JPH03120608A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッド

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JPH03120608A
JPH03120608A JP25899489A JP25899489A JPH03120608A JP H03120608 A JPH03120608 A JP H03120608A JP 25899489 A JP25899489 A JP 25899489A JP 25899489 A JP25899489 A JP 25899489A JP H03120608 A JPH03120608 A JP H03120608A
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film
protective film
base film
magnetic head
ceramic structure
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Mikio Matsuzaki
幹男 松崎
Shunichi Katase
駿一 片瀬
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、スライダの一端面に読み書き素子及び保護膜
を付着させた浮上型の薄膜磁気ヘッドに関し、読み書き
素子用の下地膜及び読み書き素子を覆う保護膜を、スラ
イダを構成するセラミック構造体の端縁よりは内側に形
成することにより、切断加工時の下地膜及び保護膜のク
ラック、欠は等を防止すると共に、保護膜上に塗布され
る外装樹脂の流出及び付着を阻止できるようにしたもの
である。
〈従来の技術〉 浮上型薄膜磁気ヘッドは、磁気ディスクに対して相対的
に移動する時に空気の粘性によフて発生する動圧を利用
して、磁気ディスク面との間に微小な浮上量を発生させ
るようにしたものである。
その一般的な構造は、第7図に示すように、スライダ1
の空気流出方向の端面に、読み書き素子2を付着させ、
読み書き素子2を保護膜3で覆った構造となっている。
スライダ1としては、磁気ディスクとの対向面側に間隔
をおいて突設したレール部102の表面に、浮上面10
3を形成すると共に、浮上面103の空気流入方向の端
部に、テーパ面103aを設けたいわゆるテーパ。
フラット型のもの、テーパ面を持たないもの、更にはレ
ール部を持たないもの等、種々のタイプのものが提案さ
れている。
スライダ1は、セラミック構造体11の表面111上に
下地膜12を有しており、読み書き素子2及び保護膜3
は下地膜12の表面121の上に付着されている。下地
膜12はその上に付着される読み書き素子2及び保護膜
3をセラミック構造体11上に強固に付着させるため、
或いは、セラミック構造体11がAl2O3・Tic等
の導電性を有するセラミック材料で構成されているとき
は、読み書き素子2に対する電気絶縁性を確保する手段
として設けられるものである。下地膜12を構成する材
料としては、AhOsやSin、等の電気絶縁セラミッ
クが知られている。下地g12はこれらのセラミック材
料を、セラミック構造体11の端面111上にスパッタ
して形成するが一般的である。
4は読み書き素子2のリード導体であり、保護[3の表
面に形成されている。
読み書き素子2はIC製造テクノロジと同様のプロセス
にしたがって形成された薄膜素子でなる。第8図は読み
書き素子2の付近の拡大断面図で、21はパーマロイ等
でなる下部磁性膜、22はAl2O5・5102等で形
成された間隔膜、23.24はコイル導体、25〜27
はフォトレジスト等で形成された膜間絶縁膜、28はパ
ーマロイ等でなる上部磁性膜である。下部磁性膜21及
び上部磁性膜28は間隔膜22を介して対向する読み書
きポール部211及び281を有すると共に、ボール部
211及び281に連続するヨーク部212及び282
を有している。ヨーク部212及び281は、後方領域
で互いに結合されている。コイル導体23.24はヨー
ク部212及び282の後方領域に3ける結合部のまわ
りを渦巻状に回るように形成されている。
保護膜3はAl2O3または5IO2等のスパッタ膜と
して、読み書き素子2及び下地膜12の表面121の全
面を覆うように形成されている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘッドには次の
ような問題点があった。
(イ)磁気ディスク装置に装着して使用するに当り、第
9図に示すように、読み書き素子2のリード導体4にリ
ード線5を溶接6等の手段によって固着し、更にリード
線5を接続した部分の電気絶縁及び保護のため、浮上面
103側と対向する上面104側に寄せて、外装樹脂7
を塗布する。ところが、従来の薄膜磁気ヘッドでは、保
護膜3及び下地膜12を、セラミック構造体11の端面
111の略全面を覆うように形成してあり、セラミック
構造体11の端縁と、下地膜12及び保護PIA3の端
縁が同一面上に位置するため、外装樹脂7が浮上面10
3の反対側にある上面104に流出して付着し、外形寸
法が変化してしまうという問題点があった。これを除く
ために、上面104に付着した外装樹脂71を拭き取る
作業が必要になり、製造能率が悪くなる。
(ロ)保護膜3及び下地膜12を、セラミック構造体1
1の端面ittの略全面を覆うように形成しであるため
、切断加工時またはその後に、保護膜3及び下地膜室2
にクラックや欠けが発生し易く、信頼性の低下、歩留り
低下を招くという問題点があった。第10図はこの種の
薄膜磁気ヘッドの製造工程を概略的に示す図である。ま
ず、第10図(a)に示すように、セラミック構造体1
1の上に下地膜12を付着させたウェハー上に、読み書
き素子2を有し保護膜3によって被覆されたベツドピー
ス群H8〜Hnを形成しておき、これらのへッドビース
群H+−)1nを切断位置(X +  X +)〜(X
n  Xn)で切断する。これにより、第10図(b)
に示すようなヘッドピース群H3〜)Inが切出される
次に第10図(C)に示すように、切出されたヘッドピ
ース群H1〜Hnに対し、スライダとして必要な溝入れ
加工、研磨加工等を施した後、切断位置(Y+−Y+)
〜(Yn −Yn)で切断してヘッドピースを得る。
ここで、第7図に説明したように、セラミック構造体1
1の端面111の略全面を覆うように、保護膜3及び下
地膜12を形成した薄膜磁気ヘッドを効率良く得るため
、保護膜3及び下地膜12はへッドビース群H1−”H
nにおいて連続するように形成しである。従って、切断
位置(Xl−X+)〜(Xn  Xn)及び(Y+  
Y、)〜(Yn−Yn)で切断した場合、第11図に示
すように、セラミック構造体11と保護膜3及び下地膜
12とが、カッタ8によって同時に切断される。ところ
が、セラミック構造体11がAl2O3・Tic等でな
るのに対し、保護膜3及び下地膜12は^1203また
は5in2等のスパッタ膜で形成されているため、同一
のカッタ8によって同時に切断した場合、保護膜3及び
下地膜12にクラックや欠け31が発生し、歩留りが低
