質シートのみかけ密度がＨＭＷＰＥの真の密度の８０％
以上になるよう多孔質を消失させたＨＭＷＰＥシートを
成形する。ここで、多孔質を消失させるとは、多孔質シ
ートを加熱加圧により融着させ密度を高めることをいう
。多孔質を消失させるのは、ＨＭＷＰＥの多孔質シート
のみかけ密度がＨＭＷＰＥの真の密度の８０％未満では
、シートのε、やｔａｎδが低く好ましいが、ＨＭＷＰ
Ｅシート中に連続気泡が残り、エツチング、スルーホー
ルメツキ等の処理において液のシート中へのしみ込みが
生じ基板特性に悪影響を及ぼすので、総合的な基板特性
を向上させるためである。

加熱加圧条件は、加熱温度１５０〜２５０°Ｃ１印加圧
力２０〜８０ｋｇ／ｃｉｌ？、印加時間２〜１０分間と
することが好ましい。また、加熱加圧は、ＨＭＷＰＥの
多孔質シートをステンレス製の鏡板等で挟み、均一な条
件で加熱加圧することが好ましい。

次いで、得られた多孔質を消失させたＨＭＷＰＥシート
に直接又は接着層を介して金属箔又は金属板を積層して
高周波用基板とする。

積層する金属箔、金属板の例としては、金、銀、銅、ア
ルミニウム、ニッケル、ステンレス、鉄、鉄合金、銅合
金、などが挙げられる。好ましくは銅箔、アルミニウム
箔、アルミニウム板ミ鉄合金板である。。

接着層はＨＭＷＰＥシート、金属箔又は金属板等の高周
波基板中の層間の接着を強固にするためのものである。

接着層の構造中に極性基を多数含むと誘電体のε、やｔ
ａｎδが高くなることがある。

そのような場合、接着層の厚みは必要最小限にすること
が望ましい。

接着層の接着剤としては、例えばアクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、エポキシ
フェノール、ブチラールフェノール、ニトリルフェノー
ル等が挙げられる。また、接着フィルムとしては、（１
）エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル
酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、
エチレン−マレイン酸共重合体、エチレン−無水マレイ
ン酸グラフト化共重合体、エチレン−メタクリル酸グリ
シジル−酢酸ビニル三元共重合体、アイオノマー重合体
などのように、ポリオレフィンにα、β−不飽和カルボ
ン酸、そのエステル、その無水物若しくはその金属塩又
は飽和有機カルボン酸を通常の共重合若しくはグラフト
共重合させて得た共重合体、（ＩＩ）ポリオレフィンと
前記（１）の共重合体の混合物、（■）ポリオレフィン
に粘着付与剤等を配合した接着性配合物を挙げることが
できる。接着層はその配合中に架橋し得る基を有し、電
離性放射線、有機過酸化物、シラン化合物等により架橋
させて用いることが好ましい。

また、ＨＭＷＰＥの多孔質シートから得られた多孔質を
消失したＨＭＷＰＥシートに電離性放射線を照射しポリ
エチレンを架橋させ、さらに直接又は接着層を介して金
属箔又は金属板を積層することが好ましい。

電離性放射線は、例えばＸ線、Ｔ線、β線、電子線であ
り、ポリエチレンの架橋には通常電子線が用いられ、０
４５〜１００Ｍｒ　ａ　ｄ照射することが好ましい。

また、ＨＭＷＰＥの多孔質シートに架橋剤を添加し、加
熱加圧して多孔質シートのみかけ密度が超高分子量ポリ
エチレンの真の密度の８０％以上になるよう多孔質を消
失させると同時に架橋処理を行った超高分子量ポリエチ
レンシートを成形し、得られたシートに直接又は接着層
を介して金属箔又は金属板を積層することが好ましい。

