JPH03128959A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
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- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感放射線性樹脂組成物に関し、さらに詳しくは
紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、T線、シン
クロトロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応す
る高集積度の集積回路を作製するためのポジ型レジスト
として好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、T線、シン
クロトロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応す
る高集積度の集積回路を作製するためのポジ型レジスト
として好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
ポジ型レジストは、高解像度のレジストパターンが得ら
れるので、集積回路の製造において多く用いられる。
れるので、集積回路の製造において多く用いられる。
しかしながら、近年、集積回路の高集積化が進み、より
解像度の向上したレジストパターンを形成することので
きるポジ型レジストが望まれている。
解像度の向上したレジストパターンを形成することので
きるポジ型レジストが望まれている。
例えばポジ型レジストによって微細なレジストパターン
を形成する場合、露光により形成される潜像をアルカリ
性水溶液からなる現像液で現像する際に、露光部がウェ
ハーと接している部分(パターンの裾)まで速やかに現
像されることが必要である。この点について、従来のポ
ジ型レジストは、形成すべきレジストパターンの間隔が
1μm以下になると、レジストパターンの裾の部分の現
像性が悪く解像度が低下するという問題があった。
を形成する場合、露光により形成される潜像をアルカリ
性水溶液からなる現像液で現像する際に、露光部がウェ
ハーと接している部分(パターンの裾)まで速やかに現
像されることが必要である。この点について、従来のポ
ジ型レジストは、形成すべきレジストパターンの間隔が
1μm以下になると、レジストパターンの裾の部分の現
像性が悪く解像度が低下するという問題があった。
また集積回路の集積度の向上とともに、ウェハーのエツ
チング方式が従来のサイドエツチングの大きいウェット
エンチングからサイドエンチングの小さい異方性ドライ
エツチングに移行している。
チング方式が従来のサイドエツチングの大きいウェット
エンチングからサイドエンチングの小さい異方性ドライ
エツチングに移行している。
この異方性ドライエツチングは、レジストパターンの形
状がそのまま被エツチング層の形状に反映され、そのた
めレジストパターン形状が悪いと、エツチング不要の部
分までエツチングされ、集積回路の不良または歩留りの
低下を招く。
状がそのまま被エツチング層の形状に反映され、そのた
めレジストパターン形状が悪いと、エツチング不要の部
分までエツチングされ、集積回路の不良または歩留りの
低下を招く。
また上記ドライエツチングでは、レジストパターンがエ
ツチング時に変化しないことが必要であるため、耐熱性
のよいことがレジストに要求される。
ツチング時に変化しないことが必要であるため、耐熱性
のよいことがレジストに要求される。
このような状況において、特開昭62−89041号公
報には、P−アルキルフェノール、Pアルコキシフェノ
ールまたはP−フェニルフェノールとホルムアルデヒド
との環状付加縮合物と、0−キノンジアジドスルホニル
クロライドとの縮合物を1,2−キノンジアジド化合物
として用いた、耐熱性が改良されたポジ型レジストが開
示されている。しかし、このポジ型レジストでは、耐熱
性は向上するが、感度が不充分であるという問題があっ
た。
報には、P−アルキルフェノール、Pアルコキシフェノ
ールまたはP−フェニルフェノールとホルムアルデヒド
との環状付加縮合物と、0−キノンジアジドスルホニル
クロライドとの縮合物を1,2−キノンジアジド化合物
として用いた、耐熱性が改良されたポジ型レジストが開
示されている。しかし、このポジ型レジストでは、耐熱
性は向上するが、感度が不充分であるという問題があっ
た。
本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決し、高感度
で現像性に優れ、現像後のバクーン形状が良好で高解像
度を有するとともに耐熱性に優れたポジ型レジストとし
て好適な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
で現像性に優れ、現像後のバクーン形状が良好で高解像
度を有するとともに耐熱性に優れたポジ型レジストとし
て好適な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明は、(a)構造式(I)
H
(但し、nは1〜3の整数)で表わされるフェノール類
の少なくとも1種とアルデヒド類を縮合して得られるア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)レゾルシノールと
アルデヒド類とを縮合して得られる環状化合物および/
または該環状化合物の水酸基の水素原子の少なくとも1
つを置換した環状化合物、および(C)1.2−キノン
ジアジド化合物を含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物に関する。
の少なくとも1種とアルデヒド類を縮合して得られるア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)レゾルシノールと
アルデヒド類とを縮合して得られる環状化合物および/
または該環状化合物の水酸基の水素原子の少なくとも1
つを置換した環状化合物、および(C)1.2−キノン
ジアジド化合物を含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物に関する。
本発明に用いられる(a)アルカリ可溶性ノボラック樹
脂(以下、単に「樹脂(A)」と称する)は、前記構造
式(1)で表されるフェノール類の少なくも1種とアル
デヒド類を縮合させて合成される。
脂(以下、単に「樹脂(A)」と称する)は、前記構造
式(1)で表されるフェノール類の少なくも1種とアル
デヒド類を縮合させて合成される。
構造式(1)で表されるフェノール類としては、例えば
0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2
3−キシレノール、24−キシレノール、2,5−キシ
レノール、2,6−キシレノール、34−キシレノール
、3.5−キシレノール、2,3,44リメチルフエノ
ール、2.3.5−)リメチルフェノール、3,4.5
トリメチルフエノールが挙げられる。これらのうち0−
クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,5
−キシレノール、3.5−キシレノールおよび2,3.
5−)リメチルフェノールが好ましい。これらは単独で
または2種以上混合して用いられる。
0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2
3−キシレノール、24−キシレノール、2,5−キシ
レノール、2,6−キシレノール、34−キシレノール
、3.5−キシレノール、2,3,44リメチルフエノ
ール、2.3.5−)リメチルフェノール、3,4.5
トリメチルフエノールが挙げられる。これらのうち0−
クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,5
−キシレノール、3.5−キシレノールおよび2,3.
