JPH03117008A - 電流ミラー回路 - Google Patents

電流ミラー回路

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JPH03117008A
JPH03117008A JP1254159A JP25415989A JPH03117008A JP H03117008 A JPH03117008 A JP H03117008A JP 1254159 A JP1254159 A JP 1254159A JP 25415989 A JP25415989 A JP 25415989A JP H03117008 A JPH03117008 A JP H03117008A
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Tatsuyuki Amano
天野 龍之
Kazuo Tokuda
和夫 徳田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電流ミラー回路に係シ、特にトランジスタの対
称性を利用した基本回路として用いられている複合電流
ミラー回路において特にトランジスタのhFEとアーリ
ー効果の影醤に対しても高精度が得られかつ入出力の電
流比の設定範囲を広げたバイポーラ集積回路からなる回
路構成に関する。
〔従来の技術〕
第7図において、従来の電流ミラー回路は、PNP)ラ
ンジスタQ1.Q2.Qaと、電流■□の流れる電流入
力端子1と、電流出力端子2と、共通端子3と、電流供
給源4とを含み、構成される。
従来から用いられている電流ミラー回路の一例を、第7
図に示す。ベースをトランジスタQ1ト共通接続し、コ
レクタ・ベース間を短絡したトランジスタQ2のコレク
タ側へ、トランジスタQsのエミッタを接続し、トラン
ジスタQ のベースをトランジスタQ1のコレクタに接
続して、電流入力端子1とし、トランジスタQ3のコレ
クタを電流出力端子2とする構成である。トランジスタ
Q□lQ2のエミッタは短絡するが、各々抵抗を介して
共通端子3へ接続され、これは電流供給源4へ結合され
る。電流入力端子1に印加する電流を11とし電流出力
端子2に流出する電流を12とすると、それらの関係は
以下のように衣わされる。
但し、トランジスタQl、Q2の特性は同一であるとし
、エミッタ接地電流増幅率をβ、各々のコレクタ電流を
’C1+ IC2とすると、次式が得られる。
これら両式から、次式が得られる。
前記(1)式よシ、電流増幅率βが十分大きければ、出
力電流I2は入力電流■、にほぼ等しくなシ、β=10
0では0.02%の誤差である。また、電流比を決定す
るトランジスタQ1とトランジスタQ2のコレクタ・エ
ミッタ間電圧■。は電流出力端子2の電位に関係なく、
ベース・エミッタ順方向電圧VBHによる定電圧が与え
られるので、トランジスタのアーリー効果による電流比
の変動が抑えられ、高精度の電流ミラー回路が得られる
。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、第7図の電流ミラー回路は、電流比1対1の場
合に限シ前述の効果が得られ、電流比を自由に設定する
ことができないという欠点があシ、使用範囲が限定され
てしまう。
第7図において、もしトランジスタQ1をトランジスタ
Q2のN倍のエミツタ面積比とし、トランジスタQ2の
エミッタ電流に対し、N倍のエミッタ電流が流れる構成
とした場合には、前記の(1)式は次式となる。
ここで、Nの値が1以外ではベース電流の補償効果がな
くな、?、(x−N)の1倍された成分が電流比の誤差
として現れてくる。例えば、β=100でも、N=2で
は0.95%、N=3では1.9%もの誤差が生じてし
まうことになる。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、高精度で、電流
比を広範囲に設定できるようにした電流ミラー回路を提
供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、第1のトランジスタおよび第2のトラ
ンジスタのベース同士およびエミッタ同士を互いに接続
して、その共通エミッタを電流供給源に接続し、前記第
1.第2のトランジスタの電流比をN対1(但しN〉1
)に設定し、前記第2のトランジスタのコレクタにエミ
