JPH0936075A - 半導体ウェハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェハの洗浄装置Info
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- JPH0936075A JPH0936075A JP18144495A JP18144495A JPH0936075A JP H0936075 A JPH0936075 A JP H0936075A JP 18144495 A JP18144495 A JP 18144495A JP 18144495 A JP18144495 A JP 18144495A JP H0936075 A JPH0936075 A JP H0936075A
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- Japan
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- wafer
- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ブラシに付着する汚染を完全に除去し、逆汚
染を防止すると共に、洗浄能力の向上も図る。 【課題解決手段】製氷槽１０３により、アンモニア水、
過酸化水素水、純水の混合駅の氷より成るブラシ１０１
を形成し、該ブラシによるウェハ１０７の洗浄後、融解
槽１１０にて上記ブラシを融解し、使い捨てる構成とす
る。
染を防止すると共に、洗浄能力の向上も図る。 【課題解決手段】製氷槽１０３により、アンモニア水、
過酸化水素水、純水の混合駅の氷より成るブラシ１０１
を形成し、該ブラシによるウェハ１０７の洗浄後、融解
槽１１０にて上記ブラシを融解し、使い捨てる構成とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ表面
をブラシを使用して洗浄するブラシスクラブ洗浄装置に
関するものであり、特に、半導体ウェハ表面の高濃度汚
染を洗浄する方法に関するものである。
をブラシを使用して洗浄するブラシスクラブ洗浄装置に
関するものであり、特に、半導体ウェハ表面の高濃度汚
染を洗浄する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ブラシスクラブ洗浄は、ウェハ表面に純
水を吐出しながら、回転ブラシをウェハ表面を移動させ
て、ウェハ表面の微粒子，汚染物を物理的な力でこすり
落とす洗浄方法であり、ウェハを洗浄槽に浸漬して洗浄
する方法に比べ洗浄効果が高く、近年、半導体集積回路
製造工程に於けるウェハ洗浄方法として広く使用されて
いる。
水を吐出しながら、回転ブラシをウェハ表面を移動させ
て、ウェハ表面の微粒子，汚染物を物理的な力でこすり
落とす洗浄方法であり、ウェハを洗浄槽に浸漬して洗浄
する方法に比べ洗浄効果が高く、近年、半導体集積回路
製造工程に於けるウェハ洗浄方法として広く使用されて
いる。
【０００３】従来の技術では、ブラシスクラブ洗浄で使
用するブラシは、ナイロン，モヘア，スポンジ等で形成
されており、ウェハを半分以上覆うドラム型ブラシをウ
ェハ表面に平行な軸で回転させる方式と、円柱状のブラ
シをウェハ表面に垂直な軸で回転させる方式とに大別さ
れる。後者の方式は、前者の方式に比べてウェハへの微
粒子の再付着が少なく、高密度集積回路製造工程で使用
されるブラシスクラブ洗浄の主流になっている。
用するブラシは、ナイロン，モヘア，スポンジ等で形成
されており、ウェハを半分以上覆うドラム型ブラシをウ
ェハ表面に平行な軸で回転させる方式と、円柱状のブラ
シをウェハ表面に垂直な軸で回転させる方式とに大別さ
れる。後者の方式は、前者の方式に比べてウェハへの微
粒子の再付着が少なく、高密度集積回路製造工程で使用
されるブラシスクラブ洗浄の主流になっている。
【０００４】このブラシスクラブ洗浄装置の一例を図２
に示す。直径２〜３ｃｍ程度の円柱状テフロンブラシ１
０１を、ウェハ１０７の表面に垂直な軸で、３００〜４
００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面を移動させて
洗浄を行う。ウェハ１０７は通常５００〜１０００ｒｐ
