JPH0348420A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JPH0348420A JPH0348420A JP1182483A JP18248389A JPH0348420A JP H0348420 A JPH0348420 A JP H0348420A JP 1182483 A JP1182483 A JP 1182483A JP 18248389 A JP18248389 A JP 18248389A JP H0348420 A JPH0348420 A JP H0348420A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はｘｍ露光に用いられるＸ線マスクに関する。
一般に、Ｘ線露光により被露光基板に塗布されたレジス
トにパタンを転写する場合、第２図に示すようにボジ型
レジストではＤ０の露光量で露光部のレジスト残膜がゼ
ロとなり、この時の露光量をｍＪ／ｃｍ２で表しレジス
ト感度と呼ぶ。
トにパタンを転写する場合、第２図に示すようにボジ型
レジストではＤ０の露光量で露光部のレジスト残膜がゼ
ロとなり、この時の露光量をｍＪ／ｃｍ２で表しレジス
ト感度と呼ぶ。
一方、ネガ型レジストではＤｓｏの露光量で露光部のレ
ジスト残膜が初期膜厚の５０％となり、この時の露光量
をレジスト感度と呼ぶ。これらのレジスト感度に相当す
る露光量はＸ線露光でパタン形成するための最小限の露
光量といえる。
ジスト残膜が初期膜厚の５０％となり、この時の露光量
をレジスト感度と呼ぶ。これらのレジスト感度に相当す
る露光量はＸ線露光でパタン形成するための最小限の露
光量といえる。
すなわち、第２図はＸ線露光におけるレジストの感度を
説明するための図であって、露光量（ ｍＪ／ ｃｍ”
、横軸）とレジスト残膜（％、縦軸）との関係を示すグ
ラフである。
説明するための図であって、露光量（ ｍＪ／ ｃｍ”
、横軸）とレジスト残膜（％、縦軸）との関係を示すグ
ラフである。
実際のｘｉｓ光によりパタン転写を行う場合、上記レジ
スト感度に相当する露光量では、吸収体パタンエッジで
のＸ線の回折及びぼけの影響により、転写されるレジス
トパタンの寸法は吸収体パタンの寸法に対して一致しな
い。しかしながら、従来、Ｘ線露光に用いるＸ線マスク
は吸収体パタンの寸法が、転写すべきパタンの設計寸法
にＩ：ｌで一致するように精度良く形成されていた。こ
のため、従来の転写されたレジストパタン寸法を吸収体
パタン寸法に精度良く一致させるために、Ｘ線露光量を
レジスト感度に相当する露光量に対して、大幅に増加さ
せることにより対処していた。この傾向は、パタンサイ
ズが小さくなるに従い顕著になる。例えば、０．２μｍ
のコンタクトホールパタンを有するＸ線マスクを用いて
、ボジ型のレジストにパタン転写する場合、転写パタン
寸法を０．２μｍとするには、Ｘ線露光量をレジスト感
度に相当する露光量の約３倍に増加させる必要があった
。この露光量の最適な変更量は、パタンサイズ及び種類
によって異なるので、複数の種類のバタ，ンが同時に存
在する場合は、上記した露光量の変更だけでは各々転写
すべきパタンの設計寸法に同時に一致させることはでき
なかった。
スト感度に相当する露光量では、吸収体パタンエッジで
のＸ線の回折及びぼけの影響により、転写されるレジス
トパタンの寸法は吸収体パタンの寸法に対して一致しな
い。しかしながら、従来、Ｘ線露光に用いるＸ線マスク
は吸収体パタンの寸法が、転写すべきパタンの設計寸法
にＩ：ｌで一致するように精度良く形成されていた。こ
のため、従来の転写されたレジストパタン寸法を吸収体
パタン寸法に精度良く一致させるために、Ｘ線露光量を
レジスト感度に相当する露光量に対して、大幅に増加さ
せることにより対処していた。この傾向は、パタンサイ
ズが小さくなるに従い顕著になる。例えば、０．２μｍ
のコンタクトホールパタンを有するＸ線マスクを用いて
、ボジ型のレジストにパタン転写する場合、転写パタン
