JPH03119712A - 圧電部品用リードフレームの製造方法 - Google Patents
圧電部品用リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH03119712A JPH03119712A JP1257421A JP25742189A JPH03119712A JP H03119712 A JPH03119712 A JP H03119712A JP 1257421 A JP1257421 A JP 1257421A JP 25742189 A JP25742189 A JP 25742189A JP H03119712 A JPH03119712 A JP H03119712A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- bath
- plating
- base material
- higher aliphatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、圧電部品用リードフレームの製造方法に関す
るもので、特にセラミック発振子。
るもので、特にセラミック発振子。
セラミックフィルターのリードフレームの表面特性を改
良したものである。
良したものである。
セラミック発振子、セラミックフィルターは圧電セラミ
ックの機械的な共振を利用した受動部品である。このリ
ードフレームはセラミックとの接触圧力、接触抵抗及び
耐摩耗性が長期に渡り安定していること、及び半田接続
性が優れていることが要求され、従来からＣｕ合金から
なる基材上に、厚さ０．５μｍ以上のＡｇ又はＡｇ合金
を被覆した材料が使用されている。
ックの機械的な共振を利用した受動部品である。このリ
ードフレームはセラミックとの接触圧力、接触抵抗及び
耐摩耗性が長期に渡り安定していること、及び半田接続
性が優れていることが要求され、従来からＣｕ合金から
なる基材上に、厚さ０．５μｍ以上のＡｇ又はＡｇ合金
を被覆した材料が使用されている。
Ａｇ又はＡｇ合金を被覆したリードフレームは、樹脂封
止を行う時の超音波溶着の振動及び使用時の共振により
、Ａｇ又はＡｇ合金が磨耗し、基材であるＣｕ合金が露
出して酸化し、接触抵抗が上昇する問題があった。
止を行う時の超音波溶着の振動及び使用時の共振により
、Ａｇ又はＡｇ合金が磨耗し、基材であるＣｕ合金が露
出して酸化し、接触抵抗が上昇する問題があった。
またリードフレームに高価なＡｇを使用しているため、
材料コストが高く、Ａｇ被覆厚の低減が望まれているが
、Ａｇの薄肉化は経時的に基材成分の拡散によるＡｇ表
面の汚染が発生し、電気接続性及び半田接続性が劣化す
るため、最低でも厚さ０．５μｍ以上のＡｇが必要とさ
れていた。
材料コストが高く、Ａｇ被覆厚の低減が望まれているが
、Ａｇの薄肉化は経時的に基材成分の拡散によるＡｇ表
面の汚染が発生し、電気接続性及び半田接続性が劣化す
るため、最低でも厚さ０．５μｍ以上のＡｇが必要とさ
れていた。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、耐摩耗性に優れ、
かつ安価な圧電部品用リードフレームの製造方法を開発
したものである。
かつ安価な圧電部品用リードフレームの製造方法を開発
したものである。
即ち本発明は、金属基材上に、厚さ０．０１μｍ以上の
Ｎｉ、 Ｃ：、ｃ）の何れか又は両者の合金をメッキし
た後、Ａｇ又はＡｇ合金をメッキし、しかる後高級脂肪
族アミン、メルカプタンの何れか又は両者の混合物を０
．０５〜５％含有する溶液中に浸漬処理することを特徴
とするものである。
Ｎｉ、 Ｃ：、ｃ）の何れか又は両者の合金をメッキし
た後、Ａｇ又はＡｇ合金をメッキし、しかる後高級脂肪
族アミン、メルカプタンの何れか又は両者の混合物を０
．０５〜５％含有する溶液中に浸漬処理することを特徴
とするものである。
本発明は、上記の如く、金属基材上にＮｉ。
ＣＯ又は両者の合金をメッキするのは、Ａｇ薄肉化に伴
う基材成分の拡散によるＡｇ表面の汚染を防止する拡散
バリヤーを形成するためであり、その厚さは０．０１μ
ｍ以上で効果が発揮される。
う基材成分の拡散によるＡｇ表面の汚染を防止する拡散
バリヤーを形成するためであり、その厚さは０．０１μ
ｍ以上で効果が発揮される。
Ａｇ又はＡｇ合金メッキ厚は拡散バリヤーの形成により
薄肉化が可能となり、０．１μｍ以上で安定した電気特
性が得られる。また高級脂肪族アミン、メルカプタンの
何れか又は両者の混合物を０．０５〜５％含有する溶液
中に浸漬処理するのは、耐摩耗性を改善するためであり
、アミン、メルカプタンの処理皮膜は接触抵抗を上昇さ
せることなく、摩擦係数を低減することができる。