ｍで回転させ、ウェハ表面には、ノズル１０９より純水
又は薬液を吐出することで、ブラシ１０１によってウェ
ハ表面からとれた異物はすみやかにウェハ表面から除去
される。ウェハの乾燥は、ウェハを３０００ｒｐｍ程度
で高速回転させて表面の水を振り切るスピン乾燥で行な
われる。なお、同図に於いて、１０４はブラシアーム、
１０５はブラシ回転機構，１０８はウェハステージであ
る。
に示す。直径２〜３ｃｍ程度の円柱状テフロンブラシ１
０１を、ウェハ１０７の表面に垂直な軸で、３００〜４
００ｒｐｍで回転させながら、ウェハ表面を移動させて
洗浄を行う。ウェハ１０７は通常５００〜１０００ｒｐ
ｍで回転させ、ウェハ表面には、ノズル１０９より純水
又は薬液を吐出することで、ブラシ１０１によってウェ
ハ表面からとれた異物はすみやかにウェハ表面から除去
される。ウェハの乾燥は、ウェハを３０００ｒｐｍ程度
で高速回転させて表面の水を振り切るスピン乾燥で行な
われる。なお、同図に於いて、１０４はブラシアーム、
１０５はブラシ回転機構，１０８はウェハステージであ
る。
【０００５】ブラシスクラブ洗浄では、ブラシ自体が洗
浄の際に汚染されるためにブラシの洗浄が必要である。
従来の技術では、ブラシの待機中に、ブラシに純水を吐
出したり、ブラシに純水や洗浄液中で超音波を印加する
洗浄が行なわれている（特開平２−１０９３３３）。
浄の際に汚染されるためにブラシの洗浄が必要である。
従来の技術では、ブラシの待機中に、ブラシに純水を吐
出したり、ブラシに純水や洗浄液中で超音波を印加する
洗浄が行なわれている（特開平２−１０９３３３）。
【０００６】また、ブラシスクラブ洗浄では、ブラシと
ウェハの摩擦によってウェハ表面が帯電しやすく、ウェ
ハ上に形成されている半導体素子が静電破壊されるの
で、除電が必要である。従来の技術では、除電の方法と
して、ナイロン等のブラシ材に炭素等の導電性物質を添
加する方法（特開平３−３８０３６）や、ウェハ表面に
吐出する純水に二酸化炭素を溶解させて導電性を持たせ
る方法（特開平５−２９９４００）が使用されている。
ウェハの摩擦によってウェハ表面が帯電しやすく、ウェ
ハ上に形成されている半導体素子が静電破壊されるの
で、除電が必要である。従来の技術では、除電の方法と
して、ナイロン等のブラシ材に炭素等の導電性物質を添
加する方法（特開平３−３８０３６）や、ウェハ表面に
吐出する純水に二酸化炭素を溶解させて導電性を持たせ
る方法（特開平５−２９９４００）が使用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のブラシスクラブ
洗浄の問題点として以下の項目があげられる。
洗浄の問題点として以下の項目があげられる。
【０００８】(1) ブラシスクラブ洗浄後に、異物の付着
したブラシを純水吐出や超音波で洗浄する従来の方法で
は、高濃度汚染されたウェハを洗浄して多量の汚染物が
付着したブラシの洗浄が不可能である。このために、頻
繁なブラシの交換が必要になり、装置稼動時間の低下と
生産コストの増大をもたらす。このような高濃度汚染が
生じる場合として、例えば、近年、半導体集積回路製造
工程のウェハ平坦化に使用されるＣＭＰ(Chemical Mech
anical Polishing)後のウェハ洗浄があげられる。
したブラシを純水吐出や超音波で洗浄する従来の方法で
は、高濃度汚染されたウェハを洗浄して多量の汚染物が
付着したブラシの洗浄が不可能である。このために、頻
繁なブラシの交換が必要になり、装置稼動時間の低下と
生産コストの増大をもたらす。このような高濃度汚染が
生じる場合として、例えば、近年、半導体集積回路製造
工程のウェハ平坦化に使用されるＣＭＰ(Chemical Mech
anical Polishing)後のウェハ洗浄があげられる。
【０００９】(2) 上記例のような高濃度汚染ウェハ上の
化学反応で強固に付着した汚染は、ブラシと異物の摩擦
力のみを利用した従来のブラシスクラブ洗浄では除去不
可能である。
化学反応で強固に付着した汚染は、ブラシと異物の摩擦
力のみを利用した従来のブラシスクラブ洗浄では除去不
可能である。
【００１０】(3) ブラシスクラブ洗浄中のウェハ帯電を
防止するために行なわれている、従来の、ブラシに炭素
を添加する方法や、純水に二酸化炭素を溶かしてウェハ
