JPH0312667B2 - - Google Patents

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【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、点火コイルの１次電流を半導体スイ
ツチにより制御して点火用の高電圧を誘起させる
内燃機関用点火装置に関するものである。

［発明の概要］ 本発明は、機関の最大進角位置及び最小進角位
置を定める第１及び第２のパルス信号と両パルス
信号を用いて発生させた点火動作許容区間検出信
号とにより第１乃至第３の積分回路を制御して第
１乃至第３の積分電圧を発生させ、これらの積分
電圧を比較する比較回路により点火コイルの１次
側に設けられた１次電流制御用スイツチを制御し
て該１次電流制御用スイツチを導通状態から遮断
状態にすることにより点火用の高電圧を得る内燃
機関用点火装置において、 前記１次電流制御用スイツチの導通開始時期を
定める為に用いる積分電圧の立上り時期を機関の
回転数に応じて変化させて前記１次電流制御用ス
イツチの導通開始時期を機関の回転数に応じて変
化させることにより、 機関の低速時に１次電流制御用スイツチが導通
する期間が長くなり過ぎるのを防止して損失を少
なくするとともに、機関の高速時に該１次電流制
御用スイツチを導通期間を短くなり過ぎるのを防
いで点火性能の低下を防止したものである。

［従来の技術］ この種の点火装置として、積分回路や、比較回
路等からなる電子回路を用いて進角特性を得る電
子制御式の点火装置が知られている。従来のこの
種の点火装置では、機関の最大進角位置及び最小
進角位置でそれぞれ第１及び第２の信号を発生す
る信号コイルを設けて該信号コイルの出力でフリ
ツプフロツプ回路をトリガすることにより、最大
進角位置から最小進角位置までの区間に相当する
点火動作許容区間の間持続する点火動作許容区間
検出信号と、最小進角位置から次の最大進角位置
までの区間に相当する点火動作禁止区間の間持続
する点火動作禁止区間検出信号とを発生させる。
そしてこれらの区間検出信号で第１及び第２の積
分回路を制御することにより、最小進角位置から
最大進角位置までの点火動作禁止区間の間一定の
初期電圧を維持した後最大進角位置から最小進角
位置までの点火動作許容区間の間直線的に上昇し
て最小進角位置で再び初期電圧に戻る波形の第１
の積分電圧と、最小進角位置から最大進角位置ま
での点火動作禁止区間の間一定の勾配で上昇し最
大進角位置から最小進角位置までの点火動作許容
区間の間一定の値を維持して最小進角位置で零に
戻る波形の第２の積分電圧とを発生させ、これら
第１及び第２の積分電圧を比較回路により比較し
て、点火動作許容区間において第１の積分電圧が
第２の積分電圧を超えた時に１次電流制御用スイ
ツチを遮断させて点火動作を行なわせるようにし
ている。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような電子制御式の点火装置によれば、
進角幅、進角開始回転数及び進角終了回転数を正
確に定めることができる。しかしながらこの種の
点火装置では、点火動作許容区間検出信号が立上
がると同時に１次電流制御用スイツチを導通状態
にして点火コイルに１次電流を流すようにしてい
たため、１次電流が流れる期間が長くなり過ぎ、
損失が多くなる上に点火コイルやスイツチ素子の
温度上昇が激しくなる欠点があつた。

そこで本出願人は、先に、特願昭59−201451号
の出願において、１次電流制御用スイツチが導通
する時期を任意に設定し得るようにした電子制御
式の内燃機関用点火装置を提案した。

この先に提案した点火装置によれば、１次電流
制御用スイツチの導通期間を適宜に設定すること
により、機関の低速時に通電期間が長くなり過ぎ
るのを防止し得るため、機関の低速時における損
失の増大や点火コイル及び素子の温度上昇を防ぐ
ことができる。

しかしながら、この先に提案した装置では、１
次電流制御用スイツチが導通する期間（角度）が
機関の全回転数領域で略一定になるため、機関の
高速時に通電時間が短くなり、電流の遮断値が減
少して点火性能が低下するという問題があること
が明らかになつた。

本発明の目的は、上記の問題を解決した電子制
御式の内燃機関用点火装置を提供することにあ
る。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、この一実施例を示す第１図に見られ
るように、点火コイル１と、前記点火コイルの１
次側に設けられた１次電流制御用スイツチ３と、
内燃機関の点火時期に前記１次電流制御用スイツ
チを導通状態から遮断状態にするように制御する
制御回路とを備えて、前記１次電流制御用スイツ
チの遮断により前記点火コイルの１次電流を急変
させることにより点火用の高電圧を得る内燃機関
用点火装置を対象とする。

本願第１の発明においては、前記制御回路が、 (イ) 内燃機関の回転に同期して該機関の点火時期
の最大進角位置及び最小進角位置でそれぞれス
レシヨールドレベル以上になる第１及び第２の
信号Vs１及びVs２を出力する信号コイル４
と、 (ロ) 上記第１及び第２の信号をそれぞれパルス状
に整形して最大進角位置で立上がる第１のパル
ス信号Vp１及び最小進角位置で立上がる第２
のパルス信号Vp２を発生する波形整形回路と、 (ハ) 信号蓄積用コンデンサ７ｅと、前記第１のパ
ルス信号が発生した時に導通して前記信号蓄積
用コンデンサを瞬時に充電する充電制御用トラ
ンジスタスイツチと、前記第２のパルス信号が
発生した時に導通して前記信号蓄積用コンデン
サを瞬時に放電させる放電制御用トランジスタ
スイツチとを備えて、前記信号蓄積用コンデン
サの両端に最大進角位置から最小進角位置まで
持続する点火動作許容区間検出信号Vqを得る
点火動作許容区間検出信号発生回路７と、 (ニ) 第１の積分コンデンサ８ｄと、前記最大進角
位置で前記信号蓄積用コンデンサの両端の電圧
Vqが立上がると同時に該信号蓄積用コンデン
サの端子電圧により第１の積分コンデンサを一
定の電圧まで瞬時に充電する第１の積分コンデ
ンサ充電回路と、前記第１の積分コンデンサを
一定の時定数で追加充電する追加充電回路とを
備えた第１の積分回路８と、 (ホ) 前記第２のパルス信号Vp２が発生した時に
前記第１の積分コンデンサを瞬時に放電させる
リセツト回路９と、 (ヘ) 第２の積分コンデンサ１０ａと、該第２の積
分コンデンサ１０ａを一定の時定数で充電する
第２の積分コンデンサ充電回路と、コレクタエ
ミツタ間回路が前記第２の積分コンデンサに対
して並列に接続されて前記第２のパルス信号に
より導通する第２の積分コンデンサ放電用トラ
ンジスタスイツチとを備えて、最小進角位置の
直後の位置から次の最小進角位置までの間該第
２の積分コンデンサを一定の時定数で充電し該
最小進角位置で該第２の積分コンデンサを瞬時
に放電させる積分動作を行う第２の積分回路１
０と、 (ト) 第３の積分コンデンサ１１ａと、該第３の積
分コンデンサを一定の時定数で充電する第３の
積分コンデンサ充電回路と、前記第１のパルス
信号Vp１の立上りまたは前記点火動作許容区
間検出信号Vqの立上りを微分する微分回路１
１ｇと、コレクタエミツタ間回路が第３の積分
コンデンサに対して並列に接続されて前記微分
回路の出力によりトリガされて一定時間導通す
る第３の積分コンデンサ放電用トランジスタス
イツチとを備えて、最大進角位置より所定の角
度遅れた位置（この位置は機関の回転数の上昇
にともなつて遅れる）から次の最大進角位置ま
での間該第３の積分コンデンサを一定の時定数
で充電し該最大進角位置で該第３の積分コンデ
ンサを瞬時に放電させる積分動作を行う第３の
積分回路１１と、 (チ) 出力端子が前記１次電流制御用スイツチの制
御信号入力端子に結合され前記第２の積分コン
デンサ１０ａの両端に得られる第２の積分電圧
Vc２と前記第３の積分コンデンサ１１ａの両
端に得られる第３の積分電圧Vc３とを入力と
して前記第２の積分電圧が前記第３の積分電圧
以下になつている時に前記１次電流制御用スイ
ツチの導通を阻止し前記第２の積分電圧が前記
第３の積分電圧を超えている間前記１次電流制
御用スイツチの導通を許容する第１の比較回路
１２と、 (リ) 出力端子が前記１次電流制御用スイツチの制
御信号入力端子に結合され前記第１の積分コン
デンサ８ｄの両端に得られる第１の積分電圧
Vc１と前記第２の積分コンデンサ１０ａの両
端に得られる第２の積分電圧Vc２とを入力と
して前記第１の比較回路が前記１次電流制御用
スイツチの導通を許容し且つ前記第１の積分電
圧が前記第２の積分電圧以下になつている間前
記１次電流制御用スイツチを導通させ前記第１
の積分電圧が前記第２の積分電圧を超えた時に
前記１次電流制御用スイツチを遮断させる第２
の比較回路１３とを具備している。

