JPH03130287A - ペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH03130287A JPH03130287A JP19287090A JP19287090A JPH03130287A JP H03130287 A JPH03130287 A JP H03130287A JP 19287090 A JP19287090 A JP 19287090A JP 19287090 A JP19287090 A JP 19287090A JP H03130287 A JPH03130287 A JP H03130287A
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- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、新規なペルフルオロアルキル基含有ナフタロ
シアニン誘導体及び特に工業的に有効なペルフルオロア
ルキル基含有ナフタロシアニン誘導体の製造方法に関す
る。
シアニン誘導体及び特に工業的に有効なペルフルオロア
ルキル基含有ナフタロシアニン誘導体の製造方法に関す
る。
〈従来の技術〉
従来、近赤外及び赤外域吸収剤としてシアニン系化合物
が知られているが、前記シアニン系化合物は一般に、光
や熱に対して不安定である。一方ナフタロシアニン化合
物は、光、熱、湿度等いずれに対しても非常に安定であ
り堅牢性に優れ、且つ強い色調を有するので、各種染料
、顔料、更には光情報記録媒体、光電変換媒体、電子写
真感光体、また高分子とブレンドして得られる高機能性
フィルムまたは薄膜等の高分子材料として注目されてい
る。
が知られているが、前記シアニン系化合物は一般に、光
や熱に対して不安定である。一方ナフタロシアニン化合
物は、光、熱、湿度等いずれに対しても非常に安定であ
り堅牢性に優れ、且つ強い色調を有するので、各種染料
、顔料、更には光情報記録媒体、光電変換媒体、電子写
真感光体、また高分子とブレンドして得られる高機能性
フィルムまたは薄膜等の高分子材料として注目されてい
る。
しかしながら、−成約にナフタロシアニン化合物は、有
機溶剤に対して非常に溶解性が悪いため、成膜加工によ
る成膜が困難であるのが実状であり、従ってナフタロシ
アニンの優れた特性を有し、且つ成膜加工可能な化合物
、更には前記化合物の工業的にも容易に製造することが
できる方法の開発が強く望まれている。
機溶剤に対して非常に溶解性が悪いため、成膜加工によ
る成膜が困難であるのが実状であり、従ってナフタロシ
アニンの優れた特性を有し、且つ成膜加工可能な化合物
、更には前記化合物の工業的にも容易に製造することが
できる方法の開発が強く望まれている。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明の目的は、耐候性に優れ、かつ各種有機溶媒に対
して非常に高い溶解性を有し、しかも成膜加工可能な新
規ペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体
及びその製造方法を提供することにある。
して非常に高い溶解性を有し、しかも成膜加工可能な新
規ペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体
及びその製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、特別な装置及び反応触媒を使用せ
ずに、短時間、かつ高収率にて得ることができ、しかも
工業的に有用なペルフルオロアルキル基含有ナフタロシ
アニン誘導体の製造方法を提供することにある。
ずに、短時間、かつ高収率にて得ることができ、しかも
工業的に有用なペルフルオロアルキル基含有ナフタロシ
アニン誘導体の製造方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
本発明によれば、下記一般式(I)
n、は1〜10の整数を示す)で表わされるペルフルオ
ロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体が提供される
。
ロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体が提供される
。
また本発明によれば、下記一般式([1)(式中nz+
nzl n、及びn4は、0〜2の整数を示し、且つ
n1+n2+n、+n4≠0である。また。
nzl n、及びn4は、0〜2の整数を示し、且つ
n1+n2+n、+n4≠0である。また。
〔式中Mは、銅、(R)、5iO−5L−O5i(R)
、又は[F (CF、→−門−(R)2SiO−5i−
O3i(R)。
、又は[F (CF、→−門−(R)2SiO−5i−
O3i(R)。
s
を示す(但しRは、炭素数1〜10のアルキル基を示す
)またn工t nJl nj及びn4はO〜2の整数を
示し、n、は1〜10の整数を示す。但し、Mが銅又は
(R)、5iO−5i−O5i(R)、の場合にはn1
+n2+n、+n、≠0である〕で表わされるペルフル
オロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体が提供され
る。
)またn工t nJl nj及びn4はO〜2の整数を
示し、n、は1〜10の整数を示す。但し、Mが銅又は
(R)、5iO−5i−O5i(R)、の場合にはn1
+n2+n、+n、≠0である〕で表わされるペルフル
オロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体が提供され
る。
更に本発明によれば、下記一般式(m)(式中n、は、
1〜10の整数を示す)で表わされるペルフルオロアル
カノイルペルオキシドと、ナフタロシアニン類とを反応
させることを特徴とする前記一般式(り又は前記一般式
(II)で表わされるペルフルオロアルキル基含有ナフ
タロシアニン誘導体の製造方法が提供される。
1〜10の整数を示す)で表わされるペルフルオロアル
カノイルペルオキシドと、ナフタロシアニン類とを反応
させることを特徴とする前記一般式(り又は前記一般式
(II)で表わされるペルフルオロアルキル基含有ナフ
タロシアニン誘導体の製造方法が提供される。
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明のペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン
誘導体は、下記一般式(I)又は下記−般式(II)で
表わすことができ。
誘導体は、下記一般式(I)又は下記−般式(II)で