寸法を０．２μｍとするには、Ｘ線露光量をレジスト感
度に相当する露光量の約３倍に増加させる必要があった
。この露光量の最適な変更量は、パタンサイズ及び種類
によって異なるので、複数の種類のバタ，ンが同時に存
在する場合は、上記した露光量の変更だけでは各々転写
すべきパタンの設計寸法に同時に一致させることはでき
なかった。
このように、従来のＸ線マスクを用いてレジストパタン
の寸法をマスクパタン寸法にｌ＝１に精度良く形戊する
には、露光量を大幅に増加させることが必要であり、そ
の分スループットが低下する問題があった。更に、サイ
ズ及び種類の異なるパタンか同時に形成されたＸ線マス
クを用いた露光において、単一露光条件で転写すべきパ
タンの設計寸法に各々一致したレジストパタンを得るこ
とが困難であった。このほか、露光量を増加させるため
に、Ｘ線マスクのコントラストが低いと吸収体パタン下
部でのレジストも露光されレジストにかぶりや膜ベリが
生じ、パタンの品質の劣化の原因にもなり問題であった
。
の寸法をマスクパタン寸法にｌ＝１に精度良く形戊する
には、露光量を大幅に増加させることが必要であり、そ
の分スループットが低下する問題があった。更に、サイ
ズ及び種類の異なるパタンか同時に形成されたＸ線マス
クを用いた露光において、単一露光条件で転写すべきパ
タンの設計寸法に各々一致したレジストパタンを得るこ
とが困難であった。このほか、露光量を増加させるため
に、Ｘ線マスクのコントラストが低いと吸収体パタン下
部でのレジストも露光されレジストにかぶりや膜ベリが
生じ、パタンの品質の劣化の原因にもなり問題であった
。
本発明の目的は、露光量を増やすことなく、同一露光条
件で複数の転写すべきパタンの設．計寸法に対して各々
寸法精度の良い転写パタンか得られるＸ線マスクを提供
することにある。
件で複数の転写すべきパタンの設．計寸法に対して各々
寸法精度の良い転写パタンか得られるＸ線マスクを提供
することにある。
本発明を概説すれば、本発明はＸ線マスクに関する発明
であって、Ｘ線マスクの吸収体パタンの寸法が転写すべ
きパタンの設計寸法に対して、該設計パタンのパタン種
別、パタンサイズに応じてあらかじめ作威した補正量の
テーブルを参照し、該当する補正量を加算又は減算した
寸法となるように形威したことを特徴とする。
であって、Ｘ線マスクの吸収体パタンの寸法が転写すべ
きパタンの設計寸法に対して、該設計パタンのパタン種
別、パタンサイズに応じてあらかじめ作威した補正量の
テーブルを参照し、該当する補正量を加算又は減算した
寸法となるように形威したことを特徴とする。
あらかじめパタン種別とパタン寸法を変えた評価用Ｘ線
マスクを用意し、実際に使用予定のＸ線露光装置及びレ
ジストを用いて露光量を変えてＸ線露光を行い、転写さ
れたレジストパタン寸法と露光量の関係を調べる。第１
図に露光レジストとしてボジ型レジストを用いた場合の
上記関係の一例を示す。すなわち第１図は露光ｍ （
ｍＪ／ ｃｍ’、横軸）とレジストパタン寸法（μｍ１
縦軸）の関係を示すグラフである。ここで、レジストパ
タンは、露光量がレジスト感度に相当する値を越える領
域から形戊されはじめ、パタン寸法は露光量が増加する
に伴い徐々に変化する。この結果を基に、レジスト感度
に相当する露光量から１００％程度大きめの露光量まで
の範囲で任意の露光量を決め、この露光量におけるマス
クパタン寸法とレジストパタン寸法との差を読みとり、
下記表１に示すような補正量のテーブルを作る。
マスクを用意し、実際に使用予定のＸ線露光装置及びレ
ジストを用いて露光量を変えてＸ線露光を行い、転写さ
れたレジストパタン寸法と露光量の関係を調べる。第１
図に露光レジストとしてボジ型レジストを用いた場合の
上記関係の一例を示す。すなわち第１図は露光ｍ （
ｍＪ／ ｃｍ’、横軸）とレジストパタン寸法（μｍ１
縦軸）の関係を示すグラフである。ここで、レジストパ
タンは、露光量がレジスト感度に相当する値を越える領
域から形戊されはじめ、パタン寸法は露光量が増加する
