JPH04274242A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH04274242A JPH04274242A JP5839591A JP5839591A JPH04274242A JP H04274242 A JPH04274242 A JP H04274242A JP 5839591 A JP5839591 A JP 5839591A JP 5839591 A JP5839591 A JP 5839591A JP H04274242 A JPH04274242 A JP H04274242A
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Description
含有する感放射線性樹脂組成物に関し、さらに詳しくは
紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シン
クロトロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応す
る高集積回路作成用レジストとして好適な感放射線性樹
脂組成物に関する。
パターンが得られるので、集積回路の製造において多く
用いられているが、近年における集積回路の高集積化に
伴って、より解像度の向上したレジストパターンを形成
できるポジ型レジストが望まれている。すなわち、ポジ
型レジストによって微細なレジストパターンを形成する
場合、放射線照射により形成される潜像をアルカリ性水
溶液からなる現像液で現像する際に、放射線照射部がウ
ェハーと接している部分(パターンの裾)まで速やかに
現像されることが必要である。
ポジ型レジストの場合、形成すべきレジストパターンの
間隔が 0.8μm 以下になると、スカムと呼ばれる
現像残りを発生しやすく、現像性に問題があった。さら
に集積回路の集積度の向上とともに、ウェハーのエッチ
ング方式が、従来のサイドエッチングの大きいウェット
エッチングから、サイドエッチングの小さいドライエッ
チングに移行している。このドライエッチングでは、エ
ッチング時にレジストパターンが変化しないことが必要
であるため、耐熱性のよいことが必要である。したがっ
て本発明の目的は、スカムの発生が有効に抑制され、現
像性に優れているとともに、高感度、高解像度で、かつ
耐熱性、残膜率等に優れたポジ型レジストとして好適な
感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
カリ可溶性樹脂(以下、「樹脂(A) 」と称する)を
含有する感放射線性樹脂組成物であって、下記一般式(
1)、
はフェニレン基を示し、X1 〜X15は、水素原子、
アルキル基、アルコキシ基および水酸基の何れかを示し
(X1 〜X5 ,X6 〜X10およびX11〜X1
5のそれぞれの組み合わせにおいて、少なくとも1個は
水酸基とする)、R1 〜R4 は、水素原子またはア
ルキル基を示し、Yは、水素原子、アルキル基または非
置換もしくは置換フェニル基を示す、で表される化合物
(以下、「化合物(A)」と略称する)の少なくとも1
種および感放射線成分として1,2−キノンジアジド化
合物を含有していることを特徴とする感放射線樹脂組成
物が提供される。本発明の感放射線樹脂組成物は、スカ
ムの発生が有効に抑制され、現像性に優れているととも
に、高感度、高解像度で、かつ耐熱性、残膜率等に優れ
たポジ型レジストとして好適に使用できる。
ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール
もしくはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル
基含有(メタ)アクリル酸系樹脂等を挙げることができ
、特にノボラック樹脂が好適に使用される。またノボラ
ック樹脂のうちでも、下記一般式(3)、
類とアルデヒド類とを重縮合することによって得られた
ものが好適である。
レゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、 2,3
−キシレノール、 2,4−キシレノール、 2,5−
キシレノール、 2,6−キシレノール、 3,4−キ
シレノール、 3,5−キシレノール、 2,3,4−
トリメチルフェノール、 2,3,5−トリメチルフェ
ノール、 3,4,5−トリメチルフェノール等を挙げ
ることができ、中でもo−クレゾール、m−クレゾール
、p−クレゾール、 2,5−キシレノール、 3,5
−キシレノールおよび 2,3,5−トリメチルフェノ
ールが好ましく、さらに好ましくは、m−クレゾール/
3,5−キシレノール/p−クレゾール=95/5/
0〜20/80/25(モル比)、m−クレゾール/
2,3,5−トリメチルフェノール/p−クレゾール=
95/5/0〜30/70/65(モル比)の併用系で
ある。
デヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキ
サン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセ
トアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトア
ルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェ
ニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m
−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒ
ド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズア
ルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベ
ンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メ
チルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、
p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール等を挙
げることができ、特にホルムアルデヒドが好適に用いる
ことができる。これらのアルデヒド類も単独でまたは2
種以上組み合わせて用いることができる。
類1モルに対し、 0.7〜3モルが好ましく、より好
ましくは 0.8〜1.5 モルである。フェノール類
とアルデヒド類との重縮合には、通常、酸性触媒が使用
される。この酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、ギ
酸、シュウ酸、酢酸等を挙げることができる。これら酸
性触媒の使用量は、通常、フェノール類1モルに対し、
1×10−5〜5×10−1モルである。
水が用いられるが、重縮合に用いられるフェノール類が
アルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一
