JPH0311650A - 冗長回路付半導体装置の製造方法 - Google Patents
冗長回路付半導体装置の製造方法Info
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- JPH0311650A JPH0311650A JP14413889A JP14413889A JPH0311650A JP H0311650 A JPH0311650 A JP H0311650A JP 14413889 A JP14413889 A JP 14413889A JP 14413889 A JP14413889 A JP 14413889A JP H0311650 A JPH0311650 A JP H0311650A
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
冗長回路付半導体装置の製造方法、特に冗長回路ヒユー
ズの製造方法に関し、 バルクダメージや溶断飛沫のない冗長回路用ヒユーズを
具備した半導体装置の製造方法を提供することを目的と
し、 半導体基板上に、ｐ型不純物が導入された半導体配線を
形成する工程、該半導体配線に部分的に接続された高融
点金属シリサイド配線を形成する工程、該半導体配線と
高融点金属シリサイド配線の接続部にエネルギービーム
を照射して該半導体配線に含まれるＰ型不純物を該高融
点シリサイド配線に拡散させ、該半導体配線と高融点シ
リサイド配線とを電気的にほぼ非導通にする工程を含む
ことを特徴とする冗長回路付半導体装置の製造方法、お
よび半導体基板上に高融点金属シリサイド配線を形成す
る工程、該高融点金属シリサイド配線に部分的に接続さ
れｐ型不純物が導入された半導体配線を形成する工程、
該半導体配線上高融点金属シリサイド配線の接続部にエ
ネルギービームを該カバー膜を通して該開口部に照射し
て該半導体配線に含まれるｐ型不純物を該高融点金属シ
リサイド配線に拡散させ、該半導体配線と高融点金属シ
リサイド配線とを電気的にほぼ非導通にする工程を含む
ことを特徴とする冗長回路付半導体装置の製造方法を含
み構成する。
ズの製造方法に関し、 バルクダメージや溶断飛沫のない冗長回路用ヒユーズを
具備した半導体装置の製造方法を提供することを目的と
し、 半導体基板上に、ｐ型不純物が導入された半導体配線を
形成する工程、該半導体配線に部分的に接続された高融
点金属シリサイド配線を形成する工程、該半導体配線と
高融点金属シリサイド配線の接続部にエネルギービーム
を照射して該半導体配線に含まれるＰ型不純物を該高融
点シリサイド配線に拡散させ、該半導体配線と高融点シ
リサイド配線とを電気的にほぼ非導通にする工程を含む
ことを特徴とする冗長回路付半導体装置の製造方法、お
よび半導体基板上に高融点金属シリサイド配線を形成す
る工程、該高融点金属シリサイド配線に部分的に接続さ
れｐ型不純物が導入された半導体配線を形成する工程、
該半導体配線上高融点金属シリサイド配線の接続部にエ
ネルギービームを該カバー膜を通して該開口部に照射し
て該半導体配線に含まれるｐ型不純物を該高融点金属シ
リサイド配線に拡散させ、該半導体配線と高融点金属シ
リサイド配線とを電気的にほぼ非導通にする工程を含む
ことを特徴とする冗長回路付半導体装置の製造方法を含
み構成する。
本発明は、冗長回路付半導体装置、特に冗長回路ヒユー
ズの製造方法に関する。
ズの製造方法に関する。
近年の冗長方式にはレーザー冗長が多用されているが、
ヒユーズの切断にはヒユーズ材自身を一瞬のうちに溶融
及び昇華させな＆Ｊればならず、極小部分に草大なエネ
ルギーを使わざるを得なかった。
ヒユーズの切断にはヒユーズ材自身を一瞬のうちに溶融
及び昇華させな＆Ｊればならず、極小部分に草大なエネ
ルギーを使わざるを得なかった。
つまり、従来のレーザー冗長切断方式では、その草大な
エネルギーにより切断部周辺に溶断飛沫を飛び散らせた
り、また下層部へダメージを与えていた。
エネルギーにより切断部周辺に溶断飛沫を飛び散らせた