表わすことができ。
(以下余白)
式中Mは、銅、(R)3SiO−5L−O5i(R)、
又は[F (CF2→−−3−(R)、 S i O−
8i −O3i (R)。
又は[F (CF2→−−3−(R)、 S i O−
8i −O3i (R)。
s
を示す(但しRは、炭素数1〜10のアルキル基を示す
)またnLe n、、−n3及びn4は0〜2の整数を
示し、n、は1〜10の整数を示す。但し前記一般式(
I)及び前記一般式(II)においてMが銅又は(R)
、5iO−5i−O5i(R)、の場合は。
)またnLe n、、−n3及びn4は0〜2の整数を
示し、n、は1〜10の整数を示す。但し前記一般式(
I)及び前記一般式(II)においてMが銅又は(R)
、5iO−5i−O5i(R)、の場合は。
n1+n2+n、+n4≠0である。前記n5が10を
超える場合、n工+n2+n3及びn、が3を超える場
合及びRが炭素数11以上のアルキル基の場合には、製
造が困難である。
超える場合、n工+n2+n3及びn、が3を超える場
合及びRが炭素数11以上のアルキル基の場合には、製
造が困難である。
また本発明のペルフルオロアルキル基含有ナフタロシア
ニン誘導体におけるナフタロシアニン類のペルフルオロ
アルキル化率は、前記一般式(I)で表わされるペルフ
ルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体において
は100〜800%であり、前記一般式(II)で表わ
されるペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘
導体においては、100〜900%であるのが好ましい
。なお、ペルフルオロアルキル化率が100%であると
は、ナフタロシアニン類−分子に対してペルフルオロア
ルキル基が一個導入されたことを示す。
ニン誘導体におけるナフタロシアニン類のペルフルオロ
アルキル化率は、前記一般式(I)で表わされるペルフ
ルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体において
は100〜800%であり、前記一般式(II)で表わ
されるペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘
導体においては、100〜900%であるのが好ましい
。なお、ペルフルオロアルキル化率が100%であると
は、ナフタロシアニン類−分子に対してペルフルオロア
ルキル基が一個導入されたことを示す。
前記一般式(I)で表わされるペルフルオロアルキル基
含有ナフタロシアニン誘導体としては、ペルフルオロメ
チル化ナフタロシアニン、ペルフルオロエチル化ナフタ
ロシアニン、ペルフルオロプロピル化ナフタロシアニン
、ペルフルオロブチル化ナフタロシアニン、ペルフルオ
ロペンチル化ナフタロシアニン、ペルフルオロヘキシル
化ナフタロシアニン、ペルフルオロヘプチル化ナフタロ
シアニン、ペルフルオロオクチル化ナフタロシアニン、
ペルフルオロノニル化ナフタロシアニン、ペルフルオロ
デシル化ナフタロシアニンを好ましく挙げることができ
、また前記一般式(n)で表わされるペルフルオロアル
キル基含有ナフタロシアニン誘導体としては、ペルフル
オロメチル化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロエチル
化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロプロピル化銅ナフ
タロシアニン、ペルフルオロブチル化銅ナフタロシアニ
ン、ペルフルオロペンチル化銅ナフタロシアニン、ペル
フルオロヘキシル化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロ
ヘプチル化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロオクチル
化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロノニル化銅ナフタ
ロシアニン、ペルフルオロデシル化銅ナフタロシアニン
、ペルフルオロプロビルジへキシルシロキシ−トリへキ
シルシロキシ−シリコンナフタロシアニン、ペルフルオ
ロプロピル化(ペルフルオロプロビルジへキシルシロキ
シ−トリへキシルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニ
ン、ペルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロビルジ
へキシルシロキシ−トリへキシルシロキシ−シリコン)
ナフタロシアニン、ペルフルオロプロピル化(ペルフル
オロプロピルジプロピルシロキシ−トリプロピルシロキ
シ−シリコン)ナフタロシアニン、ペルフルオロプロピ
ル化(ペルフルオロプロピルジプロピルシロキシ−トリ
プロビルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニン、ペル
フルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジエチルシ
ロキシ−トリエチルシロキシ−シリコン)ナフタロシア
ニン等を好ましく挙げることができる。なお、前記各ペ
ルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体の例
示において、ペルフルオロプロピル化等のペルフルオロ
アルキル化とは、前記一般式(I)及び(II)に存在
する6個のナフタレン環の結合し得る位置の少なくとも
1箇所に[(CF2)IIsFI n、 (n、及びn
、は前記一般式(I)及び(II)のn4及びnsと同
様である)で表わされるペルフルオロアルキル基が、結
合していることを示す。但し、前記一般式(II)にお
いて1Mが[F (CF2+71T+(R)、 S 1
o−3L−O5i (R) rである場合には、M中に
既にペルフルオロアルキル基が存在しているので、必ら
ずしも前記ナフタレン環にペルフルオロアルキル基が結
合している必要はない。
含有ナフタロシアニン誘導体としては、ペルフルオロメ
チル化ナフタロシアニン、ペルフルオロエチル化ナフタ
ロシアニン、ペルフルオロプロピル化ナフタロシアニン
、ペルフルオロブチル化ナフタロシアニン、ペルフルオ
ロペンチル化ナフタロシアニン、ペルフルオロヘキシル
化ナフタロシアニン、ペルフルオロヘプチル化ナフタロ
シアニン、ペルフルオロオクチル化ナフタロシアニン、
ペルフルオロノニル化ナフタロシアニン、ペルフルオロ
デシル化ナフタロシアニンを好ましく挙げることができ
、また前記一般式(n)で表わされるペルフルオロアル
