JPS62144321A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS62144321A JPS62144321A JP28436285A JP28436285A JPS62144321A JP S62144321 A JPS62144321 A JP S62144321A JP 28436285 A JP28436285 A JP 28436285A JP 28436285 A JP28436285 A JP 28436285A JP S62144321 A JPS62144321 A JP S62144321A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- epitaxial growth
- liquid phase
- phase epitaxial
- holder
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体を用いたダブルへテ
ロ構造を有する半導体素子の製造装置に関するものであ
る。
ロ構造を有する半導体素子の製造装置に関するものであ
る。
第６図および第４図はＡ７ＧａＡｓ系半導体レーザーの
製造を行う際、基板ウェハにダブルへテロ構造のエピタ
キシャル層を形成するために用いられる従来のスライド
式ボートの断面図である。図において、（υはスライダ
ーの中央部を示し、（２）は基板ウェハ、（３）は基板
ウェハ（２）を保持するためのホルダー、（４υ、（ハ
）・・・はピストン、（５）はピストンαυ等を押し下
げるためのトンネル、（６Ｂ 、 （６３）・・・は成
長用融液、ａυ、σ２・・・は融液溜め、（８）は廃液
溜めである。
製造を行う際、基板ウェハにダブルへテロ構造のエピタ
キシャル層を形成するために用いられる従来のスライド
式ボートの断面図である。図において、（υはスライダ
ーの中央部を示し、（２）は基板ウェハ、（３）は基板
ウェハ（２）を保持するためのホルダー、（４υ、（ハ
）・・・はピストン、（５）はピストンαυ等を押し下
げるためのトンネル、（６Ｂ 、 （６３）・・・は成
長用融液、ａυ、σ２・・・は融液溜め、（８）は廃液
溜めである。
次にエピタキシャル成長の方法について説明する。まず
、ボートを水素雰囲気中で高温中に一定時間保持した後
一定の降温速度で冷却し、成長開始温度まで下がったと
ころで融液溜めＱυ、 （７２）・・・を図の矢印（へ
）方向に１Ｎ分だけ移動させて、第４図の配置忙する。
、ボートを水素雰囲気中で高温中に一定時間保持した後
一定の降温速度で冷却し、成長開始温度まで下がったと
ころで融液溜めＱυ、 （７２）・・・を図の矢印（へ
）方向に１Ｎ分だけ移動させて、第４図の配置忙する。
このとき、融液器上のピストン（４りがトンネル（５）
によって押し下げられ、その結果、融液鞄は２枚の基板
ウェハ（２）の間隙に注入される。
によって押し下げられ、その結果、融液鞄は２枚の基板
ウェハ（２）の間隙に注入される。
注入された融液（６カはその一部が基板（２）の間に残
り、その他は廃液溜め（８）に捨てられることになる。
り、その他は廃液溜め（８）に捨てられることになる。
このようにして融液關が注入されたときからエピタキシ
ャル成長が始まり、所定の時間だけ成長を行った後さら
にもう１槽分だけ融液溜め（力を図の矢印（ロ）方向に
移動させる。すると新しい融液（６りが注入され、もと
の融液のはすべて押し流されて新しい融液的に入れ代わ
る。以上のようにして、多層の薄膜結晶を１回の成長で
連続的に成長する。
ャル成長が始まり、所定の時間だけ成長を行った後さら
にもう１槽分だけ融液溜め（力を図の矢印（ロ）方向に
移動させる。すると新しい融液（６りが注入され、もと
の融液のはすべて押し流されて新しい融液的に入れ代わ
る。以上のようにして、多層の薄膜結晶を１回の成長で
連続的に成長する。
上記のような従来のボートでは、融液線等が注入される
注入口（９）の下にあたるホルダー（３）の底部（９υ
が直角になっているため、新しい融液−で古い融液（６
２を押し流したとき、注入口（９）の下にあたるホルダ
ー（３）の底部（９１）の隅に古い融液翰が残ってしま
い、融液が完全に入れ換わらない。したがってエピタキ
シャル層の組成がバラツク要因の１つになっていた。
注入口（９）の下にあたるホルダー（３）の底部（９υ
が直角になっているため、新しい融液−で古い融液（６
２を押し流したとき、注入口（９）の下にあたるホルダ
ー（３）の底部（９１）の隅に古い融液翰が残ってしま
い、融液が完全に入れ換わらない。したがってエピタキ
シャル層の組成がバラツク要因の１つになっていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、古い融液が残らないようにボードの構造を
改良し、エピタキシャル１煙の組成のバラツキを少なく
することを目的とする。
れたもので、古い融液が残らないようにボードの構造を
改良し、エピタキシャル１煙の組成のバラツキを少なく
することを目的とする。
この発明は、上記の目的を達成するため一注入口の真下
にあたるホルダーの底部を斜めにしだ液相エピタキシャ
ル成長装置を提供するものである。
にあたるホルダーの底部を斜めにしだ液相エピタキシャ
ル成長装置を提供するものである。
この発明の一実施例によれば、新しい融液と古い融液と
の混在がなくなるので、エピタキシセル層の組成のバラ
ツキが少ない。
の混在がなくなるので、エピタキシセル層の組成のバラ
ツキが少ない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図および第２図において、（１）〜（８）は第３図およ
び第４因に示した従来装置のそれとほぼ同じであるが、
改良点としては、融液が注入されるホルダー（３）の底
部器を斜めにし、これにより、古い融液がホルダーの隅
に残ることな（、新しい融液で完全に押し流されるよう
にした点にある。
図および第２図において、（１）〜（８）は第３図およ
び第４因に示した従来装置のそれとほぼ同じであるが、
改良点としては、融液が注入されるホルダー（３）の底
部器を斜めにし、これにより、古い融液がホルダーの隅
に残ることな（、新しい融液で完全に押し流されるよう
にした点にある。
次にこの発明によるボートを用いてエピタキシャル成長
を行う場合、まずボートを液相エピタキシャル成長装置
の反応管の中に入れ、水素雰囲気中で７００〜８００℃
まで温度を上げた後、一定時間保持する。その後、一定
