JPH0312787B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、論理回路や記憶装置を構成するスイ
ツチング素子等に用いられるジヨセフソン接合素
子の製造方法に関し、さらに詳しくは、微細な接
合の作製に適したジヨセフソン接合素子の製造方
法に関するものである。

（従来技術とその問題点） 従来、ジヨセフソン接合素子の製造方法とし
て、柘植久尚らによつて提案された方法がある。
（特開58−209176「ジヨセフソン接合素子の製造方
法」）第３図ａ〜ｄは従来のジヨセフソン接合素
子の製造方法を説明するための、工程順に示した
断面図である。まず、第３図ａに示すように、絶
縁体基板３１上に第１の超伝導体電極３２、トン
ネル障壁層３３、第２の超伝導体電極３４の三層
膜からなる接合構成層を所望のパターンに形成す
る。次に、第３図ｂに示すように、第２の超伝導
体層３４上のジヨセフソン接合部となる領域に通
常のホトレジスト工程でホトレジストからなるエ
ツチングマスク３５を形成した後、第３図ｃに示
すように反応性スパツタエツチング法あるいはイ
オンビームエツチング法によつて少なくとも第２
の超伝導体層３４のエツチングマスク３５から露
出した領域を完全にエツチング除去することで接
合領域を規定する。第３図ｃではトンネル障壁層
までエツチング除去しているが、少なくとも第２
の超伝導体層を除去すれば接合領域は規定でき
る。次に、第３図ｄに示すように、エツチングマ
スク３５を用いたリフトオフ法によつて絶縁体層
３６を形成し、さらに第４の超伝導体層よりなる
配線３７を形成することでジヨセフソン接合素子
を得る。

ジヨセフソン接合素子を用いた集積回路の製造
においては、多数のジヨセフソン接合の臨界電流
を設計値どおりにかつ一様に形成することが最も
要求されており、そのためにはジヨセフソン接合
領域を設計値どおりの寸法に規定する技術が重要
である。従つて、前述した製造方法においては、
接合規定のためのエツチングマスク３５を設計値
どおりに形成することが重要となる。前述した製
造方法においては、ホトレジストからなるエツチ
ングマスク３５は、第３図ａに示した所望のパタ
ーンを有する接合構成層を形成した基板上に例え
ばポジ型のホトレジスト層を塗布、乾燥し、接合
部となる領域以外のホトレジスト層を露光し現像
することで得られる。ここで接合領域は、接合構
成層上にあり、エツチングマスク３５は第２の超
伝導体層３４の上に形成されることになる。とこ
ろが、第２の超伝導体層３４としては鉛合金等が
用いられ、一酸化硅素（SiO）や二酸化硅素
（SiO₂）からなる基板３１の表面に較べてホトレ
ジストを露光する光の反射率が高く、さらに段差
のために基板３１上のホトレジスト層の膜厚は第
２の超伝導体層上のホトレジスト層の膜厚に較べ
て厚く形成されることになる。従つて第２の超伝
導体層３４上のホトレジスト層が適正露光になる
ような条件で露光すれば基板３１上のホトレジス
トが不足露光となつてエツチングマスク３５のパ
ターン形成に適正な条件で現像すれば基板３１上
にレジストの一部が残ることがある。このレジス
ト残りによつて絶縁体層３６に剥離や突起などの
欠陥が生じることがあり、接合素子の歩留りや信
頼性を低下させるという欠点があつた。

また、基板３１上のホトレジスト層を確実に現
像によつて除去できる条件で露光・現像すれば第
２の超伝導体層３４上のホトレジスト層が過露
光・過現像となりエツチングマスク３５が設計値
よりも小さくなり、エツチングマスクのコーナー
部の形状の変化もおきる。このような、エツチン
グマスクの設計値からのずれは接合寸法が微細に
なるほど影響が大きくなり、ジヨセフソン集積回
路の微細化大集積化の妨げとなるという欠点があ
つた。