キル基含有ナフタロシアニン誘導体としては、ペルフル
オロメチル化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロエチル
化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロプロピル化銅ナフ
タロシアニン、ペルフルオロブチル化銅ナフタロシアニ
ン、ペルフルオロペンチル化銅ナフタロシアニン、ペル
フルオロヘキシル化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロ
ヘプチル化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロオクチル
化銅ナフタロシアニン、ペルフルオロノニル化銅ナフタ
ロシアニン、ペルフルオロデシル化銅ナフタロシアニン
、ペルフルオロプロビルジへキシルシロキシ−トリへキ
シルシロキシ−シリコンナフタロシアニン、ペルフルオ
ロプロピル化(ペルフルオロプロビルジへキシルシロキ
シ−トリへキシルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニ
ン、ペルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロビルジ
へキシルシロキシ−トリへキシルシロキシ−シリコン)
ナフタロシアニン、ペルフルオロプロピル化(ペルフル
オロプロピルジプロピルシロキシ−トリプロピルシロキ
シ−シリコン)ナフタロシアニン、ペルフルオロプロピ
ル化(ペルフルオロプロピルジプロピルシロキシ−トリ
プロビルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニン、ペル
フルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジエチルシ
ロキシ−トリエチルシロキシ−シリコン)ナフタロシア
ニン等を好ましく挙げることができる。なお、前記各ペ
ルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体の例
示において、ペルフルオロプロピル化等のペルフルオロ
アルキル化とは、前記一般式(I)及び(II)に存在
する6個のナフタレン環の結合し得る位置の少なくとも
1箇所に[(CF2)IIsFI n、 (n、及びn
、は前記一般式(I)及び(II)のn4及びnsと同
様である)で表わされるペルフルオロアルキル基が、結
合していることを示す。但し、前記一般式(II)にお
いて1Mが[F (CF2+71T+(R)、 S 1
o−3L−O5i (R) rである場合には、M中に
既にペルフルオロアルキル基が存在しているので、必ら
ずしも前記ナフタレン環にペルフルオロアルキル基が結
合している必要はない。
また本発明における前記一般式(I)又は(■)で表わ
されるペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘
導体の製造方法は、特定のペルフルオロアルカノイルペ
ルオキシドと、ナフタロシアニン類とを反応させること
を特徴とする。
されるペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘
導体の製造方法は、特定のペルフルオロアルカノイルペ
ルオキシドと、ナフタロシアニン類とを反応させること
を特徴とする。
本発明において原料成分として用いるペルフルオロアル
カノイルペルオキシドは、下記一般式%式% 式中n、は、1〜10の整数を示す。n、が10を超え
る場合には、溶媒に対する溶解性が低下し、反応させる
際の取扱が困難となるので、前記範囲とする必要がある
。前記一般式(In)で表わされるペルフルオロアルカ
ノイルペルオキシドとしては、具体的にはビス(ペルフ
ルオロアセチル)ペルオキシド、ビス(ペルフルオロプ
ロピオニル)ペルオキシド、ビス(ペルフルオロブチリ
ル)ペルオキシド、ビス(ペルフルオロペンタノイル)
ペルオキシド、ビス(ペルフルオロヘキサノイル)ペル
オキシド、ビス(ペルフルオロヘプタノイル)ペルオキ
シド、ビス(ペルフルオロオクタノイル)ペルオキシド
、ビス(ベルフルオロベラルゴニル)ペルオキシド、ビ
ス(ペルフルオロデカノイル)ペルオキシド、ビス(ペ
ルフルオロウンデカノイル)ペルオキシド等を挙げるこ
とができる。
カノイルペルオキシドは、下記一般式%式% 式中n、は、1〜10の整数を示す。n、が10を超え
る場合には、溶媒に対する溶解性が低下し、反応させる
際の取扱が困難となるので、前記範囲とする必要がある
。前記一般式(In)で表わされるペルフルオロアルカ
ノイルペルオキシドとしては、具体的にはビス(ペルフ
ルオロアセチル)ペルオキシド、ビス(ペルフルオロプ
ロピオニル)ペルオキシド、ビス(ペルフルオロブチリ
ル)ペルオキシド、ビス(ペルフルオロペンタノイル)
ペルオキシド、ビス(ペルフルオロヘキサノイル)ペル
オキシド、ビス(ペルフルオロヘプタノイル)ペルオキ
シド、ビス(ペルフルオロオクタノイル)ペルオキシド
、ビス(ベルフルオロベラルゴニル)ペルオキシド、ビ
ス(ペルフルオロデカノイル)ペルオキシド、ビス(ペ
ルフルオロウンデカノイル)ペルオキシド等を挙げるこ
とができる。
本発明の製造方法において、前記ペルフルオロアルカノ
イルペルオキシドと反応させるナフタロシアニン類とし
ては、具体的にはナフタロシアニン、銅ナフタロシアニ
ンまたは下記一般式(IV)(式中Rは、炭素数1〜1
0のアルキル基を示す)で表わされるシリコンナフタロ
シアニン類等、具体的にはビス(トリメチルシロキシ)
シリコンナフタロシアニン、ビス(トリエチルシロキシ
)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリプロビルシロ
キシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリブチルシ
ロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリペンチ
ルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリへ
キシルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(ト
リへブチルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス
(トリオクチルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、