また本願第２の発明は、上記第３の積分回路１
１の第３の積分コンデンサ１１ａが点火動作許容
区間検出信号発生回路の信号蓄積用コンデンサの
両端の電圧Vqにより充電される点で上記第１の
発明と相違する。この第２の発明においては、第
３の積分回路が、各最大進角位置から所定の角度
遅れた位置から最小進角位置まで第３の積分コン
デンサ１１ａを一定の時定数で充電し、最小進角
位置から次の最大進角位置まで該第３の積分コン
デンサの端子電圧を保持して該最大進角位置で第
３の積分コンデンサを瞬時に放電させる積分動作
を行なう。

本発明において先に提案した点火装置（特願昭
59−201451号）と相違するのは、第１のパルス信
号Vp１の立上がりまたは点火動作許容区間検出
信号の立上がりを微分する微分回路１１ｇを設け
て、該微分回路の出力で第３の積分コンデンサ放
電用スイツチをトリガするようにした点である。

［発明の作用］ 上記の構成において、第１の積分電圧が第２の
積分電圧を超えた時に点火動作が行なわれる点は
従来のこの種の点火装置と同様である。第１の積
分電圧が第２の積分電圧を超える位置は機関の回
転数の上昇と共に進んでいくため、機関の点火時
期はその回転数の上昇にともなつて進んでいく。

本発明においては、各最小進角位置の直後の位
置から次の最小進角位置まで一定の勾配で上昇す
る第２の積分電圧と、各最大進角位置より所定の
角度遅れた位置から最小進角位置または次の最大
進角位置まで一定の勾配で上昇する第３の積分電
圧とを比較して、第２の積分電圧が第３の積分電
圧以上になつた時に１次電流制御用スイツチの導
通を開始させる。このように、第３の積分電圧と
第２の積分電圧とを比較して第２の積分電圧が第
３の積分電圧を超えた時に１次電流制御用スイツ
チの導通を開始させるようにすると、機関の低速
時に１次電流制御用スイツチが導通する期間が必
要以上に長くなつて損失が増大したり、スイツチ
素子の温度上昇が甚だしくなつたりするのを防ぐ
ことができる。

また微分回路の出力パルスの時間幅は一定であ
るため、第３の積分コンデンサの充電開始位置
（角度）は機関の回転数の上昇にともなつて遅れ
ていく。従つて機関の回転数の上昇にともなつて
第３の積分コンデンサの充電時間が短くなるた
め、第３の積分電圧の大きさは機関の回転数の上
昇に伴つて小さくなつていく。そのため第２の積
分電圧が第３の積分電圧を超える位置は機関の回
転数の上昇に伴つて進んでいき、機関の回転数の
上昇に伴つて１次電流制御用スイツチの導通開始
位置が進んでいく（１次電流の通電角が長くなつ
ていく）。従つて機関の高速回転時に電流の遮断
値が低くなるのを防ぐことができ、高速時の点火
性能が低化するのを防ぐことができる。

［実施例］ 以下添附図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

(a) 第１の発明の実施例の構成 第１図は本発明の一実施例を示したもので、同
図において、１は一端が共通接続された１次コイ
ル１ａ及び２次コイル１ｂを有する点火コイル、
２は図示しない機関の気筒に取付けられて点火コ
イルの２次コイルの非接地側の端子に高圧コード
を介して接続された点火プラグである。点火コイ
ル１の１次コイル及び２次コイルの一端はエミツ
タを接地したトランジスタ３のコレクタに接続さ
れ、１次コイルの他端１ａ１は負極端子が接地さ
れた図示しないバツテリの正極端子に接続されて
いる。なおこの例のトランジスタ３としてはダー
リントン接続された複合トランジスタが用いられ
ている。

トランジスタ３は１次電流制御用スイツチを構
成するもので、後述する制御回路により機関の点
火時期より位相が進んだ時期に導通状態にされ、
点火時期に遮断状態にされるように制御される。
トランジスタ３が遮断状態にされると、それまで
点火コイルの１次コイル１ａとトランジスタ３の
コレクタエミツタ間とを通して流れていた１次電
流が遮断されるため、該１次コイルに１次電流を
流し続けようとする向きの高い電圧が誘起する。
この時点火コイルの鉄心中に大きな磁束変化が生
じ、この磁束変化により２次コイルに高電圧が誘
起する。この高電圧は点火プラグ２に印加される
ため、該点火プラグに火花放電が生じ、機関が点
火される。

上記トランジスタ（１次電流制御用スイツチ）
３を制御する制御回路、信号コイル４と、第１及
び第２のパルス整形回路５及び６からなる波形整
形回路と、点火動作許容区間検出信号発生回路７
と、第１の積分回路８と、リセツト回路９と、第
２の積分回路１０と、第３の積分回路１１と、第
１及び第２の比較回路１２及び１３とからなつて
いる。