系になる場合は、反応媒質として親水性溶媒を使用する
こともできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメ
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の
アルコール類およびテトラヒドロフラン、ジオキサン等
の環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒質の使
用量は、通常、反応原料 100重量部当たり、20〜
1000重量部である。
て、適宜調整することができるが、通常、10〜200
℃、好ましくは70〜130 ℃である。重縮合の方
法としては、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等
を一括して仕込む方法、および酸性触媒の存在下にフェ
ノール類、アルデヒド類等を反応の進行とともに加えて
いく方法を採用することができる。重縮合終了後、系内
に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去す
るために、一般的には、反応系の温度を 130〜23
0 ℃に上昇させ、減圧下、例えば20〜50mmHg
程度で揮発分を留去し、得られた樹脂(A) を回収す
る。
リスチレン換算重量平均分子量 (以下、「Mw」と称
する)は、 2,000〜20,000であることが好
ましく、 3,000〜15,000であることがさら
に好ましい。Mwが20,000を越えると、本発明の
組成物をウェハーに均一に塗布することが困難な場合が
あり、さらに現像性および感度が低下する傾向がみられ
、またMwが 2,000未満であると、耐熱性が低下
する傾向がある。なお、Mwの高い樹脂(A) を得る
ためには、上記で得られた樹脂を、エチルセロソルブア
セテート、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良
溶媒に溶解したのち、水、n−ヘキサン、n−ヘプタン
等の貧溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分離
し、樹脂(A) を回収すればよい。
のアルカリ溶解性を促進する等の目的で、低分子量のフ
ェノール化合物を溶解促進剤として使用することもでき
る。 この低分子量のフェノール化合物としては、ベンゼン環
数が2〜6程度のフェノール化合物が好適であり、特に
限定されるものではないが、下記式(4)で表される化
合物を例示することができる。
り(ただし、何れも0の場合は除く)、x,yおよびz
は、0〜3の数である。かかる低分子量のフェノール化
合物の配合量は、通常、樹脂(A) 100重量部当
り、50重量部以下、特に32重量部以下とすることが
好適である。
て、低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹脂またはア
ルカリ可溶性レゾール樹脂(以下、単に「樹脂(B)
」と称する)を使用することもできる。ここで樹脂(B
) は、フェノール類とアルデヒド類との重縮合によっ
て得られるが、フェノール類としては、前記樹脂(A)
の合成に用いられるフェノール類として例示したもの
の他、フェノール、1−ナフトール、2−ナフトール等
を使用することができる。またアルデヒド類としても、
前記樹脂(A) の合成に用いられるものを使用するこ
とができる。アルデヒド類の使用量は、フェノール類1
モルに対して、 0.1〜3モルが好ましく、より好ま
しくは 0.2〜1.5 モルである。またこの重縮合
においては、樹脂(A) の重縮合に用いる酸性触媒の
他、アルカリ性触媒も用いることができる。樹脂(B)
のMwは、通常、10,000以下であることが好ま
しく、200〜2,000 であることがさらに好まし
く、 300〜1,000 であることが特に好ましい
。このような樹脂(B) としては、フェノール/ホル
ムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−クレゾール/ホ
ルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、p−クレゾール/
ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、o−クレゾール
/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−クレゾー
ル/p−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック
樹脂等を挙げることができる。かかる樹脂(B) の配
合量は、通常、樹脂(A) 100重量部当り、60
重量部以下、特に40重量部以下とすることが好適であ
る。
ち、
配合される。
2)、
でR3 およびR4 は、水素原子またはアルキル基か
ら選択される基であり、アルキル基としては、低級アル
キル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル
基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。かか
る式(2)において、aが0のときは単結合を表し、a
が1〜4の整数のときは、メチレン基、エチレン基、エ
チリデン基、トリメチレン基、イソプロピリデン基、テ
トラメチレン基等を挙げることができる。またフェニレ
ン基としては、O−,m− およびp−の各種フェニレ
ン基を例示することができるが、好ましいものは、p−
フェニレン基である。
ル基、アルコキシ基または水酸基から選択される基であ
り、X1 〜X5 ,X6 〜X10およびX11〜X
15のそれぞれの組み合わせにおいて、少なくとも1個
は水酸基である。すなわち、各ベンゼン環について少な
くとも1個は水酸基が置換されている。ここでアルキル
基としては、上記R3 およびR4に関して例示した基
を挙げることができ、アルコキシ基としては、炭素数1
〜4のものが好適であり、例えばメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる
。またR1 およびR2 は、水素原子またはアルキル
基であり、アルキル基としては、上記R3 およびR4
に関して例示した基を挙げることができる。
もしくは置換フェニル基を示すものである。ここで置換
フェニル基における置換基としては、アルキル基、アル
コキシ基および水酸基を挙げることができ、アルキル基
およびアルコキシ基として好適なものは、X1 〜X1
5に関して例示された炭素数が1〜4のアルキル基およ
びアルコキシ基を挙げることができる。これら置換基は
、1個または2個以上の組み合わせでベンゼン環に結合
していることができる。
下記式(5)〜(11)で表される化合物を例示するこ
とができる。
フェノール類との酸触媒による縮合反応や、α,β−不
飽和カルボニル化合物とフェノール類との酸触媒による
縮合付加反応により合成することができる。
は、樹脂(A)100 重量部当り、 0.5〜90