下してしまうという問題点があった。
クラックや欠け31を防止しようとすれば、保護膜3及
び下地膜12とセラミ、ツク構造体1!とを、その材質
に適した別々のカッタを用いて、別工程で行なわなけれ
ばならず、作業能率が低下する。
上述の問題点解決を目的とした先行技術として、特開昭
64−46216号公報、特開昭62−73411号公
報等に記載された技術がある。しかし、この先行技術で
は保護膜のクラック、欠けは防止できるものの、下地膜
のクラック、欠けを防止することができなかった。
そこで、本発明の課題は、上述する問題点を解決し、切
断加工時の下地膜及び保護膜のクラック、欠は等を防止
すると共に、塗布される外装樹脂の流出及び付着を阻止
し得るようにした薄膜磁気ヘッドを提供することである
く課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明は、スライダの一端面
に読み書き素子及びこの読み書き素子を覆う保護膜を付
着させた薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、セラミック構造体の上に付着された下
地膜を有しており、 前記読み書き素子及び前記保護膜は、前記下地膜の上に
付着されており、 前記下地膜及び前記保護膜は、少なくとも前記浮上面側
と対向する上面側において、前記セラミック構造体の端
縁との間に間隔が生じるように、前記セラミック構造体
の端縁よりは内側に形成されていること を特徴とする。
く作用〉 下地膜及び保護膜は、少なくとも浮上面側と対向する上
面側において、セラミック構造体の@縁との間に間隔が
生じるように、セラミック構造体の端縁よりは内側に形
成されているので、保護膜及び下地膜とセラミック構造
体の端縁との間に、前記間隔による段差部が発生し、こ
の段差部が保護膜表面に塗布される外装樹脂の流れ止め
どなり、スライダの上面に対する外装樹脂の流出及び付
着が防止される。
また、製造工程において、ウェハーからヘッドピース群
及びヘッドピースを切断して切出す場合、保護膜及び下
地膜を貫通してセラミック構造体の露出する凹溝を形成
しておぎ、この凹溝によりカッタに対する逃げ部を構成
し、保護膜及び下地膜にクラック、欠けが発生するのを
防止できる。
ヘッドピース化した後の取扱いにおいても、段差部が保
護膜及び下地膜に対す侭謹バリアとなり、外部部材との
接触による保護膜のクラック、欠けが防止できる。
(実施例〉 第1図は本発明に係る浮上型薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す斜視図、第2図は同じ(空気流出端側から見た側
面図である。図において、第7図と同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。この実施例では、保J
i膜3及び下地膜12は、少なくともスライダ1の浮上
面1o・1と対向する上面103側において、読み書き
素子2及び保護膜3及び下地膜12を付着させたセラミ
ック構造体11の端面111の端縁(イ)よりは間隔G
、たけ内側に形成しである。従って、端面111の端縁
(イ)と保護膜3及び下地膜12の端縁(ロ)との間に
は、間隔G、の段差部が形成される。実施例において、
段差部は、浮上面101のある面を除く各面114〜1
16と、端面111との交叉稜角によって形成される端
縁(イ)と、保護膜3及び下地膜12の端縁(ロ)との
間に連続して形成しである。
上述のように、保護膜3及び下地膜12を、読み書き素
子2及びセラミック構造体11の端面111の端縁(イ
)よりは間隔G1だけ内側に形成すると、第3図及び第
4図に拡大して示すように、間隔G、がリード線接続部
に塗布される外装樹脂7の流れ止めとなる。実施例では
、浮上面103のある面を除く各面104〜106及び
端面111の交叉稜角によって形成される端縁(イ)と
、保護膜3及び下地膜12の端縁(ロ)との間に、間隔
G1を連続して形成しであるので、スライダ1の上面1
04のみならず、側面105.106に対する外装樹脂
7の流出、付着が防止される。
また、ウェハーからヘッドピース群及びヘッドピースを
切断して切出す場合、第5図に示すように、ヘッドピー
ス群H,xHnを隔てる凹溝91及び各ヘッドピースを
隔てる凹溝92を予め形成しておくことにより、カッタ
8の両側にカッタ逃げ部を生じさせ、保1i11i3及
び下地膜12のクラック、欠けを防止できる。凹溝91
.92は保護膜3及び下地膜12を貫通してセラミック
構造体11の端面111に到達するように形成しておく
ヘッドピース化した後の取扱いにおいても、間隔G、が
保護膜3及び下地膜12に対する保護バリアとなり、外
部部材との接触による保護膜3及び下地膜12のクラッ
ク、欠けが防止できる。
上記実施例では、面内記録再生用薄膜磁気ヘッドを例に
とって説明したが、本発明は、垂直記録再生用薄膜磁気
ヘッドにも同様に適用できる。また、テーパ、フラット
型のものに限らず、テーバ面を持たないもの、更にはレ
ール部を持たないもの等、種々のタイプの薄膜磁気ヘッ
ドに広く適用できる。
〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。
(a)下地膜及び保護膜は、少なくとも浮上面側と対向
する上面側において、セラミック構造体の端縁との間に
間隔が生じるように、セラミック構造体の端縁よりは内
側に形成されているので、外装樹脂の流出及び付着がな
く、寸法精度及び浮上特性の安定した薄膜磁気ヘッドを
提供できる。
(b)ウェハーからヘッドピース群及びヘッドピースを
切断して切出す場合、保護膜及び下地膜のクラック及び
欠けを防止し、歩留りを向上させた薄膜磁気ヘッドを提
供できる。
(C)外部との接触による保護膜及び下地膜のクラック
及び欠けを防止し得る薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る浮上型薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す斜視図、第2″図は同じく空気流出端側から見た
側面図、第3図は同じく要部の拡大側面部分断面図、第
4図は同じく要部の拡・大平面部分断面図、第5図は本
発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を示す斜視
図、第6図は同じく切断工程を示す図、第7図は従来の
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第8図は読み書き素子付近の
拡大断面図、第9図は従来の問題点を示す図、第10図
(a)〜(C)は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示
す図、第11図は同じく製造工程における問題点を示す
図である。 1・・・スライダ   2・・・読み書き素子3・・・
保護膜 11・・・セラミック構造体 12・・・下地膜   Gl  ・・・間隔3 1 図 第2 図 とi λ2 図 第 図 第 図 第 図 1 手 続 ネ甫 工E 書 平成 2年 3月 6日 匡