信号コイル４は機関の回転に同期して回転する
信号発電機内に配置され、第２図Ａに示すように
機関の最大進角位置θ１及びθ２でそれぞれスレ
シヨールドレベルVtを超える第１の信号Vs１及
び第２の信号Vs２を発生する。この信号コイル
４の一端は接地されている。

第１のパルス整形回路５は、アノードが信号コ
イル４の非接地側端子に接続されたダイオード５
ａと、該ダイオード５ａのカソードに一端が接続
され他端が共通接続されたコンデンサ５ｂ及び抵
抗５ｃと、コンデンサ５ｂ及び抵抗５ｃの他端の
共通接続点と接地間に接続された抵抗５ｄとによ
り構成された微分回路からなつている。

第２のパルス整形回路６は、カソードが信号コ
イル４の非接地側端子に接続されたダイオード６
ａと、該ダイオード６ａのアノードに一端が接続
され他端が共通接続されたコンデンサ６ｂ及び抵
抗６ｃと、コンデンサ６ｂ及び抵抗６ｃの他端の
共通接続点にベースが接続されエミツタが接地さ
れた波形整形用トランジスタ（NPNトランジス
タ）６ｄと、トランジスタ６ｄのベースと接地間
にアノードを接地側に向けて接続されたダイオー
ド６ｅと、トランジスタ６ｄのベース及びコレク
タにそれぞれ一端が接続された抵抗６ｆ及び６ｇ
とからなつている。

点火動作許容区間検出信号発生回路７は、ベー
スが第１のパルス整形回路５の抵抗５ｄの非接地
側端子に接続されエミツタが接地されれたNPN
トランジスタ７ａと、トランジスタ７ａとコレク
タに抵抗７ｂを介してベースが接続されたPNP
トランジスタ７ｃと、トランジスタ７ｃのエミツ
タとベース間に接続された抵抗７ｄと、トランジ
スタ７ｃのコレクタと接地間に接続された信号蓄
積用コンデンサ７ｅと、コンデンサ７ｅの非接地
側端子にコレクタが接続され、エミツタが接地さ
れたNPNトランジスタ７ｆと、トランジスタ７
ｆのベースに一端が接続された抵抗７ｇとからな
つており、トランジスタ７ｃとエミツタにつなが
る端子７ｃ１はバツテリを電源とする図示しない
定電圧回路の出力端子に接続されている。この実
施例では、トランジスタ７ａ，７ｃと抵抗７ｂ，
７ｄとにより充電制御用トランジスタスイツチが
構成され、トランジスタ７ｆと抵抗７ｇとにより
放電制御用トランジスタスイツチが構成されてい
る。

このように、本発明においては、信号蓄積用コ
ンデンサと該コンデンサの充放電を制御するトラ
ンジスタスイツチとにより点火動作許容区間検出
信号発生回路７を構成するので、多くの論理素子
を用いたフリツプフロツプ回路を用いる場合に比
べて構成を簡単にすることができ、またコンデン
サ７ｅの充放電を制御するトランジスタスイツチ
のトリガレベルを適当に設定しておくことにより
ノイズにより誤動作を防ぐことができる。

次に第１の積分回路８は、信号蓄積用コンデン
サ７ｅの両端に並列接続された抵抗８ａ，８ｂの
直列回路からなる抵抗分圧回路と、該抵抗分圧回
路の分圧点にベースが接続されコレクタが信号蓄
積用コンデンサ７ｅの非接地側端子に接続された
第１の積分回路用トランジスタ（NPNトランジ
スタ）８ｃと、トランジスタ８ｃのエミツタと接
地間に接続された第１の積分コンデンサ８ｄとト
ランジスタ８ｃのベースエミツタ間に接続された
スピードアツプコンデンサ８ｅと、トランジスタ
８ｃのコレクタエミツタ間に接続された抵抗８ｆ
とからなつている。

リセツト回路９は、エミツタが接地されコレク
タが前記第１の積分コンデンサ８ｄの非接地側端
子に接続されたリセツト用トランジスタ（NPN
トランジスタ）９ａと、トランジスタ９ａのベー
スに一端が接続され、他端が波形整形用トランジ
スタ６ｄのコレクタに接続された抵抗９ｂと、一
端が第１の積分コンデンサ８ｄの非接地側端子に
接続され他端がトランジスタ６ｄのコレクタに接
続された誤動作防止用コンデンサ９ｃとからなつ
ている。

第２の積分回路１０は、一端が接地された第２
の積分コンデンサ１０ａと、コレクタがコンデン
サ１０ａの非接地側端子に接続されエミツタが接
地された放電用トランジスタ（NPNトランジス
タ）１０ｂと、トランジスタ１０ｂのベースと波
形整形用トランジスタ６ｄのコレクタとの間に接
続された抵抗１０ｃと、トランジスタ１０ｂのコ
レクタに一端が接続された抵抗１０ｄとからな
り、抵抗１０ｄの他端１０ｄ１は図示しない定電
圧回路の出力端子に接続されている。

第３の積分回路１１は、一端が接地された第３
の積分コンデンサ１１ａと、コレクタがコンデン
サ１１ａの非接地側端子に接続されエミツタが接
地された放電用トランジスタ（NPNトランジス
タ）１１ｂと、トランジスタ１１ｂのベースに一
端が接続された抵抗１１ｃと、トランジスタ１１
ｂのベースエミツタ間に接続された抵抗１１ｄ
と、抵抗１１ｃの他端と点火動作許容区間検出信
号発生回路７の信号蓄積用コンデンサ７ｅの非接
地側端子との間に接続されたコンデンサ１１ｅ
と、トランジスタ１１ｂのコレクタに一端が接続
された抵抗１１ｆとからなり、抵抗１１ｆの他端
１１ｆ１は図示しない定電圧回路の出力端子に接
続されている。この実施例では、抵抗１１ｃ，１
１ｄとコンデンサ１１ｅとにより微分回路１１ｇ
が構成されている。この微分回路１１ｇは信号蓄
積用コンデンサ７ｅの両端に得られる点火動作許
容区間検出信号Vqの立上がりを微分してパルス
を発生し、該パルスが発生している間トランジス
タ１１ｂを導通させてコンデンサ１１ａを放電さ
せる。

第１の比較回路１２は、ICからなる電圧比較
器１２ａと、比較器１２ａの出力端子と電源端子
との間に接続された外付抵抗１２ｂとからなり、
比較器１２ａの出力端子はトランジスタ３のベー
ス（制御信号入力端子）に接続されている。比較
器１２ａの逆相入力端子には第３の積分コンデン
サ１１ａの両端に得られる第３の積分電圧Vc３
が入力され、比較器１２ａの正相入力端子には第
２の積分コンデンサ１０ａの両端に得られる第２
の積分電圧Vc２が入力されている。

