JPH03124004A - 強磁性薄膜抵抗素子 - Google Patents
強磁性薄膜抵抗素子Info
- Publication number
- JPH03124004A JPH03124004A JP1262394A JP26239489A JPH03124004A JP H03124004 A JPH03124004 A JP H03124004A JP 1262394 A JP1262394 A JP 1262394A JP 26239489 A JP26239489 A JP 26239489A JP H03124004 A JPH03124004 A JP H03124004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy
- protective film
- thin film
- ferromagnetic thin
- resin
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＶＴＲの回転ヘッドの回転速度検出やプリン
タの印字タイミング検出などに利用される強磁性薄膜抵
抗素子（、ＭＲ素子）の信頼性向上に関するものである
。
タの印字タイミング検出などに利用される強磁性薄膜抵
抗素子（、ＭＲ素子）の信頼性向上に関するものである
。
従来の技術
ＭＲ素子は外部磁界を強磁性薄膜で検出する非接触セン
サーである。ここで強磁性薄膜はＭＲ素子の信頼性を高
めるため保護膜で保護されている。保護膜として要求さ
れる機能は、（ａ）回転ローラが接触しても強磁性薄膜
が傷つかぬよう硬度が必要であること。（ｂ）強磁性薄
膜が１０００ Ａと薄（、酸化しやすいため、耐食性が
必要であること。（Ｃ）下地がガラスやセラミックであ
るため、それらとの密着性が必要であることなど等であ
る。従来は保護膜材料として、■ガラス系、■フェノー
ル系樹脂が用いられてきた。又他に■エポキシ系樹脂が
試みられている。
サーである。ここで強磁性薄膜はＭＲ素子の信頼性を高
めるため保護膜で保護されている。保護膜として要求さ
れる機能は、（ａ）回転ローラが接触しても強磁性薄膜
が傷つかぬよう硬度が必要であること。（ｂ）強磁性薄
膜が１０００ Ａと薄（、酸化しやすいため、耐食性が
必要であること。（Ｃ）下地がガラスやセラミックであ
るため、それらとの密着性が必要であることなど等であ
る。従来は保護膜材料として、■ガラス系、■フェノー
ル系樹脂が用いられてきた。又他に■エポキシ系樹脂が
試みられている。
発明が解決しようとする課題
しかし、本発明者らの検討の結果次の事が判明した。■
ガラス系の場合、コストが高くプロセスも複雑である。
ガラス系の場合、コストが高くプロセスも複雑である。
■のフェノール系樹脂では、イオン不純物が少なく還元
性であるため、耐食性は良いが架橋密度が低いため、硬
度が低い。■のエポキシ系樹脂では密着性が高く、硬化
剤の選択により架橋密度が上り高硬度となるが、イオン
不純物が多く、又フェノール樹脂のように還元性でない
ため強磁性薄膜を腐食してしまう。
性であるため、耐食性は良いが架橋密度が低いため、硬
度が低い。■のエポキシ系樹脂では密着性が高く、硬化
剤の選択により架橋密度が上り高硬度となるが、イオン
不純物が多く、又フェノール樹脂のように還元性でない
ため強磁性薄膜を腐食してしまう。
本発明は、これまでと異なる樹脂材料で密着性が高（、
高硬度で耐食性のある樹脂保護膜を施したＭＲ素子を提
供するものである。
高硬度で耐食性のある樹脂保護膜を施したＭＲ素子を提
供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は保護膜の樹脂材料をエポキシ−フェノール系樹
脂にした強磁性薄膜抵抗素子を提供するものである。
脂にした強磁性薄膜抵抗素子を提供するものである。
作用
本発明によれば、密着性の高いエポキシの特長を活かし
、フェノールの一部をエポキシの硬化剤の働きをさせて
架橋密度を上げ高硬度とし、残りのフェノールの大部分
を還元性の働きを持たせ、強磁性薄膜の腐食を限り無（
小さ（した保護膜を用いたＭＲ素子を得ることができる
ものである。
、フェノールの一部をエポキシの硬化剤の働きをさせて
架橋密度を上げ高硬度とし、残りのフェノールの大部分
を還元性の働きを持たせ、強磁性薄膜の腐食を限り無（
小さ（した保護膜を用いたＭＲ素子を得ることができる
ものである。
実施例
樹脂材料の硬度を上げるための方策の一つとして、樹脂
の架橋密度を高（することが行われる。
の架橋密度を高（することが行われる。
しかし、樹脂の架橋密度を上げることは、密着性の低下
をもたらす。特にＭＲ素子の樹脂保護膜として実績のあ
るフェノール系樹脂は、その傾向が顕著であるため、フ
ェノール系樹脂を使った場合これまで以上に硬度を上げ