り、また下層部へダメージを与えていた。
第４図を参照すると、従来の冗長回路方式によると、先
ず同図（ａ）に示されるようにシリコン基板２１上に絶
縁膜（熱酸化膜）２２を５０００人の膜厚に形成し、そ
の上に３０００人の膜厚に堆積したポリシリコンを図示
の如くパターニングしてポリシリコン・ヒユーズ２３を
形成し、全面に１μｍの膜厚のリンガラス（ＰＳＧ）膜
２４を形成する。ヒユーズを切断するときには、ポリシ
リコン・ヒユーズ２３に向けて１〜２μＪのレーザービ
ーム２５を照射する。このレーザービーム照射によって
ポリシリコン・ヒユーズは数千度〔°Ｃ〕ともいわれる
高熱に加熱され、ポリシリコン・ヒユーズ２３は切断さ
れるのであるが、照射時に加えられる草大なエネルギー
によって、シリコン基板２１に穴２６が開けられ、また
ポリシリコンの溶融飛沫２７が穴２６のまわりのＰＳＧ
膜２膜上３上着することがある。
ず同図（ａ）に示されるようにシリコン基板２１上に絶
縁膜（熱酸化膜）２２を５０００人の膜厚に形成し、そ
の上に３０００人の膜厚に堆積したポリシリコンを図示
の如くパターニングしてポリシリコン・ヒユーズ２３を
形成し、全面に１μｍの膜厚のリンガラス（ＰＳＧ）膜
２４を形成する。ヒユーズを切断するときには、ポリシ
リコン・ヒユーズ２３に向けて１〜２μＪのレーザービ
ーム２５を照射する。このレーザービーム照射によって
ポリシリコン・ヒユーズは数千度〔°Ｃ〕ともいわれる
高熱に加熱され、ポリシリコン・ヒユーズ２３は切断さ
れるのであるが、照射時に加えられる草大なエネルギー
によって、シリコン基板２１に穴２６が開けられ、また
ポリシリコンの溶融飛沫２７が穴２６のまわりのＰＳＧ
膜２膜上３上着することがある。
溶断飛沫はもちろんそれ自体がゴミであるからその存在
により半導体の歩留りを下げたり、さらに切断部周辺に
再付着して切断部を再び接続したり、リーク電流の原因
となったりすることから、切断後のヒユーズの信頼性に
大きく影響していた。
により半導体の歩留りを下げたり、さらに切断部周辺に
再付着して切断部を再び接続したり、リーク電流の原因
となったりすることから、切断後のヒユーズの信頼性に
大きく影響していた。
下層部へのダメージについて説明すると、もちろん下地
はバルクシリコンであるから、そこに作りこまれている
半導体素子への電気的特性に悪影響を及ぼしていた。
はバルクシリコンであるから、そこに作りこまれている
半導体素子への電気的特性に悪影響を及ぼしていた。
従って、レーザー冗長回路設計においては、前述の弊害
をさけるためにヒユーズ周辺では１００〜２００μｍの
広がりの部分に素子を作ることなく対処してきたが、こ
れによりヒユーズ専用の領域がチップ内に必要となり、
数千木のヒユーズをチップ内に収めるのにかなりのバル
ク有効領域が失われているのはいうまでもないが、さら
に今後の半導体の高集積化にとってこのことが大きな妨
げとなっている。
をさけるためにヒユーズ周辺では１００〜２００μｍの
広がりの部分に素子を作ることなく対処してきたが、こ
れによりヒユーズ専用の領域がチップ内に必要となり、
数千木のヒユーズをチップ内に収めるのにかなりのバル
ク有効領域が失われているのはいうまでもないが、さら
に今後の半導体の高集積化にとってこのことが大きな妨
げとなっている。
そこで本発明は、バルクダメージや溶断飛沫のない冗長
回路用ヒユーズを具備した半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
回路用ヒユーズを具備した半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
上記課題は半導体基板上に、Ｐ型不純物が導入された半
導体配線を形成する工程、該半導体配線に部分的に接続
された高融点金属シリサイド配線を形成する工程、該半
導体配線と高融点金属シリサイド配線の接続部にエネル
ギービームを照射して該半導体配線に含まれるｐ型不純
物を該高融点シリサイド配線に拡散させ、該半導体配線
と高融点シリサイド配線とを電気的にほぼ非導通にする