薄肉化が可能となり、０．１μｍ以上で安定した電気特
性が得られる。また高級脂肪族アミン、メルカプタンの
何れか又は両者の混合物を０．０５〜５％含有する溶液
中に浸漬処理するのは、耐摩耗性を改善するためであり
、アミン、メルカプタンの処理皮膜は接触抵抗を上昇さ
せることなく、摩擦係数を低減することができる。
本発明における基材としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金又はＣｕ
やＣｕ合金を被覆した複合材、例えば銅被覆鋼材、銅被
覆アルミニウム材、その他Ｎｉ、Ｆｅ又はこれ等の合金
が用いられる。これ等基材上にワット浴、スルファミン
酸浴、塩化物浴を用いてＮｉ、Ｃｏ又はこれ等の合金を
メッキし、次いでシアン浴、硝酸浴、チオシアン酸浴、
ヨウ化浴を用いてＡｇ又はＡｇ合金メッキを施す。
やＣｕ合金を被覆した複合材、例えば銅被覆鋼材、銅被
覆アルミニウム材、その他Ｎｉ、Ｆｅ又はこれ等の合金
が用いられる。これ等基材上にワット浴、スルファミン
酸浴、塩化物浴を用いてＮｉ、Ｃｏ又はこれ等の合金を
メッキし、次いでシアン浴、硝酸浴、チオシアン酸浴、
ヨウ化浴を用いてＡｇ又はＡｇ合金メッキを施す。
これを高級脂肪族アミン、メルカプタンの何れか又は両
者の混合物を含む溶液中に浸漬処理する。アミン、メル
カプタンの何れか又は両者の混合物を含有する溶液とし
ては、これ等の何れか１種又は両種の混合物を０．０５
〜５％含有する溶液を用いる。高級脂肪族アミンとして
は、例えばドデシルアミン、アイコシルアミン、ノニル
アミン等を用い、高級脂肪族メルカプタンとしては、例
えばドデシルメルカプタン、オクダテシルメルカブタン
、アイコシルメル力ブタン、ノニルメルカプタン等を用
いる。
者の混合物を含む溶液中に浸漬処理する。アミン、メル
カプタンの何れか又は両者の混合物を含有する溶液とし
ては、これ等の何れか１種又は両種の混合物を０．０５
〜５％含有する溶液を用いる。高級脂肪族アミンとして
は、例えばドデシルアミン、アイコシルアミン、ノニル
アミン等を用い、高級脂肪族メルカプタンとしては、例
えばドデシルメルカプタン、オクダテシルメルカブタン
、アイコシルメル力ブタン、ノニルメルカプタン等を用
いる。
尚Ａｇ又はＡｇ合金メッキと高級脂肪族アミン、メルカ
プタンの処理の間にメッキ条に圧延加工を施すこともで
きる。
プタンの処理の間にメッキ条に圧延加工を施すこともで
きる。
以下本発明方法の実施例について説明する。
厚さ０．１ｍ１ｍ、幅３０１．長さ ＩＯｈｍのＣ５２
１２条（ＥＨ材）を電解脱脂、水洗、酸洗、水洗の前処
理を行った後、第１表に示すメッキ及び高級脂肪族アミ
ン、メルカプタンの処理を行ってリードフレームを作製
した。
１２条（ＥＨ材）を電解脱脂、水洗、酸洗、水洗の前処
理を行った後、第１表に示すメッキ及び高級脂肪族アミ
ン、メルカプタンの処理を行ってリードフレームを作製
した。
これ等について下記条件により微動摩耗接触抵抗と、動
摩擦係数と、大気中１５０℃に加熱後の接触抵抗を測定
した。その結果を第２表に示す。
摩擦係数と、大気中１５０℃に加熱後の接触抵抗を測定
した。その結果を第２表に示す。
微動摩耗接触抵抗は、ヘッド頭部半径５＋ｕ＋ｎのＡｇ
棒を用い、荷重５ｇ、通電電流１０ｉ＾、摺動距離０．
１ｍｍ、摺動速度Ｈ［ｌＨｚ、摺動回数２０万回の条件
で測定した。動摩擦係数はヘッド頭部半径５ｍｍのＡｇ
棒を用い、荷重１０ｇ、摺動距離ｌ０ｉｎ、摺動回数２
００回の条件で測定した。また大気中１５０℃に加熱後
の接触抵抗は、１日、５日。
棒を用い、荷重５ｇ、通電電流１０ｉ＾、摺動距離０．
１ｍｍ、摺動速度Ｈ［ｌＨｚ、摺動回数２０万回の条件
で測定した。動摩擦係数はヘッド頭部半径５ｍｍのＡｇ
棒を用い、荷重１０ｇ、摺動距離ｌ０ｉｎ、摺動回数２
００回の条件で測定した。また大気中１５０℃に加熱後
の接触抵抗は、１日、５日。
２０日、４０日加熱後の接触抵抗を、ヘッド頭部半径５
ｉｍのＡｇ棒を用い、荷重５ｇ、電流１０ｍＡの条件で
測定した。
ｉｍのＡｇ棒を用い、荷重５ｇ、電流１０ｍＡの条件で
測定した。
第１表及び第２表から明らかなように、Ｃｕ合金基材上
にＮｉ又はＣＯをメッキし、次いでＡｇメッキ後高級脂
肪族アミン、メルカプタンを含有する溶液中で浸漬処理
した本発明方法Ｎα３〜６によるものは、従来方法定１
〜２に比べて微動摩耗による接触抵抗と摩擦係数及び加
熱後の接触抵抗が改善されていることが判る。
にＮｉ又はＣＯをメッキし、次いでＡｇメッキ後高級脂
肪族アミン、メルカプタンを含有する溶液中で浸漬処理
した本発明方法Ｎα３〜６によるものは、従来方法定１
〜２に比べて微動摩耗による接触抵抗と摩擦係数及び加
熱後の接触抵抗が改善されていることが判る。