ることは困難であることが判明した。
をもたらす。特にＭＲ素子の樹脂保護膜として実績のあ
るフェノール系樹脂は、その傾向が顕著であるため、フ
ェノール系樹脂を使った場合これまで以上に硬度を上げ
ることは困難であることが判明した。
一方、前述のごとく、密着性にすぐれ、ある程度の高硬
度を有する材料にエポキシ樹脂がある。
度を有する材料にエポキシ樹脂がある。
エポキシ樹脂の架橋密度は、使用する硬化剤の性状によ
って太き（異なる。エポキシ樹脂を架橋密度が高く固い
材料にするための硬化剤としては、３級アミン、イミダ
ゾール、多価フェノールなどが知られている。しかし、
エポキシ樹脂は、イオン不純物が多いことと、フェノー
ル樹脂のように還元性でないため、保護すべき強磁性薄
膜を腐食させてしまう欠点を有することが明らかとなっ
た。
って太き（異なる。エポキシ樹脂を架橋密度が高く固い
材料にするための硬化剤としては、３級アミン、イミダ
ゾール、多価フェノールなどが知られている。しかし、
エポキシ樹脂は、イオン不純物が多いことと、フェノー
ル樹脂のように還元性でないため、保護すべき強磁性薄
膜を腐食させてしまう欠点を有することが明らかとなっ
た。
そこで、本発明者らは、還元性にすぐれたフェノール樹
脂をエポキシ硬化剤として用い（フェノール樹脂は一種
の多価フェノールである）架橋密度を上げると硬度が高
（、密着性にすぐれ、かつ強磁性薄膜の腐食を抑制でき
る材料が得られることを見い出した。
脂をエポキシ硬化剤として用い（フェノール樹脂は一種
の多価フェノールである）架橋密度を上げると硬度が高
（、密着性にすぐれ、かつ強磁性薄膜の腐食を抑制でき
る材料が得られることを見い出した。
ここで、用いられるエポキシ樹脂は、グリシジル基を含
むものならばよく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキ
シ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ノボラック型エポキ
シなどである。これらの種々のエポキシ樹脂が単用ある
いは、複数種の混合で用いられる。また、フェノール樹
脂については、フェノール水酸基を持ったものであれば
何でもよ（、例えばフェノールノボラック、フェノール
レゾール、タレゾールノボラックなどが単用あるいは、
混合物で用いられる。さらに、エポキシとフェノールの
配合比は、使用するエポキシのエポキシ当量、及び、フ
ェノールの水酸基当量によって異って（るが、概ね重量
比でエポキシ５〜７Ｑｗｔ％の範囲で用いるのが望まし
い。
むものならばよく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキ
シ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ノボラック型エポキ
シなどである。これらの種々のエポキシ樹脂が単用ある
いは、複数種の混合で用いられる。また、フェノール樹
脂については、フェノール水酸基を持ったものであれば
何でもよ（、例えばフェノールノボラック、フェノール
レゾール、タレゾールノボラックなどが単用あるいは、
混合物で用いられる。さらに、エポキシとフェノールの
配合比は、使用するエポキシのエポキシ当量、及び、フ
ェノールの水酸基当量によって異って（るが、概ね重量
比でエポキシ５〜７Ｑｗｔ％の範囲で用いるのが望まし
い。
本発明の一実施例にかかるＭＲ素子の断面の構造を模式
的に図に示す。この図に示す様に強磁性薄膜２を保護膜
１で保護している。この保護膜１として実績のあるガラ
ス保護膜、フェノール系樹脂保護膜と、その他の樹脂系
保護膜及び本発明にかかるエポキシ−フェノール系樹脂
保護膜の比較を次表に示す。
的に図に示す。この図に示す様に強磁性薄膜２を保護膜
１で保護している。この保護膜１として実績のあるガラ
ス保護膜、フェノール系樹脂保護膜と、その他の樹脂系
保護膜及び本発明にかかるエポキシ−フェノール系樹脂
保護膜の比較を次表に示す。
なお、図において、３はガラス、４は電極、５はセラミ
ック基板、６はバイアス磁石を示す。
ック基板、６はバイアス磁石を示す。
ゾール
木本 ３の高架橋型フェノール
本木本下層＝３の高架橋型フェノール
上層＝４のエポキシ
硬度：鉛筆硬度試験法
密着性：クロスカットテープは（り試験法腐食性：Ｐ’
ＣＢＴ １２０℃ ９０％ＲＨ１，７ａｔｍｖ ６については、下層を強磁性保護膜の腐食に対して抵抗
がある３の高架橋型フェノール樹脂、上層を硬度に優れ
る４のエポキシ樹脂で機能分離した構造をとったもので
ある。しかしこの６の２Ｍ構造では生産コストの上昇、
厚膜になることで膜の内部応力が太き（なり密着性が低
下する、及び磁気検知能力がおちるなどの悪影響がみら
れた。
ＣＢＴ １２０℃ ９０％ＲＨ１，７ａｔｍｖ ６については、下層を強磁性保護膜の腐食に対して抵抗