工程を含むことを特徴とする冗長回路付半導体装置の製
造方法、および半導体基板上に高融点金属シリサイド配
線を形成する工程、該高融点金属シリサイド配線に部分
的に接続されＰ型不純物が導入された半導体配線を形成
する工程、該半導体配線と高融点金属シリ・す”イド配
線の接続部にエネルギービームを該カバー膜を通して該
開口部に照射して該半導体配線に含まれるｐ型不純物を
該高融点金属シリサイド配線に拡散させ、該半導体配線
と高融点金属シリサイド配線とを電気的にほぼ非導通に
する工程を含むことを特徴とする冗長回路付半導体装置
の製造方法によって解決される。
導体配線を形成する工程、該半導体配線に部分的に接続
された高融点金属シリサイド配線を形成する工程、該半
導体配線と高融点金属シリサイド配線の接続部にエネル
ギービームを照射して該半導体配線に含まれるｐ型不純
物を該高融点シリサイド配線に拡散させ、該半導体配線
と高融点シリサイド配線とを電気的にほぼ非導通にする
工程を含むことを特徴とする冗長回路付半導体装置の製
造方法、および半導体基板上に高融点金属シリサイド配
線を形成する工程、該高融点金属シリサイド配線に部分
的に接続されＰ型不純物が導入された半導体配線を形成
する工程、該半導体配線と高融点金属シリ・す”イド配
線の接続部にエネルギービームを該カバー膜を通して該
開口部に照射して該半導体配線に含まれるｐ型不純物を
該高融点金属シリサイド配線に拡散させ、該半導体配線
と高融点金属シリサイド配線とを電気的にほぼ非導通に
する工程を含むことを特徴とする冗長回路付半導体装置
の製造方法によって解決される。
すなわち本発明では、その原理を説明するための第２図
に示されるように、Ｐ型にドープされたポリシリコン配
線１３と、高融点金属例えばタングステンのシリサイド
配線１６が開口部１５を介してコンタクトしている部分
に、選択的にレーザービーム１８により例えば、９００
°Ｃ〜１０００°Ｃ程度に加熱することにより、シリサ
イド配線層中にポリシリコン中のｐ型不純物（例えばボ
ロンＢ）が象、速に矢印で模式的に示すように拡散する
。ポリシリコン配線１３のコンタクト部のＢ＋は、象、
速にシリサイド配線１６内に取り込まれ、このようにし
て取り込まれたボロンはシリサイド配線１６のドープさ
れていない図にみて左の方へ急速に拡散し、その結果、
開口部１５のポリシリコン配線１３とシリサイド配線１
６の界面とそのまわりではボロンがほとんどなくなり、
コンタクト界面の不純物濃度が極端に低くなるため、そ
の部分のコンタクト抵抗は無限大にまで高くなり、電流
を通さなくなるから、従来のレーザー冗長回路方式によ
る切断状態と全く同じ効果が、シリコン基板にダメージ
を与えることなく、かつ、ポリシリコンの溶融飛沫を発
生することなく得られるのである。
に示されるように、Ｐ型にドープされたポリシリコン配
線１３と、高融点金属例えばタングステンのシリサイド
配線１６が開口部１５を介してコンタクトしている部分
に、選択的にレーザービーム１８により例えば、９００
°Ｃ〜１０００°Ｃ程度に加熱することにより、シリサ
イド配線層中にポリシリコン中のｐ型不純物（例えばボ
ロンＢ）が象、速に矢印で模式的に示すように拡散する
。ポリシリコン配線１３のコンタクト部のＢ＋は、象、
速にシリサイド配線１６内に取り込まれ、このようにし
て取り込まれたボロンはシリサイド配線１６のドープさ
れていない図にみて左の方へ急速に拡散し、その結果、
開口部１５のポリシリコン配線１３とシリサイド配線１
６の界面とそのまわりではボロンがほとんどなくなり、
コンタクト界面の不純物濃度が極端に低くなるため、そ
の部分のコンタクト抵抗は無限大にまで高くなり、電流
を通さなくなるから、従来のレーザー冗長回路方式によ
る切断状態と全く同じ効果が、シリコン基板にダメージ
を与えることなく、かつ、ポリシリコンの溶融飛沫を発
生することなく得られるのである。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