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)スライダの一端面に、読み書き素子及びこの読み
    書き素子を覆う保護膜を付着させた薄膜磁気ヘッドであ
    って、 前記スライダは、セラミック構造体と、このセラミック
    構造体の上に付着された下地膜とを有しており、 前記読み書き素子及び前記保護膜は、前記下地膜の上に
    付着されており、 前記下地膜及び前記保護膜は、少なくとも前記浮上面側
    と対向する上面側において、前記セラミック構造体の端
    縁との間に間隔が生じるように、前記セラミック構造体
    の端縁よりは内側に形成されていること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. (2)前記下地膜及び前記保護膜は絶縁膜であること を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
JP25899489A 1989-10-04 1989-10-04 薄膜磁気ヘッド Granted JPH03120608A (ja)

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JP25899489A JPH03120608A (ja) 1989-10-04 1989-10-04 薄膜磁気ヘッド

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JPH03120608A true JPH03120608A (ja) 1991-05-22
JPH0557643B2 JPH0557643B2 (ja) 1993-08-24

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5634259A (en) * 1994-03-17 1997-06-03 Fujitsu Limited Method of manufacturing a magnetic head
US7142393B2 (en) 1994-03-17 2006-11-28 Fujitsu Limited Magnetic head and magnetic disk apparatus

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JPH0557643B2 (ja) 1993-08-24

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