第２の比較回路１３は、ICからなる電圧比較
器１３ａと、比較器１３ａの出力端子と電源端子
との間に接続された外付抵抗１３ｂとからなり、
比較器１３ａの出力端子はトランジスタ３のベー
スに接続されている。比較器１３ａの逆相入力端
子には第１の積分コンデンサ８ｄの両端に得られ
る第１の積分電圧Vc１が入力され、比較器１３
ａの正相入力端子には第２の積分コンデンサ１０
ａの両端に得られる第２の積分電圧Vc２が入力
されている。

(b) 第１の発明の実施例の動作 次に第２図を参照して上記実施例の動作を説明
する。第２図Ａは信号コイル４に得られる第１及
び第２の信号Vs１及びVs２の波形を示し、第２
図Ｂは第１及び第２のパルス信号Vp１及びVp２
の波形を示している。また第２図Ｃ乃至Ｋはそれ
ぞれ、誤動作防止用コンデンサ９ｃが無かつたと
した場合の積分電圧Vc１，Vc２、第１及び第２
の比較回路の出力端子が共通に接続されていなか
つたとした場合の第２の比較回路１３の出力端子
の電圧Vb、微分回路１１ｇの出力電圧Vf、積分
電圧Vc２，Vc３、第１及び第２の比較回路の出
力端子が共通に接続されていなかつたとした場合
の第１の比較回路１２の出力端子の電圧Vd、ト
ランジスタ３のベースエミツタ間電圧Vbe、点火
コイルの１次電流Ｉ１、及び点火コイルの２次電
流Ｉ２の波形を示し、第２図Ｌ乃至Ｐはそれぞれ
誤動作防止用コンデンサ９ｃがある場合の積分電
圧Vc１，Vc２、第２の比較回路１３の出力端子
の電圧Vb、トランジスタ３のベースエミツタ間
電圧Vbe、点火コイルの１次電流Ｉ１、及び点火
コイルの２次電流Ｉ２の波形を示している。尚第
２図の横軸には全て機関の回転角度θをとつてあ
り、各角度は機関の上死点TDCから測つている。

信号コイル４は第２図Ａに示したように、最大
進角位置θ１でスレシヨールドレベルVt以上に
なる第１の信号Vs１を発生し、最小進角位置θ
２でスレシヨールドレベルVt以上になる第２の
信号Vs２を発生する。第１のパルス整形回路５
は第１の信号Vs１を微分して第２図Ｂに示すよ
うに最大進角位置θ１で第１のパルス信号Vp１
を発生する。

第２の波形整形回路６においては、図示しない
電源から抵抗６ｆを通してトランジスタ６ｄにベ
ベース電流が流れて該トランジスタ６ｄが導通す
る。第２の信号Vs２が発生すると、第２のパル
ス整形回路６のダイオード６ｅ、抵抗６ｃ及びコ
ンデンサ６ｂ、ダイオード６ａを通して電流が流
れ、最小進角位置θ２でダイオード６ｅの両端の
電圧が所定値に達すると（第２の信号Vs２がス
レシヨールドレベルVt以上になると）トランジ
スタ６ｄのベースエミツタ間が逆バイアスされ、
該トランジスタ６ｄが遮断状態になる。第２の信
号Vs２がスレシヨールドレベル以下に立ち上が
るとトランジスタ６ｄが再び導通する。従つてト
ランジス６ｄのコレクタエミツタ間には第２の信
号Vs２がスレシヨールドレベル以上になつてい
る期間に相当するパルス幅の第２のパルス信号
Vp２が得られる。

最大進角位置θ１で第１のパルス信号Vp１が
発生すると、トランジスタ７ａが導通し、トラン
ジスタ７ｃが導通する。これにより第２図Ｃに示
したように信号蓄積用コンデンサ７ｅが瞬時に一
定の電圧Vqmまで充電される。次いで最小進角
位置θ２で第２のパルス信号Vp２が発生する
（トランジスタ６ｄが遮断状態になる）と抵抗６
ｇを通してトランジスタ７ｆにベース電流が流れ
て該トランジスタ７ｆが導通し、信号蓄積用コン
デンサ７ｅを瞬時に放電させる。従つて信号蓄積
用コンデンサ７ｅの両端には最大進角位置θ１か
ら最小進角位置θ２まで持続する点火動作許容区
間検出信号Vq（第２図Ｃ）が得られる。

上記点火動作許容区間検出信号Vqが発生する
と、第１の積分回路用トランジスタ８ｃが導通し
て第１の積分回路８の第１の積分コンデンサ８ｄ
が抵抗分圧回路の出力電圧からトランジスタ８ｃ
のベースエミツタ間電圧を差引いた大きさの初期
電圧Voまで瞬時に充電される。信号蓄積用コン
デンサ８ｄが初期電圧Voまで充電されると、第
１の積分回路用トランジスタ８ｃが遮断状態にな
る（トランジスタ８ｃにベース電流が流れなくな
る）ため、信号蓄積用コンデンサ８ｄは第１の積
分回路用トランジスタ８ｃのコレクタエミツタ間
に接続された充電用抵抗８ｆを通して一定の時定
数で追加充電される。従つて第１の積分コンデン
サ８ｄの両端に得られる第１の積分電圧Vc１の
波形は第２図Ｄ及びＬに示したように最大進角位
置θ１で初期電圧Voまで瞬時に立上がつた後更
に上昇する波形になる。

第２の積分回路１０では、第２の積分コンデン
サ１０ａが最小進角位置θ２の直後から次の最小
進角位置θ２まで一定の時定数で充電され、最小
進角位置で第２のパルス信号が発生するとトラン
ジスタ１０ｂが導通してコンデンサ１０ａが放電
する。従つて第２の積分コンデンサ１０ａの両端
に第２図Ｄ，Ｆ及びＫに示したような第２の積分
電圧Vc２が得られる。

第３の積分回路１１では、点火動作許容区間検
出信号Vqの立上りを微分する微分回路１１ｇの
出力電圧Vfが削減してトランジスタ１１ｂが遮
断した位置から次の最大進角位置θ１まで一定の
時定数で充電され、最大進角位置で点火動作許容
区間検出信号Vqが立上つて微分回路１１ｇがパ
ルスVfを出力するトランジスタ１１ｂが導通し
てコンデンサ１１ａを放電させる。従つて第３の
積分コンデンサ１１ａの両端には第２図Ｆに示し
たように各最大進角位置θ１により角度αだけ遅
れた位置θ３から最小進角位置θ１まで一定の勾
配で上昇して次の最大進角位置θ１までその電圧
を維持する第３の積分電圧Vc３が得られる。

