JPS5897914A - 表面波フイルタの端子処理方法 - Google Patents

表面波フイルタの端子処理方法

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JPS5897914A
JPS5897914A JP56197084A JP19708481A JPS5897914A JP S5897914 A JPS5897914 A JP S5897914A JP 56197084 A JP56197084 A JP 56197084A JP 19708481 A JP19708481 A JP 19708481A JP S5897914 A JPS5897914 A JP S5897914A
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JP
Japan
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lead frame
lead
plated
bonding
nickel
Prior art date
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Pending
Application number
JP56197084A
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English (en)
Inventor
Junji Inui
乾　順治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は結晶叛の表面波伝播を応用した高周波＊＠累子
に係り、特に周波数領域の拡大化に対処するフィルタチ
ップとチップ外装端子となるリードフレームあるいはキ
ャンタイプステムとの接続手段を改良した表面波フィル
タの端子処理方法に（２）従来技術と問題点 従来のＬＣフィルタを集積化、固体化した表面波フィル
タは各種の通信機器やＴＶ受像機に賞月されている。表
面波フィルタは例えば、＠１図図示の組立体を樹脂外装
構成のＳＩＰ容器（ＳｉｎｇｌｅＩｎ−１ｉｎｅ　Ｐａ
ｃｋａｇ＠５’を略してＳＩＰと呼ぶ）に収めるか、又
は第２図の気密性の高い外装答＠Ｔ。
−８に収納する。
本発明は係る実装画工１￥における組立、フィルタチッ
プ２と外部リード端子との超背波ボンディング接続に係
シ、特に外部リード端子の表面処理につき提示するもの
である。
従来、外部リード端子の表面処理は、端子リード予形成
のリードフレーム１と、該フレームを担体砿とし表面に
貼着載置したフィルタチップ２の電極形成部６とのボン
ディング接続の接続強度を高くとることから全面ニッケ
ルめっきとしていた（第１図＃１ｆｅＤ。しかしながら
、表面波フィルタの適用周波数ｆ領域が３０ＭＨｚもし
くはそれ以上とな面のニッケルは端子伝播抵抗が次式の
表皮厚さハにより増大し、表面波フィルタに対する誘導
レベルが所論する。
１ 式中、σは導（４、μは透磁率である。
つまり、ニッケルはボンディング強度は高いが強磁性体
　μ≧１００（μｍａｘ＝４００）であるため不都合で
ある。
（３）発明の目的 端子リードの前記の表皮厚さを従来に比し１桁以下低減
させ、前記リード端子の伝播抵抗を低減することにある
。
（４）発明の構成 少くともリードフレームのボンディング面ハニッケルめ
っ急がされ、前記リード端子面は銀又は銅何れかのめつ
き処理がされていることを％徴とするリード端子の処理
方法である。
（５）発明の実施例 、Ｉｔ図と第２図は、基本的累子形成完了後のフィルタ
チップとＳＩＰ端子形成のリードフレームとをボンディ
ング接続する正面図、及びＴＯ−８形キヤン用ステムに
前記同様のフィルタチップをボンディング接続する斜視
図である。
第１図において、１は燐青銅等バネ材と打抜きしたリー
ドフレーム、２はリードフレームにダイシングされたフ
ィルタチップ、該チップ２内の３はフィルタ入力部のす
だれ状電極形成部、４は出力部をなすすだれ状ｍ極形成
部及び５は入出力間すだれ状′成極間に設ける伝送波面
の強度を一様に揃えるマルチストリッグカプラ、及び６
と７は共に前記フィルタチップに設けたボンディング電
極、６は入出力用の電極又７は接地電極である。
図示状態にダイシングされたフィルタチップは超音波ボ
ンディング法により、前記各磁極とリードフレームの端
子リード９間を最短距離に細アルミワイヤ８が布縁式れ
る。
本発明は、リードフレーム１の剖紀ボンディング被５ｉ
ｉＦ部のみ限定し、強度が高いニッケルめっきを施し、
前記ボンディング被看面以外のリードフレー人聞は、電
気的にしかも高周波伝播にさいし減衰の少い透８１軍ｅ
）が１に等価な常磁性金属としての一文は鋼何れかをめ
っきすることである。
前１１派足ニッケルめっきは庁１９ｊｌ：めっき面のみ
窓めけした部分めっき装置に連続してリードフレーム成
形体１を送入すれば容易に−ＡＭｉＬ倚る０この場合、
めっき厚嘔は最小１μｌｌｌ根嵐゛あれば十分である。
即ち、Ｍ１図のリード端子９の上端部図示１００幅該当
部分をニッケルめっきし表向処理する。
尚、第１図中リードフレーム下方の通結部１１は前記ポ
ンディング法統、これに続く衝脂外装の成形光子ののち
切除される。
４２図の実施ｓ、ＴＯ−８形キヤン用ステムにフィルタ
チップがダイシングされた側御において、本発明の＊部
処理は図示リード端子９の頭部」０をニッケルめっきす
ると共に、リード端子９０表向は゛に弾性かつ１％導電
嬶の一文をよ鋼１Ｌ＋１れかのめつき処４ｔ−すｒｔば
よい。
囚に―ｄｉ２！Ｊ！施例第１図の端子リード９に通用し
九本発明の端子リードと従来端子リード、即ち全面ニッ
ケルめっきしたリードとを３６ＭＨｚで計測した比較を
示すと、従来品が２７０鶴Ω（抵抗値）であるのに対し
、本発明のリード端子特に前記ニッケルと銅とのめつき
処理になるリードでは前記抵抗値は６．３潟Ωとなる。
（６）発明の効果 前記本発明の端子リード処理をしたものでは、例えばＳ
ＩＰ形３６ＭＨｚ表面波フィルタについてみると、誘導
レベルが一４８ｄＢであったものが、−５４ｄＢと更に
低い誘導レベルに押えられ、併せて表面フィルタの高周
波遮断特性が改嵜される。
かかる観点から本発明の実用価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る対象リードフレームのボンディン
グ接続を示す正面図、及び第２図は本発明に係るフィル
タチップをボンディング接続するＴＯ−８形ステムの斜
視図である。 図中、１はリードフレーム、２はフィルタチップ、３と
４はすだれ状フィルタ１を他、６は２の電他、８はポン
ディングワイヤ、９はリード端子又は端子リード、及び
１ｏはニッケルめっき又は９の頭部である。 Ｐノ図 −ス図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表面波振動素子が形成されたフィルタチップの電極とリ
    ード端子予形成のリードフレーム等とを超音仮ポンディ
    ／グ法により接続する表面波フィルタの前、４６１３−
    ド端子の表面処理において、少くともリードフレームの
    ボンディング面はニッケルめっきがされ、前記リード端
    子面は銀又は鋼何れかのめっき処理がされてなる表面波
    フィルタの端子処理方法。
JP56197084A 1981-12-08 1981-12-08 表面波フイルタの端子処理方法 Pending JPS5897914A (ja)

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ID=16368450

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JP56197084A Pending JPS5897914A (ja) 1981-12-08 1981-12-08 表面波フイルタの端子処理方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03119712A (ja) * 1989-10-02 1991-05-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 圧電部品用リードフレームの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03119712A (ja) * 1989-10-02 1991-05-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 圧電部品用リードフレームの製造方法

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