ビス(トリノニルシロキシ)シリコンナフタロシアニン
、ビス(トリデシルシロキシ)シリコンナフタロシアニ
ンを挙げることができる。
イルペルオキシドと反応させるナフタロシアニン類とし
ては、具体的にはナフタロシアニン、銅ナフタロシアニ
ンまたは下記一般式(IV)(式中Rは、炭素数1〜1
0のアルキル基を示す)で表わされるシリコンナフタロ
シアニン類等、具体的にはビス(トリメチルシロキシ)
シリコンナフタロシアニン、ビス(トリエチルシロキシ
)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリプロビルシロ
キシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリブチルシ
ロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリペンチ
ルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(トリへ
キシルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス(ト
リへブチルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、ビス
(トリオクチルシロキシ)シリコンナフタロシアニン、
ビス(トリノニルシロキシ)シリコンナフタロシアニン
、ビス(トリデシルシロキシ)シリコンナフタロシアニ
ンを挙げることができる。
前記ナフタロシアニン類と、前記ペルフルオロアルカノ
イルペルオキシドとの仕込みモル量は。
イルペルオキシドとの仕込みモル量は。
モル比で1:0.2〜20、特に1:0.5〜10であ
るのが好ましい、ペルフルオロアルカノイルペルオキシ
ドの仕込みモル比が0.2未満では、生成するペルフル
オロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体の収率及び
ナフタロシアニンに導入されるペルフルオロアルキル基
の割合が低下する傾向にあり、また20を超える場合に
は、ペルフルオロアルカノイルペルオキシド単独の分解
が優先的に生じ、工業的製造に適さないので好ましくな
い。
るのが好ましい、ペルフルオロアルカノイルペルオキシ
ドの仕込みモル比が0.2未満では、生成するペルフル
オロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体の収率及び
ナフタロシアニンに導入されるペルフルオロアルキル基
の割合が低下する傾向にあり、また20を超える場合に
は、ペルフルオロアルカノイルペルオキシド単独の分解
が優先的に生じ、工業的製造に適さないので好ましくな
い。
前記ペルフルオロアルカノイルペルオキシドと、前記ナ
フタロシアニン類との反応は、常圧で行うことが可能で
あり、好ましくは反応温度−20〜150℃、特に好ま
しくは0〜100’Cの範囲で0.5〜20時間反応さ
せることにより、ナフタロシアニン類中に、ペルフルオ
ロアルキル基、具体的には、CF3−、 F (CF、
+2゜F (CF、+、、F (CF、−)−、、F
(CFz+5tF(CF、±s−F (c F2+ 7
− F (c F2 + −F (CF2+、、F (
CF、−)−1゜を導入した誘導体を得ることができる
。前記反応温度が一20℃未満の場合には、反応時間が
長くなる傾向にあり、150℃を超えると、反応時の圧
力が高くなり、反応操作が困難となるので好ましくない
。
フタロシアニン類との反応は、常圧で行うことが可能で
あり、好ましくは反応温度−20〜150℃、特に好ま
しくは0〜100’Cの範囲で0.5〜20時間反応さ
せることにより、ナフタロシアニン類中に、ペルフルオ
ロアルキル基、具体的には、CF3−、 F (CF、
+2゜F (CF、+、、F (CF、−)−、、F
(CFz+5tF(CF、±s−F (c F2+ 7
− F (c F2 + −F (CF2+、、F (
CF、−)−1゜を導入した誘導体を得ることができる
。前記反応温度が一20℃未満の場合には、反応時間が
長くなる傾向にあり、150℃を超えると、反応時の圧
力が高くなり、反応操作が困難となるので好ましくない
。
本発明において、前記ペルフルオロアルカノイルペルオ
キシドと、前記ナフタロシアニン類とを反応させる際に
おいては、ペルフルオロアルカノイルペルオキシドの取
扱を容易にするため1例えばハロゲン化脂肪族化合物等
の溶媒の存在下にて反応させることができる。該ハロゲ
ン化脂肪族溶媒としては、1,1.2−トリクロロ−1
,2゜2−トリフルオロエタン等が工業的に最も好まし
い。
キシドと、前記ナフタロシアニン類とを反応させる際に
おいては、ペルフルオロアルカノイルペルオキシドの取
扱を容易にするため1例えばハロゲン化脂肪族化合物等
の溶媒の存在下にて反応させることができる。該ハロゲ
ン化脂肪族溶媒としては、1,1.2−トリクロロ−1
,2゜2−トリフルオロエタン等が工業的に最も好まし
い。
本発明により得られる反応生成物は、カラムクロマトグ
ラフィー等の公知の方法により精製することができる。
ラフィー等の公知の方法により精製することができる。
〈発明の効果〉
本発明のペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン
誘導体は、新規物質であり、且つ種々の有機溶媒に可溶
であるため、光情報記録媒体、光電変換媒体、電子写真
感光体、また高分子とブレンドして得られる高機能性フ
ィルム又は薄膜等の高分子材料として有用である。
誘導体は、新規物質であり、且つ種々の有機溶媒に可溶
であるため、光情報記録媒体、光電変換媒体、電子写真
感光体、また高分子とブレンドして得られる高機能性フ
ィルム又は薄膜等の高分子材料として有用である。
また本発明の製造方法では、特定のペルフルオロアルカ
ノイルペルオキシドを用いるので、ナフタロシアニン類
に、直接ペルフルオロアルキル基を短時間で、高収率か
つ容易に導入させることができ、しかも反応触媒及び特
別な装置を使用しないので、工業的にも極めて有用であ
る。
ノイルペルオキシドを用いるので、ナフタロシアニン類
に、直接ペルフルオロアルキル基を短時間で、高収率か
つ容易に導入させることができ、しかも反応触媒及び特
別な装置を使用しないので、工業的にも極めて有用であ
る。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例及び試験例により更に詳細に説明
するが1本発明はこれらに限定されるものではない。
するが1本発明はこれらに限定されるものではない。
去】11月
ナフタロシアニン0.5g (0,7mmoQ)を1.
