JPH03126540A - 多孔性セラミック基板内の欠陥を気密シールする方法 - Google Patents

多孔性セラミック基板内の欠陥を気密シールする方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明はプリント回路基板の製造に関するものであり、
特にプリント回路基板内の欠陥を気密シールする製造方
法に関するものである。
Ｂ、従来の技術と発明が解決しようとする課題米国特許
第３３４８９５０号明細書は、絶縁体の両面に配設され
た導体間の小面積貫通接続を確立する方法及び手段を開
示している。所望の相互接続点で、絶縁体の一方の表面
上の導線要素の小領域を隣接する絶縁材料に圧入して貫
通させ、絶縁体の反対側の表面上の導体の一点と接触さ
せる。
反対側の導体は、その内面で工大工具の動きを止めるた
めに支持板または同等品によって裏打ちする。工大工具
は圧入される導体にその構成物質の弾性限界点を越える
応力を加える形状になっており、したがって加工を受け
たこの導体材料は、工大工具を取り去った後に、変位し
た絶縁材料が弛緩して元の位置に戻ろうとする傾向に耐
えることができる。変形を受けなかった導体をめっき装
置の受容電極として用いて圧入孔に追加の導電物質をめ
っきすることにより、このようにして形成された接続を
電気的にも構造的にも補強できる。
米国特許第３５５７４４６号明細書は、横方向に変形可
能な導電性薄膜シートが、非導電性基板の主表面内にあ
る１つまたは複数の孔の上に位置決めされ、この主表面
に接触する構造を記述している。ゴム・パッドなど液圧
媒体を用いて均一な圧力がシートの自由主表面に加えら
れる。このような圧力で孔の上のシートの支持されてい
ない部分を押し出しまたは破裂または破壊して、貫通接
続が形成される。
米国特許第３７６６３０８号明細書は、特に超小型電子
機器内において、支持部材上に隣接し合う導体を相互接
続する方法に関するものである。
導体の接続部分に展性のある金属のこぶまたはパッドが
設けられ、それを変形させて融合させ、集積回路や類似
装置の導電経路の相互接続に有用な冷間圧接が形成され
る。
米国特許第４１８３１３７号明細書は、プリント回路基
板の貫通孔の表面壁に金属被覆を行なって、基板のある
金属層から絶縁板を貫通して他の金属層に通じる導電経
路を形成する方法を開示している。ドリルのビットを基
板を貫通して柔らかい導電材料塊中に押し込む。ビット
が回転している間、材料塊から切り取られた導体片がビ
ットによって絶縁板内の孔まで運ばれ、壁の表面に塗り
付けられる。塗り付けられた導電材料が、プリント回路
基板の２個の金属層の間に導電経路を形成する。
米国特許第４６６３８４０号明細書は、最外層の適当な
導体に圧入孔を形成することによって、絶縁層を変形さ
せ最外層と次の層の適当な導体を接触させる、多層プリ
ント回路基板の異なる層の導体を相互接続する方法に関
するものである。
この方法は１枚の基板上の多層プリント回路に使用でき
、また電気絶縁性薄膜上の柔軟な多層プリント回路にも
使用できる。後者の場合、圧入処理のための一時的裏打
ち表面が必要である。基板または一時的裏打ち表面は十
分に変形可能でなければならない。
Ｃ０課題を解決するための手段 本発明の目的は、欠陥を有する多孔性セラミックの表面
に展性金属層を蒸着またはスパッタリングするステップ
と、この展性金属層を欠陥上にすえ込みまたは塗り付け
るステップと、すえ込みされた第１の薄膜上に第２の金
属薄膜を堆積して平滑な欠陥のない表面を形成するステ
ップからなる、多孔性セラミック基板内の欠陥を気密シ
ールする方法を提供することである。
Ｄ、実施例 集積回路用の、銅薄膜層を配設した多孔性セラミックか
らなる基板は当技術分野で周知である。
このような基板に伴う主要な問題は、表面欠陥すなわち
基板表面内に形状変化を含んでいることである。表面上
に金属層を蒸着またはスパッタリングすることによって
これらの欠陥をシールしようとする努力がなされてきた
