JPH0557643B2 - - Google Patents
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- JPH0557643B2 JPH0557643B2 JP1258994A JP25899489A JPH0557643B2 JP H0557643 B2 JPH0557643 B2 JP H0557643B2 JP 1258994 A JP1258994 A JP 1258994A JP 25899489 A JP25899489 A JP 25899489A JP H0557643 B2 JPH0557643 B2 JP H0557643B2
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- protective film
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、スライダの一端面に読み書き素子及
び保護膜を付着させた浮上型の薄膜磁気ヘツドに
関し、読み書き素子用の下地膜及び読み書き素子
を覆う保護膜を、スライダを構成するセラミツク
構造体の端縁よりは内側に形成することにより、
切断加工時の下地膜及び保護膜のクラツク、欠け
等を防止すると共に、保護膜上に塗布される外装
樹脂の流出及び付着を阻止できるようにしたもの
である。
び保護膜を付着させた浮上型の薄膜磁気ヘツドに
関し、読み書き素子用の下地膜及び読み書き素子
を覆う保護膜を、スライダを構成するセラミツク
構造体の端縁よりは内側に形成することにより、
切断加工時の下地膜及び保護膜のクラツク、欠け
等を防止すると共に、保護膜上に塗布される外装
樹脂の流出及び付着を阻止できるようにしたもの
である。
＜従来の技術＞
浮上型薄膜磁気ヘツドは、磁気デイスクに対し
て相対的に移動する時に空気の粘性によつて発生
する動圧を利用して、磁気デイスク面との間に微
小な浮上量を発生させるようにしたものである。
その一般的な構造は、第８図に示すように、スラ
イダ１の空気流出方向の端面に、読み書き素子２
を付着させ、読み書き素子２を保護膜３で覆つた
構造となつている。スライダ１としては、磁気デ
イスクとの対向面側に間隔をおいて突設したレー
ル部１０２の表面に、浮上面１０３を形成すると
共に、浮上面１０３の空気流入方向の端部に、テ
ーパ面１０３ａを設けたいわゆるテーパ、フラツ
ト型のもの、テーパ面を持たないもの、更にはレ
ール部を持たないもの等、種々のタイプのものが
提案されている。
て相対的に移動する時に空気の粘性によつて発生
する動圧を利用して、磁気デイスク面との間に微
小な浮上量を発生させるようにしたものである。
その一般的な構造は、第８図に示すように、スラ
イダ１の空気流出方向の端面に、読み書き素子２
を付着させ、読み書き素子２を保護膜３で覆つた
構造となつている。スライダ１としては、磁気デ
イスクとの対向面側に間隔をおいて突設したレー
ル部１０２の表面に、浮上面１０３を形成すると
共に、浮上面１０３の空気流入方向の端部に、テ
ーパ面１０３ａを設けたいわゆるテーパ、フラツ
ト型のもの、テーパ面を持たないもの、更にはレ
ール部を持たないもの等、種々のタイプのものが
提案されている。
スライダ１は、セラミツク構造体１１の表面１
１１上に下地膜１２を有しており、読み書き素子
２及び保護膜３は下地膜１２の表面１２１の上に
付着されている。下地膜１２はその上に付着され
る読み書き素子２及び保護膜３をセラミツク構造
体１１上に強固に付着させるため、或いは、セラ
ミツク構造体１１がAl2O3・TiC等の導電性を有
するセラミツク材料で構成されているときは、読
み書き素子２に対する電気絶縁性を確保する手段
として設けられるものである。下地膜１２を構成
する材料としては、Al2O3やSiO2等の電気絶縁セ
ラミツクが知られている。下地膜１２はこれらの
セラミツク材料を、セラミツク構造体１１の端面
１１１上にスパツタして形成するが一般的であ
る。
１１上に下地膜１２を有しており、読み書き素子