1.2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン
10gに添加混合し、ビス(ペルフルオロブチリル)ペ
ルオキシド(3,5ma+oQ)を含む1,1.2−ト
リクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン溶液20g
を添加して、40℃の温度にて5時間反応を行なった。
1.2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン
10gに添加混合し、ビス(ペルフルオロブチリル)ペ
ルオキシド(3,5ma+oQ)を含む1,1.2−ト
リクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン溶液20g
を添加して、40℃の温度にて5時間反応を行なった。
反応終了後、反応混合物にクロロホルム50mQを加え
た後、濾過し、未反応物を除去した。次いで得られたク
ロロホルム層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、カラ
ムクロマトグラフィーにより生成物の精製を行なった。
た後、濾過し、未反応物を除去した。次いで得られたク
ロロホルム層を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、カラ
ムクロマトグラフィーにより生成物の精製を行なった。
その結果、下記構造式で表わされるペルフルオロプロピ
ル化ナフタロシアニンが耽津72%で得られた。
ル化ナフタロシアニンが耽津72%で得られた。
なお、ナフタロシアニンにペルフルオロプロピル基が導
入されている数、即ちペルフルオロプロピル化率を、内
部標準薬としてペンゾトリフルオリドを用いて1″F−
NMRにより求めたところ。
入されている数、即ちペルフルオロプロピル化率を、内
部標準薬としてペンゾトリフルオリドを用いて1″F−
NMRにより求めたところ。
400%であり、ペルフルオロプロピル基が4つ導入さ
れていることが判明した。また得られたペルフルオロプ
ロピル化ナフタロシアニンのUVスペクトル(測定溶媒
:クロロホルム)、IRスペクトル及び”F−NMRス
ペクトルの測定結果を以下に示す。
れていることが判明した。また得られたペルフルオロプ
ロピル化ナフタロシアニンのUVスペクトル(測定溶媒
:クロロホルム)、IRスペクトル及び”F−NMRス
ペクトルの測定結果を以下に示す。
UV (nm): 261,711.0,729.0゜
762.5 IR(am−’) :1340 (CF3)、12
25(CF、) ”F−NMR(CD、C1,、e x t e r n
a ICF、Co□H) δ −8〜−10(CF3)。
762.5 IR(am−’) :1340 (CF3)、12
25(CF、) ”F−NMR(CD、C1,、e x t e r n
a ICF、Co□H) δ −8〜−10(CF3)。
−20〜−38(CF、)、−46〜−58(CF2)
去JLLλ
ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキシドの仕込み量
を2.8mmoQに代えた以外は実施例1と同様に反応
及び分析を行ない、ペルフルオロプロピル化ナフタロシ
アニンを収率69%で得た。
を2.8mmoQに代えた以外は実施例1と同様に反応
及び分析を行ない、ペルフルオロプロピル化ナフタロシ
アニンを収率69%で得た。
なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と同様に求め
たところ、300%であった。得られたペルフルオロプ
ロピル化ナフタロシアニンの分析結果を以下に示す。
たところ、300%であった。得られたペルフルオロプ
ロピル化ナフタロシアニンの分析結果を以下に示す。
UV (nm): 260,592.5,649.5゜
669.0,726.5 I R(crn−’) : 1340 (CF3) 、
1225(cp2) ”F−NMR(CDC1,、externalCF、C
o2H) δ −8〜−10(CF、3)。
669.0,726.5 I R(crn−’) : 1340 (CF3) 、
1225(cp2) ”F−NMR(CDC1,、externalCF、C
o2H) δ −8〜−10(CF、3)。
−20〜−38(CF、)、−46〜−58(CF、)
去」1」J
ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキシドの代わりに
ビス(ペルフルオロプロピオニル)ペルオキシドを用い
た以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、ペル
フルオロエチル化ナフタロシアニンを収率70%で得た
。なおペルフルオロエチル化率を実施例1と同様に求め
たところ。
ビス(ペルフルオロプロピオニル)ペルオキシドを用い
た以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、ペル
フルオロエチル化ナフタロシアニンを収率70%で得た
。なおペルフルオロエチル化率を実施例1と同様に求め
たところ。
400%であった。得られたペルフルオロエチル化ナフ
タロシアニンの分析結果を以下に示す。
タロシアニンの分析結果を以下に示す。
UV (nm): 670.0,735.5IR(cm
−’):1340 (CF、)、1225(Cp2) ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r n
a 1CF3Co、H) δ −8〜−10(CF、)。
−’):1340 (CF、)、1225(Cp2) ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r n
a 1CF3Co、H) δ −8〜−10(CF、)。
−43〜−56(CF2)
ス】1」(
ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキシドの代わりに
ビス(ペルフルオロヘプタノイル)ペルオキシドを用い
た以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、ペル
フルオロヘキシル化ナフタロシアニンを収率65%で得
た。なおペルフルオロヘキシル化率を実施例1と同様に
求めたところ。
ビス(ペルフルオロヘプタノイル)ペルオキシドを用い
た以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、ペル
フルオロヘキシル化ナフタロシアニンを収率65%で得
た。なおペルフルオロヘキシル化率を実施例1と同様に
求めたところ。
400%であった。
得られたペルフルオロヘキシル化ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
析結果を以下に示す。
UV (nm):260,590.()、670.8゜
735.5 IR(am−1):1340 (CF3)、1225(
c Fz ) ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r n
a ICF、C02H) δ −5〜−10(3,F) 。
735.5 IR(am−1):1340 (CF3)、1225(
c Fz ) ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r n