架橋剤はポリエチレンを架橋させるものであり、ポリエ
チレンの架橋方法として通常行われている過酸化物架橋
法、シラン架橋法により架橋させるものである。

例えば、過酸化物架橋法では遊離ラジカル部位を発生さ
せる有機過酸化物を添加すれば良い。有機過酸化物の一
例として２．５−ジメチル−２゜５−ジ（ｔ−ブチルパ
ーオキシ）ヘキシン−３、メチルエチルケトンパーオキ
サイド、ｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノエ
ート、クメンヒドロパーオキサイド、２．５−ジメチル
−２，５ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、６，６
，９゜９−テトラメチル−３−メチル−３−ｎ−ブチル
−１，２，４，５−テトラオキシシクロノナン、ジクミ
ルパーオキサイド、ｔ−ブチルペルオキシバーベンゾエ
ート、ｔ−プチルバーオキシイソブロピルカーポネート
等が挙げられる。また有機過酸化物とジビニルベンゼン
、トリアリルシアヌレ−ト、トリアリルイソシアヌレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレート、ｐ−ｐ
　−ジベンゾイルキノンジオキシム等の如き多官能性化
合物（架橋助剤）を併用してもよい。

シラン架橋法では一般式ＲＲ’　５ｉＹ２　（式中Ｒは
一価のオレフィン性不飽和炭化水素基、Ｙはハイドロカ
ーボンオキシ基の如き加水分解し得る有機基、Ｒ′は脂
肪性不飽和基を含まない一価の炭化水素基、基Ｙ又は水
素である。）で表わされるシラン化合物及び遊離ラジカ
ル部位を発生させる有機過酸化物を添加すれば良い。さ
らに上記した多官能性化合物やシラノール化縮合触媒を
添加しても良い。シラン化合物としてはビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタアク
リロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニル（β−メ
トキシエトキシ）シランなどがある。必要に応じてシラ
ノール化縮合触媒としてジブチル錫ジラウレート、ジブ
チル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエートなどが
用いられる。

これらのポリエチレンを架橋させる架橋剤のＨＭＷＰＥ
の多孔質シートへの添加は、例えば有機溶剤に溶解した
架橋剤溶液をＨＭＷＰＥの多孔質シート上にふりかける
か又は架橋剤溶液中にＨＭＷＰＥの多孔質シートを浸漬
させ、その後有機溶剤を乾燥除去することにより行われ
る。このときＨＭＷＰＥの多孔質シートの空隙率は（２
）式で示されるので、この空隙を埋めるだけの量の有機
溶剤に架橋剤の必要量を溶解又は分散させ、これをＨＭ
ＷＰＥの多孔質シート上にふりかけるか又はこの中にＨ
ＭＷＰＥの多孔質シートを浸漬して多孔質シート表面に
付着した余分の溶剤溶液又は分散液を２本の丸棒に挟み
しごき落とすように引き上げ、乾燥すると良い。

空隙率＝１−（（ＨＭＷＰＥの多孔質シートのみかけ密
度）／　（ＨＭＷＰＥの真の密度））（２） 架橋処理は、基本的に過酸化物架橋では加熱により架橋
を行わせるものであり、シラン架橋法では加熱によりポ
リエチレンにシラン化合物をグラフトする処理をいう。

架橋の程度を示すキシレン不溶分（ゲル分率、架橋度）
の測定は、試料的０．３ｇを２００メツシユのステンレ
ス金網に入れ、沸騰キシレン中で１６時間抽出処理後、
ステンレス金網に残ったキシレン不溶分を測定すること
で行う。

さらに、ＨＭＷＰＥシートに直接又は接着剤を介して硬
化性樹脂含浸補強層と金属箔又は金属板を積層成形する
ことが好ましい。積層成形条件は前記多孔質シートの加
熱加圧条件と同様である。

硬化性樹脂含浸補強層としては、基板に通常用いられて
いるガラスクロス、ガラス不織布、プラスチック繊維の
織布、不織布等の補強剤に硬化性樹脂ワニスを含浸乾燥
させたものが用いられる。

硬化性樹脂としては、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹
脂、ＰＰＯ樹脂若しくはＰＰＳ樹脂と架橋性ポリマー又
は架橋性モノマーとの樹脂組成物を挙げることができ、
好ましくはε。