表面に吐出する方法では、ウェハ表面に炭素汚染が生
じ、ウェハ表面に形成される半導体素子特性劣化の原因
になる。また、装置設備や、ブラシのコスト増加がさけ
られない。
防止するために行なわれている、従来の、ブラシに炭素
を添加する方法や、純水に二酸化炭素を溶かしてウェハ
表面に吐出する方法では、ウェハ表面に炭素汚染が生
じ、ウェハ表面に形成される半導体素子特性劣化の原因
になる。また、装置設備や、ブラシのコスト増加がさけ
られない。
【００１１】本発明の目的は、高濃度に汚染されたウェ
ハを洗浄するために、ブラシスクラブ洗浄の洗浄能力を
向上させる方法，ブラシに付着する高濃度汚染を効果的
に除去してウェハの逆汚染を防止する方法，ウェハ表面
を汚染することなく、ウェハの除電を行う方法を提供す
ることである。
ハを洗浄するために、ブラシスクラブ洗浄の洗浄能力を
向上させる方法，ブラシに付着する高濃度汚染を効果的
に除去してウェハの逆汚染を防止する方法，ウェハ表面
を汚染することなく、ウェハの除電を行う方法を提供す
ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めの本発明の手段は、ブラシを、アンモニア水（ＮＨ4
ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2），純水の混合液、又は
界面活性剤，純水の混合液の氷で、各ウェハの洗浄前に
形成し、ブラシを直接、振動数が１〜２ＭＨｚの超音波
で振動させながら、ウェハ表面で移動，回転させて、ブ
ラシスクラブ洗浄を行い、各ウェハの洗浄毎に、ブラシ
を融解して使い捨てるものである。さらに、導電性の上
記ブラシを接地（アース）することによって、洗浄中の
ウェハ帯電を抑制するものである。
めの本発明の手段は、ブラシを、アンモニア水（ＮＨ4
ＯＨ），過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2），純水の混合液、又は
界面活性剤，純水の混合液の氷で、各ウェハの洗浄前に
形成し、ブラシを直接、振動数が１〜２ＭＨｚの超音波
で振動させながら、ウェハ表面で移動，回転させて、ブ
ラシスクラブ洗浄を行い、各ウェハの洗浄毎に、ブラシ
を融解して使い捨てるものである。さらに、導電性の上
記ブラシを接地（アース）することによって、洗浄中の
ウェハ帯電を抑制するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるブラシスクラ
ブ洗浄装置の概略図を示している。本洗浄装置のブラシ
１０１は、超音波発振器１０２のまわりに、アンモニア
水，過酸化水素水，純水の混合液の氷で形成される。こ
れらの薬液の最適体積比は、１：１：５〜１：１：１５
である。このブラシは、上記薬液を入れた製氷槽１０３
に超音波発振器部分を浸漬し、上記薬液混合液を発振器
１０２のまわりに凍結させて形成する。
ブ洗浄装置の概略図を示している。本洗浄装置のブラシ
１０１は、超音波発振器１０２のまわりに、アンモニア
水，過酸化水素水，純水の混合液の氷で形成される。こ
れらの薬液の最適体積比は、１：１：５〜１：１：１５
である。このブラシは、上記薬液を入れた製氷槽１０３
に超音波発振器部分を浸漬し、上記薬液混合液を発振器
１０２のまわりに凍結させて形成する。
【００１４】ブラシのアーム１０４には、ブラシの回転
機構１０５が設けられ、ブラシはアース１０６に接続さ
れている。被洗浄ウェハ１０７は、ウェハステージ１０
８に保持される。ウェハステージを１０００〜１５００
ｒｐｍで回転させて、ウェハ表面に、ノズル１０９より
純水又は薬液を噴出し、超音波を印加して振動させたブ
ラシ１０１を、３００〜４００ｒｐｍで回転させなが
ら、ウェハ表面を移動させることにより、ウェハ表面が
洗浄される。超音波の振動数の最適値は１〜２ＭＨｚで
ある。また、洗浄中にブラシの融解を抑えるために、ウ
ェハ表面に吐出する純水（薬液）温度は１０℃以下、洗
浄時間は６０秒以内が好ましい条件である。ブラシの押
しつけ圧力の最適値は１〜２ｋｇ／ｃｍ2である。
機構１０５が設けられ、ブラシはアース１０６に接続さ
れている。被洗浄ウェハ１０７は、ウェハステージ１０
８に保持される。ウェハステージを１０００〜１５００