に伴い徐々に変化する。この結果を基に、レジスト感度
に相当する露光量から１００％程度大きめの露光量まで
の範囲で任意の露光量を決め、この露光量におけるマス
クパタン寸法とレジストパタン寸法との差を読みとり、
下記表１に示すような補正量のテーブルを作る。
表
１
ここでは、レジスト感度に相当する露光量の４０％オー
バーの露光量とする場合の補正量を示す。この値は、Ｘ
線露光装置、レジスト及びパタンの種類により異なるが
、通常０．２μｍ以下である。そして、この差すなわち
（マスクパタン寸法−レジストパタン寸法）が正の値の
場合には、この値を転写すべきパタンの設計寸法に対応
するＸ線マスクの吸収体パタンの寸法に加算し、負の値
の場合には減算してＸ線マスクを製造する。複数のパタ
ンの場合も、上記任意の露光量において各々のパタンで
マスクパタン寸法一レジストパタン寸法を求め、上記補
正法に基づきＸ線マスクを製造する。
バーの露光量とする場合の補正量を示す。この値は、Ｘ
線露光装置、レジスト及びパタンの種類により異なるが
、通常０．２μｍ以下である。そして、この差すなわち
（マスクパタン寸法−レジストパタン寸法）が正の値の
場合には、この値を転写すべきパタンの設計寸法に対応
するＸ線マスクの吸収体パタンの寸法に加算し、負の値
の場合には減算してＸ線マスクを製造する。複数のパタ
ンの場合も、上記任意の露光量において各々のパタンで
マスクパタン寸法一レジストパタン寸法を求め、上記補
正法に基づきＸ線マスクを製造する。
本発明のＸ線マスクを使用して露光すると、レジスト感
度に相当する露光量あるいは高くとも１００％オーバー
の露光量で転写すべき設計パタン寸法に等しいレジスト
パタンか得られる。
度に相当する露光量あるいは高くとも１００％オーバー
の露光量で転写すべき設計パタン寸法に等しいレジスト
パタンか得られる。
更に、パタンサイズ及び種類の異なる複数のパタンか存
在しても、各々設計パタン寸法に一致したレジストパタ
ンが単一露光条件で得られる。
在しても、各々設計パタン寸法に一致したレジストパタ
ンが単一露光条件で得られる。
以下本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されない。
発明はこれら実施例に限定されない。
実施例ｌ
第３図は本発明によるＸ線マスクの１実施例を示す図で
ある。第３図において、符号ｌはＸ線マスク、２はメン
ブレン、３は吸収体、４はシリコン基板、５は吸収体パ
タン、６は被露光基板、７はレジスト、８は転写すべき
パタンの設計寸法、９は吸収体パタン寸法を意味する。
ある。第３図において、符号ｌはＸ線マスク、２はメン
ブレン、３は吸収体、４はシリコン基板、５は吸収体パ
タン、６は被露光基板、７はレジスト、８は転写すべき
パタンの設計寸法、９は吸収体パタン寸法を意味する。
Ｘ線マスクｌは２μｍ厚の窒化シリコンからなるメンブ
レン２と０．６５μｍ厚のタンタル吸収体３及びこれら
を支える１ＩＴｌｍ厚のシリコン基板４で構戊した。本
実施例での吸収体パタン５は正方形からなるコンタクト
ホールパタンであり、露光すべきパタン部のタンタルが
無い抜きパタンである。第３図には中央部の破断面を示
す。
レン２と０．６５μｍ厚のタンタル吸収体３及びこれら
を支える１ＩＴｌｍ厚のシリコン基板４で構戊した。本
実施例での吸収体パタン５は正方形からなるコンタクト
ホールパタンであり、露光すべきパタン部のタンタルが
無い抜きパタンである。第３図には中央部の破断面を示
す。
被露光基板６上に塗布したボジ型レジスト７をパタン転
写に用いた。転写すべきパタンの設計寸法８は０．２μ
ｍである。この設計値に０．０８μｍ加算した０．２８
μｍを吸収体パタン寸法９として吸収体３を形威した。
写に用いた。転写すべきパタンの設計寸法８は０．２μ
ｍである。この設計値に０．０８μｍ加算した０．２８
μｍを吸収体パタン寸法９として吸収体３を形威した。
本Ｘ線マスク１を用いて、０．７ ｎｍのピーク波長を
有するシンクロトロン放射光を利用したＸｉｔ光装置で