２及び保護膜３は下地膜１２の表面１２１の上に
付着されている。下地膜１２はその上に付着され
る読み書き素子２及び保護膜３をセラミツク構造
体１１上に強固に付着させるため、或いは、セラ
ミツク構造体１１がAl2O3・TiC等の導電性を有
するセラミツク材料で構成されているときは、読
み書き素子２に対する電気絶縁性を確保する手段
として設けられるものである。下地膜１２を構成
する材料としては、Al2O3やSiO2等の電気絶縁セ
ラミツクが知られている。下地膜１２はこれらの
セラミツク材料を、セラミツク構造体１１の端面
１１１上にスパツタして形成するが一般的であ
る。
４は読み書き素子２のリード導体であり、保護
膜３の表面に形成されている。
膜３の表面に形成されている。
読み書き素子２はIC製造テクノロジと同様の
プロセスにしたがつて形成された薄膜素子でな
る。第９図は読み書き素子２の付近の拡大断面図
で、２１はパーマロイ等でなる下部磁性膜、２２
はAl2O3・SiO2等で形成された間隔膜、２３，２
４はコイル導体、２５〜２７はフオトレジスト等
で形成された膜間絶縁膜、２８はパーマロイ等で
なる上部磁性膜である。下部磁性膜２１及び上部
磁性膜２８は間隔膜２２を介して対向する読み書
きポール部２１１及び２８１を有すると共に、ポ
ール部２１１及び２８１に連続するヨーク部２１
２及び２８２を有している。ヨーク部２１２及び
２８１は、後方領域で互いに結合されている。コ
イル導体２３，２４はヨーク部２１２及び２８２
の後方領域における係合部のまわりのを渦巻状に
回るように形成されている。
プロセスにしたがつて形成された薄膜素子でな
る。第９図は読み書き素子２の付近の拡大断面図
で、２１はパーマロイ等でなる下部磁性膜、２２
はAl2O3・SiO2等で形成された間隔膜、２３，２
４はコイル導体、２５〜２７はフオトレジスト等
で形成された膜間絶縁膜、２８はパーマロイ等で
なる上部磁性膜である。下部磁性膜２１及び上部
磁性膜２８は間隔膜２２を介して対向する読み書
きポール部２１１及び２８１を有すると共に、ポ
ール部２１１及び２８１に連続するヨーク部２１
２及び２８２を有している。ヨーク部２１２及び
２８１は、後方領域で互いに結合されている。コ
イル導体２３，２４はヨーク部２１２及び２８２
の後方領域における係合部のまわりのを渦巻状に
回るように形成されている。
保護膜３はAl2O3またはSiO3等のスパツタ膜と
して、読み書き素子２及び下地膜１２の表面１２
１の全面を覆うように形成されている。
して、読み書き素子２及び下地膜１２の表面１２
１の全面を覆うように形成されている。
＜発明が解決しようとする課題＞
しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘツド
には次のような問題点があつた。
には次のような問題点があつた。
(イ) 磁気デイスク装置に装着して使用するに当
り、第１０図に示すように、読み書き素子２の
リード導体４にリード線５を溶接６等の手段に
よつて固着し、更にリード線５を接続した部分
の電気絶縁及び保護のため、浮上面１０３側と
対向する上面１０４側に寄せて、外装樹脂７を
塗布する。ところが、従来の薄膜磁気ヘツドで
は、保護膜３及び下地１２を、セラミツク構造
体１１の端面１１１の略全面を覆うように形成
してあり、セラミツク構造体１１の端縁と、下
地膜１２及び保護膜３の端縁が同一面上に位置
するため、外装樹脂７が浮上面１０３の反対側
にある上面１０４に流出して付着し、外形寸法
が変化してしまうという問題点があつた。これ
を除くために、上面１０４に付着したり外装樹
脂７１を拭き取る作業が必要になり、製造能率
が悪くなる。
り、第１０図に示すように、読み書き素子２の
リード導体４にリード線５を溶接６等の手段に
よつて固着し、更にリード線５を接続した部分
の電気絶縁及び保護のため、浮上面１０３側と
対向する上面１０４側に寄せて、外装樹脂７を
塗布する。ところが、従来の薄膜磁気ヘツドで
は、保護膜３及び下地１２を、セラミツク構造
体１１の端面１１１の略全面を覆うように形成