重量部、特に2〜50重量部の割合で使用することが好
適である。
いては、樹脂(A) および化合物(A) 以外に、1
,2−キノンジアジド化合物が配合される。この1,2
−キノンジアジド化合物は、感放射線性成分であり、本
発明の組成物に感放射線性を付与するためのものである
。このような1,2−キノンジアジド化合物としては、
例えば1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル等の1,2−キノンジアジドスルホン
酸エステルが挙げられ、以下のものを例示することがで
きる。
ン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、3’−メトキシ−2,3,4,4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,5,5’−テトラメチ
ル−2”,4,4’−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−
[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル
]−1−フェニルエタン、2,4,4−トリメチル−2
’,4’,7−トリヒドロキシ−2− フェニルフラバ
ン、1,1,3−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ブ
タン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4 −
ヒドロキシフェニル)プロパン等の1,2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル。および
、アルカリ可溶性樹脂の項で溶解促進剤として説明した
樹脂(B) の水酸基の水素原子を、例えば水素1原子
当たり0.2〜1モル%、好ましくは 0.4〜1モル
の割合で1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニ
ル基等の1,2−キノンジアジドスルホニル基で置換し
た1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル。
ンジアジド化合物の配合量は、樹脂(A)100重量部
に対して、通常、3〜100 重量部、好ましくは5〜
50重量部である。
種配合剤を配合することができる。増感剤は、組成物の
感度を向上させるために配合されるものであり、このよ
うな増感剤としては、例えば 2H−ピリド−(3,2
−b)−1,4− オキサジン−3(4H)− オン類
、10H−ピリド−(3,2−b)−(1,4)−ベン
ゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、パルビ
ツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾ
トリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げ
られる。これらの増感剤の配合量は、樹脂(A) 1
00重量部に対し、通常、50重量部以下である。
性を改良するために配合されるものであり、このような
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチ
レンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウ
レート、ポリエチレングリコールジステアレート、エフ
トップ EF301, EF303, EF352(商
品名、新秋田化成社製)、メガファックス F171,
F172, F173 (商品名、大日本インキ社製
)、フロラード FC430, FC431 (商品名
、住友スリーエム社製)、アサヒガード AG710,
サーフロン S−382, SC−101, SC−
102, SC−103, SC− 104, SC−
105, SC−106(商品名、旭硝子社製)、オル
ガノシロキサンポリマー KP341(商品名、信越化
学工業社製)、アクリル酸系またはメタクリル酸系(共
)重量体ポリフロー No.75, No.95 (商
品名、共栄社油脂化学工業社製) 等が挙げられる。こ
れらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分 100
重量部当たり、通常、2重量部以下である。
の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影
響を少なくするために、染料や顔料を配合することがで
き、また接着性を改善するために、接着助剤を配合する
こともできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤
等も配合することができる。
組成物は、前述した樹脂(A) 、化合物(A) およ
び 1,2−キノンジアジド化合物ならびに前述した各
種の配合剤を、例えば固形分濃度が20〜40重量%と
なるように溶剤に溶解させ、孔径 0.2μm程度のフ
ィルターでろ過することによって調製される。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテ
ート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2
−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキ
シ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ
−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン
酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エト
キシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用いることができる
。さらに、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチル
アセトアミド、N,N −ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエ
チルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセト
ン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタ
ノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベ
ンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン
酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸
プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等の高沸点