パタン転写を行った。マスク１と被露光基板６のギャッ
プは４５μｍに制御した。
有するシンクロトロン放射光を利用したＸｉｔ光装置で
パタン転写を行った。マスク１と被露光基板６のギャッ
プは４５μｍに制御した。
ポジ型レジスト７には０．５μｍ厚にスピンコートした
ＦＢＭ−Ｇレジストを用いた。第４図に、転写されたレ
ジストパタン寸法（μｍ、縦軸）と露光量（レジスト感
度に相当する露光量で規格化、横軸）との関係をグラフ
として示す。
ＦＢＭ−Ｇレジストを用いた。第４図に、転写されたレ
ジストパタン寸法（μｍ、縦軸）と露光量（レジスト感
度に相当する露光量で規格化、横軸）との関係をグラフ
として示す。
０．２８μｍの本吸収体パタン５を用いた場合の」二記
関係ＩＯは、確認のため行った転写すべきパタンの設計
寸法７通りの０．２μｍに形戊した従来の吸収体パタン
を用いた場合の関係１ｌに比べ同一露光量では大きめに
転写されている。
関係ＩＯは、確認のため行った転写すべきパタンの設計
寸法７通りの０．２μｍに形戊した従来の吸収体パタン
を用いた場合の関係１ｌに比べ同一露光量では大きめに
転写されている。
本Ｘ線マスクを用いると転写すべきパタンの設言１値０
． ２μｍに等しいレジストパタンをレジスト感度に相
当する露光量の１．３倍の露光量で得ることができる。
． ２μｍに等しいレジストパタンをレジスト感度に相
当する露光量の１．３倍の露光量で得ることができる。
一方、これまでの転写すべきパタンの設計寸法通りに形
戊したＸ線マスク．を用いるとレジスト感度に相当する
露光量の３倍の露光量が必要である。このように、０．
０８μｍの補正値を吸収体パタン寸法に加えた本発明の
Ｘ線マスクを使用することにより、従来のＸ線マスクを
用いた場合に比べ露光時間を１． ３ ／ ３に短縮す
ることができる。
戊したＸ線マスク．を用いるとレジスト感度に相当する
露光量の３倍の露光量が必要である。このように、０．
０８μｍの補正値を吸収体パタン寸法に加えた本発明の
Ｘ線マスクを使用することにより、従来のＸ線マスクを
用いた場合に比べ露光時間を１． ３ ／ ３に短縮す
ることができる。
実施例２
第５図は本発明によるＸ線マスクの第２の実施例を示す
図である。第５図において符号１〜４、６及び７は第３
図と同義であって、１２は第１の吸収体パタン、１３は
第２の吸収体パタン、１４は第１の転写すべきパタンの
設計寸法、１５は第２の転写すべきパタンの設計寸法、
ｌ６は第ｌの吸収体パタン寸法、１７は第２の吸収体パ
タン寸法を意味する。本実施例２では、第１の吸収体パ
タンｌ２と第２の吸収体パタンｌ３の２段階のサイズの
吸収体パタンか混在しており、パタンの種類は共に第１
の実施例と同じコンタクトホールパタンである。それぞ
れ第１の転写すべきパタンの設計寸法ｌ４は０．６μｍ
で第２の転写すべきパタンの設計寸法ｌ５は０．２μｍ
である。これらの設計値に対して、第１の吸収体パタン
１２では、０．０５μｍを差引いた０，５５μｍをｉｔ
の吸収体パタン寸法ｌ６とし、第２の吸収体パタンｌ３
では、０．０８μｍを加算した０．２８．７ｍを第２の
吸収体パタン寸法１７としてＸ線マスク１を製造した。
図である。第５図において符号１〜４、６及び７は第３
図と同義であって、１２は第１の吸収体パタン、１３は
第２の吸収体パタン、１４は第１の転写すべきパタンの
設計寸法、１５は第２の転写すべきパタンの設計寸法、
ｌ６は第ｌの吸収体パタン寸法、１７は第２の吸収体パ
タン寸法を意味する。本実施例２では、第１の吸収体パ
タンｌ２と第２の吸収体パタンｌ３の２段階のサイズの
吸収体パタンか混在しており、パタンの種類は共に第１
の実施例と同じコンタクトホールパタンである。それぞ
れ第１の転写すべきパタンの設計寸法ｌ４は０．６μｍ
で第２の転写すべきパタンの設計寸法ｌ５は０．２μｍ
である。これらの設計値に対して、第１の吸収体パタン
１２では、０．０５μｍを差引いた０，５５μｍをｉｔ
の吸収体パタン寸法ｌ６とし、第２の吸収体パタンｌ３
