JPH03116012A - 隣接ショート欠陥部の検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は基板上に形成された電極パターンの隣接ショー
ト欠陥部の検出方法に関し、特に液晶セル基板等にスト
ライプ状に形成された電極群の隣接ショート欠陥部の検
出方法に関するものである。

［従来の技術〕 マトリックス液晶セルの基板には非常に近接したストラ
イプパターンが形成されるが、最近の高精細・大画面化
に伴って一基板上に千木以上も形成される例がある。こ
のような場合、電気的に絶縁状態として存在しなければ
ならない各々のストライプ電極について、製造プロセス
において隣りの電極とのショートや途中断線の欠陥発生
率が高く、特に隣接ショートに関しては、レーザ光を利
用した修復手段で良品とする作業をのがれられない。そ
して従来、電気的手段により良品か不良品かの選別のみ
を行ない、欠陥部の検出は目視やパターン認識を利用し
た自動化装置で行なっていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のような検査法では、不良の基板に
対して、修復可能な隣接ショートの欠陥部を目視により
探し出す場合、作業者が隣接ショートしているストライ
プ電極の間を最端部から目視によって追いつづける事が
必要であり、欠陥部の検出に多大な時間を必要とした。

また、パターン認識を利用した自動化装置によっても、
数μｍの欠陥部の分解能を必要とする為に、同様に多大
な時間を費いやす等の欠点がありた。

そこで、この発明の目的は、ショート欠陥部の検出時間
を極めて短縮化した隣接ショート欠陥部の検出方法を提
供することにある。

［課題を解決するための手段コ 上記目的を達成するため本発明の隣接ショート欠陥部の
検出方法では、基板上に複数本近接して形成されたスト
ライプ状の電極の少なくとも一端における各隣接電極間
の抵抗値を測定して各隣接電極間のショートの有無を判
断し、シコートシていると判断された各隣接電極につい
ては前記測定された抵抗値ならびに各電極の両端間の抵
抗値および長さに基づいてショート部分の位置を求める
ようにしている。

例えば、ショートしていると判断された各隣接電極につ
いて、電極の長さをρ、電極両端間の抵抗値をＲＥ、一
端における隣接電極間の抵抗値をＲ８とし、ショート部
分の位置をこの一端からショート部分までの距ＭＸで表
すとすれば、ショート部分の位置Ｘは ぷ Ｘ＝　　　　　　・　Ｒ８ ２Ｒ。

として算出される。

［作用］ この構成において、隣接電極のショートは隣接電極間の
抵抗値が通常より低いものとして判断されるが、この抵
抗値はそれを測定した端部からショート部分までの距離
に比例する。また、電極の長さはショート部分までの距
離に比例し、電極の両端間の抵抗は反比例する。したが
って、これら隣接電極間の抵抗値ならびに電極両端間の
長さおよび抵抗値に基づいてショート部分の位置が求め
られる。

より具体的には、同じ形状のストライプ電極が形成され
ている場合、特に隣り合った電極の配線抵抗値Ｒ７はほ
とんど等しい、導電膜の形成時に発生する導電率の分布
やパターンユング時の寸法ばらつき等は基板上の大きな
エリア間で発生するからである。これを考慮して、第１
図に示すように、隣接ショートしている電極を等価回路
で表わして考察する。図中、γ８はショート欠陥部の抵
抗である。ここで、例えばマトリクス液晶セルの電極の
場合を考えれば、ショート欠陥部の存する電極がＩＴＯ
電極である場合でも、隣接ショート抵抗値Ｒ８はほとん
どＲｓ　Ｊ＝ｒＲ２＋　Ｒ４で示す事が可能であり、ま
た、Ｒ２＝Ｒ４と考えられるので となる。故に一端部から他端部までの電極の長さｌと一
端部から欠陥部までの長さＸとの間には、が成り立ち、
この値は欠陥部の発見に極めて有効な数値として利用す
る事が可能である。

［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

去Ｊ１丸上 第２図に示すような、 長さ１が２５０ｍｍ″１［ 極巾ａが０．３ｍｍのＩＴＯ電極２が電極間距離すを０
．０１ｍｍとして複数本ストライプ状に形成されたガラ
ス基板１を用意し、まず、１本の電極２の一端から他端
までの抵抗値をマルチ・メータ３によって測定したとこ
ろ、３．２にΩであった。