してあり、セラミツク構造体１１の端縁と、下
地膜１２及び保護膜３の端縁が同一面上に位置
するため、外装樹脂７が浮上面１０３の反対側
にある上面１０４に流出して付着し、外形寸法
が変化してしまうという問題点があつた。これ
を除くために、上面１０４に付着したり外装樹
脂７１を拭き取る作業が必要になり、製造能率
が悪くなる。
(ロ) 保護膜３及び下地膜１２を、セラミツク構造
体１１の端面１１１の略全面を覆うように形成
してあるため、切断加工時またはその後に、保
護膜３及び下地膜１２にクラツクや欠けが発生
し易く、信頼性の低下、歩留り低下を招くとい
う問題点があつた。第１１図はこの種の薄膜磁
気ヘツドの製造工程を概略的に示す図である。
まず、第１１図ａに示すように、セラミツク構
造体１１の上に下地膜１２を付着させたウエハ
ー上に、読み書き素子２を有し保護膜３によつ
て被覆されたヘツドピース群H1〜Hnを形成し
ておき、これらのヘツドピース群H1〜Hnを切
断位置（X1−X1）〜（Xn−Xn）で切断する。
これにより、第１１図ｂに示すようなヘツドピ
ース群H1〜Hnが切出される。
体１１の端面１１１の略全面を覆うように形成
してあるため、切断加工時またはその後に、保
護膜３及び下地膜１２にクラツクや欠けが発生
し易く、信頼性の低下、歩留り低下を招くとい
う問題点があつた。第１１図はこの種の薄膜磁
気ヘツドの製造工程を概略的に示す図である。
まず、第１１図ａに示すように、セラミツク構
造体１１の上に下地膜１２を付着させたウエハ
ー上に、読み書き素子２を有し保護膜３によつ
て被覆されたヘツドピース群H1〜Hnを形成し
ておき、これらのヘツドピース群H1〜Hnを切
断位置（X1−X1）〜（Xn−Xn）で切断する。
これにより、第１１図ｂに示すようなヘツドピ
ース群H1〜Hnが切出される。
次に第１１図ｃに示すように、切出されたヘ
ツドピース群H1〜Hnに対し、スライダとして
必要な溝入れ加工、研磨加工等を施した後、切
断位置（Y1−Y1）〜（Yn−Yn）で切断して
ヘツドピースを得る。
ツドピース群H1〜Hnに対し、スライダとして
必要な溝入れ加工、研磨加工等を施した後、切
断位置（Y1−Y1）〜（Yn−Yn）で切断して
ヘツドピースを得る。
ここで、第８図に説明したように、セラミツク
構造体１１の端面１１１の略全面を覆うように、
保護膜３及び下地膜１２を形成した薄膜磁気ヘツ
ドを効率良く得るため、保護膜３及び下地膜１２
はヘツドピース群H1〜Hnにおいて連続するよう
に形成してある。従つて、切断位置（X1−X1）
〜（Xn−Xn）及び（Y1−Y1）〜（Yn−Yn）で
切断した場合、第１２図に示すように、セラミツ
ク構造体１１と保護膜３及び下地膜１２とが、ダ
イヤモンドブレード等のカツタ８によつて同時に
切断される。ところが、セラミツク構造体１１が
Al2O3・TiC等でなるのに対し、保護膜３及び下
地膜１２はAl2O3またはSiO2等のスパツタ膜で形
成されているため、同一のカツタ８によつて同時
に切断した場合、保護膜３及び下地膜１２にクラ
ツクや欠け３１が発生し、歩留りが低下してしま
うという問題があつた。
構造体１１の端面１１１の略全面を覆うように、
保護膜３及び下地膜１２を形成した薄膜磁気ヘツ
ドを効率良く得るため、保護膜３及び下地膜１２
はヘツドピース群H1〜Hnにおいて連続するよう
に形成してある。従つて、切断位置（X1−X1）
〜（Xn−Xn）及び（Y1−Y1）〜（Yn−Yn）で
切断した場合、第１２図に示すように、セラミツ
ク構造体１１と保護膜３及び下地膜１２とが、ダ
イヤモンドブレード等のカツタ８によつて同時に
切断される。ところが、セラミツク構造体１１が
Al2O3・TiC等でなるのに対し、保護膜３及び下
地膜１２はAl2O3またはSiO2等のスパツタ膜で形
成されているため、同一のカツタ８によつて同時
に切断した場合、保護膜３及び下地膜１２にクラ
ツクや欠け３１が発生し、歩留りが低下してしま
うという問題があつた。
上述の問題点解決を目的とした先行技術とし
て、特開昭64−46216号公報、特開昭62−73411号