の降温速度でボートをゆっくり冷却し、成長開始温度ま
で下がったところで、第１図の融液溜めσυ等を矢印（
ホ）方向に１槽分だけ移動させる〔第２図参照〕。この
とき、融液［Ｆ］ａ上のピストン（６）がトンネル（５
）によって押し下げられ、融液（６２が注入口（９）よ
り基板ウェハ（２）の間隙に注入される。注入された融
液（６２１は基板ウェハ（２）の間を図の左方向に移動
した後、左端の穴（９３より落下して廃液溜め（８）に
流れ込む。このとき、琺液暁の一部は基板ウェハ（２）
の間隙に残り、エピタキシャル成長が行われる。そして
所定の時間エピタキシャル成長を行った後、融液溜めσ
υ等をさらにもう１槽分だけ第１図の矢印６ｎ１方向に
移動させろことによって、次の新しい融液（６３）が注
入口（９）より注入され、基板ウェハ（２）の間の融液
を完全に押し流す。注入口（９）の下のホルダーの底部
（９２が斜めになっているので、従来のように古い融液
の一部が残ることはない。
を行う場合、まずボートを液相エピタキシャル成長装置
の反応管の中に入れ、水素雰囲気中で７００〜８００℃
まで温度を上げた後、一定時間保持する。その後、一定
の降温速度でボートをゆっくり冷却し、成長開始温度ま
で下がったところで、第１図の融液溜めσυ等を矢印（
ホ）方向に１槽分だけ移動させる〔第２図参照〕。この
とき、融液［Ｆ］ａ上のピストン（６）がトンネル（５
）によって押し下げられ、融液（６２が注入口（９）よ
り基板ウェハ（２）の間隙に注入される。注入された融
液（６２１は基板ウェハ（２）の間を図の左方向に移動
した後、左端の穴（９３より落下して廃液溜め（８）に
流れ込む。このとき、琺液暁の一部は基板ウェハ（２）
の間隙に残り、エピタキシャル成長が行われる。そして
所定の時間エピタキシャル成長を行った後、融液溜めσ
υ等をさらにもう１槽分だけ第１図の矢印６ｎ１方向に
移動させろことによって、次の新しい融液（６３）が注
入口（９）より注入され、基板ウェハ（２）の間の融液
を完全に押し流す。注入口（９）の下のホルダーの底部
（９２が斜めになっているので、従来のように古い融液
の一部が残ることはない。
以上のように、融液を順次入れ換えることによって、多
層のエピタキシャル層を成長する。
層のエピタキシャル層を成長する。
なお、上記の実施例では、ＡＬＧａＡｓ系半導体レーザ
ーの液相エピタキシャル成長に使用しているボートにつ
いて説明したが、このような構造を用いれば、他の液相
エピタキシャル成長装置でも、上記と同様な効果が得ら
れろ。
ーの液相エピタキシャル成長に使用しているボートにつ
いて説明したが、このような構造を用いれば、他の液相
エピタキシャル成長装置でも、上記と同様な効果が得ら
れろ。
以上のようにこの発明によれば、注入口の下にあたるホ
ルダーの底部を斜めてしたので、従来のように古い融液
が新しい融液に混ざり込むということがなくなり、成長
したエピタキシャル層の組成のバラツキを押えることが
できる。
ルダーの底部を斜めてしたので、従来のように古い融液
が新しい融液に混ざり込むということがなくなり、成長
したエピタキシャル層の組成のバラツキを押えることが
できる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例による液相エ
ピタキシャル成長装置を示す断面図、第３図および第４
図は従来のエピタキシャル成長装置を示す断面図である
。 図中、（１）はスライダーの中央部、（２）は基板ウェ
ハ、 （３）はホルダー、αη、（６）、・・・はピス
トン、（５）はトンネル、（６２）、＋６騰、・・・は
融液、（７１）、σ２．・・・は融液溜め、（８）は廃
液溜め、（９）は融液の注入口である。 なお、各南中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２図 第３図 １ ６２ ど ９ ３８
ピタキシャル成長装置を示す断面図、第３図および第４
図は従来のエピタキシャル成長装置を示す断面図である
。 図中、（１）はスライダーの中央部、（２）は基板ウェ
ハ、 （３）はホルダー、αη、（６）、・・・はピス
トン、（５）はトンネル、（６２）、＋６騰、・・・は
融液、（７１）、σ２．・・・は融液溜め、（８）は廃
液溜め、（９）は融液の注入口である。 なお、各南中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２図 第３図 １ ６２ ど ９ ３８
Claims (1)
- 一定の間隔をおいて対向させた２枚の基板ウェハの間に
エピタキシャル成長用融液を注入することによつてエピ
タキシャル成長を行うプッシュアウト式の成長法におい
て、注入口の真下にあたるホルダーの底部を斜めにした
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28436285A JPS62144321A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28436285A JPS62144321A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144321A true JPS62144321A (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=17677605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28436285A Pending JPS62144321A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144321A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112931U (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-19 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28436285A patent/JPS62144321A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03112931U (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-19 |
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