溶剤を添加することもできる。
塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコンウェハー
またはアルミニウム等が被覆されたウェハーに塗布する
ことにより感放射線性層を形成し、所定のマスクパター
ンを介して感放射線性層に放射線を照射し、現像液で現
像することによりパターンの形成が行われる。また本発
明の組成物をポジ型レジストとして使用する際には、ウ
エハー等の上に該組成物を塗布し、プレベークおよび放
射線照射を行った後、70〜140 ℃で加熱する操作
を行い、その後に現像することによって、本発明の効果
をさらに向上させることもできる。
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウ
ム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン
、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロ
ピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン
、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリ
ジン、 1,8−ジアザビシクロ−(5,4,0)−7
−ウンデセン、 1,5−ジアザビシクロ−(4,3,
0)−5−ノナン等のアルカリ性化合物を、濃度が、例
えば1〜10重量%となるように溶解してなるアルカリ
性水溶液が使用される。また該現像液には、水溶性有機
溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類
や界面活性剤を適量添加して使用することもできる。な
お、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用い
て現像を行った場合は、一般的には引き続き水でリンス
を行う。
が、本発明はこれらの実施例によって、何ら制約される
ものではない。なお、実施例中のMwの測定およびレジ
ストの評価は、以下の方法により行ったものである。
000H6 2本、G3000H6 1本、G4000
H6 1本)を用い、流量1.5 ml/分、溶出溶媒
テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、
単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーション
クロマトグラフ法により測定した。
D 縮小投影露光機(レンズの開口数;0.45)で
露光時間を変化させ、波長436nm のg線を用いて
露光を行うか、またはニコン社製−NSR−1505i
6A 縮小投影露光機(レンズの開口数;0.45)
で露光時間を変化させ、波長365nm のi線を用い
て露光を行い、次いでテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド 2.4重量%水溶液を現像液として用い、25
℃で60秒間現像し、水でリンスし、乾燥してウエハー
上にレジストパターンを形成させて、 0.6μm の
ライン・アンド・スペースパターン(1LIS)を1対
1の幅に形成する露光時間(以下、これを「最適露光時
間」という)を求めた。
像されている最少のレジストパターンの寸法を測定した
。
ターンの厚さを現像前のレジスト膜の厚さで割り、この
値を 100倍して%の単位を付けて表した。
。
ターンを形成したウエハーを入れて、パターンが崩れ始
めたときの温度を測定した。
−クレゾール 67.6g(0.63モル)
2,3,5−トリメチルフェノール 10.0g(0
.073モル)p−クレゾール 31.8g
(0.29モル)37重量%ホルムアルデヒド水溶液
107.1g(ホルムアルデヒド:1.32モル) およびシュウ酸2水和物 1.33g(1.06×1
0−2モル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を
100℃に保持して攪拌しながら30分間重縮合を行
ったのちに、m−クレゾール 17.5g(
0.16モル)および 2,3,5−トリメチルフェノール 40.0g (
0.29モル)を加えてさらに40分間重縮合を行った
。次いで油浴温度を 180℃まで上昇させ、同時にフ
ラスコ内の圧力を30〜50mmHgまで減圧し、水、
シュウ酸、未反応の原料等を除去した。ついで溶融した
樹脂を室温に戻して回収した。 この樹脂を、樹脂(A1)という。
20重量%になるように溶解したのち、この樹脂溶液の
重量に対し、2倍のメタノールおよび等量の水を加えて
攪拌し、放置した。放置することによって2層に分離し
たのち、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮し、脱水
し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂(A2
)という。
)2,3,5−トリメチルフェノール 21.8g(
0.16モル)37重量%ホルムアルデヒド水溶液
61.0g(ホルムアルデヒド:0.75モル) シュウ酸2水和物 6.3g(0.05モル)
水 52.6g およびジオキサン 182g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら6時間縮合を行ない、反応
後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。こ
のビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、
濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を
、樹脂(A3)という。
ル 13.0g(0.12モル)p−クレゾ
ール 32.4g(0.3 モル)3,5−
キシレノール 39.0g(0.32モル)37
重量%ホルムアルデヒド水溶液 56.9g(ホルム
アルデヒド:0.70モル) およびシュウ酸2水和物 0.083g(6.59×1
0−4モル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を
100℃に保持しながら攪拌して30分間重縮合を行
なった後、さらにm−クレゾール 51.9
g(0.48モル)および3,5−ジメチルフェノール
9.77g(0.08モル)を、反応の進行ととも
に連続的にフラスコに仕込み、45分間重縮合を行った
。その後、合成例1と同様に樹脂を回収した。この樹脂
を、樹脂(A4)という。
ル 95.2g(0.88モル)2,3,5
−トリメチルフェノール 24.4g(0.18モル
)37重量%ホルムアルデヒド水溶液 154g(
ホルムアルデヒド:1.90モル) およびシュウ酸2水和物 1.82g(0.014モ
ル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を 100
℃に保持しながら攪拌して90分間重縮合を行なった後
、さらにm−クレゾール 23.8g(0.