（発明の目的） 本発明は、このような従来の欠点を取り除いた
ジヨセフソン接合素子の製造方法を提供すること
にある。

（発明の構成） 本発明によれば、基板上に第１の超伝導体層、
この第１の超伝導体層上にトンネル障壁層、この
トンネル障壁層上に第２の超伝導体層を連続形成
する工程と、前記第１の超伝導体層、前記トンネ
ル障壁層および前記第２の超伝導体層からなる接
合構成層を所望のパターンにエツチング加工する
工程と、前記接合構成層をエツチング除去した領
域の基板上に前記第２の超伝導体層と同じ材料か
らなる第３の超伝導体層を形成する工程と、前記
第２の超伝導体層上のジヨセフソン接合となる領
域にエツチングマスクを形成する工程と、少なく
とも前記エツチングマスクから露出した領域の前
記第２の超伝導体層および第３の超伝導体層を完
全にエツチング除去する工程とを含むことを特徴
とするジヨセフソン接合素子の製造方法が得ら
れ、さらに、基板上に第１の超伝導体層、この第
１の超伝導体層上にトンネル障壁層、このトンネ
ル障壁層上に第２の超伝導体層を連続形成する工
程と、前記第１の超伝導体層、前記トンネル障壁
層および前記第２の超伝導体層よりなる接合構成
層を所望のパターンにエツチング加工する工程
と、前記接合構成層をエツチング除去した領域の
基板上に絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上に第
２の超伝導体層と同じ材料からなる第３の超伝導
体層を形成する工程と、前記第２の超伝導体層上
のジヨセフソン接合となる領域にエツチングマス
クを形成する工程と、少くとも前記エツチングマ
スクから露出した領域の前記第２の超伝導体層お
よび第３の超伝導体層を完全にエツチング除去す
る工程とを含むことを特徴とするジヨセフソン接
合素子の製造方法が得られる。

（第１の発明の構成の詳細な説明） 以下、第１の発明の詳細を実施例を示す図面に
従つて説明する。第１図ａ〜ｆは第１の発明の一
実施例を工程順に示した図である。

まず、第１図ａに示すように、絶縁体基板ある
いは表面に絶縁体層を有する基板１１上に連続形
成した第１の超伝導体層１２、トンネル障壁層１
３、第２の超伝導体層１４の三層膜よりなる接合
構成層上に第１のエツチングマスク１５を形成
し、前記接合構成層を所望の電極パターンにエツ
チング加工する。続いて第１図ｂに示すように第
２の超伝導体層１４と同じ材料からなる第３の超
伝導体層１６を第２の超伝導体層１４と同等の厚
さに形成する。次に第１図ｃに示すように、第１
のエツチングマスク１５を有機溶剤中で溶解除去
することによつて第１のエツチングマスク１５上
の第３の超伝導体層１６をリフトオフ除去し、前
記接合構成層をエツチング除去した領域の基板１
１の上のみに選択的に第３の超伝導体層１６を残
す。次に第１図ｄに示すように、通常のホトレジ
スト工程でホトレジストからなる第２のエツチン
グマスク１７を形成する。このとき、従来の製造
方法の工程と異なつて、ホトレジスト層を形成す
る基板表面は全面にわたつて第２の超伝導体層１
４、または第２の超伝導体層１４と同じ材料から
なる第３の超伝導体層１６によつて覆われている
ため露光時の下地からの反射は均一になつてい
る。さらに、接合構成層とそれ以外の領域の段差
は第１の超伝導体層１２とトンネル障壁層１３の
膜厚の和だけに抑えられる。この二つの効果によ
つて全面にわたつて適正な露光現像条件で第２の
エツチングマスク１７を形成することができるた
め部分的なレジスト残りのない、設計寸法どおり
のエツチングマスク１７が得られる。続いて、第
１図ｅに示すように第２のエツチングマスク１７
をマスクとして少なくとも第２の超伝導体１４の
露出領域および第３の超伝導体層１６を完全にエ
ツチング除去することで接合領域を規定する。こ
のとき、第３の超伝導体層１６は第２の超伝導体
層１４と同じ材料で形成されているため同時にエ
ツチングすることができ、さらに膜厚も同等の厚
さであるため、第２の超伝導体層１４をエツチン
グ除去するために必要なエツチング時間あるいは
それよりわずかに長いエツチング時間で第３の超
伝導体層１６を完全に除去することができる。従
つて、別のエツチング工程を追加したり長時間の
エツチングを加える必要がないのでサイドエツチ
ングや側壁への再付着のような接合領域規定の悪
影響は問題になつてこない。さらに基板１１の表
面がエツチング雰囲気に晒される時間も短くなる
ため基板１１の保護にもなる。

続いて、第１図ｆに示すように、第１図ｅの第
２のエツチングマスク１７を用いたリフトオフ法
によつて絶縁体層１８を形成し、さらに第４の超
伝導体層よりなる配線１９を形成することでジヨ
セフソン接合素子を得る。このようにして製造さ
れたジヨセフソン接合素子では接合の寸法形状が
設計どおりに規定できるため接合の臨界電流値も
設計どおりとなり、さらに、露光不足や現像不足
によるレジスト残りもなくなるためこのレジスト
残りが原因となつて絶縁体層１８に生じた欠陥も
完全に防止することができるため、接合素子の歩
留りや信頼性も大幅に向上する。