上記第２の積分電圧Vc２と第３の積分電圧Vc
３とは第１の比較回路１２に入力される。第１の
比較回路１２では、第２の積分電圧Vc２が第３
の積分電圧Vc３以下の時に比較器１２ａの出力
段が遮断状態になつてその出力端子の対地電圧
Vdが高レベルになる。また第２の積分電圧Vc２
が第３の積分電圧Vc３以下の場合には、比較器
１３ａの出力段が導通状態になつており、比較回
路１３の出力端子の電位は略接地レベル（零）に
なつている。従つて第１の比較回路１２の出力端
子の電圧Vdの波形は第２図Ｈのようになり、該
第１の比較回路１２は、電圧Vdが零の期間トラ
ンジスタ３のベースの電位を接地レベルに保つて
該トランジスタ３の導通を禁止し、電圧Vdが高
レベルになつている期間のみトランジスタ３の導
通を許容する。

上記第１の積分電圧Vc１及び第２の積分電圧
Vc２は第２の比較回路１３に入力される。第２
の比較回路では、第１の積分電圧Vc１が第２の
積分電圧Vc２以下の場合に比較器１３ａの出力
段が遮断状態になつており、第１の積分電圧Vc
１が第２の積分電圧Vc２を超えると比較器１３
ａの出力段が遮断状態になる。従つて第２図Ｅま
たはＭに示したように、第１の積分電圧Vc１が
第２の積分電圧Vc２以下の場合には第２の比較
回路１３の出力端子の対地電圧Vbが高レベルに
なり、第１の積分電圧Vc１が第２の積分電圧Vc
２を超えている間は第２の比較回路１３の出力端
子の対地電圧が零になる。そのため第２の積分電
圧Vc２が第３の積分電圧Vc３を超えていて（ト
ランジスタ３の導通を許容していて）、且つ第１
の積分電圧Vc１が第２の積分電圧Vc２以下の場
合に、第２の比較回路１３が１次電流制御用スイ
ツチとしてのトランジスタ３にベース電流が流れ
るのを許容して該トランジスタ３を導通状態に
し、第２図ＪまたはＯに示すように点火コイルに
１次電流Ｉ１を流す。第２の比較回路１３はま
た、第１の積分電圧Vc１が第２の積分電圧Vc２
を超えた時にトランジスタ３のベース電位を略地
電位としてトランジスタ３を遮断状態にする。ト
ランジスタ３が導通状態から遮断状態になると、
点火コイルの１次電流Ｉ１が急激に変化するた
め、該点火コイルの鉄心中で大きな磁束変化が生
じ、該点火コイルの２次コイル１ｂに高電圧が誘
起する。これにより機関の気筒に取付けられた点
火プラグ２に火花放電が生じ、機関が点火され
る。

第１の積分電圧Vc１が第２の積分電圧Vc２を
超える位相は機関の回転数の上昇に伴つて進んで
いくため、機関の点火時期は回転数の上昇に伴つ
て進角して行く。

上記のように、本発明においては、第２の積分
電圧Vc２が第３の積分電圧Vc３を超えた時点で
トランジスタ３（１次電流制御用スイツチ）が導
通するため、微分回路１１ｇの定数（抵抗１１
ｃ，１１ｄとコンデンサ１１ｅにより定まる時定
数）及び第３の積分回路１１の積分定数（コンデ
ンサ１１ａと抵抗１１ｄにより定まる時定数）を
適宜に設定しておくことにより、１次電流制御用
スイツチが導通を開始する時期を任意に設定する
ことができる。従つて機関の低速時に点火コイル
の１次電流の通電期間が必要最小限になるように
第３の積分回路の積分定数を設定しておくことに
より、損失を最小限に抑えることができ、１次電
流制御用スイツチを構成するスイツチ素子の温度
上昇を抑制することができる。また、第３の積分
コンデンサの充電が開始される位置θ３が機関の
回転数の上昇にともなつて遅れていき、第２の積
分電圧が第３の積分電圧を超える位置は、機関の
回転数の上昇に伴つて進んでいくため、機関の回
転数の上昇に伴つて１次電流の通電時間が長くな
つていく。従つて機関の高速時に遮断電流値が低
くなるのを防ぐことができ、高速時の点火性能の
低下を防ぐことができる。

上記実施例において、誤動作防止用コンデンサ
９ｃを設け無い場合でも、点火プラグ２に火花放
電が生じた際に信号コイル４に波形整形用トラン
ジスタを遮断させるようなノイズの誘起が無かつ
たとすると、第２図Ｄに実線で示したように第１
の積分電圧Vc１は第２の積分電圧Vc２を超えた
後も一定の割合いで上昇を続け、最小進角位置θ
２でリセツト用トランジスタ９ａが導通した時に
零に戻る。この場合点火プラグでの火花放電の継
続時間は十分長くなり、所定の点火性能が得られ
る。これに対し、誤動作防止用コンデンサ９ｃが
無い場合に、点火プラグ２に火花放電が生じた際
に信号コイル４にノイズが誘起し、このノイズに
より波形整形用トランジスタ６ｄが遮断したとす
ると、トランジスタ９ａが導通してコンデンサ８
ｄを放電させる。従つて第１の積分電圧Vc１は
第２図Ｄに破線で示したように点火火花が生じる
と殆んど同時に第２の積分電圧Vc２以下になつ
てトランジスタ３が再導通し、点火プラグでの放
電が削滅する。この時点火コイル１の２次電流Ｉ
２の波形は第２図のＫに破線で示したようにな
り、点火火花の継続時間が著しく短くなる。この
ように、誤動作防止用コンデンサ９ｃが無いと、
点火火花により生じるノイズによつて波形整形用
トランジスタ６ｄが導通した場合に点火火花が短
時間で削滅し、点火性能が低下する。

そこで、誤動作防止用コンデンサ９ｃを設ける
と、波形整形用トランジスタ６ｄが導通している
期間（スレシヨールドレベル以上の第２の信号
Vc２が発生していない期間）に点火動作許容区
間検出信号発生回路７の信号蓄積用コンデンサ７
ｅの電荷により該誤動作防止用コンデンサ９ｃが
充電される。第１の積分電圧Vc１が第２の積分
電圧Vc２を超えて点火プラグ２に火花放電が生
じ、該火花放電により生じたノイズが信号コイル
４に誘起すると、該ノイズにより波形整形用トラ
ンジスタが遮断する。この波形整形用トランジス
タの遮断と同時に誤動作防止用コンデンサ９ｃの
電圧が第１の積分コンデンサ８ｆに加わり、第１
の積分コンデンサの端子電圧が誤動作防止用コン
デンサの端子電圧だけ持上げられる。その為第２
図Ｌに示したように、点火火花の発生直後に第１
の積分コンデンサの端子電圧Vc１が高くなる。
従つてノイズによるリセツト用トランジスタＴ６
の短時間の導通で第１の積分コンデンサが第２の
積分コンデンサの端子電圧以下に放電されること
は無くなり、点火火花により生じるノイズにより
第１の積分コンデンサをリセツトするリセツト回
路が誤動作することは無くなる。この時点火コイ
ルの１次電流Ｉ１の波形及び２次電流Ｉ２の波形
はそれぞれ第２図のＯ及びＰに示すようになり、
火花の継続時間が十分に長くなつて所定の点火性
能が得られる。従つて、本発明の点火装置を実用
化する際には、誤動作防止用コンデンサ９ｃを設
けるのが好ましい。