22モル)および 2,3,5−トリメチルフェノール 97.6g(0
.72モル)を加えてさらに60分間重縮合を行った。 次いで、合成例1と同様にして樹脂を回収した。この樹
脂を、エチルセロソルブアセテートに固形分が20重量
%になるように溶解したのち、この樹脂溶液の重量に対
し、 1.8倍のメタノールおよび等量の水を加えて攪
拌し、放置した。放置することによって2層に分離した
のち、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮し、脱水し
、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂(A5)
という。
ル 108.0g(1.00モル)37重量%
ホルムアルデヒド水溶液 24.3g(ホルムアルデ
ヒド:0.30モル) およびシュウ酸2水和物 0.30g(2.40×1
0−3モル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を
100℃に保持しながら40分間重縮合を行った。次
いで、合成例1と同様にして樹脂を回収した。この樹脂
を、樹脂(B1)という。
ル 64.9g(0.60モル)p−クレゾ
ール 43.3g (0.40モル)37重
量%ホルムアルデヒド水溶液 20.3g(ホルムア
ルデヒド:0.25モル) およびシュウ酸2水和物 0.30g(2.40×1
0−3モル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を
100℃に保持しながら30分間重縮合を行った。次
いで、合成例1と同様にして樹脂を回収した。この樹脂
を、樹脂(B2)という。
おいて使用する下記の化合物(A) の略称を示す。 下記式(12)、
4− ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパンを
化合物(A1)と略称する。 下記式(13)、
4− ヒドロキシフェニル)−3−フェニルブタンを化
合物(A2)と略称する。 下記式(14)、
4− ヒドロキシフェニル)−3−フェニルブタンを化
合物(A3)と略称する。 下記式(15)、
4− ヒドロキシフェニル)−3−フェニルブタンを化
合物(A4)と略称する。 下記式(16)、
メチル−4−ヒドロキシフェニル) エタンを化合物(
A5)と略称する。 下記式(17)、
メチル−4−ヒドロキシフェニル) エタンを化合物(
A6)と略称する。 下記式(18)、
5−ジメチル−4− ヒドロキシフェニル)−p−キシ
レンを化合物(A7)と略称する。
合成例8 遮光下で、攪拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフ
ラスコに、 樹脂(B1) 10.0g 1,2−ナフトキノンジアジド−5− スルホン酸クロ
リド 13.9g およびジオキサン 100g を仕込み、攪拌しながら溶解させた。次いでフラスコを
30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内温が30
℃に一定となった時点で、この溶液に、 トリエチルアミン 5.75g を内温が35℃を越えないように滴下ロートを用いてゆ
っくり滴下した。その後、析出したトリエチルアミン塩
酸塩をろ過により取り除き、ろ液を大量の希塩酸中に注
ぎ込んで析出させ、次いで析出物をろ取し、40℃にコ
ントロールされた真空乾燥器で一昼夜乾燥して1,2−
キノンジアジド化合物(C1)を得た。
ナフトキノンジアジド−5− スルホン酸クロリド
16.6g およびトリエチルアミン 6.86gを使用した他は
合成例8と同様にして1,2−キノンジアジド化合物(
C2)を得た。
3.0g (0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5− スルホン酸クロ
リド 69.9g (0.26モル) およびトリエチルアミン 28.9g (0.286
モル)を使用した他は合成例8と同様にして1,2−
キノンジアジド化合物(C3)を得た。
24.6g (0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5− スルホン酸クロ
リド 107.5g (0.40モル) およびトリエチルアミン 44.5g (0.44モ
ル)を使用した他は合成例8と同様にして1,2−キノ
ンジアジド化合物(C4)を得た。
−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエ チル]−1−フェニルエタン 42.4g (0
.10モル)1,2−ナフトキノンジアジド−5− ス
ルホン酸クロリド 67.2g (0.25モル) およびトリエチルアミン 27.8g (0.275
モル)を使用した他は合成例8と同様にして1,2−
キノンジアジド化合物(C5)を得た。
2−キノンジアジド化合物、化合物(A) および溶剤
を混合し、均一溶液としたのち、孔径 0.2μm の
メンブランフィルターでろ過し、本発明の組成物の溶液
を調製した。得られた溶液を、シリコン酸化膜を有する
シリコンウエハー上にスピンナーを用いて塗布したのち
、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベークして
厚さ1.2μm のレジスト膜を形成し、レクチルを介
して前記のように波長436nm (g線)または36
5nm (i線)を用いて露光し、現像し、リンスし、
乾燥したのち、該レジスト膜の感度、解像度、残膜率、
現像性および耐熱性についての評価を行った。結果を、
使用した樹脂等と併せて表1に示す。なお、実施例1〜
4および比較例1〜2は、g線を照射し、実施例5〜9
および比較例3は、i線を照射した。