公報等に記載された技術がある。しかし、この先
行技術では保護膜のクラツク、欠けは防止できる
ものの、下地膜のクラツク、欠けを防止すること
ができなかつた。
て、特開昭64−46216号公報、特開昭62−73411号
公報等に記載された技術がある。しかし、この先
行技術では保護膜のクラツク、欠けは防止できる
ものの、下地膜のクラツク、欠けを防止すること
ができなかつた。
そこで、本発明の課題は、上述する問題点を解
決し、切断加工時の下地膜及び保護膜のクラツ
ク、欠け等を防止すると共に、塗布される外装樹
脂の流出及び付着を阻止し得るようにした薄膜磁
気ヘツドを提供することである。
決し、切断加工時の下地膜及び保護膜のクラツ
ク、欠け等を防止すると共に、塗布される外装樹
脂の流出及び付着を阻止し得るようにした薄膜磁
気ヘツドを提供することである。
＜課題を解決するための手段＞
上述する課題解決のため、本発明は、スライダ
の一端面に読み書き素子及びこの読み書き素子を
覆う保護膜を付着させた薄膜磁気ヘツドであつ
て、 前記スライダは、セラミツク構造体の上に付着
された下地膜を有しており、 前記読み書き素子及び前記保護膜は、前記下地
膜の上に付着されており、 前記下地膜及び前記保護膜は、少なくとも前記
浮上面側と対向する上面側において、前記セラミ
ツク構造体の端縁との間に感覚が生じるように、
前記セラミツク構造体の端縁よりは内側に形成さ
れていること を特徴とする。
の一端面に読み書き素子及びこの読み書き素子を
覆う保護膜を付着させた薄膜磁気ヘツドであつ
て、 前記スライダは、セラミツク構造体の上に付着
された下地膜を有しており、 前記読み書き素子及び前記保護膜は、前記下地
膜の上に付着されており、 前記下地膜及び前記保護膜は、少なくとも前記
浮上面側と対向する上面側において、前記セラミ
ツク構造体の端縁との間に感覚が生じるように、
前記セラミツク構造体の端縁よりは内側に形成さ
れていること を特徴とする。
＜作用＞
下地膜及び保護膜は、少なくとも浮上面側と対
向する上面側において、セラミツク構造体の端縁
との間に間隔が生じるように、セラミツク構造体
の端縁よりは内側に形成されているので、保護膜
及び下地膜とセラミツク構造体の端縁との間に、
前記間隔による段差部が発生し、この段差部が保
護表面に塗布される外装樹脂の流れ止めとなり、
スライダの上面に対する外装樹脂の流出及び付着
が防止される。
向する上面側において、セラミツク構造体の端縁
との間に間隔が生じるように、セラミツク構造体
の端縁よりは内側に形成されているので、保護膜
及び下地膜とセラミツク構造体の端縁との間に、
前記間隔による段差部が発生し、この段差部が保
護表面に塗布される外装樹脂の流れ止めとなり、
スライダの上面に対する外装樹脂の流出及び付着
が防止される。
また、製造工程において、ウエハーからヘツド
ピース群及びヘツドピースを切断して切出す場
合、保護膜及び下地膜を貫通してセラミツク構造
体の露出する凹溝を形成しておき、この凹溝によ
りダイヤモンドプレード等のカツタに対する逃げ
部を構成し、保護膜及び下地膜にクラツク、欠け
が発生するのを防止できる。
ピース群及びヘツドピースを切断して切出す場
合、保護膜及び下地膜を貫通してセラミツク構造
体の露出する凹溝を形成しておき、この凹溝によ
りダイヤモンドプレード等のカツタに対する逃げ
部を構成し、保護膜及び下地膜にクラツク、欠け
が発生するのを防止できる。
ヘツドピース化した後の取扱いにおいても、段
差部が保護膜及び下地膜に対する保護バリアとな
り、外部部材との接触による保護膜のクラツク、
欠けが防止できる。
差部が保護膜及び下地膜に対する保護バリアとな
り、外部部材との接触による保護膜のクラツク、
欠けが防止できる。
＜実施例＞
第１図は本発明に係る浮上型薄膜磁気ヘツドの
一実施例を示す斜視図、第２図は同じく空気流出
端側から見た側面図である。図において、第８図
と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示して
