JPH03128476A - Driver circuit with test mode - Google Patents
Driver circuit with test modeInfo
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- JPH03128476A JPH03128476A JP1265938A JP26593889A JPH03128476A JP H03128476 A JPH03128476 A JP H03128476A JP 1265938 A JP1265938 A JP 1265938A JP 26593889 A JP26593889 A JP 26593889A JP H03128476 A JPH03128476 A JP H03128476A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要。[Detailed description of the invention] 〔table of contents〕 overview.
産業上の利用分野
従来の技術(第3図)
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段(第1図)
作用
実施例(第2図)
発明の効果
〔概要〕
テストモード付ドライバ回路に関し、
LSI等を搭載したプリント配線基板の配線不良等のテ
スト時において、配線不良による短絡が発生しても、素
子破壊を起こすことなく、正確な検査ができるようにす
ることを目的とし、基本的な抵抗バイアス形のB’+
−CMOS論理回路の前段に、C−MOS トランジス
タを並列接続したドライバ回路において、C−MOSト
ランジスタの入力側に、テストモード信号による切り替
えで、ドライバ回路の出力を強制的にハイインピーダン
スにする、論理レベルの信号を出力するスイッチ回路を
接続するように構成する。Industrial field of application Conventional technology (Fig. 3) Means for solving the problems to be solved by the invention (Fig. 1) Working examples (Fig. 2) Effects of the invention [Summary] Driver with test mode Regarding circuits, the purpose of this test is to enable accurate testing without causing element destruction even if a short circuit occurs due to wiring defects when testing wiring defects on printed wiring boards equipped with LSI etc. Basic resistance bias type B'+
- In a driver circuit in which C-MOS transistors are connected in parallel at the front stage of a CMOS logic circuit, there is a logic circuit on the input side of the C-MOS transistor that forces the output of the driver circuit to be high impedance by switching with a test mode signal. It is configured to connect a switch circuit that outputs a level signal.
本発明はテストモード付ドライバ回路に関し、更に詳し
くいえば、本発明に係るドライバ回路を使用したLSI
や、その他のLSI等を実装したプリント配線板につい
て、製作時に、前記プリント配線板上で正しく配線がさ
れたか否か、等のテストを実施する際に用いられ、特に
テスト時における素子破壊を防止したテストモード付ド
ライバ回路に関する。The present invention relates to a driver circuit with a test mode, and more specifically, to an LSI using the driver circuit according to the present invention.
It is used to perform tests on printed wiring boards mounted with other LSIs, etc., to check whether the wiring has been done correctly on the printed wiring board during manufacturing, and in particular to prevent element destruction during testing. This invention relates to a driver circuit with a test mode.
第3図は、従来例の回路図であり、(A)図は基本的な
抵抗バイアス形のB i −CMOS論理回路を示した
図、(B)図は抵抗バイアス形の改良型B i −CM
OS論理回路を示した図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional example, in which (A) shows a basic resistance bias type B i -CMOS logic circuit, and (B) shows a resistance bias type improved B i -CMOS logic circuit. CM
It is a diagram showing an OS logic circuit.
図中、Ql、Q2はPチャンネルMO3I−ランジスタ
、Q4、Q5はNチャンネルMOSトランジスタ、Q3
、Q6はバイポーラトランジスタ、INは入力端子、O
UTは出力端子、VCI(H)は電源(ハイレベル)、
VC2(L)は電源(ローレベル)、Rは抵抗を示す。In the figure, Ql and Q2 are P-channel MO3I-transistors, Q4 and Q5 are N-channel MOS transistors, and Q3
, Q6 is a bipolar transistor, IN is an input terminal, O
UT is the output terminal, VCI (H) is the power supply (high level),
VC2 (L) is a power supply (low level), and R is a resistance.
(A)図に示した基本的なりi−CMOS論理回路は、
抵抗バイアス形のBi CMOSドライバ回路の基本
回路である。(A) The basic i-CMOS logic circuit shown in the figure is
This is a basic circuit of a resistance bias type Bi CMOS driver circuit.