本発明実施例は第１図に示される。先ず同図（ａ）に示
されるように、半導体基板（シリコン基板）１１上に例
えば熱酸化によって絶縁膜（ＳｊＯ□膜）１２を５００
０人の膜厚に形成し、その上に化学気相成長（ＣＶＤ）
法によりドープしてない多結晶シリコン（ポリシリコン
）１３ａを２０００人の膜厚に成長し、続いて全面にボ
ロン（Ｂ゛）を３０ＫｅＶの加速エネルギー、３ Ｘｌ
０Ｉ′ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。
されるように、半導体基板（シリコン基板）１１上に例
えば熱酸化によって絶縁膜（ＳｊＯ□膜）１２を５００
０人の膜厚に形成し、その上に化学気相成長（ＣＶＤ）
法によりドープしてない多結晶シリコン（ポリシリコン
）１３ａを２０００人の膜厚に成長し、続いて全面にボ
ロン（Ｂ゛）を３０ＫｅＶの加速エネルギー、３ Ｘｌ
０Ｉ′ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。
次に、同図（ｂ）に示されるようにホトリソグラフ技術
を用いてポリシリコン１３ａをバターニングしポリシリ
コン配線１３を形成する。続いて、層間絶縁膜１４（例
えばＰＳＧ膜）をＣＶＤ法で２０００人の膜厚に堆積し
、ポリシリコン配線１３中の不純物（Ｂ“）の活性化を
目的として９００°Ｃ１３０分間窒素（Ｎ２）雰囲気中
でアニールを施す。しかる後に、ホトリソグラフ技術で
開口部Ｉ５を、例えばポリシリコン配線１３の幅が２μ
ｍであれば、１．５μｍ口の大きさに開口する。
を用いてポリシリコン１３ａをバターニングしポリシリ
コン配線１３を形成する。続いて、層間絶縁膜１４（例
えばＰＳＧ膜）をＣＶＤ法で２０００人の膜厚に堆積し
、ポリシリコン配線１３中の不純物（Ｂ“）の活性化を
目的として９００°Ｃ１３０分間窒素（Ｎ２）雰囲気中
でアニールを施す。しかる後に、ホトリソグラフ技術で
開口部Ｉ５を、例えばポリシリコン配線１３の幅が２μ
ｍであれば、１．５μｍ口の大きさに開口する。
次に、第１図（ｃ）に示されるように高融点金属シリサ
イド配線、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉｚ）
をＣＶＤ法で２０００人の膜厚に成長し、それをホトリ
ソグラフ技術でパターニングしてシリサイド配線１６を
形成する。
イド配線、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉｚ）
をＣＶＤ法で２０００人の膜厚に成長し、それをホトリ
ソグラフ技術でパターニングしてシリサイド配線１６を
形成する。
続いて、第１図（ｄ）に示されるように、ＣＶＤ法でカ
バー膜１７（例えばＰＳＧ膜）を１００００人の厚さに
堆積する。
バー膜１７（例えばＰＳＧ膜）を１００００人の厚さに
堆積する。
上記のようにして形成した冗長回路を切断するには、レ
ーザービーム１８のパルスを、選択的に、従来例の１／
１０の０．１〜０．２μＪのパワーでカバー膜１７上か
ら開口部１５に瞬間的に照射し、ポリシリコン配線１３
とシリサイド配線１６のコンタクト部を９００〜１００
０°Ｃ程度に加熱する。この加熱によって、〔作用〕の
項で説明したように、ポリシリコン配線１３とシリサイ
ド配線１６の界面のｐ型不純物（ボロン）が急速にシリ
サイド配線１６のポリシリコン配線１３とのコンタクト
部分以外へ拡散し、コンタクト部分のコンタクト抵抗が
無限に大になり、０ コンタクト部では電流が流れなくなるので、従来方式で
ヒユーズを切断したのと同様の効果が得られるのである
。ボロンＢ゛の不純物濃度 分布のＳＩＭＳ分析結果を
第３図に示す。同図 （ａ）はレーザビームの照射前の
分布、（ｂ）はレーザビーム照射後の分布である。
ーザービーム１８のパルスを、選択的に、従来例の１／
１０の０．１〜０．２μＪのパワーでカバー膜１７上か
ら開口部１５に瞬間的に照射し、ポリシリコン配線１３
とシリサイド配線１６のコンタクト部を９００〜１００
０°Ｃ程度に加熱する。この加熱によって、〔作用〕の