いる。この実施例では、保護膜３及び下地膜１２
は、少なくともスライダ１の浮上面１０１と対向
する上面１０３側において、読み書き素子２及び
保護膜３及び下地膜１２を付着させたセラミツク
構造体１１の端面１１１の端縁イよりは間隔G1
だけ内側に形成してある。従つて、端面１１１の
端縁イと保護膜３及び下地膜１２の端縁ロとの間
には、間隔G1の段差部が形成される。実施例に
おいて、段差部は、浮上面１０１のある面を除く
各面１１４〜１１６と、端面１１１との交叉稜角
によつて形成される端縁イと、保護膜３及び下地
膜１２の端縁ロとの間に連続して形成してある。
一実施例を示す斜視図、第２図は同じく空気流出
端側から見た側面図である。図において、第８図
と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示して
いる。この実施例では、保護膜３及び下地膜１２
は、少なくともスライダ１の浮上面１０１と対向
する上面１０３側において、読み書き素子２及び
保護膜３及び下地膜１２を付着させたセラミツク
構造体１１の端面１１１の端縁イよりは間隔G1
だけ内側に形成してある。従つて、端面１１１の
端縁イと保護膜３及び下地膜１２の端縁ロとの間
には、間隔G1の段差部が形成される。実施例に
おいて、段差部は、浮上面１０１のある面を除く
各面１１４〜１１６と、端面１１１との交叉稜角
によつて形成される端縁イと、保護膜３及び下地
膜１２の端縁ロとの間に連続して形成してある。
上述のように、保護膜３及び下地膜１２を、読
み書き素子２及びセラミツク構造体１１の端面１
１１の端縁イよりは間隔G1だけ内側に形成する
と、第３図及び第４図に拡大して示すように、間
隔G1がリード線接続部に塗布される外装樹脂７
の流れ止めとなる。実施例では、浮上面１０３の
ある面を除く各面１０４〜１０６及び端面１１１
の交叉稜角によつて形成される端縁イと、保護膜
３及び下地膜１２の端縁ロとの間に、G1を連続
して形成してあるので、スライド１の上面１０４
のみならず、側面１０５，１０６に対する外装樹
脂７の流出、付着が防止される。
み書き素子２及びセラミツク構造体１１の端面１
１１の端縁イよりは間隔G1だけ内側に形成する
と、第３図及び第４図に拡大して示すように、間
隔G1がリード線接続部に塗布される外装樹脂７
の流れ止めとなる。実施例では、浮上面１０３の
ある面を除く各面１０４〜１０６及び端面１１１
の交叉稜角によつて形成される端縁イと、保護膜
３及び下地膜１２の端縁ロとの間に、G1を連続
して形成してあるので、スライド１の上面１０４
のみならず、側面１０５，１０６に対する外装樹
脂７の流出、付着が防止される。
また、ウエハーからヘツドピース群及びヘツド
ピースを切断して切出す場合、第５図に示すよう
に、ヘツドピース群H1〜Hnを隔てる凹溝９１及
び各ヘツドピースを隔てる凹溝９２を予め形成し
ておくことにより、カツタ８の両側にカツタ逃げ
部を生じさせ、保護膜３及び下地膜１２のクラツ
ク、欠けを防止できる。凹溝９１，９２ほ保護膜
３及び下地膜１２を貫通してセラミツク構造体１
１の端面１１１に到達するように形成しておく。
ピースを切断して切出す場合、第５図に示すよう
に、ヘツドピース群H1〜Hnを隔てる凹溝９１及
び各ヘツドピースを隔てる凹溝９２を予め形成し
ておくことにより、カツタ８の両側にカツタ逃げ
部を生じさせ、保護膜３及び下地膜１２のクラツ
ク、欠けを防止できる。凹溝９１，９２ほ保護膜
３及び下地膜１２を貫通してセラミツク構造体１
１の端面１１１に到達するように形成しておく。
ヘツドピース化した後の取扱いにおいても、間
隔G1が保護膜３及び下地膜１２に対する保護バ
リアとなり、外部部材との接続による保護膜３及
び下地膜１２のクラツク、欠けが防止できる。
隔G1が保護膜３及び下地膜１２に対する保護バ
リアとなり、外部部材との接続による保護膜３及
び下地膜１２のクラツク、欠けが防止できる。
実際的な製造工程においては、第７図ａに示す
ように、カツタ８１を用いて下地膜１２及び保護
膜３を切断する工程を経ることがある。このよう