5−)リメチルフェノールが好ましい。これらは単独で
または2種以上混合して用いられる。
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピル
アルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、0−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアル
デヒド、pヒドロキシベンズアルデヒド、O−クロロベ
ンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、pクロ
ロベンズアルデヒド、O−ニトロベンズアルデヒド、m
−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒ
ド、0−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズア
ルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベ
ンズアルデヒド、p−n−メチルベンズアルデヒド、フ
ルフラール等が挙げられる。これらのうちホルムアルデ
ヒドが特に好ましい。これらは単独でまたは2種以上混
合して用いられる。
ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピル
アルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、0−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアル
デヒド、pヒドロキシベンズアルデヒド、O−クロロベ
ンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、pクロ
ロベンズアルデヒド、O−ニトロベンズアルデヒド、m
−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒ
ド、0−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズア
ルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベ
ンズアルデヒド、p−n−メチルベンズアルデヒド、フ
ルフラール等が挙げられる。これらのうちホルムアルデ
ヒドが特に好ましい。これらは単独でまたは2種以上混
合して用いられる。
該アルデヒド類の使用量は、前記フェノール類の総量1
モルに対して0.7〜3モルが好ましく、より好ましく
は0.8〜1.5モルである。
モルに対して0.7〜3モルが好ましく、より好ましく
は0.8〜1.5モルである。
前記縮合には、通常、酸性触媒が用いられる。
該酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ
酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸を挙げることができ、そ
の使用量は、通常、フェノール類1モルに対してI X
10−5〜5X10−’モルである。
酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸を挙げることができ、そ
の使用量は、通常、フェノール類1モルに対してI X
10−5〜5X10−’モルである。
縮合においては、一般的には反応媒質として水が用いら
れるが、用いられるフェノール類がアルデヒド類の水溶
液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、
反応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。該
親水性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、
プロパツール、ブタノール等のアルコール類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられ
る。
れるが、用いられるフェノール類がアルデヒド類の水溶
液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、
反応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。該
親水性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、
プロパツール、ブタノール等のアルコール類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられ
る。
これらの反応媒質の使用量は、通常、反応原料100重
量部当たり20〜1000重量部である。
量部当たり20〜1000重量部である。
縮合の反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調整
することができるが、通常、10〜20O′C1好まし
くは70〜130 ’Cである。
することができるが、通常、10〜20O′C1好まし
くは70〜130 ’Cである。
縮合の方法としては、フェノール類、アルデヒド類、酸
性触媒等を一括して仕込む方法、および酸性触媒の存在
下にフェノール類、アルデヒド類等を反応の進行ととも
に加えていく方法が挙げられる。
性触媒等を一括して仕込む方法、および酸性触媒の存在
下にフェノール類、アルデヒド類等を反応の進行ととも
に加えていく方法が挙げられる。
縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒
、反応媒質等を除去するために、一般的には、内温を1
30〜230°Cに上昇させ、減圧下、例えば20〜5
0mmHg程度で揮発分を留去して樹脂(A)を回収す
る。また縮合反応終了後、前記親水性溶媒に反応混合物
を溶解し、水、nヘキサン、n−ヘプタン等の沈殿剤を
添加することによって樹脂(A)を析出させ回収するこ
ともできる。
、反応媒質等を除去するために、一般的には、内温を1
30〜230°Cに上昇させ、減圧下、例えば20〜5
0mmHg程度で揮発分を留去して樹脂(A)を回収す
る。また縮合反応終了後、前記親水性溶媒に反応混合物
を溶解し、水、nヘキサン、n−ヘプタン等の沈殿剤を
添加することによって樹脂(A)を析出させ回収するこ
ともできる。
本発明に用いられる樹脂(A)のポリスチレン換算重量
平均分子量(以下、「陥」という)は、本発明組成物の
耐熱性および感度の点から、2゜000〜15,000
が好ましい。
平均分子量(以下、「陥」という)は、本発明組成物の
耐熱性および感度の点から、2゜000〜15,000
が好ましい。
本発明に用いられる(口)レゾルシノールとアルデヒド
類を縮合させて得られる環状化合物(以下、単に「オリ
ゴマー」と称する)は、例えば構造式() (式中、Rは縮合に用いられるRCHOで表されるアル
デヒド類によって決定される基、mは3以上、好ましく
は3〜9、特に好ましくは4〜7を意味する)で表され
る構造を有する。
類を縮合させて得られる環状化合物(以下、単に「オリ
ゴマー」と称する)は、例えば構造式() (式中、Rは縮合に用いられるRCHOで表されるアル
デヒド類によって決定される基、mは3以上、好ましく
は3〜9、特に好ましくは4〜7を意味する)で表され
る構造を有する。
さらに本発明ではオリゴマーの水酸基の水素原子の少な
くとも1つを置換したオリゴマーを用いることもできる
。
くとも1つを置換したオリゴマーを用いることもできる
。
オリゴマー〇合成については、数多くの論文が発表され
ており、該論文の一例として、Hogberg。
ており、該論文の一例として、Hogberg。
A、G、S、 J、八m、 Chem、 Soc
、(1980)、102,6046 、 J。
、(1980)、102,6046 、 J。
5eph B、 N1ederl、 He1nz J、
Vogel J、 Am、 Chen+。
Vogel J、 Am、 Chen+。
Soc、 (1940) 、 62.2512等が挙げ
られる。
られる。
オリゴマーの合成法の具体例としては、レゾルシノール
1モルとアルデヒド類0.8〜1.2モルを酸性触媒の
存在下で縮合させる方法を挙げることができる。ここで
酸性触媒としては、樹脂(A)の合成で例示した化合物
を用いることができ、好ましくは酸性または硫酸であり
、その使用量は、通常、レゾルシノール1モルに対して
5X10−2〜5X10モル、好ましくはlXl0−’
〜l×10モルである。酸性触媒の使用量が少なすぎる
とオリゴマーが得にくくなる場合があり、また使用量が
多すぎるとオリゴマーがゲル化することがある。縮合に
おいては、樹脂(A)の場合と同様に、一般的には反応
触媒として水が用いられるが、縮合効率を高めるために
メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール等
のアルコール類ヲ単独で、または水との混合溶媒として
用いることができる。これらの反応媒質の使用量は、通
常、反応原料100重量部当たり100〜5000重量
部である。また縮合の反応温度は、好ましくは70〜1
00°Cである。縮合の方法としては、レゾルシノール
とアルデヒド類との混合溶液中へ酸性0 触媒を徐々に添加する方法、レゾルシノールと酸性触媒
との混合溶液中へアルデヒドを徐々に添加する方法等が
挙げられる。
1モルとアルデヒド類0.8〜1.2モルを酸性触媒の
存在下で縮合させる方法を挙げることができる。ここで
酸性触媒としては、樹脂(A)の合成で例示した化合物
を用いることができ、好ましくは酸性または硫酸であり
、その使用量は、通常、レゾルシノール1モルに対して
5X10−2〜5X10モル、好ましくはlXl0−’
〜l×10モルである。酸性触媒の使用量が少なすぎる
とオリゴマーが得にくくなる場合があり、また使用量が
多すぎるとオリゴマーがゲル化することがある。縮合に
おいては、樹脂(A)の場合と同様に、一般的には反応
触媒として水が用いられるが、縮合効率を高めるために
メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール等
のアルコール類ヲ単独で、または水との混合溶媒として
用いることができる。これらの反応媒質の使用量は、通
常、反応原料100重量部当たり100〜5000重量
部である。また縮合の反応温度は、好ましくは70〜1
00°Cである。縮合の方法としては、レゾルシノール
とアルデヒド類との混合溶液中へ酸性0 触媒を徐々に添加する方法、レゾルシノールと酸性触媒
との混合溶液中へアルデヒドを徐々に添加する方法等が
挙げられる。
縮合反応終了後、内温を室温付近まで低下させ、析出物
を濾取し、大量の水で水洗し、乾燥することによりオリ
ゴマーを回収する。この際、必要に応じてメタノール、
エタノール等のアルコール類を用いて再結晶し精製する
ことができる。
を濾取し、大量の水で水洗し、乾燥することによりオリ
ゴマーを回収する。この際、必要に応じてメタノール、
エタノール等のアルコール類を用いて再結晶し精製する
ことができる。
なお、オリゴマーの台底に用いられるアルデヒド類とし
ては、樹脂(A)の台底に用いられるアルデヒド類とし
て例示したものの他、プロピオンアルデヒド、ベンズア
ルデヒド、サリチルアルデヒド、イソバレルアルデヒド
等が挙げられる。これらのうち特にアセトアルデヒドが
好ましい。これらは単独でまたは2種以上混合して用い
ることができる。
ては、樹脂(A)の台底に用いられるアルデヒド類とし
て例示したものの他、プロピオンアルデヒド、ベンズア
ルデヒド、サリチルアルデヒド、イソバレルアルデヒド
等が挙げられる。これらのうち特にアセトアルデヒドが
好ましい。これらは単独でまたは2種以上混合して用い
ることができる。
水酸基の水素原子の少なくとも1つを置換したオリゴマ
ーとしては、例えば置換基が、メチル基、エチル基等の
アルキル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基等の
アルコキシアルキル基、ベンジル基等のエーテル類縁体