a ICF、C02H) δ −5〜−10(3,F) 。
−30,1〜−51,5(IOF)
失庭板且
ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキシドの代わりに
ビス(ペルフルオロオクタノイル)ペルオキシドを用い
た以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、ペル
フルオロヘプチル化ナフタロシアニンを収率65%で得
た。なおペルフルオロヘプチル化率を実施例1と同様に
求めたところ、400%であった。
ビス(ペルフルオロオクタノイル)ペルオキシドを用い
た以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、ペル
フルオロヘプチル化ナフタロシアニンを収率65%で得
た。なおペルフルオロヘプチル化率を実施例1と同様に
求めたところ、400%であった。
得られたペルフルオロヘプチル化ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
析結果を以下に示す。
UV (nm): 261,670.8,735.5I
R(c m−J : 1340 (CFa) −L
225(cFz) ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r n
a ICF、Co□H) δ −5〜−10(3F)。
R(c m−J : 1340 (CFa) −L
225(cFz) ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r n
a ICF、Co□H) δ −5〜−10(3F)。
−30,1〜−51,5(I2F)
尖履握旦
ナフタロシアニンの代わりに銅ナフタロシアニン0.2
g (0,26mmoQ)を用い、ビス(ペルフルオロ
ブチリル)ペルオキシドの仕込み量を2.06mmoQ
とした以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、
ペルフルオロプロピル化銅ナフタロシアニンを収率36
%で得た。なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と
同様に求めたところ、490%であった。得られたペル
フルオロプロピル化銅ナフタロシアニンの分析結果を以
下に示す。
g (0,26mmoQ)を用い、ビス(ペルフルオロ
ブチリル)ペルオキシドの仕込み量を2.06mmoQ
とした以外は実施例1と同様に反応及び分析を行ない、
ペルフルオロプロピル化銅ナフタロシアニンを収率36
%で得た。なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と
同様に求めたところ、490%であった。得られたペル
フルオロプロピル化銅ナフタロシアニンの分析結果を以
下に示す。
UV (nm) : 668.5,736.5IR
(am−1) :1340 (CF3)−1225
(Cpz) ”F−NMR(CDCI、、 e x t e r
n a ICF、Co、H) δ −8〜−10(CF3)。
(am−1) :1340 (CF3)−1225
(Cpz) ”F−NMR(CDCI、、 e x t e r
n a ICF、Co、H) δ −8〜−10(CF3)。
−20〜−38 (CF、)、−46〜−58(CF
2) 去1目」L ナフタロシアニンの代わりにビス(トリへキシルシロキ
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,37mm
o12)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオ
キシドを0.37mmoQとした以外は実施例1と同様
に反応及び分析を行ない、下記構造を有するペルフルオ
ロプロビルジへキシルシロキシ−トリへキシルシロキシ
−シリコンナフタロシアニンを収率46%で得た。
2) 去1目」L ナフタロシアニンの代わりにビス(トリへキシルシロキ
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,37mm
o12)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオ
キシドを0.37mmoQとした以外は実施例1と同様
に反応及び分析を行ない、下記構造を有するペルフルオ
ロプロビルジへキシルシロキシ−トリへキシルシロキシ
−シリコンナフタロシアニンを収率46%で得た。
なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と同様に求め
たところ、100%であった。得られたペルフルオロプ
ロビルジへキシルシロキシ−トリへキシルシロキシ−シ
リコンナフタロシアニンの分析結果および融点(mp)
を以下に示す。
たところ、100%であった。得られたペルフルオロプ
ロビルジへキシルシロキシ−トリへキシルシロキシ−シ
リコンナフタロシアニンの分析結果および融点(mp)
を以下に示す。
UV (nm): 779,761
1R(an−1) : 1340 (CF3) 、 1
225(CF、) mp:226〜228°C ”F−NMR(CDC13,e x t e r n
a ICF、C02H) δ −2,s (CF、)、−18,0(CF2)。
225(CF、) mp:226〜228°C ”F−NMR(CDC13,e x t e r n
a ICF、C02H) δ −2,s (CF、)、−18,0(CF2)。
−45,7(CF、)
失胤鮭旦
ナフタロシアニンの代わりにビス(トリへキシルシロキ
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,37ma
+oQ)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオ
キシドの仕込み量を1.42ma+oQとした以外は実
施例1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有す
るペルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロビルジへ
キシルシロキシ−トリへキシルシロキシ−シリコン)ナ
フタロシアニンを収率46%で得た。
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,37ma
+oQ)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオ
キシドの仕込み量を1.42ma+oQとした以外は実
施例1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有す
るペルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロビルジへ
キシルシロキシ−トリへキシルシロキシ−シリコン)ナ
フタロシアニンを収率46%で得た。
なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と同様に求め
たところ300%であった。得られたペルフルオロプロ
ピル化(ペルフルオロプロビルジへキシルシロキシ−ト
リへキシルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
たところ300%であった。得られたペルフルオロプロ