やｔａｎδが比較的低いポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂が用いられる。

〔作用］ 超高分子量ポリエチレン（ＨＭＷＰＥ）の多孔質シート
を用い、加熱加圧してＨＭＷＰＥの多孔質を多孔質シー
トのみかけ密度がＨＭＷＰＥの真の密度の８０％以上に
なるよう消失させ、ＨＭＷＰＥを誘電体とした高周波用
基板を製造する方法においては、加熱加圧によりＨＭＷ
ＰＥの多孔質シートの粉末粒子が厚み方向に圧縮され、
多孔質中の空気層はシート端面から抜け、さらに粉末粒
子同士が融着しＨＭＷＰＥシートとなる。このときＨＭ
ＷＰＥの多孔質シートは、厚み方向にのみ圧縮され、Ｈ
ＭＷＰＥの低流動性のため面方向に流動することはほと
んどなく厚み方向に圧縮された粒子同士が融着し、多孔
質が消失してＨＭＷＰＥのシートとなる。このことはプ
レス温度３３０゛Ｃ、プレス圧力４０ｋｇ／ｃｆｆｌの
高温高圧の条件下で１０分間ＨＭＷＰＥの多孔質シート
（厚さ約１ｍｍ）をプレス成形しても厚み方向に多孔質
が消失した分薄くなるのみで横方向への流れは観察され
ないことから分かる。

従って、本発明によればＨＭＷＰＥシートを有する高周
波用基板をＨＭＷＰＥの多孔質シートを用いて容易に得
ることができる。

ＨＭＷＰＥをシート形状で架橋させる場合、従来の過酸
化物架橋法では、有機過酸化物の溶剤溶液中にシートを
長時間浸漬させ、有機過酸化物がシート中にしみ込んだ
ところで溶液から引き上げ、シートから溶剤を加温等に
より除去した後、金属箔と積層し加熱して有機過酸化物
を分解し遊離ラジカルを発生させ架橋させなければなら
ない。

これに対しＨＭＷＰＥの多孔質シートを使用した本発明
では、前述したように、有機過酸化物の溶剤溶液を多孔
質シートに含浸させ有機過酸化物の粒子内への含浸後、
溶剤を乾燥除去し、加熱加圧することにより有機過酸化
物が分解し遊離ラジカルを発生し架橋を行うと同時に多
孔質が消失したシートを得ることができる。この場合Ｈ
ＭＷＰＥの多孔質シートを用いることにより、多孔質で
ないＨＭＷＰＥシートの場合より有機過酸化物溶液との
接触面積が大きいので有機過酸化物の染み込みが速く、
また溶剤の乾燥除去も速くなる。

〔実施例〕

実施例１ 第１図に示す装置を用い、厚さ５０μｍのポリエステル
フィルム（ＳＬタイプ、帝人株式会社）基材１をステン
レススチールベルト２に沿わし、手鼻型コーター３でＨ
ＭＷＰＥ粉末４、ミベロンＸＭ２２０（平均粒子径０．
０３ｍｍ、融点１３６°Ｃ１嵩密度０．４’ｇ／ｃｆｆ
１、ポリエチレンの真の密度０．９４ｇ／ｃｎｆ、三井
石油化学工業株式会社商品名）を１の基材上に０．８ｍ
の厚みに賦形し５の加熱炉（１６０°Ｃ）で加熱焼結を
行いみかけ密度０．５　ｇ／ｃｎｌのＨＭＷＰＥの多孔
質シートを得た。

このＨＭＷＰＥの多孔質シート２枚を重ね、それらの外
側をステンレス製の鏡板で挟み２００°Ｃ１４０ｋｇ／
ｃ−の条件で５分間加熱加圧し、多孔質が消失した誘電
体厚さ０．８５　ｍｍ、密度０．９２ｇ／ｃｎｌのＨＭ
ＷＰＥシートを得た。

次にこのＨＭＷＰＥシートの両面に、接着層として１０
　Ｍ　ｒ　ａ　ｄの電子線を照射した５０μｍのアトマ
ーＮＥＯ６０（三井石油化学工業株式会社商品名、直鎖
低密度ポリエチレングラフト化物）のフィルム（キシレ
ン不溶分、７０重四％）を設け、この接着層を介して片
面に厚さ３５μｍの電解銅箔を、他面に厚さ１ｍｍのア
ルミニウム板を積層し、２００　’Ｃ１２０ｋｇ／ａｆ
ｌの条件で加熱加圧して、高周波用基板を得た。

実施例２ 実施例１で得たＨＭＷＰＥの多孔質シート２枚重ね、実
施例１と同様な方法で誘電体厚さ０．８５０の多孔質が
消失した密度０．９２　ｇ／ｃｆｆｌのＨＭＷＰＥシー
トを得た。次にこのＨＭＷＰＥシートに６０Ｍｒａｄの
電子線を照射し、キシレン不溶分４５％の架橋ＨＭＷＰ
Ｅシートを得た。そしてこの架橋ＨＭＷＰＥシートを用
いたこと以外実施例１と同じ積層構成、同じ条件で加熱
加圧し、高周波用基板を得た。

