JPH03113182A - 電磁弁 - Google Patents
電磁弁Info
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- JPH03113182A JPH03113182A JP24926589A JP24926589A JPH03113182A JP H03113182 A JPH03113182 A JP H03113182A JP 24926589 A JP24926589 A JP 24926589A JP 24926589 A JP24926589 A JP 24926589A JP H03113182 A JPH03113182 A JP H03113182A
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- solenoid
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- stroke
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Links
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetically Actuated Valves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、プランジャを磁力による吸引力によって作動
させるようにした電磁茶道装置でスプールを軸移動し、
流体通路を開閉する電磁弁に関するものである。
させるようにした電磁茶道装置でスプールを軸移動し、
流体通路を開閉する電磁弁に関するものである。
〈従来の技術〉
かかる従来の電磁弁は、第3図に示すように磁性体から
なる第1のソレノイドハウジング1と非磁性体リンク2
と磁性体からなる第2のソレノイドハウジング3の内側
に連続した摺動孔4を形成し、この摺動孔に磁性体のプ
ランジャ5を摺動可能に嵌挿し、ソレノイド6に電流を
印加することによりカバー7と第2のソレノイドハウジ
ング3とプランジャと第1のソレノイドハウジング1を
通る磁力線を形成し、プランジャ5を第1のソレノイド
ハウジング1の一端に形成されたヨーク8または第1の
ソレノイドハウジング1の内側に設けられた磁性体から
なるストッパ部材9側へ吸引し、プランジャ5にはスト
ッパ部材9の中心を挿通する非磁性体からなるシャフト
10が連結されており、このシャフト10にはストッパ
部材9に当接するフランジ部11が形成され、このフラ
ンジ部11によりリニアな特性が得られない範囲を使用
しないようプランジャ5の作動範囲を制限している電磁
作動装置と、この電磁作動装置の前記シャフト10にス
プリング15によって押圧当接され、プランジャ5の作
動により前記スプリング15に抗して軸移動し、スプー
ルハウジング12に設けられている複数の流体通路13
を開閉するスプール14とを備えた構成である。
なる第1のソレノイドハウジング1と非磁性体リンク2
と磁性体からなる第2のソレノイドハウジング3の内側
に連続した摺動孔4を形成し、この摺動孔に磁性体のプ
ランジャ5を摺動可能に嵌挿し、ソレノイド6に電流を
印加することによりカバー7と第2のソレノイドハウジ
ング3とプランジャと第1のソレノイドハウジング1を
通る磁力線を形成し、プランジャ5を第1のソレノイド
ハウジング1の一端に形成されたヨーク8または第1の
ソレノイドハウジング1の内側に設けられた磁性体から
なるストッパ部材9側へ吸引し、プランジャ5にはスト
ッパ部材9の中心を挿通する非磁性体からなるシャフト
10が連結されており、このシャフト10にはストッパ
部材9に当接するフランジ部11が形成され、このフラ
ンジ部11によりリニアな特性が得られない範囲を使用
しないようプランジャ5の作動範囲を制限している電磁
作動装置と、この電磁作動装置の前記シャフト10にス
プリング15によって押圧当接され、プランジャ5の作
動により前記スプリング15に抗して軸移動し、スプー