;置換基が、4−メチルフェニルスルホニル基、ナフト
キノンジアジド4−スルホニル基、ナフトキノンジアジ
ド−5スルホニル基等のスルホン酸エステルi[、tJ
−;置換基が、アセチル基、ベンゾイル基等のカルボン
酸エステル類縁体が挙げられる。
ーとしては、例えば置換基が、メチル基、エチル基等の
アルキル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基等の
アルコキシアルキル基、ベンジル基等のエーテル類縁体
;置換基が、4−メチルフェニルスルホニル基、ナフト
キノンジアジド4−スルホニル基、ナフトキノンジアジ
ド−5スルホニル基等のスルホン酸エステルi[、tJ
−;置換基が、アセチル基、ベンゾイル基等のカルボン
酸エステル類縁体が挙げられる。
ここで、前記エーテル類縁体は、オリゴマーとアルキル
ハライド化合物、アルキルハライド化合物等とを、炭酸
ナトリウム、水酸化すl・リウム、水酸化カリウム等の
無機質塩基および必要に応してアンモニウム塩等の相間
移動触媒の存在下で反応させることにより得ることがで
きる。また前記スルホン酸エステル類縁体は、オリゴマ
ーとスルホニルハライド化合物とを、トリエチルアミン
等の有機質塩基の存在下で反応させることにより得るこ
とができる。さらにカルボン酸エステル類縁体は、オリ
ゴマーと酸無水物化合物とを、ピリジン等の有機質塩基
の存在下で反応させることにより得ることができる。な
お、これらの類縁体の台底に際しては、反応原料に不活
性な溶媒、例えばアセトン、ジオキサン等を用いること
ができる。
ハライド化合物、アルキルハライド化合物等とを、炭酸
ナトリウム、水酸化すl・リウム、水酸化カリウム等の
無機質塩基および必要に応してアンモニウム塩等の相間
移動触媒の存在下で反応させることにより得ることがで
きる。また前記スルホン酸エステル類縁体は、オリゴマ
ーとスルホニルハライド化合物とを、トリエチルアミン
等の有機質塩基の存在下で反応させることにより得るこ
とができる。さらにカルボン酸エステル類縁体は、オリ
ゴマーと酸無水物化合物とを、ピリジン等の有機質塩基
の存在下で反応させることにより得ることができる。な
お、これらの類縁体の台底に際しては、反応原料に不活
性な溶媒、例えばアセトン、ジオキサン等を用いること
ができる。
これらのオリゴマーのうち、好ましいものとしては、ア
セトンアルデヒドとレゾルシノールの重縮合により得ら
れるオリゴマーに、1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホニル基、■、2ナフトキノンジアジドー5−ス
ルホニル基を導入したスルホン酸エステル類縁体または
アセチル基、ベンゾイル基を導入したカルボン酸エステ
ル類縁体である。
セトンアルデヒドとレゾルシノールの重縮合により得ら
れるオリゴマーに、1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホニル基、■、2ナフトキノンジアジドー5−ス
ルホニル基を導入したスルホン酸エステル類縁体または
アセチル基、ベンゾイル基を導入したカルボン酸エステ
ル類縁体である。
本発明に用いられるオリゴマーの配合lは、本発明組成
物の耐熱性向上、現象性および耐熱性の点から、樹脂(
A)の総量100重量部ム二対して1〜50重量部が好
ましく、より好ましくは3〜30重量部である。
物の耐熱性向上、現象性および耐熱性の点から、樹脂(
A)の総量100重量部ム二対して1〜50重量部が好
ましく、より好ましくは3〜30重量部である。
本発明には、前記1.2−キノンジアジドスルホニル基
を導入したオリゴマー以外の1,2−キノンジアジド化
合物が用いられるが、例えば1゜2−ベンゾキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、l 2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド3 5−スルホン酸エステル等が挙げられる。具体的にはP
−クレゾール、レヅルシン、ピロガロール、フロログリ
シツール等の(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1,2−ベ
ンゾキノンジアジド−4スルホン酸エステル、1.2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル;2.4−ジヒドロキシフェニル−プロピルケトン、
2.4−ジヒドロキシフェニル−〇−ヘキシルケトン、
2.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.4−)
ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケトン、2,3.
4−)リヒドロキシヘンゾフェノン、2,4.6−ドリ
ヒドロキシへンゾフェノン、2 3 4 4’−テトラ
ヒドロキシヘンシフエノン、2,3,4.3°−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4.4″−テトラ
ヒドロキシ−31−メトキシベンゾフェノン、22′
44′−テトラヒドロキシヘンシフエノン、2.2’3
,4.6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3
.3’、4.4’、5“−ヘキ4 サヒドロキシベンゾフェノン、2.3’、4.4’、5
’、6−へキサヒドロキシベンゾフェノン等の(ポリ)
ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは(ポリ)ヒド
ロキシフェニルアリールケトンの1,2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;ビス(
p−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2゜4−ジヒ
ドロキシフェニル)メタン、ビス(2゜3.4−)ジヒ
ドロキシフェニル)メタン、2゜2−ビス(p−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(2,4−ジヒ
ドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス(2,3,
4−)ジヒドロキシフェニル)プロパン等のビス〔(ポ
リ)ヒドロキシフェニルコアルカンの1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1. 2ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1.
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;
3,5−ジヒドロキシ安息香5 酸ラウリル、2,3.4−)リヒドロキシ安息香酸フェ
ニル、3,4.5−)リヒドロキシ安息香酸ラウリル、
3,4.5−1リヒドロキシ安息香酸プロピル、3,4
.5−1−リヒドロキシ安息香酸フェニル等の(ポリ)
ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アリールエステルの1. 2−ベンゾ
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1
゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル
;ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビ
ス(2,3,4−)ジヒドロキシベンゾイル)メタン、
ビス(2,4,6−)ジヒドロキシベンゾイル)メタン
、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼ
ン、p−ビス(2゜3.4−トリヒドロキシベンゾイル
)ベンゼン、p−ビス(2,4,6−)ジヒドロキシベ
ンゾイル)ベンゼン等のビス〔(ポリ)ヒドロキシベン
ゾイルコアルカンまたはビス〔(ポリ)ヒドロキシベン
ゾイル〕ベンゼンの1.2−ベンゾキノン6 ジアジドー4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;エチ
レングリコール−ジ(3,5ジヒドロキシベンゾエート
)、ポリエチレングリコールージ(3,5−ジヒドロキ
シベンゾエート)、ポリエチレングリコールージ(3,
4,5トリヒドロキシベンゾエート)等の(ポリ)エチ
レングリコールージ〔(ポリ)ヒドロキシベンゾエート
〕の1,2−ベンゾキノンジアジド−4スルホン酸エス
テル、■、2−ナフトキノンジアジドー4−スルホン酸
エステルまたは1.2ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;アルカリ可溶性フェノール系樹脂の1
,2ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
■、2−ナフトキノンジアジドー4−スルホン酸エステ
ルまたは1,2−ナフトキノンジアジド5−スルホン酸
エステル等を挙げることができる。
を導入したオリゴマー以外の1,2−キノンジアジド化
合物が用いられるが、例えば1゜2−ベンゾキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、l 2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド3 5−スルホン酸エステル等が挙げられる。具体的にはP
−クレゾール、レヅルシン、ピロガロール、フロログリ
シツール等の(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1,2−ベ
ンゾキノンジアジド−4スルホン酸エステル、1.2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル;2.4−ジヒドロキシフェニル−プロピルケトン、
2.4−ジヒドロキシフェニル−〇−ヘキシルケトン、
2.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.4−)
ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケトン、2,3.
4−)リヒドロキシヘンゾフェノン、2,4.6−ドリ
ヒドロキシへンゾフェノン、2 3 4 4’−テトラ
ヒドロキシヘンシフエノン、2,3,4.3°−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4.4″−テトラ
ヒドロキシ−31−メトキシベンゾフェノン、22′
44′−テトラヒドロキシヘンシフエノン、2.2’3
,4.6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3
.3’、4.4’、5“−ヘキ4 サヒドロキシベンゾフェノン、2.3’、4.4’、5
’、6−へキサヒドロキシベンゾフェノン等の(ポリ)
ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは(ポリ)ヒド
ロキシフェニルアリールケトンの1,2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;ビス(
p−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2゜4−ジヒ
ドロキシフェニル)メタン、ビス(2゜3.4−)ジヒ
ドロキシフェニル)メタン、2゜2−ビス(p−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(2,4−ジヒ
ドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス(2,3,
4−)ジヒドロキシフェニル)プロパン等のビス〔(ポ
リ)ヒドロキシフェニルコアルカンの1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1. 2ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1.