（第１の発明の実施例） 以下に、第１の発明の一実施例について説明す
る。

まず、第１図ａに示すように、表面を熱酸化
SiO₂で被覆したシリコン（Si）基板１１上に、
第１の超伝導体層１２としてニオブ（Nb）膜
2000Åをスパツタ法あるいは蒸着法によつて形成
し、続いてトンネル障壁層１３として酸化ニオブ
（Nb₂O₅）膜数10Åを第１の超伝導体層１２であ
るNb膜の表面を熱酸化することで形成する。続
いて、第２の超伝導体層１４として鉛合金膜（例
えばインジウム12重量パーセント、金４重量パー
セント含有）1500Åを蒸着法によつて形成するこ
とによつて接合構成層を形成する。次に、第２の
超伝導体層１４の上にホトレジストよりなる第１
のエツチングマスク１５を通常のホトレジスト工
程で形成し、第２の超伝導体層１４である鉛合金
膜の第１のエツチングマスク１５からの露出部を
アルゴン（Ar）のイオンビームエツチング法で
完全にエツチング除去し、引続いてトンネル障壁
層１３であるNb₂O₅膜および第１の超伝導体層１
２であるNb膜を４フツ化炭素（CF₄）をエツチ
ングガスとして用いた反応性スパツタエツチング
法で完全にエツチング除去する。次に、第１図ｂ
に示すように、第３の超伝導体層１６である第２
の超伝導体層１４と同じ組成の鉛合金1500Åを蒸
着法で形成し、続いて、第１図ｃに示すように、
第１のエツチングマスク１５を有機溶剤中で溶解
除去する。このとき、第１のエツチングマスク１
５の上に形成された鉛合金膜も除去され、接合構
成層をエツチング除去した基板１１上のみに第３
の超伝導体層１６が残る。次に、第１図ｄに示す
ように第２のエツチングマスク１７を通常のホト
レジスト工程で形成する。このとき、ホトレジス
ト層を形成した基板表面は全面にわたつて鉛合金
で覆われており、さらに段差も従来の製造方法に
よれば約3500Åあるが本発明の製造方法によれば
約2000Åに減少している。従つて、全面にわたつ
て適正な露光現像条件で第２のエツチングマスク
１７を形成できるために不要なレジスト残りのな
い状態で第２のエツチングマスク１７を設計どお
りの寸法にできる。次に、第１図ｅに示すように
第２のエツチングマスク１７を用いて、Arイオ
ンビームエツチング法で鉛合金膜の露出領域を完
全にエツチング除去することで接合領域を規定す
る。このとき、第２の超伝導体層１４と第３の超
伝導体層１６は同じ材料で、かつ、同じ膜厚をも
つため同じエツチング条件で同時に完全に除去で
きる。従つて、設計値どおりの寸法形状を有する
接合素子を歩留りよく製造することが可能とな
り、特に微細な寸法のジヨセフソン接合素子を用
いた集積回路の特性向上および歩留り向上に顕著
な効果が得られる。しかも、工程は超伝導体層形
成工程が一工程増えるだけである。続いて、第１
図ｆに示すように、厚さ約3000ÅのSiO膜よりな
る絶縁体層１８を蒸着法とエツチングマスク１７
を用いたリフトオフ法で形成し、さらに第４の超
伝導体層である厚さ約6000Åの鉛合金膜よりなる
配線１９を蒸着法とエツチング法またはリフトオ
フ法で形成することでジヨセフソン接合素子を得
る。

このようにして製造された接合素子では、露光
不足あるいは現像不足によるレジスト残りを生じ
ることなくエツチングマスク１７を設計どおりに
規定できるため、絶縁体層１８であるSiO膜に剥
離や突起のような欠陥を生じることがなく、かつ
臨界電流も設計値どおりにすることができる。こ
のため接合素子の歩留りや信頼性の大幅な向上が
得られる。

なお、本実施例では、第１の超伝導体層１２に
はNb、トンネル障壁層１３にはNb₂O₅、第２の
超伝導体層１４および第３の超伝導体層１６には
鉛合金を用いたが、この組合せに限るものではな
い。