では、０．０８μｍを加算した０．２８．７ｍを第２の
吸収体パタン寸法１７としてＸ線マスク１を製造した。
本Ｘ線マスクを用いて第１の実施例と同じ条件で、パタ
ン転写を行った。第６図に、転写されたレジストパタン
寸法（μｍ１縦軸）と露光量（レジスト感度に相当する
露光量で規格化、横軸）との関係をグラフとして示す。
ン転写を行った。第６図に、転写されたレジストパタン
寸法（μｍ１縦軸）と露光量（レジスト感度に相当する
露光量で規格化、横軸）との関係をグラフとして示す。
第１の吸収体パタン１２によるレジストパタン寸法と露
光量の関係ｌ８、第２の吸収体パタン１３によるレジス
トパタン寸法と露光量の関係ｌ９を示す。また、比較の
ため第１と第２の転写すべきパタンの設計寸法通りに製
作したマスクを用いた場合のレジストパタン寸法と露光
量の関係をそれぞれ２０、２ｌに示す。ｌ８及びｌ９か
ら本発明のＸ線マスクを用いたパタン転写では、、レジ
スト感度に相当する露光量の１．３倍の露光量で第１及
び第２の吸収体パタン（１２及び１３）が転写すべきパ
タンの設計寸法の０．６μｍ （１４）及び０．２μｍ
（１５）で同時に形戒できる。
光量の関係ｌ８、第２の吸収体パタン１３によるレジス
トパタン寸法と露光量の関係ｌ９を示す。また、比較の
ため第１と第２の転写すべきパタンの設計寸法通りに製
作したマスクを用いた場合のレジストパタン寸法と露光
量の関係をそれぞれ２０、２ｌに示す。ｌ８及びｌ９か
ら本発明のＸ線マスクを用いたパタン転写では、、レジ
スト感度に相当する露光量の１．３倍の露光量で第１及
び第２の吸収体パタン（１２及び１３）が転写すべきパ
タンの設計寸法の０．６μｍ （１４）及び０．２μｍ
（１５）で同時に形戒できる。
方、従来のＸ線マスクを用いたパタン転写では、２０か
ら第１のパタンで０．６μｍのレジストパタンを得るに
は１．２倍の露光量でいいが、２１から第２のパタンは
０．１２μｍと転写すべき設計値から０．０８μｍ小さ
く転写される。また、第２のパタンで０． ２μｍのレ
ジストパタンを得るにはレジスト感度に相当する露光量
の３倍の露光量が必要であり、この時第１のパタンは０
．７μｍと転写すべき設計値から０． １μｍ大きく転
写される。このように、従来のＸ線マスクではパタンサ
イズの異なる２種類以上のパタンを同じ露光量で同時に
転写すべき設計寸法通りに転写することは困難である。
ら第１のパタンで０．６μｍのレジストパタンを得るに
は１．２倍の露光量でいいが、２１から第２のパタンは
０．１２μｍと転写すべき設計値から０．０８μｍ小さ
く転写される。また、第２のパタンで０． ２μｍのレ
ジストパタンを得るにはレジスト感度に相当する露光量
の３倍の露光量が必要であり、この時第１のパタンは０
．７μｍと転写すべき設計値から０． １μｍ大きく転
写される。このように、従来のＸ線マスクではパタンサ
イズの異なる２種類以上のパタンを同じ露光量で同時に
転写すべき設計寸法通りに転写することは困難である。
また、露光量をレジスト感度に相当する露光量の３倍の
露光量で露光すると、Ｘ線マスクのコントラストがｌＯ
以下の場合には、ボジ型レジストでは吸収体パタン下部
でレジスト膜ベリが起こり、ネガ型レジストではかぶり
が起こるためパタン品質が劣化する問題がある。
露光量で露光すると、Ｘ線マスクのコントラストがｌＯ
以下の場合には、ボジ型レジストでは吸収体パタン下部
でレジスト膜ベリが起こり、ネガ型レジストではかぶり
が起こるためパタン品質が劣化する問題がある。
実施例３
第７図は本発明によるＸ線マスクの第３の実施例を示す
図である。第７図において、１〜４、６、７は第３図と
同義であり、２２は吸収体パタン、２３は転写すべきパ
タンの設計寸法、２４は吸収体パタン寸法を意味する。
図である。第７図において、１〜４、６、７は第３図と
同義であり、２２は吸収体パタン、２３は転写すべきパ
タンの設計寸法、２４は吸収体パタン寸法を意味する。
本実施例３では、吸収体パタン２２がゲートパタンであ
り、タンタルが矩形の残しパタンである。転写すべきパ