また上記実施例において、第１の積分回路８の
トランジスタ８ｃのコレクタベース間のスピード
アツプコンデンサ８ｅが無かつたとすると、トラ
ンジスタ８ｃのh_FEの温度特性により、第１の積
分コンデンサの初期の充電電圧が変動する。すな
わち、周囲温度が低い場合には、トランジスタ８
ｃのh_FEが小さいため、トランジスタ８ｃのコレ
クタ電流は、抵抗８ａの抵抗値で決めるベース電
流Ibとh_FEとの積Ib×h_FEにより定まる小さい値と
なり、第３図Ｃに破線で示したようにコンデンサ
８ｄの初期の充電電圧Vo′が低く抑えられる上に
その立上がりが遅くなる。また周囲温度が高い場
合には、h_FEが大きくなるため、トランジスタ８
ｃのコレクタ電流が大きくなり、第３図Ｃに実線
で示したようにコンデンサ８ｄの初期の充電電圧
Vo″が高くなる。このように、コンデンサ８ｅが
無かつたとすると周囲温度によつて第１の積分電
圧Vc１が変動するため、周囲温度によつて機関
の点火時期が変動し、機関の性能に悪影響を及ぼ
す。

これに対し、本発明のようにスピードアツプコ
ンデンサ８ｅを設けておくと、点火動作許容区間
検出信号Vqが立上がると同時にコンデンサ８ｅ
に充電電流が流れてトランジスタ８ｃに大きなベ
ース電流を供給するため、該コンデンサ８ｅがト
ランジスタ８ｃのコレクタ電流の立上がりを速め
るとともに該トランジスタ８ｃをオーバドライブ
し、コンデンサ８ｆの充電電圧の初期値を高める
とともにその立上がりを速くする。そのためコン
デンサ８ｅが設けられている場合には、第１の積
分電圧Vc１がほとんど周囲温度の影響を受けず、
第１の積分電圧Vc１は周囲温度の如何に拘らず
第３図Ｄに示す波形になる。従つて周囲温度の変
動が大きいことが予想される場合には、コンデン
サ８ｅを設けておくことが好ましい。

(c) 点火回路の変形例 上記の実施例では、１次電流制御用スイツチと
してのトランジスタ３が点火コイルの１次コイル
１ａに対して直列に接続されているが、１次電流
制御用スイツチを点火コイルの１次コイルに対し
て並列に設ける形式の電流遮断形点火装置にも本
発明を適用することができる。例えば、第４図に
示したように、点火コイル１の１次コイル１ａに
対してトランジスタ３のコレクタエミツタ間回路
を並列に接続し、該トランジスタ３のコレクタエ
ミツタ間回路に対して並列にエキサイタコイル２
０を接続する点火装置にも同様に本発明を適用す
ることができる。この点火装置において、エキサ
イタコイル２０は機関により駆動される磁石発電
機内に設けられ、機関の回転に同期して交流電圧
を誘起する。トランジスタ３のベースには第２の
比較回路１３の出力端子が接続され、トランジス
タ３のベースコレクタ間には抵抗２１が接続され
ている。第１の積分電圧Vc１及び第２の積分電
圧Vc２はそれぞれ第２の比較回路１３の逆相入
力端子及び正相入力端子に入力され、第１の積分
電圧Vc１が第２の積分電圧Vc２以下の場合に第
２の比較回路１３の出力端子の電位が高レベルに
あつてトランジスタ３の導通を許容する。第２の
比較回路１３の出力端子の電位が高レベルになつ
ている時にエキサイタコイル２０に図示の矢印方
向の電圧が誘起すると、トランジスタ３にベース
電流が流れ、該トランジスタ３が導通する。これ
によりエキサイタコイル２０からトランジスタ３
のコレクタエミツタ間を通して短絡電流が流れ
る。第１の積分電圧Vc１が第２の積分電圧Vc２
を超え、第２の比較回路１３の出力端子の電位が
接地電位になると、トランジスタ３が遮断状態に
なるため、エキサイタコイル２０に高い電圧が誘
起し、該電圧が点火コイル１の１次コイルに印加
される。従つて点火コイルの鉄心中で大きな磁束
変化が生じ、２次コイル１ｂに点火用の高電圧が
誘起する。

(d) 第２の発明の実施例 上記の実施例では、第３の積分コンデンサ１１
ａを図示しない定電圧電源回路により充電すると
したが、本願第２の発明では、この第３の積分コ
ンデンサ１１ａを信号蓄積用コンデンサ７ｅの両
端の電圧で充電する。第５図はこの第２の発明の
実施例を示したもので、この実施例では、第３の
積分コンデンサ１１ａの非接地側端子に抵抗１１
ｈの一端が接続され、該抵抗１１ｈの他端にダイ
オード１１ｉのカソードが接続されている。ダイ
オード１１ｉのアノードは信号蓄積用コンデンサ
７ｅの非接地側端子に接続され、抵抗１１ｈ及び
ダイオード１１ｉにより信号蓄積用コンデンサ７
ｅの端子電圧で第３の積分コンデンサ１１ａを一
定の時定数で充電する第３の積分コンデンサ充電
回路が構成されている。その他の構成は第１図に
示した実施例と同様である。

第５図の実施例においては、第３の積分コンデ
ンサ１１ａが信号蓄積用コンデンサ７ｅの端子電
圧により充電されるため、該第３の積分コンデン
サ１１ａの両端に得られる第３の積分電圧Vc３
の波形は、第６図Ｇに示すように各最大進角位置
θ１から所定の角度α遅れた位置から最小進角位
置θ２まで一定の勾配で上昇し、次の最大進角位
置θ１で零に戻る波形になる。この実施例におい
ても、第２の積分電圧Vc２が積分電圧Vc３を超
えた時にトランジスタ３が導通して点火コイル１
に１次電流が流れ、第１の積分電圧Vc１が第２
の積分電圧Vc２を超えた時にトランジスタ３が
遮断して点火動作が行なわれる。

(e) その他の変形例 上記の実施例では、第３の積分回路の微分回路
１１ｇで点火動作許容区間検出信号Vqの立上が
りを微分することにより一定の時間幅のパルス
Vfを得るようにしたが、第１のパルスVp１とし
て十分立上りの早い波形を得ることができる場合
には、該第１のパルス信号Vp１の立上がりを微
分回路１１ｇにより微分して一定の時間幅のパル
スVfを得るようにすることもできる。