（第１の発明の効果） 以上説明したように、第１の発明によれば、接
合領域規定のための第２のエツチングマスクを露
光現像するときの下地は全領域にわたつて同じ超
伝導体であるため反射率が均一になる。さらに接
合構成層の領域と接合構成層をエツチング除去し
た領域との段差も減少する。そのため、第２のエ
ツチングマスクが設計どおりの寸法形状になるよ
うな条件で露光現像したときに露光不足あるいは
現像不足による不要なレジスト残りが生じなくな
るために、その上に形成する絶縁体層に欠陥が生
じることもない。

（第２の発明の構成の詳細な説明） 以下、第２の発明の詳細を実施例を示す図面に
従つて説明する。第２図ａ〜ｆは、第２の発明の
一実施例を工程順に示した図である。

まず、第２図ａに示すように、絶縁体層基板あ
るいは表面に絶縁体層を有する基板２１上に連続
形成した第１の超伝導体層２２、トンネル障壁層
２３、第２の超伝導体層２４の三層膜よりなる接
合構成層上に第１のエツチングマスク２５を形成
し、前記接合構成層を所望の電極パターンにエツ
チング加工する。続いて第２図ｂに示すように第
２の絶縁体層２６を第１の超伝導体層２２と同等
の厚さに形成し、続いて第２の超伝導体層２４と
同じ材料からなる第３の超伝導体層２７を第２の
超伝導体層２４と同等の厚さに形成する。次に第
２図ｃに示すように、第１のエツチングマスク２
５を有機溶剤中で溶解除去することで第１のエツ
チングマスク２５上の第２の絶縁体層２６と第３
の超伝導体層２７をリフトオフ除去して、前記接
合構成層をエツチング除去した領域の基板１１の
上のみに第２の絶縁体層２６および第３の超伝導
体層２７を残す。次に第２図ｄに示すように、通
常のホトレジスト工程でホトレジストからなる第
２のエツチングマスク２８を形成する。このと
き、従来の製造方法の工程と異なつて、ホトレジ
スト層を形成する基板表面は全面にわたつて第２
の超伝導体層２４または第２の超伝導体層２４と
同じ材料からなる第３の超伝導体層２７によつて
覆われているため露光時の基板からの反射は均一
になつている。さらに、接合構成層の領域とそれ
以外の領域との境界での段差は、前述したように
第１の超伝導体層２２と同等の膜厚を有する第２
の絶縁体層２６および第２の超伝導体層２４と同
等の膜厚を有する第３の超伝導体層２７を接合構
成層をエツチング除去した領域の全域に形成した
ことによつて、ほとんど解消されている。一般に
トンネル障壁層２３の膜厚は数10Å程度にすぎず
問題とならない。従つて、第２のエツチングマス
ク２８を形成するためのホトレジスト層はほぼ平
面の上に形成されるため膜厚も均一なものとな
る。この二つの効果によつて全面にわたつて適正
な露光現像条件で第２のエツチングマスク２８を
形成することができるため部分的なレジスト残り
を生じることなく、設計寸法どおりのエツチング
マスク２８が得られる。続いて、第２図ｅに示す
ように第２のエツチングマスク２８をマスクとし
て少なくとも第２の超伝導体２４の露光領域およ
び第３の超伝導体層２７を完全に除去することで
接合領域を規定する。このとき、第３の超伝導体
層２７は第２の超伝導体層２４と同じ材料で形成
されているため同時にエツチングすることがで
き、さらに膜厚も同等の厚さであるため、第２の
超伝導体層２４をエツチング除去するために必要
なエツチング時間あるいはそれよりわずかに長い
エツチング時間で第３の超伝導体層２７を完全に
除去することができる。従つて、別のエツチング
工程を追加したり長時間のエツチングを加える必
要がないのでサイドエツチングや側壁への再付着
のような接合領域規定への悪影響は問題になつて
こない。

また、本発明では、前述したように接合構成層
をエツチング除去した領域に第１の超伝導体層２
２と同等の膜厚を有する第２の絶縁体層２６およ
び第２の超伝導体層２４と同等の膜厚を有する第
３の超伝導体層２７からなる二層膜を形成するこ
とで段差を解消している。この段差解消を前記接
合構成層と同等の膜厚を有する第３の超伝導体層
２７一層のみで行う場合には、第３の超伝導体層
２７を完全に除去するために長時間のエツチング
を加える必要があるため接合規定にオーバーエツ
チングによる悪影響を与えることになるし、第３
の超伝導体２７のエツチング除去が不十分になる
と電気的短絡をおこすこともある。それに対し
て、本発明のように前述した二層膜による段差解
消を行えば第３の超伝導体層２７の除去に長時間
の追加エツチングは不要であり、さらに第２の絶
縁体層２６は電気的短絡を生じることがないため
除去する必要がないだけでなく、残しておけば第
２図ｅに示すように第１の超伝導体層２２の残つ
ている領域とエツチング除去した領域との段差解
消の役割も果たす。従つて、本発明は第１の超伝
導体層２２の膜厚が厚いときに特に顕著な効果を
示す。