ルハウジング12に設けられている複数の流体通路13
を開閉するスプール14とを備えた構成である。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記電磁弁における電磁作動装置は、摺動孔4とプラン
ジャ5とがすべり接触になるため、摩擦抵抗が大きく、
しステリシスが大きい問題がある。この摩擦抵抗を低減
するためにプランジャ5をベアリングで案内すると上記
の問題は解決されるが、供給圧力が高くなるとスプール
ストロークの変化に対して出力圧力の変化が大きくなり
、調圧感度が高くなる。そして、スプルストロークの変
化に対する出力圧力の変化が大きくなると、スプールパ
ルプの減衰効果が小さくなり、そのため、供給圧力が高
くなるとプランジャの振動が発生しやすくなり、出力流
体の圧力振幅が大きくなるという問題がある。
ジャ5とがすべり接触になるため、摩擦抵抗が大きく、
しステリシスが大きい問題がある。この摩擦抵抗を低減
するためにプランジャ5をベアリングで案内すると上記
の問題は解決されるが、供給圧力が高くなるとスプール
ストロークの変化に対して出力圧力の変化が大きくなり
、調圧感度が高くなる。そして、スプルストロークの変
化に対する出力圧力の変化が大きくなると、スプールパ
ルプの減衰効果が小さくなり、そのため、供給圧力が高
くなるとプランジャの振動が発生しやすくなり、出力流
体の圧力振幅が大きくなるという問題がある。
く課題を解決するための手段〉
本発明は上述した問題点が解決された電磁弁を提供する
もので、その構成は、磁性体からなるソレノイドハウジ
ングの外周にソレノイドを配置すると共にソレノイドハ
ウジングの内側に嵌合孔を形成し、この嵌合孔に磁性体
からなるプランジャを直動式のボールベアリングを介し
て支持し、前記プランジャに調圧ばねの押圧力によって
当接しプランジャのストロークで軸移動して流体通路を
開閉するスプールとを備え、前記プランジャ端面とソレ
ノイドハウジングのカバーとの両面間に、プランジャの
ストロークが小さいときには前記両面間に当接し、プラ
ンジャのストロークが大きいときには前記両面間で離間
する防振ばねを設置したものである。
もので、その構成は、磁性体からなるソレノイドハウジ
ングの外周にソレノイドを配置すると共にソレノイドハ
ウジングの内側に嵌合孔を形成し、この嵌合孔に磁性体
からなるプランジャを直動式のボールベアリングを介し
て支持し、前記プランジャに調圧ばねの押圧力によって
当接しプランジャのストロークで軸移動して流体通路を
開閉するスプールとを備え、前記プランジャ端面とソレ
ノイドハウジングのカバーとの両面間に、プランジャの
ストロークが小さいときには前記両面間に当接し、プラ
ンジャのストロークが大きいときには前記両面間で離間
する防振ばねを設置したものである。
く作 用〉
上記の構成により、プランジャの移動時にポルがころが
ることによってプランジャの摩擦抵抗を低減し、印加型
流が小さいスプールストロークの小さい場合にはプラン
ジャは防振ばねの弾性作用によりクツション効果を奏し
、プランジャの振動を抑制して出力流体の圧力の振幅を
小さくする。
ることによってプランジャの摩擦抵抗を低減し、印加型
流が小さいスプールストロークの小さい場合にはプラン
ジャは防振ばねの弾性作用によりクツション効果を奏し
、プランジャの振動を抑制して出力流体の圧力の振幅を
小さくする。
〈実施例〉
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。20は
磁性体からなるツレメイドハウジングであり、このソレ
ノイドハウジング20は円筒部21とフランジ部22と
からなり、円筒部21の一端にはヨーク21aが形成さ
れている。ソレノイドハウジング20の内側には嵌合孔
23が貫通して形成され、嵌合孔23の途中に段部24
が形成されている。この段部24に当接する位置まで磁
性体からなる円筒状の外輪25が嵌挿され、この外輪2
5に非磁性体からなる円筒状のリテーナ26が嵌挿され
ている。このリテーナ26の一端は所定風外輪25から