タンの設計寸法２３は０．６μｍである。この設計値に
対して、０．１２μｍを差引いた０．４８μｍを吸収体
パタン寸法２４とし、Ｘ線マスクｌを製造した。
り、タンタルが矩形の残しパタンである。転写すべきパ
タンの設計寸法２３は０．６μｍである。この設計値に
対して、０．１２μｍを差引いた０．４８μｍを吸収体
パタン寸法２４とし、Ｘ線マスクｌを製造した。
本Ｘ線マスクを用いて第１の実施例と同じ条件で、パタ
ン転写を行った。第８図に、転写されたレジストパタン
寸法（μｍ１縦軸）と露光量（レジスト感度に相当する
露光量で規格化、横軸）との関係をグラフに示す。吸収
体パタン２４によるレジストパタン寸法と露光量の関係
を２５に示す。また、比較のため転写すべきパタンの設
計寸法通りに製作したマスクを用いた場合のレジストパ
タン寸法と露光量の関係を２６に示す。２５から本発明
のＸ線マスクを用いたパタン転写では、レジスト感度に
相当する露光量の１．２５倍の露光量で吸収体パタン２
２が転写すべきパタンの設計寸法２３の０．６μ一で形
或できる。一方、従来のＸ線マスクを用いたパタン転写
では、２６から０．６μｍのレジストパタンを得るには
２．６倍の露光量が必要になる。
ン転写を行った。第８図に、転写されたレジストパタン
寸法（μｍ１縦軸）と露光量（レジスト感度に相当する
露光量で規格化、横軸）との関係をグラフに示す。吸収
体パタン２４によるレジストパタン寸法と露光量の関係
を２５に示す。また、比較のため転写すべきパタンの設
計寸法通りに製作したマスクを用いた場合のレジストパ
タン寸法と露光量の関係を２６に示す。２５から本発明
のＸ線マスクを用いたパタン転写では、レジスト感度に
相当する露光量の１．２５倍の露光量で吸収体パタン２
２が転写すべきパタンの設計寸法２３の０．６μ一で形
或できる。一方、従来のＸ線マスクを用いたパタン転写
では、２６から０．６μｍのレジストパタンを得るには
２．６倍の露光量が必要になる。
したがって、従来のＸ線マスクを使用した場合に比べ、
約１／２の露光量で転写すべきパタン寸法のレジストパ
タンが得られる。
約１／２の露光量で転写すべきパタン寸法のレジストパ
タンが得られる。
以上は、吸収体パタンかコンタクトホールパタン及びゲ
ートパタンでレジストがポジのＦＢＭ−Ｇレジストの組
合せについての実施例を示したが、ラインアンドスペー
ス、配線等、他の吸収体パタン及び他のポジ型あるいは
ネガ型レジストを使用しても、マスクの補正量及び符号
が変わるだけで、同様の効果が得られる。
ートパタンでレジストがポジのＦＢＭ−Ｇレジストの組
合せについての実施例を示したが、ラインアンドスペー
ス、配線等、他の吸収体パタン及び他のポジ型あるいは
ネガ型レジストを使用しても、マスクの補正量及び符号
が変わるだけで、同様の効果が得られる。
このように、本Ｘ線マスクを使用すると、通常のＸ線マ
スクを使用した場合における露光量に比べ小さい露光量
で精度の高いレジストパタンが得られる。更に、この補
正値を転写すべきパタンのパタンサイズあるいはパタン
種類及びレジストの種類に応じて各々変えることにより
、同一マスク内に存在する多種類のパタンを同一露光量
で転写すべきパタンの設計寸法に精度良く制御できる。
スクを使用した場合における露光量に比べ小さい露光量
で精度の高いレジストパタンが得られる。更に、この補
正値を転写すべきパタンのパタンサイズあるいはパタン
種類及びレジストの種類に応じて各々変えることにより
、同一マスク内に存在する多種類のパタンを同一露光量
で転写すべきパタンの設計寸法に精度良く制御できる。
また、露光量を小さくできるので吸収体パタン下部での
レジストの膜へりあるいはかぶり等によるパタン品質の
劣化を抑える効果がある。
レジストの膜へりあるいはかぶり等によるパタン品質の
劣化を抑える効果がある。
第１図は評価用マスクを用いた場合における、レジスト
パタン寸法と露光量の関係を示す図、第２図はＸ線露光
におけるレジストの感度を説明するための図、第３図は