MOSトランジスタQ7、Q5は、バイポーラトランジ
スタQ3、Q6のバイアス用として動作する。MOS transistors Q7 and Q5 operate to bias bipolar transistors Q3 and Q6.
この回路の動作としては、入力端子INにハイレベル信
号rl(Jが入力すると、MO3I−ランジスタQ2が
オフでMO3I−ランジスタQ5がオン、バイポーラト
ランジスタQ3がオフ、バイポーラトランジスタQ6が
オンとなり、入力端子INにローレベル信号「L」が入
力すると、トランジスタQ2、Q3がオンで、トランジ
スタQ5、Q6がオフとなる。The operation of this circuit is as follows: When a high level signal rl (J is input to the input terminal IN, MO3I transistor Q2 is turned off, MO3I transistor Q5 is turned on, bipolar transistor Q3 is turned off, bipolar transistor Q6 is turned on, and the input terminal When a low level signal "L" is input to IN, transistors Q2 and Q3 are turned on and transistors Q5 and Q6 are turned off.
したがって、入力端子INが「H」の時、出力端子OU
Tは「L」で、INが「し」の時OUTは「H」となる
。Therefore, when the input terminal IN is "H", the output terminal OU
T is "L" and when IN is "S", OUT is "H".
ところが、上記の基本回路では、定常状態において、出
力0[JTが高インピーダンス状態となる欠点があり、
ドライバ回路として使用した場合、ノイズに対して問題
がある。However, the above basic circuit has the drawback that in steady state, the output is 0 [JT is in a high impedance state.
When used as a driver circuit, there is a problem with noise.
例えば、INにr L Jを印加してトランジスタQ2
をオンにした時、過渡状態でトランジスタQ3がオンに
なっても、定常状態でトランジスタQ3のベース・エミ
ッタ間電圧■、が十分にとれず、トランジスタQ3がオ
フとなってしまい、出力が高インピーダンスになる。For example, by applying r L J to IN, transistor Q2
When transistor Q3 is turned on, even if transistor Q3 turns on in a transient state, the base-emitter voltage of transistor Q3 cannot be maintained sufficiently in steady state, transistor Q3 turns off, and the output becomes high impedance. become.
このような欠点を解決した回路として、(B)図に示し
たような改良型Bi−CMO3論理回路が知られていた
。An improved Bi-CMO3 logic circuit as shown in FIG. 3(B) is known as a circuit that solves these drawbacks.
この回路は、(A)図に示した基本的な抵抗バイアス形
のB i−CMOS論理回路の前段に、PチャンネルM
OSトランジスタQ1とNチャンネルMOS トランジ
スタQ4から成るCMOSトランジスタを並列に接続し
たものである。This circuit has a P-channel M
CMOS transistors consisting of an OS transistor Q1 and an N-channel MOS transistor Q4 are connected in parallel.
この回路で、入力端子(Nに印加された信号は、論理反
転及び電流増幅されて出力端子OUTに伝送される。In this circuit, a signal applied to the input terminal (N) is logically inverted and current amplified, and then transmitted to the output terminal OUT.
即ち、人力が論理rH,の時、トランジスタQ1、Q2
がオフ、トランジスタQ4、Q5がオンとなる。That is, when the human power is logic rH, transistors Q1 and Q2
is turned off, and transistors Q4 and Q5 are turned on.
また同時に、トランジスタQ3がオフ、Q6がオンとな
り、出力は論理「L」になる。一方、人力が論理「L」
の場合には、上記のオンとオフとが逆転し、出力は論理
rH,となる。At the same time, transistor Q3 is turned off, transistor Q6 is turned on, and the output becomes logic "L". On the other hand, human power is logic “L”
In the case of , the above-mentioned on and off states are reversed and the output becomes logic rH.