ッタを接続した第3のトランジスタを設け、前記第1の
トランジスタのコレクタを電流入力端子に接続し、前記
− 第3のトランジスタのコレクタを電流出力端子とする入
出力電流比N対1の電流ミラー回路において、前記第2
のトランジスタのベース・コレクタ間に、2/(N+1
)倍の変換比を有する第1の電流変換手段を介在させ、
前記第3のトランジスタのベースと前記電流入力端子と
の間に、N倍の変換比を有する第2の電流変換手段を介
在させたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の電流ミラー回路の基本回路
を示す回路図である。
第1図において、本実施例の基本回路は、入力電流I□
に対して1/N倍の出力電流 12を得ようとするもの
で、共通端子3にトランジスタQ2とエミッタ面積N倍
のトランジスタQ1のエミッタが接続され、ベースは共
通接続されている。共通ベースには、ベース電流の2/
(N+ 1 )倍の成分を取シ出す第1の電流変換手段
10が接続され、トランジスタQ2のコレクタへの電流
経路と6− なる。トランジスタQ2のコレクタにはトランジスタQ
3のエミッタが接続され、トランジスタQ3のコレクタ
は、電流出力端子2として出力電流I2が出力される。
トランジスタQ3のベースは、ベース電流113をN倍
する第2の電流変換手段2゜を介して、トランジスタQ
1のコレクタに接続され、その接続点を電流入力端子1
として、入力電流■□を与える構成となっている。
同様に、トランジスタのエミッタ接地電流増幅率をβ、
トランジスタQl、Q2の各々のコレクタ電流をIC□
、■o2、トランジスタQ3のベース電流をより3とし
て、入力電流l□と出力電流I2の関係を求めると、以
下のように表わされる。
工C1= N IC2 これら(3)式を解いて、 次式が得られる。
前記(4)式を前記(3)式へ代入して、次式が得られ
る。
以上のように、トランジスタQl、Q2の電流比Nと、
2つの電流変換手段10.20の係数Nが等しい場合に
は、前記(5)式が成立し、Nの値にかかわらず、第7
図の回路と同じ補償効果をもった高精度電流ミラー回路
を得ることができる。誤差成分は(1)式と同一の2/
(β2+2β+2)で与えられている。
ここで前述の第1図の電流変換手段10.20の具体例
につき、第2図と第3図により説明する。
第2図は第1の電流変換手段1oを最も基本的な電流ミ
ラー回路によ多構成したもので、エミッタとベースを共
通接続したトランジスタQ□□、Q02のうち、トラン
ジスタQllのコレクタと共通ベースの接続点を入力端
子11、トランジスタQ□2のコレクタを出力端子12
としている。トランジスタQ□、のエミッタ面積をQ□
2の27(N−1)倍に設定することで、共通端子13
と入力端子11との電流比は、(N+1)対2の関係に
なる。電流増幅率βを考慮して電流比を算出すると、(
N+が生じる。
第3図は第2の電流変換手段20を同様に電流ミラー回
路によ多構成したもので、第2図とは逆導電性のトラン
ジスタを用いている。トランジスタQ21のエミッタ面
積をQ22の1/(N−1)倍に設定することで、入力
端子21と共通端子23との電流比は、1対Nの関係に
なる。同じくβを考以上のように、第1図の回路を具体
化する際には、トランジスタQ、 、Q2の電流比Nと
、2つの電流変換手段10.20の係数とNは、厳密に
致させることは難しい。
そこで、第4図に示すように、第1の電流変換−ff= 手段10の係数をnl 、第2の電流変換手段20の係
数をn2として、入力電流11と出力電流I2の関係を
求めると、次式が得られる。
・・・・・・・・・・・・・・・(6)係数n□+”2
は、前述のように第2図と第3図のような簡単な回路を
用いた場合でも数パーセントの値(例えばN=2で、β
=100のとき、約1%)に収まるので、前記(6)式
は前記(5)式とほとんど同等となると考えてよい。従
って、設定すべき係数Nに対して、第2図において通常
発生する誤差を含む程度の係数n□、n2を実現するこ
とで、第1図で説明した本実施例の効果を得ることがで
きる。
第5図は第1図の実施例のよシ具体的な一例を示した回
路図である。第5図において、本例は、第1図のうち2
つの電流変換手段10.20を第2図と第3図とで実現
した複合電流ミラー回路である。PNPトランジスタQ
□IQ2の共通ベース10− には、第2図で示した電流ミラー回路の共通端子13が
