JPH03112931U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03112931U JPH03112931U JP2251090U JP2251090U JPH03112931U JP H03112931 U JPH03112931 U JP H03112931U JP 2251090 U JP2251090 U JP 2251090U JP 2251090 U JP2251090 U JP 2251090U JP H03112931 U JPH03112931 U JP H03112931U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slider
- raw material
- solution
- substrate
- material solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第1図はこの考案による液相エピタキシヤル成
長装置の要部構成図、第2図はこの考案による実
施例の構成図、第3図は従来技術による液相エピ
タキシヤル成長装置の構成図、第4図は第3図の
斜視図である。 11〜13……原料溶液、2……基板、3……
溶液溜、4……スライダー、5……残留溶液、6
……傾斜面。
長装置の要部構成図、第2図はこの考案による実
施例の構成図、第3図は従来技術による液相エピ
タキシヤル成長装置の構成図、第4図は第3図の
斜視図である。 11〜13……原料溶液、2……基板、3……
溶液溜、4……スライダー、5……残留溶液、6
……傾斜面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 スライダーに設けられた溝にはめ込まれる基板
と、原料溶液を保持する溶液溜とで構成され、前
記溶液溜は固定され、前記スライダーを移動する
ことによつて、前記基板を前記原料溶液に触れさ
せる液相エピタキシヤル成長装置において、 前記溝の壁面うち、前記スライダーの移動方向
に対し、後方の壁面の縁を傾斜面とすることを特
徴とする液相エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251090U JPH03112931U (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251090U JPH03112931U (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112931U true JPH03112931U (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=31525517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2251090U Pending JPH03112931U (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112931U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364465A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor crystal production apparatus |
| JPS5378766A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-12 | Fujitsu Ltd | Crystal growth device |
| JPS62144321A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | 液相エピタキシヤル成長装置 |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP2251090U patent/JPH03112931U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364465A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor crystal production apparatus |
| JPS5378766A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-12 | Fujitsu Ltd | Crystal growth device |
| JPS62144321A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | 液相エピタキシヤル成長装置 |
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