ここで、トランジスタQ2とQ5は上記の通り、トラン
ジスタQ3とQ6のバイアス用として動作し、トランジ
スタQ1とQ4は、出力の定常状態において、低インピ
ーダンスを保持するように働く。即ち、トランジスタの
オン時において、トランジスタQ1はトランジスタQ2
と抵抗Rの直列回路にくらべて低インピーダンスとなり
、トランジスタQ4は、トランジスタQ5と抵抗Rの直
列回路に(らべて低インピーダンスとなるように働く。Here, as described above, transistors Q2 and Q5 operate to bias transistors Q3 and Q6, and transistors Q1 and Q4 function to maintain low impedance in a steady state of output. That is, when the transistor is on, the transistor Q1 is turned on by the transistor Q2.
The impedance of the transistor Q4 is lower than that of a series circuit of a transistor Q5 and a resistor R, and the transistor Q4 functions to have a lower impedance than a series circuit of a transistor Q5 and a resistor R.
なお、図中では、トランジスタQ1〜Q6は各1個の場
合を示しているが、出力に接続される伝送路の特性イン
ピーダンスに整合させるべく、並列に複数個のトランジ
スタを接続することが普通である。Note that although the figure shows a case where one each of transistors Q1 to Q6 is used, it is common to connect multiple transistors in parallel to match the characteristic impedance of the transmission path connected to the output. be.
このようにして、出力の論理レベルは、トランジスタQ
1〜Q3、またはQ4〜Q6のオンにより保証されるこ
とになる。In this way, the logic level of the output is determined by the transistor Q
This is guaranteed by turning on 1 to Q3 or Q4 to Q6.
[発明が解決しようとする課8]
上記のような従来のものにおいては次のような欠点があ
った。[Problem 8 to be solved by the invention] The conventional device as described above had the following drawbacks.
(1)上記のような従来の論理回路(ドライバ回路)を
使用したLSIやその他のLSI等を実装したプリント
配線基板は、その製作時において正しく配線されたか否
かのテストを実施する。(1) Printed wiring boards on which LSIs using conventional logic circuits (driver circuits) as described above and other LSIs are mounted are tested to see if they are correctly wired at the time of manufacture.
その際、プリント配m基板の配線不良による短絡発生時
には、ハイレベルrH,の出力からロレベル「LJの出
力に向かって過大な電流が流れ(電流駆動能力が大であ
るため)、トランジスタ等の素子破壊を起こす恐れがあ
る。At that time, if a short circuit occurs due to a wiring defect on the printed wiring board, an excessive current flows from the high level rH output to the low level LJ output (because the current drive capability is large), causing elements such as transistors to flow. There is a risk of destruction.
(2)近年、LSI等を実装する基板の配線密度は高密
度化している。加えて、LSIのバッケジも多ピン化し
、容易に基板の配線不良を検出することが困難となって
きている。(2) In recent years, the wiring density of substrates on which LSIs and the like are mounted has become higher. In addition, the number of pins in LSI packages has increased, making it difficult to easily detect wiring defects on boards.
このため、上記のようなテスト時における素子破壊を防
ぐのは困難である。For this reason, it is difficult to prevent element destruction during testing as described above.
本発明は、このような従来の欠点を解消し、し31等を
搭載したプリント配線基板の配線不良等のテスト時にお
いて、配線不良による短絡が発生しても、素子破壊を起
こすことなく、正確な検査ができるようにすることを目
的とする。The present invention eliminates these conventional drawbacks, and even when a short circuit occurs due to a wiring defect when testing for wiring defects on a printed wiring board equipped with a 31, etc., it is possible to accurately test the wiring without causing element damage. The purpose is to enable accurate inspections.
第1図は本発明の原理図であり、図中第3図と同符号は
同一のものを示す。また、■は抵抗バイアス形の基本的
なり i−CMOS論理回路、2はC−MOS トラン
ジスタ、3はスイッチ回路、Sl、S7はスイッチ、T
Mはテストモード端子を示す。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same parts. In addition, ■ is the basic i-CMOS logic circuit of the resistance bias type, 2 is a C-MOS transistor, 3 is a switch circuit, Sl and S7 are switches, and T
M indicates a test mode terminal.