［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、各最小進角位
置の直後の位置から次の最小進角位置まで一定の
勾配で上昇する第２の積分電圧と、各最大進角位
置より所定の角度遅れた位置から最小進角位置ま
たは次の最大進角位置まで一定の勾配で上昇する
第３の積分電圧とを比較して、第２の積分電圧が
第３の積分電圧以上になつた時に１次電流制御用
スイツチの導通を開始させるので、機関の低速時
に１次電流制御用スイツチが導通する期間が必要
以上に長くなつて損失が増大したり、スイツチ素
子の温度上昇が甚だしくなつたりするのを防ぐこ
とができる。また第２の積分電圧が第３の積分電
圧を超える位置を機関の回転数の上昇伴つて進ま
せて、機関の回転数の上昇に伴つて１次電流制御
用スイツチの導通開始位置を進ませるようにした
ので、機関の高速回転時に電流の遮断値が低くな
るのを防ぐことができ、高速時の点火性能が低化
するのを防止できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本願第１の発明の一実施例を示した回
路図、第２図は第１図の各部の信号波形を示した
波形図、第３図はスピードアツプコンデンサの作
用を説明するための波形図、第４図は本発明を適
用し得る点火回路の他の構成例を示した回路図、
第５図は本願第２の発明の一実施例を示した回路
図、第６図は第５図の各部の信号波形を示した波
形図である。 １……点火コイル、２……点火プラグ、３……
トランジスタ（１次電流制御用スイツチ）、４…
…信号コイル、５……第１のパルス整形回路、６
……第２のパルス整形回路、７……点火動作許容
区間検出信号発生回路、８……第１の積分回路、
９……リセツト回路、１０……第２の積分回路、
１１……第３の積分回路、１１ａ……第３の積分
コンデンサ、１１ｂ……第３の積分コンデンサ放
電用トランジスタスイツチ、１１ｇ……微分回
路、１２……第１の比較回路、１３……第２の比
較回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 点火コイルと、前記点火コイルの１次側に設
   けられた１次電流制御用スイツチと、内燃機関の
   点火時期に前記１次電流制御用スイツチを導通状
   態から遮断状態にするように制御する制御回路と
   を備え、前記１次電流制御用スイツチの遮断によ
   り前記点火コイルの１次電流を急変させて点火用
   の高電圧を得る内燃機関用点火装置において、 前記制御回路は、 内燃機関の回転に同期して該機関の点火時期の
   最大進角位置及び最小進角位置でそれぞれスレシ
   ヨールドレベル以上になる第１及び第２の信号を
   出力する信号コイルと、 前記第１の信号及び第２の信号をそれぞれパル
   ス状に整形して最大進角位置で立上がる第１のパ
   ルス信号及び最小進角位置で立上がる第２のパル
   ス信号を得る波形整形回路と、 信号蓄積用コンデンサと、前記第１のパルス信
   号が発生した時に導通して前記信号蓄積用コンデ
   ンサを瞬時に充電する充電制御用トランジスタス
   イツチと、前記第２のパルス信号が発生した時に
   導通して前記信号蓄積用コンデンサを瞬時に放電
   させる放電制御用トランジスタスイツチとを備え
   て該信号蓄積用コンデンサの両端に最大進角位置
   から最小進角位置まで持続する点火動作許容区間
   検出信号を得る点火動作許容区間検出信号発生回
   路と、 第１の積分コンデンサと、前記最大進角位置で
   前記信号蓄積用コンデンサの両端の電圧が立上が
   ると同時に該信号蓄積用コンデンサの端子電圧に
   より第１の積分コンデンサを一定の電圧まで瞬時
   に充電する第１の積分コンデンサ充電回路と、前
   記第１の積分コンデンサを一定の時定数で追加充
   電する追加充電回路とを備えた第１の積分回路
   と、 前記第２のパルス信号が発生した時に前記第１
   の積分コンデンサを瞬時に放電させるリセツト回
   路と、 第２の積分コンデンサと、該第２の積分コンデ
   ンサを一定の時定数で充電する第２の積分コンデ
   ンサ充電回路と、コレクタエミツタ間回路が前記
   第２の積分コンデンサに対して並列に接続されて
   前記第２のパルス信号によりトリガされて導通す
   る第２の積分コンデンサ放電用トランジスタスイ
   ツチとを備えた第２の積分回路と、 第３の積分コンデンサと該第３の積分コンデン
   サを一定の時定数で充電する第３の積分コンデン
   サ充電回路と、前記第１のパルス信号の立上がり
   または点火動作許容区間検出信号の立上がりを微
   分する微分回路と、コレクタエミツタ間回路が前
   記第３の積分コンデンサに対して並列に接続され
   て前記微分回路の出力によりトリガされて一定時
   間導通する第３の積分コンデンサ放電用トランジ
   スタスイツチとを備えた第３の積分回路と、 出力端子が前記１次電流制御用スイツチの制御
   信号入力端子に結合され前記第２の積分コンデン
   サの両端に得られる第２の積分電圧Vc２と前記
   第３の積分コンデンサの両端に得られる第３の積
   分電圧Vc３とを入力として前記第２の積分電圧
   が前記第３の積分電圧以下になつている時に前記
   １次電流制御用スイツチの導通を阻止し前記第２
   の積分電圧が前記第３の積分電圧を超えている間
   前記１次電流制御用スイツチの導通を許容する第
   １の比較回路と、 出力端子が前記１次電流制御用スイツチの制御
   信号入力端子に結合され前記第１の積分コンデン
   サの両端に得られる第１の積分電圧Vc１と前記
   第２の積分コンデンサの両端に得られる第３の積
   分電圧Vc２とを入力として前記第１の比較回路
   が前記１次電流制御用スイツチの導通を許容し且
   つ前記第１の積分電圧が前記第２の積分電圧以下
   になつている間前記１次電流制御用スイツチを導
   通させ前記第１の積分電圧が前記第２の積分電圧
   を超えた時に前記１次電流制御用スイツチを遮断
   させる第２の比較回路とを具備したことを特徴と
   する内燃機関用点火装置。 ２ 前記波形整形回路は、前記第１の信号をパル
   ス状に整形して最大進角位置で立上がる第１のパ
   ルス信号を得る第１のパルス整形回路と、前記第
   ２の信号がスレシヨールドレベル以上になつてい
   る期間遮断状態を維持し他の期間導通状態を維持
   する波形整形用トランジスタを備えた該波形整形
   用トランジスタのコレクタエミツタ間に第２のパ
   ルス信号を得る第２のパルス整形回路とからなつ
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の内燃機関用点火装置。 ３ 前記第１の積分コンデンサ充電回路は、前記
   信号蓄積用コンデンサの両端の電圧を分圧する抵
   抗分圧回路と、前記分圧回路の分圧点にベースが
   結合されコレクタが前記信号蓄積用コンデンサの
   正極性側端子にまたエミツタが前記第１の積分コ
   ンデンサの正極性側端子にそれぞれ結合された第