ピル化(ペルフルオロプロビルジへキシルシロキシ−ト
リへキシルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
UV (nm): 771
1R(cm−1) :1340 (CF3) 、 1
225(CF2) ”F−NMR(CDC1,、e x t e r n
a ICF、Go2H) δ −2,5〜−5,5(CF、)。
225(CF2) ”F−NMR(CDC1,、e x t e r n
a ICF、Go2H) δ −2,5〜−5,5(CF、)。
−17,0〜−21,5(CF、)。
−44,5〜−46,8(CF、)
去1目1男
ナフタロシアニンの代わりにビス(トリプロピルシロキ
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,46mm
oQ)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキ
シドの仕込み量を0.92mmoQとした以外は実施例
1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有するペ
ルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジプロピ
ルシロキシ−トリプロピルシロキシ−シリコン)ナフタ
ロシアニンを収率13%で得た。
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,46mm
oQ)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキ
シドの仕込み量を0.92mmoQとした以外は実施例
1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有するペ
ルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジプロピ
ルシロキシ−トリプロピルシロキシ−シリコン)ナフタ
ロシアニンを収率13%で得た。
(以下余白)
なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と同様に求め
たところ300%であった。得られたペルフルオロプロ
ピル化(ペルフルオロプロピルジプロピルシロキシ−ト
リプロピルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
たところ300%であった。得られたペルフルオロプロ
ピル化(ペルフルオロプロピルジプロピルシロキシ−ト
リプロピルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
UV (nm): 764,675
r R(C20−1) : 1340 (CFJ)
、l 225(CF、) ”F−NMR(CDC13,e x t e r n
a ICF□CO,H) δ −2,8〜−6,0(CF、)。
、l 225(CF、) ”F−NMR(CDC13,e x t e r n
a ICF□CO,H) δ −2,8〜−6,0(CF、)。
−17,2〜−19,0(CF、)。
−44,0〜−47,9(CF2)
去JLI↓艷−
ナフタロシアニンの代わりにビス(トリプロピルシロキ
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,46m■
oQ)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキ
シドの仕込み量を1.84mmoQとした以外は実施例
1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有するペ
ルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジプロピ
ルシロキシ−トリプロピルシロキシ−シリコン)ナフタ
ロシアニンを収率50%で得た。
シ)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,46m■
oQ)を用い、ビス(ペルフルオロブチリル)ペルオキ
シドの仕込み量を1.84mmoQとした以外は実施例
1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有するペ
ルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジプロピ
ルシロキシ−トリプロピルシロキシ−シリコン)ナフタ
ロシアニンを収率50%で得た。
なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と同様に求め
たところ400%であった。得られたペルフルオロプロ
ピル化(ペルフルオロプロピルジプロピルシロキシ−ト
リプロピルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
たところ400%であった。得られたペルフルオロプロ
ピル化(ペルフルオロプロピルジプロピルシロキシ−ト
リプロピルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分
析結果を以下に示す。
UV (nm): 773,668,613I R(C
111−’) : 1340 (CFi) −122
5(c p’ z ) 1″F−NMR(CDCl、、 e x t e r
n a ICF、Co、H) δ −2,8〜−6,5(CF3)。
111−’) : 1340 (CFi) −122
5(c p’ z ) 1″F−NMR(CDCl、、 e x t e r
n a ICF、Co、H) δ −2,8〜−6,5(CF3)。
−17,5〜−22,0(CF2) 。
−45,0〜−52,0(CF2)
夾五鮭上よ
ナフタロシアニンの代わりにビス(トリエチルシロキシ
)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,50a+m
oQ)を用い、ビス(ベルフルオロフチリル)ペルオキ
シドの仕込み量を1.00111IlOQとした以外は
実施例1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有
するペルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジ
エチルシロキシ−トリエチルシロキシ−シリコン)ナフ
タロシアニンを収率13%で得た。
)シリコンナフタロシアニン0.5g(0,50a+m
oQ)を用い、ビス(ベルフルオロフチリル)ペルオキ
シドの仕込み量を1.00111IlOQとした以外は
実施例1と同様に反応及び分析を行ない、下記構造を有
するペルフルオロプロピル化(ペルフルオロプロピルジ
エチルシロキシ−トリエチルシロキシ−シリコン)ナフ
タロシアニンを収率13%で得た。
なおペルフルオロプロピル化率を実施例1と同様に求め
たところ、300%であった。得られたペルフルオロプ
ロピル化(ペルフルオロプロピルジエチルシロキシ−ト
リエチルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分析
結果を以下に示す。
たところ、300%であった。得られたペルフルオロプ
ロピル化(ペルフルオロプロピルジエチルシロキシ−ト
リエチルシロキシ−シリコン)ナフタロシアニンの分析
結果を以下に示す。
UV (nm): 767.676