ある。 α;1,1,1−トリス(4− ヒドロキシフェニル)
エタンB1;合成例6で得られた樹脂(B1)B2;
合成例6で得られた樹脂(B2)注:溶剤の種類は、次
の通りである。 S1;エチルセロソルブアセテート S2;2−ヒドロキシプロピオン酸エチルS3;3−メ
トキシプロピオン酸メチル
ムの発生が有効に抑制され現像性に優れているとともに
、高感度、高解像度で、かつ耐熱性、残膜率等に優れた
ポジ型レジストとして好適に使用できる。
Claims (1)
- 【請求項1】アルカリ可溶性樹脂を含有する感放射線性
樹脂組成物であって、下記一般式(1)、【化1】 式中、Qは、下記式(2)、 【化2】 (aは0〜4の整数を表す)で表される基またはフェニ
レン基を示し、X1 〜X15は、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基または水酸基の何れかを示し(X1
〜X5 ,X6 〜X10およびX11〜X15のそれ
ぞれの組み合わせにおいて、少なくとも1個は水酸基と
する)、R1 〜R4 は、水素原子またはアルキル基
を示し、Yは、水素原子、アルキル基または非置換もし
くは置換フェニル基を示す、で表される化合物の少なく
とも1種および感放射線成分として1,2−キノンジア
ジド化合物を含有していることを特徴とする感放射線樹
脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5839591A JP3209754B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5839591A JP3209754B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274242A true JPH04274242A (ja) | 1992-09-30 |
| JP3209754B2 JP3209754B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=13083163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5839591A Expired - Lifetime JP3209754B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209754B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05127376A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-05-25 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| EP0599779A1 (de) * | 1992-10-29 | 1994-06-01 | OCG Microelectronic Materials AG | Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum |
| JPWO2005116764A1 (ja) * | 2004-05-26 | 2008-04-03 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに得られる層間絶縁膜およびマイクロレンズ |
| US20160145274A1 (en) * | 2013-06-27 | 2016-05-26 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5839591A patent/JP3209754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05127376A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-05-25 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| EP0599779A1 (de) * | 1992-10-29 | 1994-06-01 | OCG Microelectronic Materials AG | Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum |
| JPWO2005116764A1 (ja) * | 2004-05-26 | 2008-04-03 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに得られる層間絶縁膜およびマイクロレンズ |
| JP4509107B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2010-07-21 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに得られる層間絶縁膜およびマイクロレンズ |
| US20160145274A1 (en) * | 2013-06-27 | 2016-05-26 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
| US9790241B2 (en) * | 2013-06-27 | 2017-10-17 | Toyo Goesi Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3209754B2 (ja) | 2001-09-17 |
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