突出し、リテーナ26の他端には外側に折れ曲がったフ
ランジ部26aか形成され、このフランジ部26aには
リテーナ26の長手方向に互いに離間した位置にボール
保持窓27が形成され、各ボール保持窓27にボール2
8が入っている。前記ボール保持窓27はボール28が
接触しないようにボール28の径よりも大きめに形成さ
れている。
磁性体からなるツレメイドハウジングであり、このソレ
ノイドハウジング20は円筒部21とフランジ部22と
からなり、円筒部21の一端にはヨーク21aが形成さ
れている。ソレノイドハウジング20の内側には嵌合孔
23が貫通して形成され、嵌合孔23の途中に段部24
が形成されている。この段部24に当接する位置まで磁
性体からなる円筒状の外輪25が嵌挿され、この外輪2
5に非磁性体からなる円筒状のリテーナ26が嵌挿され
ている。このリテーナ26の一端は所定風外輪25から
突出し、リテーナ26の他端には外側に折れ曲がったフ
ランジ部26aか形成され、このフランジ部26aには
リテーナ26の長手方向に互いに離間した位置にボール
保持窓27が形成され、各ボール保持窓27にボール2
8が入っている。前記ボール保持窓27はボール28が
接触しないようにボール28の径よりも大きめに形成さ
れている。
これら外輪25、リテーナ26、ボール28によって直
動式のボールベアリングが構成されている。
動式のボールベアリングが構成されている。
このボールベアリングにより非磁性体からなる支持棒2
9が案内支持され、支持棒29の一端にロレット目30
が成形されている。このローレット目30に磁性体から
なるプランジャ31か圧入されている。
9が案内支持され、支持棒29の一端にロレット目30
が成形されている。このローレット目30に磁性体から
なるプランジャ31か圧入されている。
ソレノイドハウジング20の外周にはソレノイド35が
配置され、このソレノイド35は磁性体からなるカバー
36によって覆われている。カバー36にはソレノイド
ハウジング20の嵌合孔23と同軸に凹孔38が形成さ
れており、この凹孔38にプランジャ31が遊嵌されて
いる。
配置され、このソレノイド35は磁性体からなるカバー
36によって覆われている。カバー36にはソレノイド
ハウジング20の嵌合孔23と同軸に凹孔38が形成さ
れており、この凹孔38にプランジャ31が遊嵌されて
いる。
40は非磁性体からなるスプールハウジングであり、ソ
レノイドハウジング20に当接した状態で前記カバー3
6の一端をかしめることによってソレノイドハウジング
20に連結される。この連結により前記外輪26が段部
24とスプールハウジング40とで挾み込まれ、外輪2
6は所定の位置に保持される。スプールハウジング40
には嵌合孔23と同軸に摺動孔41が形成され、この摺
動孔41にスプール42が摺動可能に嵌挿されている。
レノイドハウジング20に当接した状態で前記カバー3
6の一端をかしめることによってソレノイドハウジング
20に連結される。この連結により前記外輪26が段部
24とスプールハウジング40とで挾み込まれ、外輪2
6は所定の位置に保持される。スプールハウジング40
には嵌合孔23と同軸に摺動孔41が形成され、この摺
動孔41にスプール42が摺動可能に嵌挿されている。
スプールハウジング40にはソレノイドハウジング20
から順にカバー36の外部にある閃格のタンクと摺動孔
41とが連通する第1のタンク通路43、フィードバッ
ク通路44と、閃格のポンプと摺動孔41とが連通ずる
供給通路45と、閃格のアクチュエータと摺動孔41と
が連通するライン通路46と、閃格のタンクと摺動孔4
1とが連通ずる第2のタンク通路47とが形成されてい
る。
から順にカバー36の外部にある閃格のタンクと摺動孔
41とが連通する第1のタンク通路43、フィードバッ
ク通路44と、閃格のポンプと摺動孔41とが連通ずる
供給通路45と、閃格のアクチュエータと摺動孔41と
が連通するライン通路46と、閃格のタンクと摺動孔4
1とが連通ずる第2のタンク通路47とが形成されてい
る。
スプール42には前記各通路43.44.45.46.