これに対し本発明方法から外れる比較方法では微動摩耗
による接触抵抗と加熱後の接触抵抗の何れかが劣ること
が判る。
による接触抵抗と加熱後の接触抵抗の何れかが劣ること
が判る。
このように本発明によれば、微動摩耗による接触抵抗と
摩擦係数及び加熱後の接触抵抗が優れ、Ａｇの使用量を
１／２以下にすることができるためコストダウンが可能
になる等工業上顕著な効果を奏するものである。
摩擦係数及び加熱後の接触抵抗が優れ、Ａｇの使用量を
１／２以下にすることができるためコストダウンが可能
になる等工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (1)
- 金属基材上に、厚さ０．０１μｍ以上のＮｉ，Ｃｏの
何れか又は両者の合金をメッキした後、Ａｇ又はＡｇ合
金をメッキし、しかる後高級脂肪族アミン，メルカプタ
ンの何れか又は両者の混合物を０．０５〜５％含有する
溶液中に浸漬処理することを特徴とする圧電部品用リー
ドフレームの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1257421A JPH03119712A (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 圧電部品用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1257421A JPH03119712A (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 圧電部品用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03119712A true JPH03119712A (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=17306135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1257421A Pending JPH03119712A (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 圧電部品用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03119712A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897914A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Fujitsu Ltd | 表面波フイルタの端子処理方法 |
| JPS5938736A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-02 | Toshiba Corp | Ｘ線記録媒体カセツテ |
| JPS607161A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-01-14 | Masami Kobayashi | ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 |
| JPS62104059A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-02 JP JP1257421A patent/JPH03119712A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897914A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Fujitsu Ltd | 表面波フイルタの端子処理方法 |
| JPS5938736A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-02 | Toshiba Corp | Ｘ線記録媒体カセツテ |
| JPS607161A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-01-14 | Masami Kobayashi | ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 |
| JPS62104059A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
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