IR(an−”):1340 (CF3)、1225(
CFり ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r
n a ICF、Co、H) δ −2,8〜−3,6(CF3)。
CFり ”F−NMR(CDCl、、 e x t e r
n a ICF、Co、H) δ −2,8〜−3,6(CF3)。
−18,2〜−20,5(CF、)。
−45,1〜−47,3(CF、)
IL鮭
実施例1〜11で得られたペルフルオロアルキル化ナフ
タロシアニンを表1に示す各種溶媒に混合し、それぞれ
の溶解性を検討した。また、比較例としてナフタロシア
ニンの溶解性についても検人−よ 但し表中の記号は以下に示すものを表わす。
タロシアニンを表1に示す各種溶媒に混合し、それぞれ
の溶解性を検討した。また、比較例としてナフタロシア
ニンの溶解性についても検人−よ 但し表中の記号は以下に示すものを表わす。
d:メタノール
e:ベンゼン
f:ヘキサン
g:酢酸エチル
h:アセトン
iニジメチルホルムアミド
j:エタノール
O:易溶
0:可溶
Δ:難溶
×:不溶
909−
表1に示す結果から明らかなように、本発明のペルフル
オロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体は、種々の
有機溶媒に可溶であるので成膜加工等に有用であること
が判明した。
オロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体は、種々の
有機溶媒に可溶であるので成膜加工等に有用であること
が判明した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (式中n_1、n_2、n_3及びn_4は、0〜2の
整数を示し、且つn_1+n_2+n_3+n_4≠0
である。 また、n_5は1〜10の整数を示す)で表わされるペ
ルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体。 2)下記一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) 〔式中Mは、銅、(R)_3SiO−Si−OSi(R
)_3又は▲数式、化学式、表等があります▼ を示す(但しRは、炭素数1〜10のアルキル基を示す
)またn_1、n_2、n_3及びn_4は0〜2の整
数を示し、n_5は1〜10の整数を示す。 但し、Mが銅又は(R)_3SiO−Si−OSi(R
)_3の場合にはn_1+n_2+n_3+n_4≠0
である〕で表わされるペルフルオロアルキル基含有ナフ
タロシアニン誘導体。 3)下記一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) (式中n_5は、1〜10の整数を示す)で表わされる
ペルフルオロアルカノイルペルオキシドと、ナフタロシ
アニン類とを反応させることを特徴とする請求項1又は
2記載のペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン
誘導体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP91904801A EP0491951B1 (en) | 1990-07-23 | 1991-03-05 | Perfluoroalkylated naphthalocyanine derivative, production thereof, and optical recording medium |
| PCT/JP1991/000292 WO1992001689A1 (fr) | 1990-07-23 | 1991-03-05 | Derive de naphthalocyanine perfluoroalkyle, procede de production de ce dernier et support d'enregistrement optique |
| US07/838,781 US5260435A (en) | 1990-07-23 | 1991-03-05 | Derivative of naphthalocyanine containing perfluoroalkyl group, process for preparing the same and optical recording medium |
| DE69130054T DE69130054T2 (de) | 1990-07-23 | 1991-03-05 | Perfluoralkyliertes naphthalocyaninderivat, seine herstellung sowie ein optisches aufzeichnungsmedium |
| US08/087,517 US5378589A (en) | 1990-07-23 | 1993-07-02 | Derivative of naphthalocyanine containing perfluoroalkyl group, process for preparing the same and optical recording medium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-190542 | 1989-07-25 | ||
| JP19054289 | 1989-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130287A true JPH03130287A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=16259820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19287090A Pending JPH03130287A (ja) | 1989-07-25 | 1990-07-23 | ペルフルオロアルキル基含有ナフタロシアニン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03130287A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022033821A (ja) * | 2018-09-19 | 2022-03-02 | 国立大学法人茨城大学 | 含フッ素多環芳香族化合物とその製造方法、並びに前記含フッ素多環芳香族化合物を用いる有機薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体及び有機発光素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19287090A patent/JPH03130287A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022033821A (ja) * | 2018-09-19 | 2022-03-02 | 国立大学法人茨城大学 | 含フッ素多環芳香族化合物とその製造方法、並びに前記含フッ素多環芳香族化合物を用いる有機薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体及び有機発光素子の製造方法 |
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