な場合、下地膜１２及び保護膜３の切断を意図し
ても、カツタ８１の歯先がセラミツク構造体１１
に少しかかり、その端面１１１が少し研削された
状態になるのが普通である。従つて、第７図ｂに
示すように、カツタ８２で切断してヘツドピース
を得た場合、ヘツドピースに上記研削による段差
の端面１１１が残ることもある。
ように、カツタ８１を用いて下地膜１２及び保護
膜３を切断する工程を経ることがある。このよう
な場合、下地膜１２及び保護膜３の切断を意図し
ても、カツタ８１の歯先がセラミツク構造体１１
に少しかかり、その端面１１１が少し研削された
状態になるのが普通である。従つて、第７図ｂに
示すように、カツタ８２で切断してヘツドピース
を得た場合、ヘツドピースに上記研削による段差
の端面１１１が残ることもある。
上記実施例では、面内記録再生用薄膜磁気ヘツ
ドを例にとつて説明したが、本発明は、垂直記録
再生用薄膜磁気ヘツドにも同様に適用できる。ま
た、テーパ・フラツト型のものに限らず、テーパ
面を持たないもの、更にはレール部を持たないも
の等、種々のタイプの薄膜磁気ヘツドに広く適用
できる。
ドを例にとつて説明したが、本発明は、垂直記録
再生用薄膜磁気ヘツドにも同様に適用できる。ま
た、テーパ・フラツト型のものに限らず、テーパ
面を持たないもの、更にはレール部を持たないも
の等、種々のタイプの薄膜磁気ヘツドに広く適用
できる。
＜発明の効果＞
以上述べたように、本発明によれば、次のよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
(a) 下地膜及び保護膜は、少なくとも浮上面側と
対向する上面側において、セラミツク構造体の
端縁との間に間隔が生じるように、セラミツク
構造体の端縁よりは内側に形成されているの
で、外装樹脂の流出及び付着がなく、寸法精度
及び浮上特性の安定した薄膜磁気ヘツドを提供
できる。
対向する上面側において、セラミツク構造体の
端縁との間に間隔が生じるように、セラミツク
構造体の端縁よりは内側に形成されているの
で、外装樹脂の流出及び付着がなく、寸法精度
及び浮上特性の安定した薄膜磁気ヘツドを提供
できる。
(b) ウエハーからヘツドピース群及びヘツドピー
スを切断して切出す場合、保護膜及び下地膜の
クラツク及び欠けを防止し、歩留りを向上させ
た薄膜磁気ヘツドを提供できる。
スを切断して切出す場合、保護膜及び下地膜の
クラツク及び欠けを防止し、歩留りを向上させ
た薄膜磁気ヘツドを提供できる。
(c) 外部との接触による保護膜及び下地膜のクラ
ツク及び欠けを防止し得る薄膜磁気ヘツドを提
供できる。
ツク及び欠けを防止し得る薄膜磁気ヘツドを提
供できる。
第１図は本発明に係る浮上型薄膜磁気ヘツドの
一実施例を示す斜視図、第２図は同じく空気流出
端側から見た側面図、第３図は同じく要部の拡大
側面部分断面図、第４図は同じく要部の拡大平面
部分断面図、第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘツ
ドの製造工程の一部を示す斜視図、第６図は同じ
く切断工程を示す図、第７図ａ，ｂは切断工程の
更に具体的な例を示す図、第８図は従来の薄膜磁
気ヘツドの斜視図、第９図は読み書き素子付近の
拡大断面図、第１０図は従来の問題点を示す図、
第１１図ａ〜ｃは従来の薄膜磁気ヘツドの製造工
程を示す図、第１２図は同じく製造工程における
問題点を示す図である。 １……スライダ、２……読み書き素子、３……
保護膜、１１……セラミツク構造体、１２……下
地膜、G1……間隔。
一実施例を示す斜視図、第２図は同じく空気流出
端側から見た側面図、第３図は同じく要部の拡大
側面部分断面図、第４図は同じく要部の拡大平面
部分断面図、第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘツ
ドの製造工程の一部を示す斜視図、第６図は同じ
く切断工程を示す図、第７図ａ，ｂは切断工程の
更に具体的な例を示す図、第８図は従来の薄膜磁
気ヘツドの斜視図、第９図は読み書き素子付近の