実施例３ 実施例１で得た）（ＭＷＰＥの多孔質シートと、有機過
酸化物としてｔ−ブチルクミルパーオキサイドを用だ。

この有機過酸化物を多孔質シート１００重量部に対し０
．６重量部になるように多孔質シートの空隙が埋まるよ
う計算した量のトルエンに溶解し、この溶液を多孔質シ
ートに均一にふりかけ、風乾後１００°Ｃの乾燥品中で
５分間乾燥した。この多孔質シートを２枚重ねさらに離
型用の厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを介してステ
ンレス製の鏡板で挟み、２００°Ｃ、４０ｋｇ／ｃ＋ｆ
ｉの条件で５分間加熱加圧し、多孔質が消失した誘電体
厚さ０．８５ｍｍ、密度０．９３ｇ／ｃｎのＨＭＷＰＥ
の過酸化物架橋シートを得た。このシートのキシレン不
溶分は３８重量％であった。この過酸化物架橋ＨＭＷＰ
Ｅシートを用いたこと以外実施例１と同じ積層構成、同
じ条件で加熱加圧し、高周波用基板を得た。

実施例４ 実施例１で得たＨＭＷＰＥの多孔質シート１００重量部
に対し有機過酸化物として２．５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３を０．２重量
部、シラン化合物としてビニルトリエトキシシランを１
重量部及びシラノール化縮合触媒としてジブチル錫ジラ
ウレートを０．０５重量部を、多孔質シートの空隙が埋
まるよう計算した量のトルエンに溶解させた。これを多
孔質シートに均一になるようふりかけ、風乾後１００°
Ｃの乾燥品中で５分間乾燥した。この多孔質シートを２
枚重ね、離型用の厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを
介してステンレス製の鏡板で挟み、２００°Ｃ１４０ｋ
ｇ／ｃＪの条件で５分間加熱加圧し、誘電体厚さ０．８
５ｍｍの多孔質が消失した誘電体密度０．９３ｇ／ｃ這
のＨＭＷＰＥのシラン架橋前処理シートを得た。次にこ
のシートを８０°Ｃの温水中に３時間浸漬し架橋させ、
９５°Ｃの乾燥品中で１時間乾燥させシラン架橋ＨＭＷ
ＰＥシートを得た。

このシートのキシレン不溶分は６２重量％であった。こ
のシラン架橋ＨＭＷＰＥシートを用いたこと以外実施例
１と同じ積層構成、同じ条件で加熱加圧し、高周波用基
板を得た。

実施例５ 実施例１で得たＨＭＷＰＥの多孔質シートを２枚重ね、
それらの外側をステンレス製の鏡板で挟み２００°Ｃ１
４０ｋｇ／ｃｆｆｌの条件で５分間加熱加圧し、誘電体
厚さ０．８５　ｍｍの多孔質が消失した密度０、９２　
ｇ／ｃｎｌのＨＭＷＰＥシートを得た。そして次に示す
配合物を厚さ６０μｍのガラスクロスに含浸乾燥させ、
硬化性樹脂含浸補強層を得た。配合物はポリフェニレン
オキサイド：ＰＰＯ５３４Ｊ（エンジニアリングプラス
チック株式会社商品名）１００重量部、末端アクリロイ
ル基変性１゜４ポリブタジェン：　Ｒ−４５ＡＣＲ（出
光石油化学株式会社商品名）４０重量部、トリアリルイ
ソシアヌレート２０重量部及びパーヘキシン２５Ｂ：２
，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）
ヘキシン−３（日本油脂株式会社商品名）２重量部をト
ルエンに溶解させトルエンの２０重量％溶液として使用
した。ＨＭＷＰＥシートの両面に前記した硬化性樹脂含
浸補強層を介して厚さ３５μｍの銅箔を積層し、２２０
°Ｃ１４０ｋｇ　／　ｃｎｉの条件で１５分間加熱加圧
し、誘電体厚さ１．０８ｍｍの高周波用基板を得た。

以上実施例１〜５で得られた高周波基板のε。

、ｔａｎδ及び銅箔引きはがし強さをまとめて第１表に
示した。いずれもε、やｔａｎδが低く高周波特性に優
れた基板である。実施例５のＨＭＷＰＥシートの両面に
硬化性樹脂含浸補強層を介して銅箔を積層成形した基板
は、片面のみの銅箔をエツチングにより除去しても基板
に反りは発生しなかった。また実施例１〜５の基板を２
６０°Ｃのはんだ浴に２０秒間フロートさせたが、いず
れも外観に異常はなかった。