47を開閉制御するランド部が複数位置に間隔をおいて
形成されている。
47を開閉制御するランド部が複数位置に間隔をおいて
形成されている。
前記摺動孔41にはキャップ53がねじ込まれており、
このキャップ53とスプール42の先端との間にスプー
ル42を支持棒29に当接する方向に押圧付勢する調圧
ばね54が介装されている。
このキャップ53とスプール42の先端との間にスプー
ル42を支持棒29に当接する方向に押圧付勢する調圧
ばね54が介装されている。
さらに、プランジャ31の端面とカバー36の前記凹孔
38の面との両面間に、プランジャ31のストロークが
小さいときには前記両面間に当接し、プランジャ31の
ストロークが大きいときには前記両面間で離間する防振
ばね60が設置されている。この防振ばね60はプラン
ジャ31の端面に設けた座ぐり穴に装着するか、または
凹孔38の面側に保持させる。
38の面との両面間に、プランジャ31のストロークが
小さいときには前記両面間に当接し、プランジャ31の
ストロークが大きいときには前記両面間で離間する防振
ばね60が設置されている。この防振ばね60はプラン
ジャ31の端面に設けた座ぐり穴に装着するか、または
凹孔38の面側に保持させる。
次に上述した構成に基づいて作用について説明する。ソ
レノイド35に電流を印加するとカバー36とプランジ
ャ31とソレノイドハウジング20及び外輪25を通る
磁力線が発生し、プランジャ31がヨーク21a及び外
輪25へ吸引されようとする力が発生する。この吸引力
によって第1図においてプランジャ31及びスプール4
2がスプリング54に打ち勝って右進する。この右進に
よってボール28が支持棒29及び外輪25上をころが
り、支持棒29及びプランジャ31にすべりによる摺動
抵抗を与えない、また第1図において、スプル42の右
進によって各通路43.44.45.46.47相互間
の連通路開度を大、小に制御する。このプランジャ31
の右進は、リテーナ26に当接することによって制限さ
れ、リニアな特性が得られない外輪付近でのプランジャ
31の作動を制限する。
レノイド35に電流を印加するとカバー36とプランジ
ャ31とソレノイドハウジング20及び外輪25を通る
磁力線が発生し、プランジャ31がヨーク21a及び外
輪25へ吸引されようとする力が発生する。この吸引力
によって第1図においてプランジャ31及びスプール4
2がスプリング54に打ち勝って右進する。この右進に
よってボール28が支持棒29及び外輪25上をころが
り、支持棒29及びプランジャ31にすべりによる摺動
抵抗を与えない、また第1図において、スプル42の右
進によって各通路43.44.45.46.47相互間
の連通路開度を大、小に制御する。このプランジャ31
の右進は、リテーナ26に当接することによって制限さ
れ、リニアな特性が得られない外輪付近でのプランジャ
31の作動を制限する。
上記の動作において、ソレノイド35への印加電流値■
が減少してプランジャ31が調圧ばね54により戻ると
き、すなわち、調圧値が小から大に変化するとき、防振
□ばね60はプランジャ31とカバー36との両面に当
接して弾性クツション作用を行い、プランジャ31の振
幅が小さくなるため流体の圧力振幅が小さくなる。
が減少してプランジャ31が調圧ばね54により戻ると
き、すなわち、調圧値が小から大に変化するとき、防振
□ばね60はプランジャ31とカバー36との両面に当
接して弾性クツション作用を行い、プランジャ31の振
幅が小さくなるため流体の圧力振幅が小さくなる。
また、印加電流値Iが大でプランジャストロークが大き
い場合(調圧値が小さい時)には、防振ばね60はカバ
ー36と離間し、カバー36とプランジャ31間にばね
力は作用されない。
い場合(調圧値が小さい時)には、防振ばね60はカバ
ー36と離間し、カバー36とプランジャ31間にばね
力は作用されない。
上記の作用を曲線グラフで示すと第2図の通り、Inは
防振ばね60とプランジャ31の当接する電流値であり
、A曲線は調圧ばね54だけがプランジャ31に作用す
る場合を示し、8曲線はプランジャ31が調圧ばね54
と防振ばね60との両側の2つの合成ばねの作用を受け
る場合を示し、このように、電流値が小さく調圧値Pが
高い所では8曲線上を変化し、バネ定数が大きくなって
電流値■の変化に対する調圧値Pの変化が小さくなり、
プランジャ31の振動を抑制する。また電流fMIが大
きく調圧値Pが低い所ではA曲線上を変化し、バネ定数
が小さくなって戻り力が大きくとれるようになる。
防振ばね60とプランジャ31の当接する電流値であり
、A曲線は調圧ばね54だけがプランジャ31に作用す
る場合を示し、8曲線はプランジャ31が調圧ばね54
と防振ばね60との両側の2つの合成ばねの作用を受け
る場合を示し、このように、電流値が小さく調圧値Pが
高い所では8曲線上を変化し、バネ定数が大きくなって
電流値■の変化に対する調圧値Pの変化が小さくなり、
プランジャ31の振動を抑制する。また電流fMIが大
きく調圧値Pが低い所ではA曲線上を変化し、バネ定数
が小さくなって戻り力が大きくとれるようになる。
〈発明の効果〉
以上のべたように本発明は、磁性体からなるソレノイド
ハウジングの外周にソレノイドを配置すると共にソレノ
イドハウジングの内側に嵌合孔を形成し、この嵌合孔に