ｒｐｍで回転させて、ウェハ表面に、ノズル１０９より
純水又は薬液を噴出し、超音波を印加して振動させたブ
ラシ１０１を、３００〜４００ｒｐｍで回転させなが
ら、ウェハ表面を移動させることにより、ウェハ表面が
洗浄される。超音波の振動数の最適値は１〜２ＭＨｚで
ある。また、洗浄中にブラシの融解を抑えるために、ウ
ェハ表面に吐出する純水（薬液）温度は１０℃以下、洗
浄時間は６０秒以内が好ましい条件である。ブラシの押
しつけ圧力の最適値は１〜２ｋｇ／ｃｍ2である。
【００１５】ウェハ１０７の乾燥は、ウェハステージ１
０８を３０００ｒｐｍで高速回転させて、ウェハ表面の
水分を振り切るスピン乾燥で行なわれる。
０８を３０００ｒｐｍで高速回転させて、ウェハ表面の
水分を振り切るスピン乾燥で行なわれる。
【００１６】１枚のウェハ１０７に対して上記のブラシ
スクラブ洗浄が完了すると、融解槽１１０でブラシ１０
１に５０〜６０℃の温純水を吐出し、ブラシを溶かした
後、再び、次のウェハの洗浄のために、製氷槽１０３で
新しくブラシが形成される。上記の実施例に於いて、界
面活性剤，純水混合液を製氷槽に導入して、ブラシを上
記の混合液で形成することも可能である。この場合に使
用する界面活性剤としては、非イオン・フッ素系界面活
性剤、アニオン・フッ素系界面活性剤、非イオン・アル
キルフェニールエーテルや、脂肪族カルボン酸、その
塩、アミン、アルコール混合界面活性剤があげられる。
スクラブ洗浄が完了すると、融解槽１１０でブラシ１０
１に５０〜６０℃の温純水を吐出し、ブラシを溶かした
後、再び、次のウェハの洗浄のために、製氷槽１０３で
新しくブラシが形成される。上記の実施例に於いて、界
面活性剤，純水混合液を製氷槽に導入して、ブラシを上
記の混合液で形成することも可能である。この場合に使
用する界面活性剤としては、非イオン・フッ素系界面活
性剤、アニオン・フッ素系界面活性剤、非イオン・アル
キルフェニールエーテルや、脂肪族カルボン酸、その
塩、アミン、アルコール混合界面活性剤があげられる。
【００１７】また、微粒子を含んだ液体層をブラシ下か
ら排出するよう、氷ブラシのウェハ側表面に、うずまき
状や放射状に溝をもうけてもよい。
ら排出するよう、氷ブラシのウェハ側表面に、うずまき
状や放射状に溝をもうけてもよい。
【００１８】アンモニア水，過酸化水素水，純水の混合
液、又は界面活性剤、純水混合液の氷で形成されたブラ
シを、圧力１〜２ｋｇ／ｃｍ2でウェハ表面に押しあて
ると、ウェハ表面とブラシ間に０．１〜０．５ｍｍの液
体層がブラシの融解によって形成される。上記のブラシ
に直接印加された振動数１〜２ＭＨｚの超音波は、この
液体層を通してウェハ表面に効率よく伝播し、ウェハ表
面に強固に付着している微粒子を、物理的な力でシリコ
ン表面から脱離させる。脱離した微粒子は、液体層の表
面張力でブラシの動きに引かれ、ウェハ表面からすみや
かに掃き出され、特に、１μｍ以下の微粒子の洗浄効果
が著しく向上する。
液、又は界面活性剤、純水混合液の氷で形成されたブラ
シを、圧力１〜２ｋｇ／ｃｍ2でウェハ表面に押しあて
ると、ウェハ表面とブラシ間に０．１〜０．５ｍｍの液
体層がブラシの融解によって形成される。上記のブラシ
に直接印加された振動数１〜２ＭＨｚの超音波は、この
液体層を通してウェハ表面に効率よく伝播し、ウェハ表
面に強固に付着している微粒子を、物理的な力でシリコ
ン表面から脱離させる。脱離した微粒子は、液体層の表
面張力でブラシの動きに引かれ、ウェハ表面からすみや
かに掃き出され、特に、１μｍ以下の微粒子の洗浄効果
が著しく向上する。
【００１９】また、液体層が、氷ブラシの圧力によっ
て、２〜３気圧以上に加圧されているために、微細穴へ
の液体の浸入が容易になり、更に、超音波印加で生じる
圧力変動の減圧時に、穴内部へ浸入した液体が入れかわ
りやすくなるために、従来のブラシスクラブ洗浄では殆
んど除去できなかった、ウェハ表面の微細穴内部の汚染
物に対しても洗浄効果が向上する。
て、２〜３気圧以上に加圧されているために、微細穴へ
の液体の浸入が容易になり、更に、超音波印加で生じる
圧力変動の減圧時に、穴内部へ浸入した液体が入れかわ
りやすくなるために、従来のブラシスクラブ洗浄では殆
んど除去できなかった、ウェハ表面の微細穴内部の汚染
物に対しても洗浄効果が向上する。