続いて、第２図ｆに示すように、第２図ｅの第
２のエツチングマスク２８を用いたリフトオフ法
によつて第１の絶縁体層２９を形成し、さらに第
４の超伝導体層よりなる配線３０を形成すること
でジヨセフソン接合素子を得る。

このようにして製造されたジヨセフソン接合素
子では接合の寸法形状が設計どおりに規定できる
ため接合の臨界電流値も設計どおりとなり、さら
にレジスト残りが原因となつて第１の絶縁体層２
９に生じた欠陥も完全に防止することができるた
め接合素子の歩留りや信頼性も大幅に向上する。
本発明は第１の超伝導体層２２の膜厚が厚いとき
に特に効果が大きい。

（第２の発明の実施例） 以下に、第２の発明の一実施例について説明す
る。

まず、第２図ａに示すように、表面を熱酸化
SiO₂で被覆したシリコン（Si）基板２１上に、
第１の超伝導体層２２としてニオブ（Nb）膜
3000Åをスパツタ法あるいは蒸着法によつて形成
し、続いてトンネル障壁層２３として酸化ニオブ
（Nb₂O₅）膜数10Åを第１の超伝導体層１２であ
るNb膜の表面を熱酸化することで形成する。続
いて、第２の超伝導体層２４として鉛合金膜（例
えばインジウム12重量パーセント、金４重量パー
セント含有）1500Åを蒸着法によつて形成する。
次に、第２の超伝導体層２４の上にホトレジスト
よりなる第１のエツチングマスク２５を通常のホ
トレジスト工程で形成し、第２の超伝導体層１４
である鉛合金膜の第１のエツチングマスク２５か
らの露出部をアルゴン（Ar）のイオンビームエ
ツチング法で完全にエツチング除去し、引続いて
トンネル障壁層２３であるNb₂O₅膜および第１の
超伝導体層２２であるNb膜を４フツ化炭素
（CF₄）をエツチングガスとして用いた反応性ス
パツタエツチング法で完全にエツチング除去す
る。次に、第２図ｂに示すように、第２の絶縁体
層２６であるSiOを約3000Å蒸着し、続いて第３
の超伝導体層２７である第２の超伝導体層２４と
同じ組成の鉛合金約1500Åを蒸着法で形成し、続
いて、第２図ｃに示すように、第１のエツチング
マスク２５を有機溶剤中で溶解除去する。このと
き、第１のエツチングマスク２５の上に形成され
た第２の絶縁体層２６および鉛合金膜２７も除去
され、接合構成層をエツチング除去した基板１１
上のみに第２の絶縁体層２６および第３の超伝導
体層２７が残る。次に、第２図ｄに示すように、
第２のエツチングマスク２８を通常のホトレジス
ト工程で形成する。このとき、ホトレジスト層を
形成した基板表面は全面にわたつて前記鉛合金膜
で覆われており、さらに段差も従来の製造方法に
よれば約4500Åあるが本発明の製造方法によれば
数10Å以下に減少している。従つて、レジスト層
の下地の反射率もレジスト層の膜厚も均一なもの
となり、全面にわたつて適正な露光現像条件で第
２のエツチングマスク２８を形成できる。次に、
第２図ｅに示すように、第２のエツチングマスク
２８を用いて、鉛合金膜２４および２７の露出領
域をArイオンビームエツチング法で完全にエツ
チング除去することで接合領域を規定する。この
とき、第２の超伝導体層２４と第３の超伝導体層
２７は同じ材料で、かつ、同じ膜厚をもつため同
じエツチング条件で同時に完全に除去できる。続
いて、第２図ｆに示すように、厚さ約4000Åの
SiO膜よりなる第１の絶縁体層２９を蒸着法とエ
ツチングマスク２８を用いたリフトオフ法で形成
し、さらに第４の超伝導体層である厚さ約6000Å
の鉛合金膜よりなる配線１９を蒸着法とエツチン
グ法またはリフトオフ法で形成することでジヨセ
フソン接合素子を得る。