接続され、トランジスタQl’、Q2のベース電流は入
力端子11側に2 / (N + t )倍の成分とな
って、トランジスタQ3のエミッタへ分配される。残シ
の(N−1)/(N+i )倍の成分は、出力端子12
から流出させて、接地している。また、トランジスタQ
3のベースには、第3図で示した電流ミラー回路の入力
端子21が接続され、トランジスタQ3のベース電流は
共通端子23側からN倍されて、電流入力端子1へ流出
する。N倍するために必要な(N−1)倍成分は、出力
端子22を介して電流供給源となる共通端子3から得て
いる。
第6図は本発明の他の実施例の電流ミラー回路を示す回
路図である。第2図において、本実施例は、N=2の場
合を示したものである。第1の電流変換手段10には、
第2図の電流ミラー回路をマルチコレクタPNP)ラン
ジスタQ□3で構成したものを用いている。また、トラ
ンジスタQ□のコレクタと電流出力端子の間にはコレク
タ・ベースを短絡したトランジスタQ4とトランジスタ
Q5を直列に挿入して、トランジスタQ□とトランジス
タQ2とのコレクタ・エミッタ間電圧を一致させ、素子
特性の対称性を改善している。
以上本実施例は、前記従来回路のベース電流補償効果を
、電流比1対1ではなく、入力電流に対して出力電流を
l/N倍(但し、Nは1よシ大きい任意の実数)に設定
できる高精度電流ミラー回路であシ、第7図のトランジ
スタQ2のベース・コレクタ間に2/(N+1)倍の電
流変換手段を挿入シ、更にトランジスタQ3のベース電
流をN倍の電流変換手段を介して、電流入力端子に与え
る構成となっている。
以上説明したように、本発明は、電流ミラー回路を構成
するトランジスタのベース電流経路に、電流変換手段を
挿入することによシ、ベース電流による電流比の誤差を
補償し、高精度の電流ミラー回路を得ることができ、ま
た従来の高精度電流ミラー回路の電流比は1対1に限ら
れていたが、本発明は、入力に対して出力電流を減少さ
せる方向に任意の比率で設定することができるという効
果がある。尚、前記実施例では、PNPトランジスタが
主体となる回路を示したが、これをNPNトランジスタ
に置き換えても、同様の効果が得られることは明白であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の電流ミラー回路の基本回路
を示す回路図、第2図と第3図は各々電流変換手段の具
体例を示す回路図、第4図は第1図の電流変換係数の影
餐を説明するための基本回路図、第5図は第1図の実施
例のよシ具体的な一例の回路図、第6図は本発明の他の
実施例の電流ミラー回路を示す回路図、第7図は従来か
ら用いられている高精度電流ミラー回路の基本回路図で
ある。 Q□lQ2?Q31Q4#Q11+Q121Q13・・
・PNP)ランジスタ、Q5=Q2□、Q2□・・・N
PN )ランジスタ、10・・・第1の電流変換手段、
20・・・第2の電流変換手段、1・・・電流入力端子
、2・・・電流出力端子、13− 3・・・共通端子、 4・・・電流供給源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  第1のトランジスタおよび第2のトランジスタのベー
    ス同士およびエミッタ同士を互いに接続して、その共通
    エミッタを電流供給源に接続し、前記第1、第2のトラ
    ンジスタの電流比をN対1(但しN>1)に設定し、前
    記第2のトランジスタのコレクタにエミッタを接続した
    第3のトランジスタを設け、前記第1のトランジスタの
    コレクタを電流入力端子に接続し、前記第3のトランジ
    スタのコレクタを電流出力端子とする入出力電流比N対
    1の電流ミラー回路において、前記第2のトランジスタ
    のベース・コレクタ間に、2/(N+1)倍の変換比を
    有する第1の電流変換手段を介在させ、前記第3のトラ
    ンジスタのベースと前記電流入力端子との間に、N倍の
    変換比を有する第2の電流変換手段を介在させたことを
    特徴とする電流ミラー回路。
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Cited By (2)

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