JPH03112688A - Icカード - Google Patents
IcカードInfo
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- JPH03112688A JPH03112688A JP1249335A JP24933589A JPH03112688A JP H03112688 A JPH03112688 A JP H03112688A JP 1249335 A JP1249335 A JP 1249335A JP 24933589 A JP24933589 A JP 24933589A JP H03112688 A JPH03112688 A JP H03112688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- module
- card
- thickness
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ICモジュールを搭載したICカドに関する
。
。
ICメモリーカードは、その呼称が示すように、半導体
メモリーICを小型パッケージに埋め込み、持ち運びや
取扱い等を容易にしたリムーバブルな記憶媒体であり、
形状としては、現在クレジットカードサイズで厚さが2
〜5IIII11のものが主流を占めている。ICメモ
リーカードは半導体メモリー素子を内蔵した媒体であり
、基本的には、現在普及しているフロッピーディスクと
同じような外部記憶メディアとしてとらえることができ
るが、半導体メディアとして将来の磁気メディアと較べ
、優れた特徴を持っておりこの点に注目して、新しい記
録メディアとしての活用が各分野で進められている。こ
のような中にあってtCメモリーカドの大容量化が望ま
れているが、一定の大きさのカード寸法でメモリーの大
容量化を計ることは、従来の技術では、なかなか難しか
った。
メモリーICを小型パッケージに埋め込み、持ち運びや
取扱い等を容易にしたリムーバブルな記憶媒体であり、
形状としては、現在クレジットカードサイズで厚さが2
〜5IIII11のものが主流を占めている。ICメモ
リーカードは半導体メモリー素子を内蔵した媒体であり
、基本的には、現在普及しているフロッピーディスクと
同じような外部記憶メディアとしてとらえることができ
るが、半導体メディアとして将来の磁気メディアと較べ
、優れた特徴を持っておりこの点に注目して、新しい記
録メディアとしての活用が各分野で進められている。こ
のような中にあってtCメモリーカドの大容量化が望ま
れているが、一定の大きさのカード寸法でメモリーの大
容量化を計ることは、従来の技術では、なかなか難しか
った。
従来のメモリーカードに内蔵されるICモジュールは、
通常リードフレーム上にICチップを搭載し、ICチッ
プとリードフレームをワイヤーでボンディングした後、
エポキシで全体を封止したICモジュールを、カード内
のプリント基板に搭載しカード化している。このような
リードフレームを使用したICモジュールの形態として
は、D I P (dual in 1ine pak
age)やS OP (smalloutline p
ackage)等のパッケージがあるが、いずれも構造
上厚みは1.2mm以上になり、メモリカード内に搭載
して大容量化するには、メモリーカードの大きさや厚み
に制約があるため、多数のICモジュールをカード内に
搭載することは物理的に不可能である。そこで現在CO
B (Chip onBoard)法やT A B (
Tape Automated Bonding)法が
検討されている。COB法は、実装密度を高くできるが
、多数のチップを実装することは、歩留まりが悪くリペ
アが困難なため、製造コストが高くなり現実的には難し
い、またTAB法は、チップあるいはリード側にバンプ
を設ける工程が必要であり、コストが高く、また技術的
にも難しい。
通常リードフレーム上にICチップを搭載し、ICチッ
プとリードフレームをワイヤーでボンディングした後、
エポキシで全体を封止したICモジュールを、カード内
のプリント基板に搭載しカード化している。このような
リードフレームを使用したICモジュールの形態として
は、D I P (dual in 1ine pak
age)やS OP (smalloutline p
ackage)等のパッケージがあるが、いずれも構造
上厚みは1.2mm以上になり、メモリカード内に搭載
して大容量化するには、メモリーカードの大きさや厚み
に制約があるため、多数のICモジュールをカード内に
搭載することは物理的に不可能である。そこで現在CO
B (Chip onBoard)法やT A B (
Tape Automated Bonding)法が
検討されている。COB法は、実装密度を高くできるが
、多数のチップを実装することは、歩留まりが悪くリペ
アが困難なため、製造コストが高くなり現実的には難し