本発明は、PチャンネルのMOSトランジスタQ2、N
チャンネルのMOSトランジスタQ5、バイポーラトラ
ンジスタQ3、Q6から成る抵抗バイアス形の基本的な
りi−CMO3論理回論理回路段に、PチャンネルMO
SトランジスタQ1とNチャンネルMOSトランジスタ
Q4とから成るC−MO3I−ランジスタ2を並列接続
したドライバ回路の入力端に、スイッチ回路3を設け、
このスイッチ回路にテストモード端子TMを設けたもの
である。The present invention provides P-channel MOS transistors Q2, N
A P-channel MOS transistor Q5 and a resistor bias type basic i-CMO3 logic circuit stage consisting of a channel MOS transistor Q5 and bipolar transistors Q3 and Q6 are used.
A switch circuit 3 is provided at the input end of a driver circuit in which C-MO3I-transistors 2 each consisting of an S transistor Q1 and an N-channel MOS transistor Q4 are connected in parallel.
This switch circuit is provided with a test mode terminal TM.
上記の基本的なり i−CMO3論理回論理回路段に、
C−MOS I−ランジスタ2を並列接続したドライバ
回路は、第3図(B)に示したものと同じであり、この
ドライバ回路の入力端子INとは別に、テストモード端
子TMを設け、スイッチ回路3のスイッチS1、S2を
切り替える。The basic logic above is as follows: In the i-CMO3 logic circuit stage,
The driver circuit in which the C-MOS I-transistors 2 are connected in parallel is the same as that shown in FIG. 3(B), and a test mode terminal TM is provided separately from the input terminal IN of this driver circuit, and 3, switch S1 and S2.
テストモード端子TMにハイレベル信号rH。High level signal rH to test mode terminal TM.
が入力すると、スイッチ回路3のスイッチS1が閉じ、
S2が開く。When input, switch S1 of switch circuit 3 closes,
S2 opens.
この状態は、第3図(B)に示した従来の回路と同じで
あり、入力端子INがハイレベルrH。This state is the same as the conventional circuit shown in FIG. 3(B), and the input terminal IN is at high level rH.
の時、出力端子OUTはローレベルの「し」、入力端子
INが「L」ならば出力端子OUTは[H」となる。At this time, the output terminal OUT is at a low level, and if the input terminal IN is at a low level, the output terminal OUT is at a high level.
また、テストモード端子TMが「L」ならば、スイッチ
回路3のスイッチS1は開、SZは閉となる。Further, if the test mode terminal TM is "L", the switch S1 of the switch circuit 3 is open and the switch SZ is closed.
この状態では、トランジスタQ4、Q5のゲート人力が
入力端子TNから切り離され、スイッチS2により強制
的に電源VC2(L)の論理「L」が人力する。In this state, the gate voltages of the transistors Q4 and Q5 are disconnected from the input terminal TN, and the logic "L" of the power source VC2(L) is forced by the switch S2.
従って、出力は、トランジスタQ4、Q5、Q6がオフ
するためハイインピーダンスとなる。この時、入力端子
が「L」であれば出力はrH,であって、上記従来例と
変わらない。Therefore, the output becomes high impedance because transistors Q4, Q5, and Q6 are turned off. At this time, if the input terminal is "L", the output is rH, which is the same as in the conventional example.
本発明は上記のように構成したので、テストモード端子
TMがrH」ならば従来例と同様な論理回路として動作
し、テストモード端子TMが「L」ならば、出力は強制
的にハイインピーダンスとなる。Since the present invention is configured as described above, if the test mode terminal TM is "rH", it operates as a logic circuit similar to the conventional example, and if the test mode terminal TM is "L", the output is forcibly set to high impedance. Become.