が、欠陥が浅くて広い場合には堆積層の厚さが欠陥を埋
めるのに不十分であり、また欠陥が狭くて深い場合には
薄膜内に欠陥が複製された。
第１図には、欠陥１２を有する多孔性セラミック基板が
示されている。基板１０の表面上に堆積された金属薄膜
１４も欠陥を示している。蒸着まタハスパッタリングに
よって堆積された金属薄膜１４は必要に応じて約５〜８
ミクロンの厚さである。
本発明では、第１図に示す第１ステツプで、金属薄膜１
４が基板１０上に蒸着またはスパッタリングされる。
次のステップで、第２図に示すように欠陥１２が平滑に
なるように、金属薄膜がすえ込みまたは塗り付けられる
。このすえ込みステップの結果として、金属薄膜１４の
厚さの幾分かが処理中に失われ、第２図の層１４の深さ
はたとえば２〜５ミクロンになる。
すえ込みステップ２の後、第３図に示すように第２の金
属層１６が層１４の上に堆積されて欠陥工２は第３図に
示すように完全に覆われ、こうして欠陥１２は溶剤捕集
に対して気密または不透過性となる。
本発明の方法に適用可能な金属層は、銅、アルミニウム
、金、銀など展性を有するどんな金属でもよい。
金属のすえ込みまたは塗り付けの工程ステップは、適当
な媒体を用いたラッピング・ホイールまたは研削ホイー
ルによる従来の微細機械加工技術または研磨技術でよい
。
層１６を堆積させて層１４と合体させた後、ステップ４
でフォトリソグラフィ法を用いてこの構造の上に捕捉パ
ッド１８を形成し、第４図に示す最終構造を形成するこ
とができる。
Ｅ、効果 本発明によれば、多孔性セラミック基板内の欠陥を気密
シールして平滑な欠陥のない表面を形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、内部に欠陥を有し、基板の欠陥を模写した蒸
着薄膜をその上に有する、多孔性セラミック基板の概略
断面図である。 第２図は、本発明による工程ステップによって金属薄膜
が機械的に塗り付けまたはすえ込みされた後の、第１図
の構造の概略図である。 第３図は、本発明による工程ステップで第２の金属層が
その上に配設された後の、第２図の構造の概略図である
。 第４図は、本発明による工程ステップで別の材料層がさ
らにその上に配設された後の、第３図の構造の概略図で
ある。 工０・・・・多孔性セラミック基板、１２・・・・基板
内の欠陥、１４・・・・第１の金属薄膜層、１６・・・
・第２の金属薄膜層、１８・・・・捕捉パッド。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）欠陥を有する多孔性セラミック基板の表面上に金
    属層を蒸着またはスパッタリングするステップと、 欠陥上の金属層をすえ込みまたは塗り付けして前記金属
    層内のすべての開口部を塞ぐステップと、すえ込みされ
    た第１の薄膜上に第２の金属薄膜を堆積して平滑な欠陥
    のない表面を形成するステップと、 を含むことを特徴とする、多孔性セラミック基板内の欠
    陥を気密シールする方法。
  2. （２）請求項１に記載の欠陥を気密シールする方法であ
    って、前記金属層が銅、アルミニウム、金及び銀を含む
    種類の展性金属からなることを特徴とする方法。
  3. （３）請求項１に記載の欠陥を気密シールする方法であ
    って、前記金属を微細機械加工技術または研磨技術によ
    ってすえ込みすることを特徴とする方法。
  4. （４）請求項１に記載の欠陥を気密シールする方法であ
    って、さらに、フォトリソグラフィ法によって前記第２
    金属層の上に捕捉経路を堆積するステップを含むことを
    特徴とする方法。
JP2244141A 1989-10-05 1990-09-17 多孔性セラミック基板内の欠陥を気密シールする方法 Expired - Lifetime JPH0688368B2 (ja)

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