【００２０】上記の液体層は、ブラシが徐々に融解して
いく際に形成されるものであり、ブラシをウェハ表面で
移動，回転させても、定常的に形成されている。上記液
体層は、エッチング作用のあるアンモニア水，過酸化水
素水，純水混合液、又は、強固な汚染層の付着力を電気
化学的な力で弱める界面活性剤、純水混合液で形成され
ているので、ウェハ上に強固に付着している異物に対す
る化学的な洗浄効果が相乗される。さらに、上記液体層
は、ウェハとブラシが直接接触することを防止するバッ
ファ層として働き、氷によるウェハへのダメージが抑制
される。
いく際に形成されるものであり、ブラシをウェハ表面で
移動，回転させても、定常的に形成されている。上記液
体層は、エッチング作用のあるアンモニア水，過酸化水
素水，純水混合液、又は、強固な汚染層の付着力を電気
化学的な力で弱める界面活性剤、純水混合液で形成され
ているので、ウェハ上に強固に付着している異物に対す
る化学的な洗浄効果が相乗される。さらに、上記液体層
は、ウェハとブラシが直接接触することを防止するバッ
ファ層として働き、氷によるウェハへのダメージが抑制
される。
【００２１】上記ブラシに、ウェハの洗浄によって付着
する汚染物は、ブラシを溶かすことによって高濃度汚染
の場合でも完全に除去される。上記ブラシは、従来のブ
ラシに比べ極めて廉価かつ容易に形成できるために、各
ウェハ洗浄毎にブラシを融解除去しても、生産コスト増
加及び装置稼動低下は生じない。
する汚染物は、ブラシを溶かすことによって高濃度汚染
の場合でも完全に除去される。上記ブラシは、従来のブ
ラシに比べ極めて廉価かつ容易に形成できるために、各
ウェハ洗浄毎にブラシを融解除去しても、生産コスト増
加及び装置稼動低下は生じない。
【００２２】さらに、上記ブラシと液体層は比抵抗１０
０Ω・ｃｍ以下の導電性を有するので、ブラシを接地
（アース）することによって、ブラシとウェハ接触面で
生じる帯電を、ウェハ表面を炭素で汚染することなく迅
速に除去することが可能になる。
０Ω・ｃｍ以下の導電性を有するので、ブラシを接地
（アース）することによって、ブラシとウェハ接触面で
生じる帯電を、ウェハ表面を炭素で汚染することなく迅
速に除去することが可能になる。
【００２３】
【発明の効果】本発明のブラシスクラブ洗浄装置では、
高濃度汚染ウェハを洗浄する際にブラシに付着する汚染
を完全に除去することが可能になり、汚染されたブラシ
による被洗浄ウェハの逆汚染が抑制される。また、洗浄
力の向上によって、従来のブラシスクラブ洗浄では除去
不可能であった、ウェハ表面に強固に付着している高濃
度汚染、例えば、ＣＭＰ(Chemical Mechanical polishi
ng)後にウェハ表面に付着する研磨剤等を、ウェハを帯
電させずに除去することが可能になる。
高濃度汚染ウェハを洗浄する際にブラシに付着する汚染
を完全に除去することが可能になり、汚染されたブラシ
による被洗浄ウェハの逆汚染が抑制される。また、洗浄
力の向上によって、従来のブラシスクラブ洗浄では除去
不可能であった、ウェハ表面に強固に付着している高濃
度汚染、例えば、ＣＭＰ(Chemical Mechanical polishi
ng)後にウェハ表面に付着する研磨剤等を、ウェハを帯
電させずに除去することが可能になる。
【図１】本発明によるブラシスクラブ洗浄装置の概略図
である。
である。
【図２】従来の技術によるブラシスクラブ洗浄装置の概
略図である。
略図である。
１０１ ブラシ １０２ 超音波発振器 １０３ 製氷槽 １０４ ブラシアーム １０５ ブラシ回転機構 １０６ アース １０７ ウェハ １０８ ウェハステージ １０９ ノズル １１０ 融解槽
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハ表面に純水又は薬液を吐出して、
ブラシを回転させながらウェハ表面を移動させて洗浄を
行う枚葉処理方式のブラシスクラブ洗浄装置に於いて、
前記ブラシを、アンモニア水，過酸化水素水，純水の混
合液、又は、界面活性剤，純水の混合液の氷で、各ウェ
ハの洗浄前に形成し、各ウェハを洗浄した後に融解して
使い捨てることを特徴とする、半導体ウェハの洗浄装
置。 - 【請求項２】 前記ブラシに、振動数が１〜２ＭＨｚの
超音波を直接印加して洗浄を行うことを特徴とする、請
求項１に記載の半導体ウェハの洗浄装置。 - 【請求項３】 前記ブラシを接地（アース）して、ウェ
ハ表面を除電しながら洗浄を行うことを特徴とする、請
求項１又は請求項２に記載の半導体ウェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18144495A JPH0936075A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18144495A JPH0936075A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936075A true JPH0936075A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16100883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18144495A Pending JPH0936075A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 半導体ウェハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936075A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531401B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method of cleaning a substrate surface using a frozen material |
| KR100396829B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2003-09-02 | (주)케이.씨.텍 | 브러시 세정 장치의 브러시 세척 기구 |
| JP2006247463A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2006294988A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
| US7267130B2 (en) | 2000-09-22 | 2007-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US7479205B2 (en) | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP18144495A patent/JPH0936075A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6537915B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
| US6559054B2 (en) | 1999-09-02 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
| US6734121B2 (en) * | 1999-09-02 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
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| US7428907B2 (en) | 2000-09-22 | 2008-09-30 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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| JP2006247463A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2006294988A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
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