（以下余白） 参考例 実施例１で得たＨＭＷＰＥの多孔質シートを５枚重ねそ
の周辺にスペーサーを配置してステンレス類の鏡板で挟
み２００°Ｃ１４０ｋｇ／ａ＋１の条件で５分間加熱加
圧し、ＨＭＷＰＥのシートを得た。

スペーサーの厚みを変えること以外上記条件を同じにし
て密度の異なる４種類のＨＭＷＰＥシートを得た。次に
この４種類のシートを加圧できるステンレス容器中の赤
インク水溶液に入れ、浮かばないよう金網で押さえ、１
　ｋｇ　／　ｃＴＭの空気圧を１０分間加えたのち４種
類のシートを取り出し、シート内への赤インクの染み込
みを調べたところ、第２表に示すような結果が得られた
。

第２表 第２表よりＨＭＷＰＥの多孔質シートを加熱加圧により
多孔質を消失させる場合、エツチング、スルーホールメ
ツキ等の処理を行ったときに液に染み込みが無いように
するには、ＨＭＷＰＥの多孔質シートのみかけ密度がＨ
ＭＷＰＥの真の密度の８０％以上にしなければならない
ことがわかった。

〔発明の効果〕

本発明によると、ε、やｔａｎδの低い高周波用基板の
製造が可能となる。すなわち、ポリエチレン樹脂が本来
有している好ましい誘電特性を活用でき、その欠点であ
った耐熱性すなわち形状保持性をＨＭＷＰＥの低流動性
により改良でき、低流動性による加工の難点を多孔質シ
ートを用いた加熱加圧によるシート化で克服できた。さ
らに多孔質シートに電離性放射線を照射するか又は架橋
剤を加えて加熱加圧することによりＨＭＷＰＥを容易に
架橋させることができ、ＨＭＷＰＥを超低流動性化する
ことにより耐熱性を著しく向上できる。

またガラスクロスのような補強層に硬化性樹脂を含浸し
て得られる硬化性樹脂含浸補強層を積層することにより
基板の反りや強度及び表面硬度を改善することができる
と共に、はんだ等の高温雰囲気中でのポリエチレンの酸
化を防止でき、酸化によるε、やｔａｎδの値が高くな
るのを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は超高分子量ポリエチレン（ＨＭＷＰＥ）の多孔
質シート連続成形装置の説明図を表す。 符号の説明 基材　　　　２　ステンレススチールベルト手鼻型コー
ター 超高分子量ポリエチレン粉末 加熱炉

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．超高分子量ポリエチレンの多孔質シートを加熱加圧
   して多孔質シートのみかけ密度が超高分子量ポリエチレ
   ンの真の密度の８０％以上になるよう多孔質を消失させ
   た超高分子量ポリエチレンシートを成形し、得られたシ
   ートに直接又は接着層を介して金属箔又は金属板を積層
   することを特徴とする高周波用基板の製造方法。
2. ２．超高分子量ポリエチレンの多孔質シートを加熱加圧
   して多孔質シートのみかけ密度が超高分子量ポリエチレ
   ンの真の密度の８０％以上になるよう多孔質を消失させ
   た超高分子量ポリエチレンシートを成形し、得られたシ
   ートに電離性放射線を照射してポリエチレンを架橋させ
   、さらにこれに直接又は接着層を介して金属箔又は金属
   板を積層することを特徴とする高周波用基板の製造方法
   。
3. ３．超高分子量ポリエチレンの多孔質シートに架橋剤を
   添加し、加熱加圧して多孔質シートのみかけ密度が超高
   分子量ポリエチレンの真の密度の８０％以上になるよう
   多孔質を消失させると同時に架橋処理を行って超高分子
   量ポリエチレンシートを成形し、得られたシートに直接
   又は接着層を介して金属箔又は金属板を積層することを
   特徴とする高周波用基板の製造方法。
4. ４．超高分子量ポリエチレンシートに直接又は接着層を
   介して硬化性樹脂含浸補強層と金属箔又は金属板とを積
   層成形する請求項１、２又は３記載の高周波用基板の製
   造方法。