い、またTAB法は、チップあるいはリード側にバンプ
を設ける工程が必要であり、コストが高く、また技術的
にも難しい。
本発明は、従来のこのような課題を解決しようとするも
ので、ICモジュールの厚みを薄(し、容易に大容量I
Cメモリーカードを提供することを目的とするものであ
る。
ので、ICモジュールの厚みを薄(し、容易に大容量I
Cメモリーカードを提供することを目的とするものであ
る。
〔課題を解決するための手段]
本発明は、上述の従来の問題点を解決するために、リー
ドフレームの代わりにプリント基板を使用した薄いIC
モジュールをカード内に搭載することにより大容量IC
メモリーカードの製造をはじめて可能にした。すなわち
、本発明はパターニングされた厚さ200μm以下のプ
リント基板上にICチップを搭載し、かつICチップ搭
載面のみを樹脂封止したICモジュールをカード内に搭
載したことを特徴とするICカードである。
ドフレームの代わりにプリント基板を使用した薄いIC
モジュールをカード内に搭載することにより大容量IC
メモリーカードの製造をはじめて可能にした。すなわち
、本発明はパターニングされた厚さ200μm以下のプ
リント基板上にICチップを搭載し、かつICチップ搭
載面のみを樹脂封止したICモジュールをカード内に搭
載したことを特徴とするICカードである。
本発明についてさらに詳細に説明すると、まずガラス/
エポキシ等からなる、厚さ200μm以下好ましくは1
50μm以下の、薄い、両面に導電層例えば銅箔を有す
る、プリント基板をパターニングし、必要な回路を設け
た基板上に厚さ300μm以下に薄く研摩したICチッ
プをグイボンディングし、ウェッジボンダーによりチッ
プと回路とをワイヤーボンドする。この時ワイヤーの高
さは、本発明の目的を達成できるようなるべく低くなる
ように条件設定する。そしてエポキシ樹脂で、チップの
搭載しである片面のみを、トランスファーモールド、あ
るいは液状エポキシ樹脂などで封止する。この方法によ
り封止後のモジュール全体の厚みは、例えば600μm
以下と非常に薄くすることができる。本発明に係るIC
モジュールを搭載すれば従来のリードフレームを使用し
たモジュールを搭載した場合と比較して、大rjlに薄
くできるため、例えば、3.4胴厚規格のメモリーカー
ド内に従来のモジュールでは不可能であった、例えば三
層実装が可能になり、カード内に搭載できるICモジュ
ールの数も大巾にアップすることができ、メモリーカー
ドとしての容量も従来品に較べて大容量化することがで
きる。また、従来と同じメモリー容量であれば、本発明
に係る薄いモジュールをカード内、に実装することによ
りカード厚みを更に薄くすることが可能になる。 −さ
らにまた、例えば電子手帳等の厚さ2閣程度の薄いメモ
リーカードにおいても本発明に係る薄いモジュールを使
用することにより大容量化が可能になる。
エポキシ等からなる、厚さ200μm以下好ましくは1
50μm以下の、薄い、両面に導電層例えば銅箔を有す
る、プリント基板をパターニングし、必要な回路を設け
た基板上に厚さ300μm以下に薄く研摩したICチッ
プをグイボンディングし、ウェッジボンダーによりチッ
プと回路とをワイヤーボンドする。この時ワイヤーの高
さは、本発明の目的を達成できるようなるべく低くなる
ように条件設定する。そしてエポキシ樹脂で、チップの
搭載しである片面のみを、トランスファーモールド、あ
るいは液状エポキシ樹脂などで封止する。この方法によ
り封止後のモジュール全体の厚みは、例えば600μm
以下と非常に薄くすることができる。本発明に係るIC
モジュールを搭載すれば従来のリードフレームを使用し
たモジュールを搭載した場合と比較して、大rjlに薄
くできるため、例えば、3.4胴厚規格のメモリーカー
ド内に従来のモジュールでは不可能であった、例えば三
層実装が可能になり、カード内に搭載できるICモジュ
ールの数も大巾にアップすることができ、メモリーカー
ドとしての容量も従来品に較べて大容量化することがで
きる。また、従来と同じメモリー容量であれば、本発明
に係る薄いモジュールをカード内、に実装することによ
りカード厚みを更に薄くすることが可能になる。 −さ
らにまた、例えば電子手帳等の厚さ2閣程度の薄いメモ
リーカードにおいても本発明に係る薄いモジュールを使
用することにより大容量化が可能になる。
本発明のメモリーカードは、従来のリードフレームを使
用するICモジュールに比較して、モジュール厚みを大
巾に薄くでき、またCOB法や、TAB法等に比べて製
造工程も簡略であり、コストも低減化することができ、
ICモジュールとしての機能の信顛性も良い。
用するICモジュールに比較して、モジュール厚みを大
巾に薄くでき、またCOB法や、TAB法等に比べて製
造工程も簡略であり、コストも低減化することができ、
ICモジュールとしての機能の信顛性も良い。
カード内に搭載できるICモジュールの数は現在のカー