磁性体からなるプランジャを直動式のボールベアリング
を介して支持させ、このプランジャの端面とソレノイド
ハウジングのカバーとの両面間にプランジャのストロー
クが小さいときには前記両面間に当接し、プランジャの
ストロークが大きいときには前記両面間で離間する防振
ばねを設置した構成であるから、プランジャを滑らかに
作動させると共に、プランジャストロークが小さく調圧
値の高い所でのプランジャの振動を低減する。殊にスト
ローク全域でプランジャをばねで両側から押した場合に
比べると、戻り力が大きく取れるため、ヒステリシスが
小さく、異物が取れやすくなり耐異物性を向上する。
ハウジングの外周にソレノイドを配置すると共にソレノ
イドハウジングの内側に嵌合孔を形成し、この嵌合孔に
磁性体からなるプランジャを直動式のボールベアリング
を介して支持させ、このプランジャの端面とソレノイド
ハウジングのカバーとの両面間にプランジャのストロー
クが小さいときには前記両面間に当接し、プランジャの
ストロークが大きいときには前記両面間で離間する防振
ばねを設置した構成であるから、プランジャを滑らかに
作動させると共に、プランジャストロークが小さく調圧
値の高い所でのプランジャの振動を低減する。殊にスト
ローク全域でプランジャをばねで両側から押した場合に
比べると、戻り力が大きく取れるため、ヒステリシスが
小さく、異物が取れやすくなり耐異物性を向上する。
第1図は本発明の断面図、第2図は本発明の調用値特性
図、第3図は従来の断面図である。 20・・・ソレノイドハウジング、23・・・嵌合孔、
25・・・外輪、26・・・リテーナ、28・・・ボー
ル、31・・・プランジャ、35・・・ソレノイド、3
6・・・カバー、42・・・スプール、54・・・調圧
ばね、60・・・防振ばね。
図、第3図は従来の断面図である。 20・・・ソレノイドハウジング、23・・・嵌合孔、
25・・・外輪、26・・・リテーナ、28・・・ボー
ル、31・・・プランジャ、35・・・ソレノイド、3
6・・・カバー、42・・・スプール、54・・・調圧
ばね、60・・・防振ばね。
Claims (1)
- 磁性体からなるソレノイドハウジングの外周にソレノイ
ドを配置すると共にソレノイドハウジングの内側に嵌合
孔を形成し、この嵌合孔に磁性体からなるプランジャを
直動式のボールベアリングを介して支持し、前記プラン
ジャに調圧ばねの押圧力によって当接しプランジャのス
トロークで軸移動して流体通路を開閉するスプールとを
備え、前記プランジャ端面とソレノイドハウジングのカ
バーとの両面間に、プランジャのストロークが小さいと
きには前記両面間に当接し、プランジャのストロークが
大きいときには前記両面間で離間する防振ばねを設置し
たことを特徴とする電磁弁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926589A JPH03113182A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 電磁弁 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926589A JPH03113182A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 電磁弁 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03113182A true JPH03113182A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17190393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24926589A Pending JPH03113182A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 電磁弁 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03113182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020050628A (ko) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 이계안 | 솔레노이드 밸브 |
| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP24926589A patent/JPH03113182A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US7560725B2 (en) | 1999-12-24 | 2009-07-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| KR20020050628A (ko) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 이계안 | 솔레노이드 밸브 |
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