本発明の第１の実施例を示す図、第４図は本発明の第１
の実施例のＸ線マスクを用いた場合の転写されたレジス
トパタン寸法と露光量の関係を示す図、第５図は本発明
の第２の実施例を示す図、第６図は本発明の第２の実施
例のＸ線マスクを用いた場合の転写されたレジストパタ
ン寸法と露光量の関係を示す図、第７図は本発明の第３
の実施例を示す図、第８図は本発明の第３の実施例のＸ
線マスクを用いた場合の転写されたレジストパタン寸法
と露光量の関係を示す図である。
パタン寸法と露光量の関係を示す図、第２図はＸ線露光
におけるレジストの感度を説明するための図、第３図は
本発明の第１の実施例を示す図、第４図は本発明の第１
の実施例のＸ線マスクを用いた場合の転写されたレジス
トパタン寸法と露光量の関係を示す図、第５図は本発明
の第２の実施例を示す図、第６図は本発明の第２の実施
例のＸ線マスクを用いた場合の転写されたレジストパタ
ン寸法と露光量の関係を示す図、第７図は本発明の第３
の実施例を示す図、第８図は本発明の第３の実施例のＸ
線マスクを用いた場合の転写されたレジストパタン寸法
と露光量の関係を示す図である。
Claims (1)
- １、Ｘ線マスクの吸収体パタンの寸法が転写すべきパタ
ンの設計寸法に対して、該設計パタンのパタン種別、パ
タンサイズに応じてあらかじめ作成した補正量のテーブ
ルを参照し、該当する補正量を加算又は減算した寸法と
なるように形成したことを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182483A JPH0348420A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182483A JPH0348420A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348420A true JPH0348420A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16119065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182483A Pending JPH0348420A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348420A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785469A3 (en) * | 1996-01-22 | 1999-03-31 | AT&T Corp. | A Process for making an x-ray mask |
| JP2010008921A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 |
| WO2011077745A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 家電機器 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1182483A patent/JPH0348420A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785469A3 (en) * | 1996-01-22 | 1999-03-31 | AT&T Corp. | A Process for making an x-ray mask |
| JP2010008921A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 |
| WO2011077745A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 家電機器 |
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