ドの規格に大きさの制約(54,0x85.6x3.4
mm)があるためICモジュールの形状や、他の搭載部
品またはその数によって決まるが、通常市販されている
DIPや、SOPのパッケージ品では、その形状が大き
いため10〜20個搭載するのが限度であるが、本発明
に係るICモジュールは、パッケージ形状が、従来品と
比較して大巾に薄くまた、小さいため、最大40個程度
の搭載が可能になる。ICモジュールの搭載が10個程
度ですむメモリーカードにおいては、従来のパッケージ
品でも、カード内のスペースに余裕があるためそれほど
問題は無いが、10個以上ICモジュールを搭載する場
合には、従来のパッケージ品では、スペースに余裕が無
くなるため、他の部品を搭載することが難しくなる。本
発明にかかるICモジュールは、10個以上の搭載にお
いても、カード内スペースに大きな余裕があり、何ら問
題は無い。かくして最大40個程度迄搭載が可能となり
、大容量メモリーカードを容易に製造することができる
。また本発明によれば、同等の機能を有する、より小さ
な寸法のICカードの製造も可能となる。
ドの規格に大きさの制約(54,0x85.6x3.4
mm)があるためICモジュールの形状や、他の搭載部
品またはその数によって決まるが、通常市販されている
DIPや、SOPのパッケージ品では、その形状が大き
いため10〜20個搭載するのが限度であるが、本発明
に係るICモジュールは、パッケージ形状が、従来品と
比較して大巾に薄くまた、小さいため、最大40個程度
の搭載が可能になる。ICモジュールの搭載が10個程
度ですむメモリーカードにおいては、従来のパッケージ
品でも、カード内のスペースに余裕があるためそれほど
問題は無いが、10個以上ICモジュールを搭載する場
合には、従来のパッケージ品では、スペースに余裕が無
くなるため、他の部品を搭載することが難しくなる。本
発明にかかるICモジュールは、10個以上の搭載にお
いても、カード内スペースに大きな余裕があり、何ら問
題は無い。かくして最大40個程度迄搭載が可能となり
、大容量メモリーカードを容易に製造することができる
。また本発明によれば、同等の機能を有する、より小さ
な寸法のICカードの製造も可能となる。
以下、図面を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
第1,2図に本発明に係るICモジュール8の断面図を
示す。
示す。
本発明のICカード内に内蔵するICモジュール8は、
例えばガラス/エポキシ等の絶縁性材料からなる支持体
1の両面または片面に導電層例えば銅箔を有する厚み2
0 Q (tm以下、好ましくは150μm以下の薄い
プリント基板をパターニングし、チップ4の搭載側にボ
ンディング用端子2を設ける。また、スルーホールを通
して接続用端子3を設ける。ボンディング用端子2は、
表面を例えば軟質金メツキで形成し、また接続用端子3
面は、半田メツキで形成するのが好ましい。チップ4は
、支持体1の上に、接着剤7で接着する。
例えばガラス/エポキシ等の絶縁性材料からなる支持体
1の両面または片面に導電層例えば銅箔を有する厚み2
0 Q (tm以下、好ましくは150μm以下の薄い
プリント基板をパターニングし、チップ4の搭載側にボ
ンディング用端子2を設ける。また、スルーホールを通
して接続用端子3を設ける。ボンディング用端子2は、
表面を例えば軟質金メツキで形成し、また接続用端子3
面は、半田メツキで形成するのが好ましい。チップ4は
、支持体1の上に、接着剤7で接着する。
チップ4とポンディング端子2とは、ワイヤー5で接続
する。ワイヤーボンディングは、ワイヤーの高さを低く
するためにウェッジボンダーを使用し、ワイヤー高さが
なるべく低くなる条件を設定する。ICチップ4が搭載
された側は、ワイヤならびにICチップが充分被覆され
保護されるように例えばエポキシ樹脂6により樹脂封止
する。
する。ワイヤーボンディングは、ワイヤーの高さを低く
するためにウェッジボンダーを使用し、ワイヤー高さが
なるべく低くなる条件を設定する。ICチップ4が搭載
された側は、ワイヤならびにICチップが充分被覆され
保護されるように例えばエポキシ樹脂6により樹脂封止
する。
この場合の封止は、トランスファーモールドで封止する
のが、厚み、精度、生産性の点で好ましいが液状樹脂で
も構わない。しかしモジュール8全体の厚みを700好
ましくは600μm以下にすることが本発明において重
要なことである。第2図のように片面基板を用いたスル
ーホールの無い構造であれば、更に薄くすることができ
る。このICモジュール8を第3図のように、プリント
基板9の両面に、表面実装し、カード内に搭載する。
のが、厚み、精度、生産性の点で好ましいが液状樹脂で
も構わない。しかしモジュール8全体の厚みを700好
ましくは600μm以下にすることが本発明において重
要なことである。第2図のように片面基板を用いたスル