次に、マニュアルブローバ針４ａと４ｂを一端において
隣接する電極２に接触させてマルチ・メータ３により各
隣接電極２間の抵抗値の測定を順次行った。ショート欠
陥の無い隣接７４．極間は１０ＭΩ以上の高い絶縁性を
示すが、ショート欠陥のある電極間においては最大６に
０位のショート抵抗値Ｒ５を示した。このショート抵抗
値Ｒ５の値を４つの欠陥部（例１−４）について第１表
に示す。

次に、これら欠陥を有する電極２についてそのショート
欠陥部５を顕微鏡によって探し出し、ショート欠陥部５
までの電極の一端からの距ｔａＸ。

を測定した。また一方、同じ電８ｉ２について、ショー
ト欠陥部までの距！ｘｂを上述の式（１）を用いて算出
することにより検出した。

これらの結果を５距離Ｘ、とｘｂとの誤差ΔＸ（＝Ｘ、
−Ｘｂ）とともに第１表に示す。

第 表 第１表に示す様に、本発明の方法によれば、実際の観察
によるショート欠陥部までの値に極めて近い値が求めら
れたことがわかる。更に、算出により求められた距ａｔ
　ｘ　ｂをレーザ・リペア機（ＮＥＣ製５Ｌ−４３２）
へ移動座標として人力する事により従来より早くショー
ト欠陥部の修復が可能となる。

東１日羨ス 第３図に示すように、実施例１と同様の基板１を用意し
、例えば電８ｉ２　ｅと２ｆの両端に２本づつブローバ
探針４ａ、４ｂ、と４ｃ、４ｄを接触させ、まずスイッ
チ６ａと６ｄだけオンにして電極２ｆの配線抵抗値ＲＥ
、＝３．１８にΩを求めた。次に、スイッチ６ｂと６０
だけオンにして電５２　ｅの配線抵抗Ｒ，，＝３．１８
にΩを求めた。その後、スイッチ６ａと６ｂだけオンに
してショート抵抗値Ｒｓ＋　＝　３．７８５　ｋΩを求
め、更にスイッチ６Ｃと６ｄだけオンにしてショート抵
抗値Ｒ５２＝　２．５９７にΩを測定した。これらの抵
抗値からショート欠陥部５の抵抗分子を算出し、 を求めた。そして、この結果から欠陥部までの距１１１
ｘを算出し を得た。

この値は更に実際の欠陥位置に正確な値を示すものであ
った。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、各隣接電極間の抵
抗や電極両端間の抵抗を測定するだけで、ただちにショ
ート欠陥の有無のみならずその位置が検出できるので複
数本のストライプ状電極が形成された基板の検査工程と
修復工程の工数を著しく減らすことができる。また、検
査機能と修復機能が一体化した装置が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の検出方法を説明するための隣接ショ
ート欠陥のある電極の電気的等価回路図、 第２図は、本発明の第１の実施例でショート欠陥が検出
される様子を示す基板の斜視図、そして第３図は、本発
明の第２実施例でショート欠陥が検出される様子を示す
基板の平面図である。 １ニガラス基板、２：ＩＴＯのストライプ電極、３：マ
ルチメーター　４ａ、４ｂ、４ｃ。 ４ｄ：マニュアル・ブローバ針、５　：　Ｍｔ！ショー
ト欠陥部、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄニスイツチ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に複数本近接して形成されたストライプ状
   の電極の少なくとも一端における各隣接電極間の抵抗値
   を測定して各隣接電極間のショートの有無を判断し、シ
   ョートしていると判断された各隣接電極については前記
   測定された抵抗値ならびに各電極の両端間の抵抗値およ
   び長さに基づいてショート部分の位置を求めることを特
   徴とする隣接ショート欠陥部の検出方法。
2. （２）ショートしていると判断された各隣接電極につい
   て、電極の長さをｌ、電極両端間の抵抗値をＲ＿Ｅ、一
   端における隣接電極間の抵抗値をＲ＿Ｓとし、ショート
   部分の位置をこの一端からショート部分までの距離ｘで
   表すとすれば、ショート部分の位置ｘは ｘ＝（ｌ／２Ｒ＿Ｅ）・Ｒ＿Ｓ として算出される請求項１記載の隣接ショート欠陥部分
   の検出方法。