項で説明したように、ポリシリコン配線１３とシリサイ
ド配線１６の界面のｐ型不純物（ボロン）が急速にシリ
サイド配線１６のポリシリコン配線１３とのコンタクト
部分以外へ拡散し、コンタクト部分のコンタクト抵抗が
無限に大になり、０ コンタクト部では電流が流れなくなるので、従来方式で
ヒユーズを切断したのと同様の効果が得られるのである
。ボロンＢ゛の不純物濃度 分布のＳＩＭＳ分析結果を
第３図に示す。同図 （ａ）はレーザビームの照射前の
分布、（ｂ）はレーザビーム照射後の分布である。
もっとも、微小な、例えばＩＯＶの電圧が印加された状
態で１００ ピコＡ程度のリーク電流は認められたが、
この場合コンタクト抵抗はギガ単位のものであり、この
程度のリーク電流は従来方式でヒユーズを切断したとき
にも認められたものであり、設計上および実用上支障は
ない。
態で１００ ピコＡ程度のリーク電流は認められたが、
この場合コンタクト抵抗はギガ単位のものであり、この
程度のリーク電流は従来方式でヒユーズを切断したとき
にも認められたものであり、設計上および実用上支障は
ない。
ポリシリコンにドープされる不純物はｎ型のものに限定
され、ボロンが最も好ましく、不純物濃度は５ ＸＩＯ
”〜２Ｘ１０”ｃｍ３程度にするのがよい。
され、ボロンが最も好ましく、不純物濃度は５ ＸＩＯ
”〜２Ｘ１０”ｃｍ３程度にするのがよい。
ｎ型の不純物をドープしたとすると、上記の例とは逆で
、ｎ型不純物はシリサイド中に拡散しないで、コンタク
ト抵抗は減少し、ヒユーズ切断のｉｔを発揮することが
できない。
、ｎ型不純物はシリサイド中に拡散しないで、コンタク
ト抵抗は減少し、ヒユーズ切断のｉｔを発揮することが
できない。
上記の例では、タングステンシリサイドについて説明し
たが、シリサイド配線１６はその他の高融点金属のシリ
サイド例えば、ＴｉＳ２、門ｏｓｉｚ、 ｐｂＳｉｚ
、Ｃｏ５１ｚ等で形成することができる。このシリサイ
ド配線１６には、タングステンシリサイドを用いるのが
最も好ましい。このシリサイド配線１６はポリシリコン
配線１３の上層に形成されたが、それとは逆に、シリサ
イド配線１６を先に絶縁膜１２上に形成し、しかる後に
ポリシリコン配線１３をシリサイド配線１６の上層に形
成してもよい。また、開口部１５の加熱はレーザービー
ムを例に説明したが、開口部を９００〜１０００°Ｃ程
度に加熱するものであればその他のエネルギービームを
用いてもよい。従って、本発明の適用範囲は上記の実施
例に限定されるものでない。
たが、シリサイド配線１６はその他の高融点金属のシリ
サイド例えば、ＴｉＳ２、門ｏｓｉｚ、 ｐｂＳｉｚ
、Ｃｏ５１ｚ等で形成することができる。このシリサイ
ド配線１６には、タングステンシリサイドを用いるのが
最も好ましい。このシリサイド配線１６はポリシリコン
配線１３の上層に形成されたが、それとは逆に、シリサ
イド配線１６を先に絶縁膜１２上に形成し、しかる後に
ポリシリコン配線１３をシリサイド配線１６の上層に形
成してもよい。また、開口部１５の加熱はレーザービー
ムを例に説明したが、開口部を９００〜１０００°Ｃ程
度に加熱するものであればその他のエネルギービームを
用いてもよい。従って、本発明の適用範囲は上記の実施
例に限定されるものでない。
なお、上記した９００〜１０００°Ｃ程度の開口部の加
熱は瞬間的な加熱であり、カバー膜１７、絶縁膜１２、
シリコン基板１１のいずれにもなんらの損傷（ダメージ
）も認められなかった。
熱は瞬間的な加熱であり、カバー膜１７、絶縁膜１２、
シリコン基板１１のいずれにもなんらの損傷（ダメージ
）も認められなかった。
１
２
以上のように本発明によれば、従来例のようにヒユーズ
を熔融し切断するのではないために、溶融飛沫の発生が
なく、ヒユーズ部（開口部）の下のバルクへのダメージ
もほとんどないため、ヒユーズ部の下層部にも半導体素
子を設けることが可能となり、さらには、従来のように
ヒユーズのまわりに余分の領域をあけておく必要もなく
なり、半導体装置の微細化および高積化に寄与するとこ
ろ大である。