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;
3,5−ジヒドロキシ安息香5 酸ラウリル、2,3.4−)リヒドロキシ安息香酸フェ
ニル、3,4.5−)リヒドロキシ安息香酸ラウリル、
3,4.5−1リヒドロキシ安息香酸プロピル、3,4
.5−1−リヒドロキシ安息香酸フェニル等の(ポリ)
ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アリールエステルの1. 2−ベンゾ
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1
゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル
;ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビ
ス(2,3,4−)ジヒドロキシベンゾイル)メタン、
ビス(2,4,6−)ジヒドロキシベンゾイル)メタン
、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼ
ン、p−ビス(2゜3.4−トリヒドロキシベンゾイル
)ベンゼン、p−ビス(2,4,6−)ジヒドロキシベ
ンゾイル)ベンゼン等のビス〔(ポリ)ヒドロキシベン
ゾイルコアルカンまたはビス〔(ポリ)ヒドロキシベン
ゾイル〕ベンゼンの1.2−ベンゾキノン6 ジアジドー4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;エチ
レングリコール−ジ(3,5ジヒドロキシベンゾエート
)、ポリエチレングリコールージ(3,5−ジヒドロキ
シベンゾエート)、ポリエチレングリコールージ(3,
4,5トリヒドロキシベンゾエート)等の(ポリ)エチ
レングリコールージ〔(ポリ)ヒドロキシベンゾエート
〕の1,2−ベンゾキノンジアジド−4スルホン酸エス
テル、■、2−ナフトキノンジアジドー4−スルホン酸
エステルまたは1.2ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;アルカリ可溶性フェノール系樹脂の1
,2ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
■、2−ナフトキノンジアジドー4−スルホン酸エステ
ルまたは1,2−ナフトキノンジアジド5−スルホン酸
エステル等を挙げることができる。
これらの化合物の他に、J、Kosar著“′Ligh
t−3ensitive Systems″339〜3
52..(1965)、John7 Wiley & 5ons社(New York)やW
、S、DeFo、rest著”Photoresist
” 50.(1975)、McGrawHill+ I
nc、 (New York)に掲載されている1、2
キノンジアジド化合物を用いることもできる。
t−3ensitive Systems″339〜3
52..(1965)、John7 Wiley & 5ons社(New York)やW
、S、DeFo、rest著”Photoresist
” 50.(1975)、McGrawHill+ I
nc、 (New York)に掲載されている1、2
キノンジアジド化合物を用いることもできる。
これらの1,2−キノンジアジド化合物のうち、2.3
.4−)リヒドロキシベンゾフェノン−1゜2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3.4
−)リヒドロキシヘンゾフエノンー・1.2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4.
4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,
4.41−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2.
3,4.4’−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,3,4゜4“−テトラヒドロキシ
−3′−メトキシヘンシフエノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5スルホン酸エステル等のポリヒドロキシ
ベンシフ8 エノン−1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル、
およびアルカリ可溶性フェノール系樹脂(以下、単に「
樹脂(B)」と称する)の水酸基に、例えば20〜10
0%、好ましくは40〜100%の割合で1,2−ナフ
トキノンジアジド4−スルホニル基、1.2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニル基等の1,2−キノンジ
アジドスルホニル基が縮合した1、2−キノンジアジド
スルホン酸エステルが好ましい。ここで、樹脂(B)は
、フェノール類とアルデヒド類の縮合によって得られる
が、フェノール類としては、前記樹脂(A)の合成に用
いられるフェノール類の他、フェノール、1−ナフトー
ル、2−ナフトール等を用いることができる。またアル
デヒド類としては、前記樹脂(A)の合成に用いるもの
を用いることができる。アルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対して0.1〜3モルが好ましく、よ
り好ましくは0.2〜1.5モルである。またこの縮合
においては、前記樹脂(A)合成に用いる酸性触媒の他
、アルカリ性触媒も用いることができる。樹BF1(B
)の〜は、エステル化反応のし易さおよび溶剤への溶解
性の点から、通常、10,000以下、好ましくは20
0〜2000.特に好ましくは300〜1000である
。このような樹脂(B)の1゜2−キノンジアジドスル
ホン酸エステルとしては、フェノール/ホルムアルデヒ
ド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、フェノール/ホルムアルデ
ヒド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル、m−クレゾール/ホルム
アルデヒド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、m−クレゾール/
ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、p−クレゾ
ール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂12−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、p−クレ
ゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、0
−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−
1,2ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
、0−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹
脂−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアル
デヒド縮合ノボラック樹脂−1゜2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、m−クレゾール/p−
クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−1
,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル
などが挙げられる。
.4−)リヒドロキシベンゾフェノン−1゜2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3.4
−)リヒドロキシヘンゾフエノンー・1.2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4.
4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,
4.41−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2.
3,4.4’−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,3,4゜4“−テトラヒドロキシ
−3′−メトキシヘンシフエノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5スルホン酸エステル等のポリヒドロキシ
ベンシフ8 エノン−1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル、
およびアルカリ可溶性フェノール系樹脂(以下、単に「
樹脂(B)」と称する)の水酸基に、例えば20〜10
0%、好ましくは40〜100%の割合で1,2−ナフ
トキノンジアジド4−スルホニル基、1.2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニル基等の1,2−キノンジ
アジドスルホニル基が縮合した1、2−キノンジアジド
スルホン酸エステルが好ましい。ここで、樹脂(B)は
、フェノール類とアルデヒド類の縮合によって得られる
が、フェノール類としては、前記樹脂(A)の合成に用
いられるフェノール類の他、フェノール、1−ナフトー
ル、2−ナフトール等を用いることができる。またアル
デヒド類としては、前記樹脂(A)の合成に用いるもの
を用いることができる。アルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対して0.1〜3モルが好ましく、よ
り好ましくは0.2〜1.5モルである。またこの縮合
においては、前記樹脂(A)合成に用いる酸性触媒の他
、アルカリ性触媒も用いることができる。樹BF1(B
)の〜は、エステル化反応のし易さおよび溶剤への溶解
性の点から、通常、10,000以下、好ましくは20
0〜2000.特に好ましくは300〜1000である
。このような樹脂(B)の1゜2−キノンジアジドスル
ホン酸エステルとしては、フェノール/ホルムアルデヒ
ド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、フェノール/ホルムアルデ
ヒド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル、m−クレゾール/ホルム
アルデヒド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、m−クレゾール/
ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、p−クレゾ
ール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂12−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、p−クレ
ゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、0
−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−
1,2ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
、0−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹
脂−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムアル
デヒド縮合ノボラック樹脂−1゜2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、m−クレゾール/p−
クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂−1
,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル
などが挙げられる。
1.2−キノンジアジド化合物の配合量は、樹脂(A)
100重量部に対して、通常、3〜100重景部、好ま
しくは5〜50重量部であるが、1ull中の1.2−
キノンジアジドスルホニル基の総量は、通常、5〜25
重量%、好ましくは10〜20重量%となるように調節
される。
100重量部に対して、通常、3〜100重景部、好ま
しくは5〜50重量部であるが、1ull中の1.2−
キノンジアジドスルホニル基の総量は、通常、5〜25
重量%、好ましくは10〜20重量%となるように調節
される。
本発明組成物には、放射線に対する感度を向上させるた
めに、増感剤を配合することもできる。
めに、増感剤を配合することもできる。
これらの増感剤として、例えば2H−ピリド〔3゜1−
b)−L 4−オキサジン−3(4H)オン類、l0
H−ピリド(3,2−b)(14)ベンゾチアジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビッール酸類、グ
リシン無水物類、1ヒドロキシベンゾトリアゾール類、
アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの
増感剤の配合量は、1,2−キノンジアジド化合物10
0重量部に対して、通常、100重量部以下である。
b)−L 4−オキサジン−3(4H)オン類、l0
H−ピリド(3,2−b)(14)ベンゾチアジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビッール酸類、グ
リシン無水物類、1ヒドロキシベンゾトリアゾール類、
アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの
増感剤の配合量は、1,2−キノンジアジド化合物10
0重量部に対して、通常、100重量部以下である。
また本発明組成物には、塗布性、例えばストリエーショ
ンや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良する
ために界面活性剤を配合することもできる。界面活性剤
としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル
、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシ
エヂレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチ
ルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレト、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤、エフトンプEF301、EF303、EF35
2 (新秋田化或社製)、メ2 ガコアックF171、F172、F173 (大日本イ
ンキ社製)、フロラードFC430,FC431(住友
スリーエム社製)、アサヒガードAG710、サーフロ
ンS−382,5CIOI、5C102,5C103,
5C104,5C105,5C106(旭硝子社製)等
のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーK
P341(信越化学工業社製)、アクリル酸系またはメ
タクリル酸系(共)重合体ポリフローNα75、Nα9
5(共栄社油脂化学工業社製)等が挙げられる。これら
の界面活性剤の配合量は、本発明組成物の固形分当たり
、通常、2重量%以下である。
ンや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良する