すなわち、TMを「L」にしておけば、入力端子INが
r 1. 、で出力端子が「11」となり、入力端子I
Nが川]」で出力端子がハイインピーダンスとなる。That is, if TM is set to "L", the input terminal IN becomes r1. , the output terminal becomes "11", and the input terminal I
When the output terminal becomes high impedance, the output terminal becomes high impedance.
このため、テストモード端子TMを論理「L」の状態で
、プリント配線基板の各配線に論理「L」または論理用
1」を印加することにより、短絡不良がある配線での出
力論理「L」が論理「+−I Jに変化して異常を検出
することが可能となる。Therefore, by keeping the test mode terminal TM in the logic "L" state and applying logic "L" or "logic 1" to each wiring on the printed wiring board, the output logic "L" can be set in the wiring with the short-circuit defect. changes to the logic "+-IJ", making it possible to detect an abnormality.
またこの時、短絡が発生しても、出力がハイインピーダ
ンスであるから、トランジスタに大電流が流れず、素子
破壊を防止できる。Moreover, even if a short circuit occurs at this time, since the output is high impedance, a large current will not flow through the transistor, thereby preventing element destruction.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第2図は、本発明の1実施例の回路図であり、図中、第
1図と同符号は同一のものを示す。また、G1はインバ
ータ、G7、Q9はNチャンネルMOSトランジスタ、
G8はPチャンネルMOSトランジスタを示す。FIG. 2 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, in which the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts. In addition, G1 is an inverter, G7 and Q9 are N-channel MOS transistors,
G8 indicates a P-channel MOS transistor.
この実施例では、スイッチ回路3のスイッチS1として
、トランジスタQ7とG8とから成るトランスミッショ
ンゲートを用い、スイッチSzとしてトランジスタQ9
を用いたものであり、他の回路は従来例と同じである。In this embodiment, a transmission gate consisting of transistors Q7 and G8 is used as the switch S1 of the switch circuit 3, and a transistor Q9 is used as the switch Sz.
The other circuits are the same as the conventional example.
テストモード端子TMが論理「■4」の時には、トラン
ジス79丁がオンで、インバータGtの出力が論理「L
」となるから、トランジスタQBがオン、トランジスタ
Q9がオフとなる。When the test mode terminal TM is at the logic "■4", transistor 79 is on and the output of the inverter Gt is at the logic "L".
'', transistor QB is turned on and transistor Q9 is turned off.
この状態は、第3図(B)の回路と機能上全く同じであ
る。This state is functionally exactly the same as the circuit of FIG. 3(B).
次に、TMが論理「L」の時、トランジスタQ7とG8
がオフで、Q9がオンとなり、トランジスタQ4、G5
の入力が入力端子INと切り離される。Next, when TM is logic "L", transistors Q7 and G8
is off, Q9 is on, and transistors Q4 and G5
The input of is disconnected from input terminal IN.
そして、トランジスタQ9により、強制的に論理「L」
が入力され、出力はトランジスタQ4、G5、G6がオ
フとなるため、ハイインピーダンスとなる。なお、この
状態で、入力端子INが「L」、出力端子OUTが「N
(]の状態は従来例と変わらない。Then, the transistor Q9 forces the logic “L”.
is input, and the output becomes high impedance because transistors Q4, G5, and G6 are turned off. In this state, the input terminal IN is "L" and the output terminal OUT is "N".
The state of ( ) is the same as in the conventional example.
また、出力端子OtJ Tと、次段の入力端子IN(基
板の配線で接続される)の間には、論理レベルを保証す
るためのプルダウン(Pull down)抵抗が接続
される。Further, a pull-down resistor is connected between the output terminal OtJT and the input terminal IN of the next stage (connected by wiring on the board) to ensure the logic level.
上記のようなり i −CMO3論理回路より成るドラ
イバ回路を用いたLSI等を、プリント配線基板上へ搭
載して配線し、このプリント配線基板が正しく配線され
ているか否かをテストするには、テストモード端子TM
を論理「L」にする。As shown above, an LSI etc. using a driver circuit consisting of an i-CMO3 logic circuit is mounted and wired on a printed wiring board, and in order to test whether or not this printed wiring board is correctly wired, a test is required. Mode terminal TM
is set to logic "L".