がある３の高架橋型フェノール樹脂、上層を硬度に優れ
る４のエポキシ樹脂で機能分離した構造をとったもので
ある。しかしこの６の２Ｍ構造では生産コストの上昇、
厚膜になることで膜の内部応力が太き（なり密着性が低
下する、及び磁気検知能力がおちるなどの悪影響がみら
れた。
上記の表から明らかなように、５に示すエポキシ−フェ
ノール系樹脂を用いた保護膜が、コストは低く、硬度、
密着性、腐食防止に優れていることがわかる。これは、
前述のごと（、密着性はエポキシの特徴を活かし、フェ
ノールの一部をネボキシの硬化剤の働きをさせて架橋密
度を上げ高硬度化し、残りのフェノールの大部分を還元
性の働きを持たせ、強磁性薄膜の腐食を限りなく小さく
したためである。
ノール系樹脂を用いた保護膜が、コストは低く、硬度、
密着性、腐食防止に優れていることがわかる。これは、
前述のごと（、密着性はエポキシの特徴を活かし、フェ
ノールの一部をネボキシの硬化剤の働きをさせて架橋密
度を上げ高硬度化し、残りのフェノールの大部分を還元
性の働きを持たせ、強磁性薄膜の腐食を限りなく小さく
したためである。
発明の効果
本発明のエポキシ−フェノール系の樹脂を保護膜に用い
ることによって、低コストで信頼性の高いＭＲ素子が得
られることが判した。したがって、本発明はＭＲ素子の
信頼性、耐久性の向上に太き（寄与するものである。
ることによって、低コストで信頼性の高いＭＲ素子が得
られることが判した。したがって、本発明はＭＲ素子の
信頼性、耐久性の向上に太き（寄与するものである。
図は本発明の一実施例のＭＲ素子構造の断面図である。
１・・・信頼性、２・・・強磁性薄膜。
Claims (1)
- 強磁性薄膜の保護膜として、エポキシ−フェノール系樹
脂を使用することを特徴とした強磁性薄膜抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262394A JPH03124004A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 強磁性薄膜抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262394A JPH03124004A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 強磁性薄膜抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124004A true JPH03124004A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17375157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1262394A Pending JPH03124004A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 強磁性薄膜抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124004A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929446A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-15 | ||
| JPS4959267A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-08 | ||
| JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS61290705A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1262394A patent/JPH03124004A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929446A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-15 | ||
| JPS4959267A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-08 | ||
| JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS61290705A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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