を熔融し切断するのではないために、溶融飛沫の発生が
なく、ヒユーズ部（開口部）の下のバルクへのダメージ
もほとんどないため、ヒユーズ部の下層部にも半導体素
子を設けることが可能となり、さらには、従来のように
ヒユーズのまわりに余分の領域をあけておく必要もなく
なり、半導体装置の微細化および高積化に寄与するとこ
ろ大である。
１３はポリシリコン配線、
１３ａはポリシリコン、
１４は層間絶縁膜、
１５は開口部、
１６はシリサイド配線、
１７はカバー膜、
１８はレーザービーム
を示す。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明実施例断面図、第２図は
本発明の詳細な説明するための断面図、第３図はＢｏの
不純物濃度分布を示す図、第４図（ａ）と（ｂ）は従来
技術を示す断面図である。
本発明の詳細な説明するための断面図、第３図はＢｏの
不純物濃度分布を示す図、第４図（ａ）と（ｂ）は従来
技術を示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕半導体基板（１１）上に、ｐ型不純物が導入され
た半導体配線（１３）を形成する工程、 該半導体配線（１３）に部分的に接続された高融点金属
シリサイド配線（１６）を形成する工程、該半導体配線
（１３）と高融点金属シリサイド配線（１６）の接続部
にエネルギービーム（１８）を照射して該半導体配線（
１３）に含まれるｐ型不純物を該高融点シリサイド配線
（１６）に拡散させ、 該半導体配線（１３）と高融点シリサイド配線（１６）
とを電気的にほぼ非導通にする工程を含むことを特徴と
する冗長回路付半導体装置の製造方法。 〔２〕半導体基板（１１）上に高融点金属シリサイド配
線（１６）を形成する工程、 該高融点金属シリサイド配線（１６）に部分的に接続さ
れｐ型不純物が導入された半導体配線（１３）を形成す
る工程、 該半導体配線（１３）と高融点金属シリサイド配線（１
６）の接続部にエネルギービーム（１８）を該カバー膜
（１７）を通して該開口部（１５）に照射して該半導体
配線（１３）に含まれるｐ型不純物を該高融点金属シリ
サイド配線（１６）に拡散させ、該半導体配線（１３）
と高融点金属シリサイド配線（１６）とを電気的にほぼ
非導通にする工程を含むことを特徴とする冗長回路付半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14413889A JPH0311650A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 冗長回路付半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14413889A JPH0311650A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 冗長回路付半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311650A true JPH0311650A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15355107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14413889A Pending JPH0311650A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 冗長回路付半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311650A (ja) |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14413889A patent/JPH0311650A/ja active Pending
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