拡大断面図、第１０図は従来の問題点を示す図、
第１１図ａ〜ｃは従来の薄膜磁気ヘツドの製造工
程を示す図、第１２図は同じく製造工程における
問題点を示す図である。 １……スライダ、２……読み書き素子、３……
保護膜、１１……セラミツク構造体、１２……下
地膜、G1……間隔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スライダの一端面に、読み書き素子及びこの
読み書き素子を覆う保護膜を付着させた薄膜磁気
ヘツドであつて、 前記スライダは、セラミツク構造体と、このセ
ラミツク構造体の上に付着された下地膜とを有し
ており、 前記読み書き素子及び前記保護膜は、前記下地
膜の上に付着されており、 前記下地膜及び前記保護膜は、少なくとも前記
浮上面側と対向する上面側において、前記セラミ
ツク構造体の端縁との間に間隔が生じるように、
前記セラミツク構造体の端縁よりは内側に形成さ
れていること を特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 前記下地膜及び前記保護膜は絶縁膜であるこ
と を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄膜
磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25899489A JPH03120608A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25899489A JPH03120608A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120608A JPH03120608A (ja) | 1991-05-22 |
| JPH0557643B2 true JPH0557643B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=17327877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25899489A Granted JPH03120608A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120608A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282061B1 (en) | 1994-03-17 | 2001-08-28 | Fujitsu Limited | Magnetic head with improved floating surface |
| US5634259A (en) * | 1994-03-17 | 1997-06-03 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing a magnetic head |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273411A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6446216A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-20 | Tdk Corp | Magnetic head |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP25899489A patent/JPH03120608A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03120608A (ja) | 1991-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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