JPH03121456A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH03121456A JPH03121456A JP1260458A JP26045889A JPH03121456A JP H03121456 A JPH03121456 A JP H03121456A JP 1260458 A JP1260458 A JP 1260458A JP 26045889 A JP26045889 A JP 26045889A JP H03121456 A JPH03121456 A JP H03121456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- patterns
- faces
- actual
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクに関し、特に多面付マスクのパターン寸
法に関する。
法に関する。
従来、この種の多面付マスクにおいては、一面ごとのマ
スクパターン寸法は全て同一となっていた。
スクパターン寸法は全て同一となっていた。
上述した従来の多面付マスクにおいては、一面ごとのマ
スクパターン寸法が全て同一となっているので、同時に
多数個のマスクパターンを形成しステッパーのスルーフ
ットを上げるという利点があるものの、ウェハー上での
位置により発生する寸法誤差、すなわちウェハーの微妙
なそりやエツチング工程におけるウェハー面内位置によ
る微妙なエツチングレートの差といったものには全く対
応していないという欠点がある。
スクパターン寸法が全て同一となっているので、同時に
多数個のマスクパターンを形成しステッパーのスルーフ
ットを上げるという利点があるものの、ウェハー上での
位置により発生する寸法誤差、すなわちウェハーの微妙
なそりやエツチング工程におけるウェハー面内位置によ
る微妙なエツチングレートの差といったものには全く対
応していないという欠点がある。
従来これらの欠点は無視できるものであったが、最近の
デバイス、例えばＩＭＤＲＡＭ以上の微細パターンを有
するデバイスにおいては、これらの欠点はデバイスの特
性や歩留に少なからぬ影響を与えるものであり、いかに
してウェハー上の位置によらず均一なサイズの微細パタ
ーンを得るかが重要な課題となっている。
デバイス、例えばＩＭＤＲＡＭ以上の微細パターンを有
するデバイスにおいては、これらの欠点はデバイスの特
性や歩留に少なからぬ影響を与えるものであり、いかに
してウェハー上の位置によらず均一なサイズの微細パタ
ーンを得るかが重要な課題となっている。
本発明の多面付マスクは、一個分のデバイスのパターン
に相当する一面ごとのマスクパター、が互いに同一で、
かつ一面ごとのマスクのパターンの寸法が他の面に対し
て任意の比率になっていることを特徴としている。
に相当する一面ごとのマスクパター、が互いに同一で、
かつ一面ごとのマスクのパターンの寸法が他の面に対し
て任意の比率になっていることを特徴としている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の−実り氏例の模式図である。第１図（
ｂ）で１−１は半導体ウェハー、ｌ−２及び１−３はウ
ェハー上のデバイスを示し第１図（ｂ）で、それぞれ２
而付のマスクｌ−４上の１−５及び１−６で示されるマ
スクＡ’ 、Ａに対応する。
ｂ）で１−１は半導体ウェハー、ｌ−２及び１−３はウ
ェハー上のデバイスを示し第１図（ｂ）で、それぞれ２
而付のマスクｌ−４上の１−５及び１−６で示されるマ
スクＡ’ 、Ａに対応する。
マスクＡ′とＡの寸法の比率は実際のウェハｌ−１上に
形成されるデバイスの位置による誤差を補正できるよう
にすればよい。
形成されるデバイスの位置による誤差を補正できるよう
にすればよい。
本実施例は２而付のマスクの場合を示すが、より面付数
の多いマスクの場合には、ウェハー面上の位置による誤
差をより正確に補正することができる。
の多いマスクの場合には、ウェハー面上の位置による誤
差をより正確に補正することができる。
これらのマスクを用いて実際に露光する場合は、ショッ
ト位置により所定の面のマスクのみが選択されるように
、ステッパーでのシャッター位置を設定すればよい。
ト位置により所定の面のマスクのみが選択されるように
、ステッパーでのシャッター位置を設定すればよい。
また、デバイスの開発時に限ってではあるが、本発明の
マスクを用いてかつステッパーでのシャッター位置を一
定にして、同時に寸法のことなるパターンをウェハー上
に形成するようにすれば、逆にマスクの適正寸法を調べ
るために使用することもできる。
マスクを用いてかつステッパーでのシャッター位置を一
定にして、同時に寸法のことなるパターンをウェハー上
に形成するようにすれば、逆にマスクの適正寸法を調べ
るために使用することもできる。
以上説明したように本発明は、多面付のマスクにおいて
、一面ごとのマスクのパターンの寸法を実際のウェハー
上で発生する寸法誤差を補正できるような比率とするこ
とにより、ウェハー上に、従来以上に、ウェハー面内位
置による寸法誤差の少ないパターンを形成できるという
効果がある。
、一面ごとのマスクのパターンの寸法を実際のウェハー
上で発生する寸法誤差を補正できるような比率とするこ
とにより、ウェハー上に、従来以上に、ウェハー面内位
置による寸法誤差の少ないパターンを形成できるという
効果がある。
第１図は本発明の一実施例である。
１−１・・・・・・半導体ウェハー １−２・・・・・
・マスクＡ′に対応して露光されるデバイス、ｌ−３マ
スクＡに対応して露光されるデバイス、ｌ−４・・・・
・・マスク、１−５・・・・・・マスクＡ’ １−
６・、・・・・マスクＡ０
・マスクＡ′に対応して露光されるデバイス、ｌ−３マ
スクＡに対応して露光されるデバイス、ｌ−４・・・・
・・マスク、１−５・・・・・・マスクＡ’ １−
６・、・・・・マスクＡ０
Claims (1)
- リソグラフィー工程において同時に複数個分のデバイス
の集積回路パターンを転写する為の多面付マスクにおい
て、一個分のデバイスのパターンに相当する一面ごとの
マスクパターンが互いに同一で、かつ一面ごとのマスク
のパターンの寸法が他の面に対して任意の比率になって
いることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260458A JPH03121456A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260458A JPH03121456A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03121456A true JPH03121456A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17348228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260458A Pending JPH03121456A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03121456A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7346882B2 (en) | 2001-07-30 | 2008-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method, mask manufacturing method, and LSI manufacturing method |
| US8007962B2 (en) | 2008-11-18 | 2011-08-30 | Sony Corporation | Photomask |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1260458A patent/JPH03121456A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7346882B2 (en) | 2001-07-30 | 2008-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method, mask manufacturing method, and LSI manufacturing method |
| US8007962B2 (en) | 2008-11-18 | 2011-08-30 | Sony Corporation | Photomask |
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