ために界面活性剤を配合することもできる。界面活性剤
としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル
、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシ
エヂレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチ
ルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレト、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤、エフトンプEF301、EF303、EF35
2 (新秋田化或社製)、メ2 ガコアックF171、F172、F173 (大日本イ
ンキ社製)、フロラードFC430,FC431(住友
スリーエム社製)、アサヒガードAG710、サーフロ
ンS−382,5CIOI、5C102,5C103,
5C104,5C105,5C106(旭硝子社製)等
のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーK
P341(信越化学工業社製)、アクリル酸系またはメ
タクリル酸系(共)重合体ポリフローNα75、Nα9
5(共栄社油脂化学工業社製)等が挙げられる。これら
の界面活性剤の配合量は、本発明組成物の固形分当たり
、通常、2重量%以下である。
さらに本発明組成物には、放射線照射部の潜像を可視化
させ、放射線照射時のハレーションの影響を少なくする
ために染料や顔料、および接着性を改良するための接着
助剤を配合することもできる。また本発明組成物には、
必要に応じて保存安定剤、消泡剤等も配合することがで
きる。
させ、放射線照射時のハレーションの影響を少なくする
ために染料や顔料、および接着性を改良するための接着
助剤を配合することもできる。また本発明組成物には、
必要に応じて保存安定剤、消泡剤等も配合することがで
きる。
本発明組成物をシリコンウェハー等の基板に塗布する方
法としては、樹脂(A)、オリゴマ3 、l、2−キノンジアジド化合物および各種配合剤の所
定量を、例えば固形分濃度が20〜40重景%となるよ
うに溶剤に溶解させ、例えば孔径0.2μm程度のフィ
ルタで濾過したのち、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方法が挙げられる。この際に用
いられる溶剤としては、例えばエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル等のグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコ
ールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル等のジエチレングリコール類、プロピレン
グリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルプロビルエーテルアセテート等のプロピレングリコー
ルアルキルエーテルアセテート類、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、2−ヒト4 0キシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン
酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エ
チル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒ
ドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メチル−3
−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキ
シブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブ
チルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
類を用いることができる。これらの溶剤は単独でまたは
2種類以上混合して使用することもできる。
法としては、樹脂(A)、オリゴマ3 、l、2−キノンジアジド化合物および各種配合剤の所
定量を、例えば固形分濃度が20〜40重景%となるよ
うに溶剤に溶解させ、例えば孔径0.2μm程度のフィ
ルタで濾過したのち、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方法が挙げられる。この際に用
いられる溶剤としては、例えばエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル等のグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコ
ールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル等のジエチレングリコール類、プロピレン
グリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルプロビルエーテルアセテート等のプロピレングリコー
ルアルキルエーテルアセテート類、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、2−ヒト4 0キシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン
酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エ
チル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒ
ドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メチル−3
−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキ
シブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブ
チルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
類を用いることができる。これらの溶剤は単独でまたは
2種類以上混合して使用することもできる。
さらにN−メチルホルムアごド、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N−メチルホルムアニリド、Nメチルアセド
アミド、N、 N−ジメチルアセトアミド、N−メチル
ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエ
ーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸
、カプリル酸、1−オクタツール、■−ノナノール、ベ
ンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸二5 チル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブ
チロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニ
ルセロソルブアセテート等の高沸点溶剤を添加すること
もできる。
ムアミド、N−メチルホルムアニリド、Nメチルアセド
アミド、N、 N−ジメチルアセトアミド、N−メチル
ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエ
ーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸
、カプリル酸、1−オクタツール、■−ノナノール、ベ
ンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸二5 チル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブ
チロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニ
ルセロソルブアセテート等の高沸点溶剤を添加すること
もできる。
本発明組成物の現像液としては、例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム
、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ
類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第3級アミ
ン類、ジエチルアごン、ジ−n−プロピルアごン等の第
3級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン等の第3級アミン類、ジメチルエタノ−ルア藁ン、ト
リエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩ま
たはピロール、ピペリジン、1゜8−ジアザビシクロ(
5,4,0)−7−ウンデセン、1.5−ジアザビシク
ロ(4,3,0)5−ノナン等の環状アミン類を濃度が
通常1〜lO重量%、好ましくは2〜5重量%となるよ
うに26′ 熔解してなるアルカリ性水溶液が使用される。また該現
像液には、水溶液性有機溶媒、例えばメタノール、エタ
ノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加して使
用することもできる。
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム
、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ
類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第3級アミ
ン類、ジエチルアごン、ジ−n−プロピルアごン等の第
3級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン等の第3級アミン類、ジメチルエタノ−ルア藁ン、ト
リエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩ま
たはピロール、ピペリジン、1゜8−ジアザビシクロ(
5,4,0)−7−ウンデセン、1.5−ジアザビシク
ロ(4,3,0)5−ノナン等の環状アミン類を濃度が
通常1〜lO重量%、好ましくは2〜5重量%となるよ
うに26′ 熔解してなるアルカリ性水溶液が使用される。また該現
像液には、水溶液性有機溶媒、例えばメタノール、エタ
ノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加して使
用することもできる。
また本発明組成物をポジ型レジストとして使用する際に
は、シリコンウェハー上に本発明の組成物を塗布し、プ
レベークおよび露光を行った後、70〜140 ”Cで
加熱する操作を行い、そののちに現像することによって
、本発明の効果をさらに向上させることができる。
は、シリコンウェハー上に本発明の組成物を塗布し、プ
レベークおよび露光を行った後、70〜140 ”Cで
加熱する操作を行い、そののちに現像することによって
、本発明の効果をさらに向上させることができる。
以下、本発明を実施例により詳しく説明するが、本発明
はこれらの実施例に制約されるものではない。
はこれらの実施例に制約されるものではない。
なお、実施例中の陥は、東洋ソーダ社製GPCカラム(
C;2000H62本、G3000H61本、G400
0H,1本)を用い、流量1.5 m 427分、溶出
溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条
件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパー5ニー
ジヨンクロマトグラフ法に7 より測定し、またレジストの諸性能の評価は下記の方法
によって行った。
C;2000H62本、G3000H61本、G400
0H,1本)を用い、流量1.5 m 427分、溶出
溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条
件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパー5ニー
ジヨンクロマトグラフ法に7 より測定し、またレジストの諸性能の評価は下記の方法
によって行った。
感度:ニコン社製−NSR−150504D縮小投影露
光機(レンズの開口数;0.45)で露光時間を変化さ
せ、波長436nmのg線を用いて露光を行うか、また
はニコン社製−NSR−150546A縮小投影露光a
(レンズの開口数;0゜45)で露光時間を変化させて
、波長365 nmのi線を用いて露光を行い、次いで
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4重量%水
溶液を現像液として用い、25°Cで60秒間現像し水
でリンスし二乾燥してウェハー上にレジストパターンを
形成させ、0.6μmのライン・アンド・スペースパタ
ーン(ILIS)を1対1の幅に形成する露光時間(以
下、これを「最適露光時間」という)を求めた。
光機(レンズの開口数;0.45)で露光時間を変化さ
せ、波長436nmのg線を用いて露光を行うか、また
はニコン社製−NSR−150546A縮小投影露光a
(レンズの開口数;0゜45)で露光時間を変化させて
、波長365 nmのi線を用いて露光を行い、次いで
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4重量%水
溶液を現像液として用い、25°Cで60秒間現像し水
でリンスし二乾燥してウェハー上にレジストパターンを
形成させ、0.6μmのライン・アンド・スペースパタ
ーン(ILIS)を1対1の幅に形成する露光時間(以
下、これを「最適露光時間」という)を求めた。
解像度:最適露光時間で露光したときに解像されている
最小のレジストパターンの寸法を測定した。
最小のレジストパターンの寸法を測定した。
残膜率:最適露光時間における現像後のバター8
ンの厚さを現像前のレジスト膜の厚さで割り、この値を
100倍して%の単位を付けて表した。
100倍して%の単位を付けて表した。
現像性ニスカムや現像残りの程度を調べた。
耐熱性:クリーンオーブン中にレジストパターンを形成
したウェハーを入れて、パターンが崩れ始めたときの温
度を測定した。
したウェハーを入れて、パターンが崩れ始めたときの温
度を測定した。
パターン形状:走査型電子顕微鏡を用い、0.6μmの
レジストパターンの現像後の方形状断面の下辺Aと上辺
Bを測定し、0.85≦B/A≦1である場合を、パタ
ーン形状が良好であると判定した。
レジストパターンの現像後の方形状断面の下辺Aと上辺
Bを測定し、0.85≦B/A≦1である場合を、パタ
ーン形状が良好であると判定した。
〈樹脂の合成〉
■)樹脂(A1)の合成
撹拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコに、m
−クレゾール34.60g(0,320モル)、2.5
−キシレノール18.30g(0,150モル)、2,
3.5−)リメチルフェノール8゜17g(0,060
モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液89.27
g(ホルムアルデヒド:1゜10モル)およびシュウ酸
・2水和物0.605 g(4,8X 10−3モル)
を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100 ’C
に保ち、撹拌しながら2時間線合を行ったのち、m−ク
レゾール8.65 g(0,080モル)、2.5−キ
シレノール18.30g(0,150モルL 2,3.
