JPH03129830A - バンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）に用いられる半導体装置のバンプ形成方
法に関するものである。

（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭５
０−６８０５３号に記載されるものがあった。

第２図はかかる従来のバンプ形成を説明する斜視図であ
る。

この図に示すように、粘性物滴下装置Ａとバンプを形成
すべき半導体チップＢとを用意する。粘性物滴下装置Ａ
は漏斗状になった粘性物収納部１を有しており、その上
部には開口部２、底部には流出口３が設けられている。

前記粘性物収納部１は水平移動できる支持体４に支持さ
れ、更に、この収納部１内には流出口３の中心に沿って
粘性物押出し棒５が設けられ、この押出し棒５はアーム
６に支持されて上下できるようになっている。半導体チ
ップＢの上面には発光素子７が「日」の字状に配置され
、半導体チン１８周辺部にはそれぞれ発光素子７と接続
する電極バッド８が配設されている。

そこで、粘性物収納部１内に半田粉末をフラックスで練
った導体ペースト９を投入し、バンプを形成すべき電極
パッド８上方に粘性物滴下装置Ａの流出口３を合わせて
導体ペース−ト９を滴下し、バンプｌＯを形成する。

以下、そのバンプの形成について第３図を参照しながら
説明する。

（ａ）導体ペースト９を収納した粘性物収納部の底部流
出口部分に粘性物押出し棒５を設け、半導体チップＢ上
の電極パッド８の真上に位置を合わせ、（ｂ）該粘性物
押出し棒５を一定距離降下させ、（ｃ）適量の導体ペー
スト９を外部へ押出し、その直後、粘性物押出し棒５を
瞬間的に引き戻すことにより、 （ｄ）流出口外部へ押出された導体ペースト９を、慣性
と自重により一定大の滴状で電極パッド８上に滴下する
。

（発明が解決しようとする課Ｂ） しかしながら、上記構成の装置は、上下動による機構で
あるため、導体ペーストが液垂する可能性がある。また
、導体ペースト中でアームが上下動を繰り返すので、ペ
ーストの粘度変化が激しく、安定した定量滴下が困難で
あるばかりでなく、導体ペーストを略自然落下的に滴下
するので、バンプ形成速度が遅いという問題があった。

本発明は、以上述べた導体ペーストの液垂れ、粘度変化
、バンプ形成速度が遅い等の問題点を除去し、インクジ
ェット方式によってフラックス成分を含んだ樹脂を付着
させ、金属ボールを各電極に一括供給することにより、
作業性、生産性、信鯨性等の向上を図ることができるバ
ンプ形成方法を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、バンプ形成方法
において、半導体素子の主表面に配置された外部引出し
電極へのバンプ形成方法において、前記外部引出し電極
上にコンタクト金属層とバリア金属層を形成し、前記金
属層の一部を開孔してレジスト膜を形成した電極上にフ
ラックス成分を含んだ粘着性のある樹脂を付着させ、金
属ボールを供給して前記樹脂に付着さ、せ、加熱によっ
て前記樹脂を溶融させてバンプを形成するようにしたも
のである。

（作用） 本発明によれば、上記したように、インクジェット方式
によってアルミ電極上にフラックス成分を含んだ粘着性
のある樹脂を吹き付け、その後、前記樹脂上にボール状
のバンプ組成金属を付着させ、これを加熱することによ
って溶融し、アルミ電極にバンプを形成することができ
る。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の実施例を示すバンプ形成工程断面図で
ある。

まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板ｌｌ上に
設けられたアルミ電極１２の一部を開孔した状態で保護
膜１３を形成し、アルミ電極１２の表面と同じ幅でコン
タクト金属層１４及びバリア金属層１５を順次形成し、
エツチング等の方法でこれらを所定のエリアに加工し、
図示した形状とする。

ここで、前記コンタクト金属層１４及びバリア金属層１
５に対してホトリソ技術等により、Ｃ，Ｄ間のエリアを
開孔した状態でレジスト膜１６を形成する。続いて、上
記エリアＣ，Ｄ間の開孔部にインクジェット等の方法で
、フラックス〔松ヤニ（アビエチン酸）〕成分を含む粘
着性を持った樹脂１７を吹き付け、付着形成する。

そこで、予め所定の形状に加工されたＩｎ、　５ｎＰｂ
、　Ａｕ　　Ｓｎ、　Ａｕ　　Ｓｉ等の金属ボール１８
をビンセ）ト等の治具によって前記開孔部分に投入する
か、半導体基板１１の表面に前記金属ボール１８を供給
して転がし、開孔部分に入れる。これにより、第１図（
ａ）に示した状態に前記樹脂１７によって接着保持し、
バンプとなる素材として、アルミ電極１２の上に取り付
ける。

次に、第１図（ｂ）に示すように、前記金属ボール１８
をその溶融温度（例えば２３０°Ｃ前後）で処理し、円
丘状のバンプ１９を形成する。

なお、保護膜１３の開孔部であるＣ、　Ｄ間の距離を変
えることにより、金属層１４．１５の先端部及び断面部
をバンプ１９の外部に露出させるか、内部に含めるか、
どちらの状態にも選定することができる。勿論、その個
数も限定されるものではない。

また、前記金属ボール１８についてもバンプ１９の大き
さ（面積）や高さ等によって、種々の大きさを選定でき
ることは言うまでもない。

なお、前記樹脂１７はフラックスとして作用し、加熱に
よって蒸発消滅するものである。更にその後、有機溶剤
等によってレジスト膜１６が溶解除去すると同時に、フ
ラックスとしての前記樹脂１７の残渣は、更に清浄に除
去される。

以上の工程において、溶融時のみでなく、上記加熱処理
は不活性雰囲気で行うのが好適である。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、インク
ジェット方式によって金属電極上にフランクス成分を含
んだ粘着性のある樹脂を吹き付け、その後、前記樹脂上
にボール状のバンプ組成金属を付着させ、これを加熱す
ることによって溶融し、金属電極にバンプを形成するこ
とができる。

従って、バンプ形成における作業性、生産性が向上し、
経済的に優れ、かつ信転性の高いバンプを確実に形成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示すバンプ形成工程断面図、
第２図は従来のバンプ形成を説明する斜視図、第３図は
そのバンプ形成状態を説明する図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・アルミ電橋、１３・
・・保護膜、１４・・・コンタクト金属層、１５・・・
バリア金属層、１６・・・レジスト膜、１７・・・フラ
ンクス成分を含んだ粘着性のある樹脂、１８・・・金属
ボール、１９・・・バンプ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　半導体素子の主表面に配置された外部引出し電極への
   バンプ形成方法において、 （ａ）前記外部引出し電極上にコンタクト金属層とバリ
   ア金属層を形成し、 （ｂ）更に前記金属層の一部を開孔してレジスト膜を形
   成した電極上にフラックス成分を含んだ粘着性のある樹
   脂を付着させ、 （ｃ）金属ボールを供給して前記樹脂に付着させ、（ｄ
   ）加熱によって前記樹脂を溶融させてバンプを形成する
   ことを特徴とするバンプ形成方法。