ーホールの無い構造であれば、更に薄くすることができ
る。このICモジュール8を第3図のように、プリント
基板9の両面に、表面実装し、カード内に搭載する。
ICモジュール8の接続端子部3とICカード内のプリ
ント基板9とは、例えば半田ペーストを使用してリフロ
ー法により接続する。
ント基板9とは、例えば半田ペーストを使用してリフロ
ー法により接続する。
本発明のICモジュール8は、パッケージが従来品に比
べて薄いため例えば第3図のように、厚み3.4msの
カード内にICモジュールを三層に実装することができ
る。この場合、最大40個程度まで搭載でき、メモリー
の大容量化を実現し得る。
べて薄いため例えば第3図のように、厚み3.4msの
カード内にICモジュールを三層に実装することができ
る。この場合、最大40個程度まで搭載でき、メモリー
の大容量化を実現し得る。
また、第4図のような二層実装の例では、従来のDIP
やSOPのIcモジュールを搭載したカードより薄くで
き、カード全体の厚みは、例えば2叩以下と薄くするこ
とが可能であり、実用上の携帯性、保管性も良くなる。
やSOPのIcモジュールを搭載したカードより薄くで
き、カード全体の厚みは、例えば2叩以下と薄くするこ
とが可能であり、実用上の携帯性、保管性も良くなる。
本発明のメモリーカードは、従来のリードフレームを使
用するICモジュールに比較して、モジュール厚みを大
巾に薄(でき、又COB法や、TAB法等に比べて製造
工程も簡略であり、コストも低減化することができ、I
Cモジュールとしての機能の信頬性も良い。
用するICモジュールに比較して、モジュール厚みを大
巾に薄(でき、又COB法や、TAB法等に比べて製造
工程も簡略であり、コストも低減化することができ、I
Cモジュールとしての機能の信頬性も良い。
第1.2図は本発明のICモジュール8の断面構造図で
あるが、第1図は両面基板を用いた構造図であり、第2
図は片面基板を用いた構造図である。第3図は第1図の
ICモジュールを三層に搭載したICカードの断面構造
図、第4図は、第1図のICモジュールを二層に搭載し
たICカードの断面構造図である。 1−・−支持体、2−ボンディング用端子、3・・接続
用端子、4−・ICチップ、5・−・ワイヤー、6・封
止樹脂、7・−・接着剤、8−本発明ICモジュール、
9−プリント基板、10・−・コネクタ一部。
あるが、第1図は両面基板を用いた構造図であり、第2
図は片面基板を用いた構造図である。第3図は第1図の
ICモジュールを三層に搭載したICカードの断面構造
図、第4図は、第1図のICモジュールを二層に搭載し
たICカードの断面構造図である。 1−・−支持体、2−ボンディング用端子、3・・接続
用端子、4−・ICチップ、5・−・ワイヤー、6・封
止樹脂、7・−・接着剤、8−本発明ICモジュール、
9−プリント基板、10・−・コネクタ一部。
Claims (1)
- 1、パターニングされた厚さ200μm以下のプリント
基板上にICチップを搭載し、かつICチップ搭載面の
みを樹脂封止したICモジュールをカード内に搭載した
ことを特徴とするICカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249335A JPH03112688A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | Icカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1249335A JPH03112688A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | Icカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112688A true JPH03112688A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17191487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1249335A Pending JPH03112688A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | Icカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112688A (ja) |
Cited By (21)
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-
1989
- 1989-09-27 JP JP1249335A patent/JPH03112688A/ja active Pending
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