5−)リメチルフェノール32.68g(0,240モ
ル)を加え、さらに2時間線合を行った。縮合後、油浴
の温度を180°Cまで上げ、同時にフラスコ内の圧力
を30〜50mmH’gまで減圧し、水、シュウ酸、未
反応のホルムアルデヒド、m−クレゾール、25−キシ
レノールおよび2,3.5−トリメチルフェノールを除
去した。
−クレゾール34.60g(0,320モル)、2.5
−キシレノール18.30g(0,150モル)、2,
3.5−)リメチルフェノール8゜17g(0,060
モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液89.27
g(ホルムアルデヒド:1゜10モル)およびシュウ酸
・2水和物0.605 g(4,8X 10−3モル)
を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100 ’C
に保ち、撹拌しながら2時間線合を行ったのち、m−ク
レゾール8.65 g(0,080モル)、2.5−キ
シレノール18.30g(0,150モルL 2,3.
5−)リメチルフェノール32.68g(0,240モ
ル)を加え、さらに2時間線合を行った。縮合後、油浴
の温度を180°Cまで上げ、同時にフラスコ内の圧力
を30〜50mmH’gまで減圧し、水、シュウ酸、未
反応のホルムアルデヒド、m−クレゾール、25−キシ
レノールおよび2,3.5−トリメチルフェノールを除
去した。
次いで溶融した樹脂(A)を室温に戻して回収した(以
下、この樹脂を「樹脂(A1)」という)。
下、この樹脂を「樹脂(A1)」という)。
2)樹脂(A2)の合成
樹脂(A1)の合成と同様なフラスコに、mクレゾール
43.2g(0,40モル)、p−クレゾール172.
8g(1,60モル)、37重景%ホルムアルデヒド水
溶液215.8g(ホルムアルデヒ0 12.66モル)およびシュウ酸・2水和物0.132
g (1,05xlO−3モル)を仕込み、内温を10
0″Cに保ち、1時間縮合させた。その後、さらにm−
クレゾール86.5g(0,80モル)を縮合の進行と
ともに連続的にフラスコに仕込み、2時間縮合を行った
。その後、樹脂(A1)の合成と同様にして樹脂(A)
を回収した(以下、この樹脂を「樹脂(A2)Jという
)。
43.2g(0,40モル)、p−クレゾール172.
8g(1,60モル)、37重景%ホルムアルデヒド水
溶液215.8g(ホルムアルデヒ0 12.66モル)およびシュウ酸・2水和物0.132
g (1,05xlO−3モル)を仕込み、内温を10
0″Cに保ち、1時間縮合させた。その後、さらにm−
クレゾール86.5g(0,80モル)を縮合の進行と
ともに連続的にフラスコに仕込み、2時間縮合を行った
。その後、樹脂(A1)の合成と同様にして樹脂(A)
を回収した(以下、この樹脂を「樹脂(A2)Jという
)。
3)樹脂(A3)の合成
樹脂(A I )の合成と同様なフラスコに、mクレゾ
ール27.05 g (0,25モル)、2.3゜5−
トリメチルフェノール4.0g(0,03モル)、p−
クレゾール12.7g(0,12モル)、37重量%ホ
ルムアルデヒド水溶液42.85g(ホルムアルデヒド
: Q、 53モル)およびシュウ酸・2水和物0.5
33 g (4,2x 1 (1−’モル)を仕込み、
フラスコを油浴に浸し、内温を100°Cに保ち、撹拌
しながら30分間縮合を行ったのち、m−クレゾール6
.98 g (0,065モル)、2,3.5トリメチ
ルフェノール16.0g(0,12モル)1 を加え、さらに40分間縮合を行った。その後、樹脂(
A1)の合成と同様にして樹脂(A)を回収した(以下
、この樹脂を「樹脂(A3)Jという)。
ール27.05 g (0,25モル)、2.3゜5−
トリメチルフェノール4.0g(0,03モル)、p−
クレゾール12.7g(0,12モル)、37重量%ホ
ルムアルデヒド水溶液42.85g(ホルムアルデヒド
: Q、 53モル)およびシュウ酸・2水和物0.5
33 g (4,2x 1 (1−’モル)を仕込み、
フラスコを油浴に浸し、内温を100°Cに保ち、撹拌
しながら30分間縮合を行ったのち、m−クレゾール6
.98 g (0,065モル)、2,3.5トリメチ
ルフェノール16.0g(0,12モル)1 を加え、さらに40分間縮合を行った。その後、樹脂(
A1)の合成と同様にして樹脂(A)を回収した(以下
、この樹脂を「樹脂(A3)Jという)。
4)樹脂(A4)の合成
樹脂(A1)の合成と同様なフラスコに、mクレゾール
10−8g(0,1モルLp−クレゾール32.4g(
0,3モルL3,5−キシレノール19.5g(0,1
6モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液43.8
g(ホルムアルデヒド二0.54モル)およびシュウ酸
・2水和物0.064 g(0,0656モル)を仕込
み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100
’Cに保ち、0.5時間縮合させ、その後さらにm−ク
レゾール43.2g(0,4モル)、3.5−ジメチル
フェノール4゜9g(0,4モル)を反応の進行ととも
に連続的にフラスコに仕込み、0.5時間縮合を行った
。その後、樹脂(A1)の合成と同様にして樹脂(A)
を回収した(以下、この樹脂を「樹脂(A4)Jという
)。
10−8g(0,1モルLp−クレゾール32.4g(
0,3モルL3,5−キシレノール19.5g(0,1
6モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液43.8
g(ホルムアルデヒド二0.54モル)およびシュウ酸
・2水和物0.064 g(0,0656モル)を仕込
み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を100
’Cに保ち、0.5時間縮合させ、その後さらにm−ク
レゾール43.2g(0,4モル)、3.5−ジメチル
フェノール4゜9g(0,4モル)を反応の進行ととも
に連続的にフラスコに仕込み、0.5時間縮合を行った
。その後、樹脂(A1)の合成と同様にして樹脂(A)
を回収した(以下、この樹脂を「樹脂(A4)Jという
)。
2
5)ノボラック樹脂(5)の合成
樹脂(A1)の合成と同様なフラスコに、mクレゾール
108g (1モル)、37重量%ホルムアルデヒド水
溶液24.3g(ホルムアルデヒド:0.3モル)およ
びシュウ酸・2水和物0.302 g (2,4X 1
0−3モル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を
1.00°Cに保ち、40分間縮合を行った。その後、
樹脂(AI)の合成と同様にして樹脂(A)を回収した
(以下、この樹脂を「ノボラック樹脂(5)」という)
。
108g (1モル)、37重量%ホルムアルデヒド水
溶液24.3g(ホルムアルデヒド:0.3モル)およ
びシュウ酸・2水和物0.302 g (2,4X 1
0−3モル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を
1.00°Cに保ち、40分間縮合を行った。その後、
樹脂(AI)の合成と同様にして樹脂(A)を回収した
(以下、この樹脂を「ノボラック樹脂(5)」という)
。
6)ノボラック樹脂(6)の合成
樹脂(AI)の合成と同様なフラスコに、m mクレゾ
ール64.9 g (0,6モルLp−クレゾール43
.3g (0,4モル)、37重量%ホル□ムアルデヒ
ド水溶液20.3g(ホルムアルデヒド二0.25モル
)およびシュウ酸・2水和物0.302g(2,4X1
0−”モル)を仕込み、フラスコ壱油浴に浸し、内温を
100°Cに保ち、0.5時間縮合を行った。その後、
樹脂(AI)の合成と同様にして樹脂(A)を回収した
(以下、この樹脂を「)3 ボラック樹脂(6)」という)。
ール64.9 g (0,6モルLp−クレゾール43
.3g (0,4モル)、37重量%ホル□ムアルデヒ
ド水溶液20.3g(ホルムアルデヒド二0.25モル
)およびシュウ酸・2水和物0.302g(2,4X1
0−”モル)を仕込み、フラスコ壱油浴に浸し、内温を
100°Cに保ち、0.5時間縮合を行った。その後、
樹脂(AI)の合成と同様にして樹脂(A)を回収した
(以下、この樹脂を「)3 ボラック樹脂(6)」という)。
〈1,2−キノンジアジド化合物の合成〉1)キノンジ
アジド(1)の合成 遮光下で撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフラ
スコに、ノボラック樹脂(5)10.0gおよび1.2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド4.