この時、出力[Llはハイインピーダンス状態となるか
ら、仮りに、短絡が発生してr HJと「し」とが接続
しても、大電流は流れず、トランジスタ等の素子破壊は
防止できる。At this time, the output [Ll is in a high impedance state, so even if a short circuit occurs and rHJ and ``SHI'' are connected, a large current will not flow and destruction of elements such as transistors can be prevented.
このようにして、素子破壊を防止した状態で、基板の各
配線に論理「L」、または論理「11」を印加すること
により、短絡不良がある配線での出力論理rL、が論理
rHJに変化して異常を検出することが可能となる。In this way, by applying logic "L" or logic "11" to each wiring on the board while preventing element destruction, the output logic rL in the wiring with the short-circuit defect changes to logic rHJ. This makes it possible to detect abnormalities.
テスト終了後、通常のドライバ回路として使用する時は
、テストモード端子TMに論理rH,を固定的に印加し
、トランジス79丁とG8をオンとし、トランジスタQ
9をオフにして使用すれば、従来のドライバ回路と同じ
回路として使用できる。After the test, when using it as a normal driver circuit, apply logic rH, fixedly to the test mode terminal TM, turn on transistor 79 and G8, and turn on transistor Q.
9 can be turned off, it can be used as the same circuit as a conventional driver circuit.
以上説明したように本発明によれば、Bi−CMO3論
理回路より成るドライバ回路を用いたLSI等を搭載し
て配線したプリント配線基板について、正しく配線され
ているか否かのテストを実施するに際し、テストモード
端子に所定の論理レベル信号を印加しておけば、配線不
良の検出が容易となり、かつ誤配線により、短絡が発生
しても、トランジスタ等の素子破壊が防止できる効果が
ある。As explained above, according to the present invention, when carrying out a test to determine whether or not a printed wiring board on which an LSI or the like using a driver circuit made of a Bi-CMO3 logic circuit is mounted and wired is correctly wired, By applying a predetermined logic level signal to the test mode terminal, wiring defects can be easily detected, and even if a short circuit occurs due to incorrect wiring, damage to elements such as transistors can be prevented.
第1図は本発明に係るテストモード付ドライバ回路の原
理図、
第2図は本発明の1実施例の回路図、
第3図は従来例の回路図である。
1−基本的なりi−CMO3論理回路
2−CM OS I−ランラスタ
3−スイッチ回路
1” M−−−テストモード端子FIG. 1 is a principle diagram of a driver circuit with a test mode according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional example. 1-Basic i-CMO3 logic circuit 2-CM OS I-Run raster 3-Switch circuit 1” M---Test mode terminal
Claims (1)
1)の前段に、 C−MOSトランジスタ(2)を並列接続したドライバ
回路において、 上記C−MOSトランジスタ(2)の入力側に、テスト
モード信号による切り替えで、上記ドライバ回路の出力
を強制的にハイインピーダンスにする、論理レベルの信
号を出力するスイッチ回路(3)を接続したことを特徴
とするテストモード付ドライバ回路。[Claims] Basic resistance bias type Bi-CMOS logic circuit (
In a driver circuit in which a C-MOS transistor (2) is connected in parallel in the preceding stage of 1), the output of the driver circuit is forced to the input side of the C-MOS transistor (2) by switching with a test mode signal. A driver circuit with a test mode, characterized in that a switch circuit (3) is connected that outputs a logic level signal to make the impedance high.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265938A JPH03128476A (en) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | Driver circuit with test mode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265938A JPH03128476A (en) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | Driver circuit with test mode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03128476A true JPH03128476A (en) | 1991-05-31 |
Family
ID=17424166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265938A Pending JPH03128476A (en) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | Driver circuit with test mode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03128476A (en) |
-
1989
- 1989-10-12 JP JP1265938A patent/JPH03128476A/en active Pending
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