   １の積分回路用トランジスタと、前記第１の積分
   回路用トランジスタのコレクタエミツタ間に接続
   された充電用抵抗と、前記第１の積分回路用トラ
   ンジスタのベースエミツタ間に接続されたスピー
   ドアツプ用コンデンサとを備えていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項または第２項のいず
   れかに記載の内燃機関点火装置。 ４ 前記リセツト回路は、前記第１の積分コンデ
   ンサの両端にコレクタエミツタ間回路が並列に接
   続されベースが前記第２のパルス整形回路の波形
   整形用トランジスタのコレクタに結合されたリセ
   ツト用トランジスタと、一端が該リセツト用トラ
   ンジスタのコレクタに結合され他端が前記波形整
   形用トランジスタのコレクタに結合された誤動作
   防止用コンデンサとからなつていることを特徴と
   する特許請求の範囲第２項または第３項のいずれ
   かに記載の内燃機関用点火装置。 ５ 点火コイルと、前記点火コイルの１次側に設
   けられた１次電流制御用スイツチと、内燃機関の
   点火時期に前記１次電流制御用スイツチを導通状
   態から遮断状態にするように制御する制御回路と
   を備え、前記１次電流制御用スイツチの遮断によ
   り前記点火コイルの１次電流を急変させて点火用
   の高電圧を得る内燃機関用点火装置において、 前記制御回路は、 内燃機関の回転に同期して該機関の点火時期の
   最大進角位置及び最小進角位置でそれぞれスレシ
   ヨールドレベル以上になる第１及び第２の信号を
   出力する信号コイルと、 前記第１の信号及び第２の信号をそれぞれパル
   ス状に整形して最大進角位置で立上がる第１のパ
   ルス信号及び最小進角位置で立上がる第２のパル
   ス信号を得る波形整形回路と、 信号蓄積用コンデンサと、前記第１のパルス信
   号が発生した時に導通して前記信号蓄積用コンデ
   ンサを瞬時に充電する充電制御用トランジスタス
   イツチと、前記第２のパルス信号が発生した時に
   導通して前記信号蓄積用コンデンサを瞬時に放電
   させる放電制御用トランジスタスイツチとを備え
   て該信号蓄積用コンデンサの両端に最大進角位置
   から最小進角位置まで持続する点火動作許容区間
   検出信号を得る点火動作許容区間検出信号発生回
   路と、 第１の積分コンデンサと、前記最大進角位置で
   前記信号蓄積用コンデンサの両端の電圧が立上が
   ると同時に該信号蓄積用コンデンサの端子電圧に
   より第１の積分コンデンサを一定の電圧まで瞬時
   に充電する第１の積分コンデンサ充電回路と、前
   記第１の積分コンデンサを一定の時定数で追加充
   電する追加充電回路とを備えた第１の積分回路
   と、 前記第２のパルス信号が発生した時に前記第１
   の積分コンデンサを瞬時に放電させるリセツト回
   路と、 第２の積分コンデンサと、該第２の積分コンデ
   ンサを一定の時定数で充電する第２の積分コンデ
   ンサ充電回路と、コレクタエミツタ間回路が前記
   第２の積分コンデンサに対して並列に接続されて
   前記第２のパルス信号によりトリガされて導通す
   る第２の積分コンデンサ放電用トランジスタスイ
   ツチとを備えた第２の積分回路と、 第３の積分コンデンサと、前記信号蓄積用コン
   デンサの両端の電圧で該第３の積分コンデンサを
   一定の時定数で充電する第３の積分コンデンサ充
   電回路と、前記第１のパルス信号の立上がりまた
   は前記点火動作許容区間検出信号の立上がりを微
   分する微分回路と、コレクタエミツタ間回路が前
   記第３の積分コンデンサに対して並列に接続され
   て前記微分回路の出力によりトリガされて導通す
   る第３の積分コンデンサ放電用トランジスタスイ
   ツチとを備えた第３の積分回路と、 出力端子が前記１次電流制御用スイツチの制御
   信号入力端子に結合され前記第２の積分コンデン
   サの両端に得られる第２の積分電圧Vc２と前記
   第３の積分コンデンサの両端に得られる第３の積
   分電圧Vc３とを入力として前記第２の積分電圧
   が前記第３の積分電圧以下になつている時に前記
   １次電流制御用スイツチの導通を阻止し前記第２
   の積分電圧が前記第３の積分電圧を超えている間
   前記１次電流制御用スイツチの導通を許容する第
   １の比較回路と、 出力端子が前記１次電流制御用スイツチの制御
   信号入力端子に結合され前記第１の積分コンデン
   サの両端に得られる第１の積分電圧Vc１と前記
   第２の積分コンデンサの両端に得られる第２の積
   分電圧Vc２とを入力として前記第１の比較回路
   が前記１次電流制御用スイツチの導通を許容し且
   つ前記第１の積分電圧が前記第２の積分電圧以下
   になつている間前記１次電流制御用スイツチを導
   通させ前記第１の積分電圧が前記第２の積分電圧
   を超えた時に前記１次電流制御用スイツチを遮断
   させる第２の比較回路とを具備したことを特徴と
   する内燃機関用点火装置。 ６ 前記波形整形回路は、前記第１の信号をパル
   ス状に整形して最大進角位置で立上がる第１のパ
   ルス信号を得る第１のパルス整形回路と、前記第
   ２の信号がスレシヨールドレベル以上になつてい
   る期間遮断状態を維持し他の期間導通状態を維持
   する波形整形用トランジスタを備えて該波形整形
   用トランジスタのコレクタエミツタ間に第２のパ
   ルス信号を得る第２のパルス整形回路とからなつ
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第５項に
   記載の内燃機関用点火装置。 ７ 前記第１の積分コンデンサ充電回路は、前記
   信号蓄積用コンデンサの両端の電圧を分圧する抵
   抗分圧回路と、前記分圧回路の分圧点にベースが
   結合されコレクタが前記信号蓄積用コンデンサの
   正極性側端子にまたエミツタが前記第１の積分コ
   ンデンサの正極性側端子にそれぞれ結合された第
   １の積分回路用トランジスタと、前記第１の積分
   回路用トランジスタのコレクタエミツタ間に接続
   された充電用抵抗と、前記第１の積分回路用トラ
   ンジスタのベースエミツタ間に接続されたスピー
   ドアツプ用コンデンサとを備えていることを特徴
   とする特許請求の範囲第５項または第６項のいず
   れかに記載の内燃機関点火装置。 ８ 前記リセツト回路は、前記第１の積分コンデ
   ンサの両端にコレクタエミツタ間回路が並列に接
   続されベースが前記第２のパルス整形回路の波形
   整形用トランジスタのコレクタに結合されたリセ
   ツト用トランジスタと、一端が該リセツト用トラ
   ンジスタのコレクタに結合され他端が前記波形整
   形用トランジスタのコレクタに結合された誤動作
   防止用コンデンサとからなつていることを特徴と
   する特許請求の範囲第６項または第７項のいずれ
   かに記載の内燃機関用点火装置。