0gを仕込み、さらにジオキサン100gを加え、撹拌
しながら溶解させた。フラスコを30°Cにコントロー
ルされた水浴中に浸し、内温が30°C一定となった時
点でこの溶液にトリエチルアミン1.65 gを内温が
35°Cを超えないように滴下ロートを用いてゆっくり
滴下した。
アジド(1)の合成 遮光下で撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフラ
スコに、ノボラック樹脂(5)10.0gおよび1.2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド4.
0gを仕込み、さらにジオキサン100gを加え、撹拌
しながら溶解させた。フラスコを30°Cにコントロー
ルされた水浴中に浸し、内温が30°C一定となった時
点でこの溶液にトリエチルアミン1.65 gを内温が
35°Cを超えないように滴下ロートを用いてゆっくり
滴下した。
その後、析出したトリエチルア≧ン塩酸塩を濾過して除
き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎ込んで、キノンジアジ
ド(I)を析出させた。次いで析出物を濾取し、40°
Cにコントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥し
た。
き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎ込んで、キノンジアジ
ド(I)を析出させた。次いで析出物を濾取し、40°
Cにコントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥し
た。
2)キノンジアジド(II)の合成
キノンジアジド(1)の合成と同様にしてノボラック樹
脂(6)10.0gおよび1.2−ナツト4 キノンジアジド−5−スルホン酸クロリド3.45g1
トリエチルアミン1.42 gを反応させたのち、析
出させ乾燥することにより、キノンジアジド(U)を得
た。
脂(6)10.0gおよび1.2−ナツト4 キノンジアジド−5−スルホン酸クロリド3.45g1
トリエチルアミン1.42 gを反応させたのち、析
出させ乾燥することにより、キノンジアジド(U)を得
た。
〈オリゴマーおよびオリゴマー類縁体の合成〉l)オリ
ゴマー(1)の合成 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコにレゾル
シノール110.1g(1,0モル)、アセトアルデヒ
ド44.1g(1,0モル)、水400m1および濃塩
酸100mff1を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内
温を75°Cに保ち、1時間反応させた。その後、冷却
し、析出物を濾取した。次いで析出物を大量の水で洗浄
し、風乾し、淡黄色のオリゴマー(1)を得た。オリゴ
マー(1)は、’ H−NMR,I R,、Ma s
s等の分析から、レゾルシノールの環状囲核体であるこ
とがわかった。
ゴマー(1)の合成 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコにレゾル
シノール110.1g(1,0モル)、アセトアルデヒ
ド44.1g(1,0モル)、水400m1および濃塩
酸100mff1を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内
温を75°Cに保ち、1時間反応させた。その後、冷却
し、析出物を濾取した。次いで析出物を大量の水で洗浄
し、風乾し、淡黄色のオリゴマー(1)を得た。オリゴ
マー(1)は、’ H−NMR,I R,、Ma s
s等の分析から、レゾルシノールの環状囲核体であるこ
とがわかった。
2)オリゴマー(1a)の台底
〔オリゴマー(1)と12−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロライドとの縮合物〕 5 遮光下で撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフラ
スコに、オリゴマー(1)100g(0゜178モルL
1.2−ナフトキノンジアジド5−スルホン酸クロ
ライド148g(0,551モル)および2−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル1000gとジオキサン740g
からなる混合溶媒を仕込み撹拌しながら溶解した。
−スルホン酸クロライドとの縮合物〕 5 遮光下で撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフラ
スコに、オリゴマー(1)100g(0゜178モルL
1.2−ナフトキノンジアジド5−スルホン酸クロ
ライド148g(0,551モル)および2−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル1000gとジオキサン740g
からなる混合溶媒を仕込み撹拌しながら溶解した。
フラスコを30゛Cにコントロールされた水浴中に浸し
、内温が30°C一定となった時点でこの溶液に滴下ロ
ートからトリエチルアくン61.3 gを内温が35°
Cを超えないようにゆっくり滴下した。
、内温が30°C一定となった時点でこの溶液に滴下ロ
ートからトリエチルアくン61.3 gを内温が35°
Cを超えないようにゆっくり滴下した。
その後、析出したトリエチルアくン塩酸塩を濾過して除
き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎ込んでオリゴマー(l
a)を析出させた。次いで析出物を濾取し、40°Cに
コントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥した。
き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎ込んでオリゴマー(l
a)を析出させた。次いで析出物を濾取し、40°Cに
コントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥した。
3)オリゴマー(1b)の合成
〔オリゴマー(1)と1. 2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロライドとの縮合物〕 G オリゴマー(Ia)の合成において、オリゴマー(1)
90g (0,160モル)、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸クロライド177.6 g (
0,661モル)、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル
900gとジオキサン740gおよびトリエチルアミン
73.6 gを用いた以外はオリコマ−(1a)の合成
と同様にしてオリゴマー(1b)を得た。
−5−スルホン酸クロライドとの縮合物〕 G オリゴマー(Ia)の合成において、オリゴマー(1)
90g (0,160モル)、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸クロライド177.6 g (
0,661モル)、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル
900gとジオキサン740gおよびトリエチルアミン
73.6 gを用いた以外はオリコマ−(1a)の合成
と同様にしてオリゴマー(1b)を得た。
4)オリゴマー(lc)の合成
〔オリゴマー(1)とパラトルエンスルホン酸クロライ
ドとの縮合物〕 オリゴマー(1a)の合成において、フラスコ中、オリ
ゴマー(1)27.23g (0,0484モル)、パ
ラトルエンスルホニルクロライド19.07g(0,1
0モル)およびアセトン250mf!を窒素雰囲気下で
溶解し、トリエチルアミン10.32gを用いた以外は
オリゴマー(1a)の台底と同様にしてオリゴマー(1
c)を得た。
ドとの縮合物〕 オリゴマー(1a)の合成において、フラスコ中、オリ
ゴマー(1)27.23g (0,0484モル)、パ
ラトルエンスルホニルクロライド19.07g(0,1
0モル)およびアセトン250mf!を窒素雰囲気下で
溶解し、トリエチルアミン10.32gを用いた以外は
オリゴマー(1a)の台底と同様にしてオリゴマー(1
c)を得た。
5)オリゴマー(1d)の台底
〔オリゴマー(1)とl、2−−ナフトキノン7
ジアジドー4−スルホン酸クロライドとの縮合物〕
オリゴマー(1a)のを或において、12ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロライドを1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸クロライドとした以外
はオリゴマー(1a)の合成と同様にしてオリゴマー(
1d)を得た。
ジアジド−5−スルホン酸クロライドを1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸クロライドとした以外
はオリゴマー(1a)の合成と同様にしてオリゴマー(
1d)を得た。
6)オリゴマー(le)の合成
〔オリゴマー(1)と無水酢酸との縮合物〕オリゴマー
(1) 5.62 g (0,01モル)および無水酢
酸2.04g(0,02モル)のピリジン100mff
溶液を、窒素雰囲気下で3時間還流した。
(1) 5.62 g (0,01モル)および無水酢
酸2.04g(0,02モル)のピリジン100mff
溶液を、窒素雰囲気下で3時間還流した。
次いで、溶剤を減圧下で留去し、残渣を少量のアセトン
に溶解し、3重量%塩酸水溶液に江別し、生成物を析出
せしめ、ヌッチェで濾取し水洗したのち乾燥し、オリゴ
マー(1e)を得た。
に溶解し、3重量%塩酸水溶液に江別し、生成物を析出
せしめ、ヌッチェで濾取し水洗したのち乾燥し、オリゴ
マー(1e)を得た。
7)オリゴマー(2)の合成
攪拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコにレゾル
シノール55.1g(0,5モル)、プロピオンアルデ
ヒド29.0g(0,5モル)、エタノ−8 ル400mf溶液を仕込み攪拌しながら溶解させ、濃塩
酸100rr+j!を加えた。フラスコを油浴に浸し内
温を75゛Cに保ち、窒素気流下で3時間反応させた。
シノール55.1g(0,5モル)、プロピオンアルデ
ヒド29.0g(0,5モル)、エタノ−8 ル400mf溶液を仕込み攪拌しながら溶解させ、濃塩
酸100rr+j!を加えた。フラスコを油浴に浸し内
温を75゛Cに保ち、窒素気流下で3時間反応させた。
反応後、室温まで冷却し、析出物をヌッチェにて濾取し
少量のメタノールで洗浄し、大量の水で洗浄したのち乾
燥し、オリゴマー(2)を得た。該オリゴマー(2)は
、’H−NMR,IR,Mass等の分析から、レゾル
シノールの環状囲核体であることがわかった。
少量のメタノールで洗浄し、大量の水で洗浄したのち乾
燥し、オリゴマー(2)を得た。該オリゴマー(2)は
、’H−NMR,IR,Mass等の分析から、レゾル
シノールの環状囲核体であることがわかった。
8)オリゴマー(2a)の合成
〔オリゴマー(2)と1.2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸クロライドの縮合物〕オリゴマー(la
)の合成において、オリゴマー(1)100gをオリゴ
マー(2)114gとする以外はオリゴマー(1a)の
合成と同様にしてオリゴマー(2a)を得た。
5−スルホン酸クロライドの縮合物〕オリゴマー(la
)の合成において、オリゴマー(1)100gをオリゴ
マー(2)114gとする以外はオリゴマー(1a)の
合成と同様にしてオリゴマー(2a)を得た。
9)オリゴマー(2b)の合成
〔オリゴマー(2)と1.2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸クロライドの縮合物〕オリゴマー(1d
)の合成において、オリゴマ9 −(1)100gをオリゴマー(2)114gとする以