このようにして製造された接合素子では、段差
解消によりレジスト膜を均一な厚さに形成でき、
その下地も全域にわたつて同じ鉛合金膜２４，２
７となつているため第２のエツチングマスク２８
を設計どおりに形成する露光現像条件によつて不
要なレジスト残りを生じることがない。そのた
め、第１の絶縁体層２９であるSiO膜にレジスト
残りが原因となつた欠陥が生じることがなくな
る。従つて、設計どおりの臨界電流を有する接合
素子の歩留りや信頼性が大幅に向上する。さらに
第２の絶縁体層２６によつて接合素子の段差解消
も行うことができる。

なお、本実施例では第１の超伝導体層２２には
Nb、トンネル障壁層２３にはNb₂O₅、第２の超
伝導体層２４および第３の超伝導体層２７には鉛
合金を用いたがこの組合せに限るものではない。

（第２の発明の効果） 以上説明したように、本第２の発明によれば、
接合構成層の領域と接合構成層をエツチング除去
した領域との表面の段差はほとんど解消されてい
るため第２のエツチングマスクを形成するための
ホトレジスト層の厚さは全域にわたつて均一にな
つている。またホトレジスト層の下地も全域にわ
たつて同一の材料で覆われているため下地の反射
率も均一になつている。そのため、第２のエツチ
ングマスクが設計どおりの寸法形状となるような
条件で露光現像したときに露光不足あるいは現像
不足による不要なレジスト残りが生じなくなるの
で、レジスト残りが原因で生じた第１の絶縁体層
の欠陥もなくなる。

従つて、設計値どおりの寸法形状を有する接合
素子を歩留りよく製造することが可能となり、特
に微細な寸法のジヨセフソン接合素子を用いた集
積回路の特性向上および歩留り向上に顕著な効果
が得られる。

本発明は第１の超伝導体層の膜厚が厚い場合に
特に効果が大である。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ〜ｆは第１の発明のジヨセフソン接合
素子の製造方法を説明するための主要工程におけ
る素子の断面図、第２図ａ〜ｆは第２の発明のジ
ヨセフソン接合素子の製造方法を説明するための
主要工程における素子の断面図、第３図ａ〜ｄは
従来のジヨセフソン接合素子の製造方法を説明す
るための主要工程における素子の断面図で、図に
おいて、１１，２１，３１は基板、１２，２２，
３２は第１の超伝導体層、１３，２３，３３はト
ンネル障壁層、１４，２４，３４は第２の超伝導
体層、１５，２５，３５，１７，２８はエツチン
グマスク、１６，２７は第３の超伝導体層、１
８，２６，２９は絶縁体層、１９，３０は配線で
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上に第１の超伝導体層、この第１の超伝
   導体層上にトンネル障壁層、このトンネル障壁層
   上に第２の超伝導体層を連続形成する工程と、前
   記第１の超伝導体層、前記トンネル障壁層および
   前記第２の超伝導体層からなる接合構成層を所望
   のパターンにエツチング加工する工程と、前記接
   合構成層をエツチング除去した領域の基板上に前
   記第２の超伝導体層と同じ材料からなる第３の超
   伝導体層を形成する工程と、前記第２の超伝導体
   層上のジヨセフソン接合となる領域にエツチング
   マスクを形成する工程と、少なくとも前記エツチ
   ングマスクから露出した領域の前記第２の超伝導
   体層および第３の超伝導体層を完全にエツチング
   除去する工程とを含むことを特徴とするジヨセフ
   ソン接合素子の製造方法。 ２ 基板上に第１の超伝導体層、この第１の超伝
   導体層上にトンネル障壁層、このトンネル障壁層
   上に第２の超伝導体層を連続形成する工程と、前
   記第１の超伝導体層、前記トンネル障壁層および
   前記第２の超伝導体層よりなる接合構成層を所望
   のパターンにエツチング加工する工程と、前記接
   合構成層をエツチング除去した領域の基板上に絶
   縁体層を形成し、前記絶縁体層上に第２の超伝導
   体層と同じ材料からなる第３の超伝導体層を形成
   する工程と、前記第２の超伝導体層上のジヨセフ
   ソン接合となる領域にエツチングマスクを形成す
   る工程と、少くとも前記エツチングマスクから露
   出した領域の前記第２の超伝導体層および第３の
   超伝導体層を完全にエツチング除去する工程とを
   含むことを特徴とするジヨセフソン接合素子の製
   造方法。