外はオリゴマー(1d)の合成と同様にしてオリゴマー
(2b)を得た。
4−スルホン酸クロライドの縮合物〕オリゴマー(1d
)の合成において、オリゴマ9 −(1)100gをオリゴマー(2)114gとする以
外はオリゴマー(1d)の合成と同様にしてオリゴマー
(2b)を得た。
実施例1〜14および比較例1
第1表に示す量の樹脂A、オリゴマーおよび23.4.
4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2
−ナフトキノンジアジド化合物および溶媒を混合し均一
溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブランフィルタ
で濾過し、本発明m放物の溶液を調製した。
4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1,2
−ナフトキノンジアジド化合物および溶媒を混合し均一
溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブランフィルタ
で濾過し、本発明m放物の溶液を調製した。
得られた溶液を、シリコン酸化膜を有するシリコンウェ
ハー上にスピンナーを用いて塗布したのち、ホットプレ
ート上で90℃にて2分間プレベークして厚さ1.2μ
mのレジスト膜を形威し、レチクルを介して波長436
nm(g線)または365nm(i線)の放射線を照射
、現像しリンスし、乾燥したのち、該レジスト膜の感度
、解像度、残膜率、現像性、耐熱性およびパターン形状
についての評価を行った。結果を第1表に示す。
ハー上にスピンナーを用いて塗布したのち、ホットプレ
ート上で90℃にて2分間プレベークして厚さ1.2μ
mのレジスト膜を形威し、レチクルを介して波長436
nm(g線)または365nm(i線)の放射線を照射
、現像しリンスし、乾燥したのち、該レジスト膜の感度
、解像度、残膜率、現像性、耐熱性およびパターン形状
についての評価を行った。結果を第1表に示す。
0
1)実施例1〜11および比較例1はg線(436nm
)を照射、実施例12〜14はi線(365nm)を照
射。
)を照射、実施例12〜14はi線(365nm)を照
射。
2)重量部
3)2,3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン1モルと1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸クロリド3モルとの縮合物4)2,3.4−)リヒ
ドロキシベンゾフェノン1モルと1.2−ナフトキノン
ジアジド−5スルホン酸クロリド3.0モルとの縮合物
5)2,3,4.4’−テトラヒドロキシ−3′メトキ
シベンゾフ工ノン1モルと1.2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸クロリド3.5モルとの縮合物 6)2,3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸クロリド4モルとの縮合物7)2,3,4.4’−
テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1.2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド3.6モル
との縮合2 8)2,3.4,5.4’−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド4モルとの縮合物 9)2,3,4.3’、4“、5′−へキサヒドロキシ
ベンゾフェノン1モルと12−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸クロリド3.8モルとの縮合物 〔発明の効果〕 本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、高感度、高解
像度を有し、現像性およびレジストパターン形状に優れ
るとともに耐熱性にも優れたポジ型レジストを得ること
ができる。
ン1モルと1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸クロリド3モルとの縮合物4)2,3.4−)リヒ
ドロキシベンゾフェノン1モルと1.2−ナフトキノン
ジアジド−5スルホン酸クロリド3.0モルとの縮合物
5)2,3,4.4’−テトラヒドロキシ−3′メトキ
シベンゾフ工ノン1モルと1.2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸クロリド3.5モルとの縮合物 6)2,3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸クロリド4モルとの縮合物7)2,3,4.4’−
テトラヒドロキシベンゾフェノン1モルと1.2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド3.6モル
との縮合2 8)2,3.4,5.4’−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド4モルとの縮合物 9)2,3,4.3’、4“、5′−へキサヒドロキシ
ベンゾフェノン1モルと12−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸クロリド3.8モルとの縮合物 〔発明の効果〕 本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、高感度、高解
像度を有し、現像性およびレジストパターン形状に優れ
るとともに耐熱性にも優れたポジ型レジストを得ること
ができる。
Claims (2)
- (1)(a)構造式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、nは1〜3の整数)で表わされるフェノール類
の少なくとも1種をアルデヒド類で縮合して得られるア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂、 - (2)レゾルシノールとアルデヒド類とを縮合して得ら
れる環状化合物および/または該環状化合物の水酸基の
水素原子の少なくとも1つを置換した環状化合物および
(c)1,2−キノンジアジド化合物を含有することを
特徴とする感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26839489A JPH03128959A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26839489A JPH03128959A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03128959A true JPH03128959A (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=17457865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26839489A Pending JPH03128959A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03128959A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5275911A (en) * | 1993-02-01 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Sesamol/aldehyde condensation products as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures |
| JPH06282067A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
| EP0747768A2 (en) | 1995-06-05 | 1996-12-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| JP2012072217A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フェノール樹脂組成物、及び、断熱材用フェノール樹脂組成物 |
| US9200098B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-12-01 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition and compound |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| DE10015255B4 (de) | 1999-03-31 | 2020-06-04 | Ciba Holding Inc. | Verfahren zur Herstellung von Oximderivaten und ihre Verwendung als latente Säuren in chemisch verstärkten Photoresistzusammensetzungen, sowie Verfahren zur Herstellung eines Photoresists |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP26839489A patent/JPH03128959A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06282067A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
| US5275911A (en) * | 1993-02-01 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Sesamol/aldehyde condensation products as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures |
| EP0747768A2 (en) | 1995-06-05 | 1996-12-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition |
| DE10015255B4 (de) | 1999-03-31 | 2020-06-04 | Ciba Holding Inc. | Verfahren zur Herstellung von Oximderivaten und ihre Verwendung als latente Säuren in chemisch verstärkten Photoresistzusammensetzungen, sowie Verfahren zur Herstellung eines Photoresists |
| US9200098B2 (en) | 2009-09-11 | 2015-12-01 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition and compound |
| JP2012072217A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フェノール樹脂組成物、及び、断熱材用フェノール樹脂組成物 |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| US9994538B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-06-12 | Basf Se | Latent acids and their use |
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