JPH03130373A - ガラスフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法 - Google Patents
ガラスフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法Info
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- JPH03130373A JPH03130373A JP26740989A JP26740989A JPH03130373A JP H03130373 A JPH03130373 A JP H03130373A JP 26740989 A JP26740989 A JP 26740989A JP 26740989 A JP26740989 A JP 26740989A JP H03130373 A JPH03130373 A JP H03130373A
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- plating layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
小型電子機器のカバー類に使用されるガラスフィラー入
り樹脂成形品の表面処理方法に関し、ガラスフィラー入
り樹脂成形品の表面と導電膜の密着性を良くしてその導
電膜の剥離を防止することを目的とし、 被処理品の脱脂工程と、当該被処理品の表面を粗面化す
るエツチング工程と、上記エツチング工程で付着したク
ロムを還元して除去する中和工程と、該被処理品の表面
にパラジウムと錫を吸着させた後に銅めっき層を形成す
る無電解銅めっき工程と、前記銅めっき層の表面にニッ
ケルめっき層を形成する無電解ニッケルめっき工程とか
らなる合成樹脂の無電解めっきプロセスにおいて、弗酸
と硝酸系の混合液に浸漬して、上記被処理品の基材およ
びフィラー部分に小さな穴を無数に形成するプリエツチ
ング工程を、上記脱脂工程と該エツチング工程の間に付
加する。
り樹脂成形品の表面処理方法に関し、ガラスフィラー入
り樹脂成形品の表面と導電膜の密着性を良くしてその導
電膜の剥離を防止することを目的とし、 被処理品の脱脂工程と、当該被処理品の表面を粗面化す
るエツチング工程と、上記エツチング工程で付着したク
ロムを還元して除去する中和工程と、該被処理品の表面
にパラジウムと錫を吸着させた後に銅めっき層を形成す
る無電解銅めっき工程と、前記銅めっき層の表面にニッ
ケルめっき層を形成する無電解ニッケルめっき工程とか
らなる合成樹脂の無電解めっきプロセスにおいて、弗酸
と硝酸系の混合液に浸漬して、上記被処理品の基材およ
びフィラー部分に小さな穴を無数に形成するプリエツチ
ング工程を、上記脱脂工程と該エツチング工程の間に付
加する。
本発明は、小型電子機器のカバー類に使用されるガラス
フィラー入り樹脂成形品の表面処理方法に関する。
フィラー入り樹脂成形品の表面処理方法に関する。
最近、オフィス内に設置される小型電算機等には強度の
高いガラスフィラー入りポリカーボネイト樹脂より成形
されたカバー類が広く使用されているが、それらの電子
機器より発する妨害波により他の機器に多くの障害を発
生させているので、各種電子機器に対しr情報処理装置
および電子事務用機器から発生する妨害波の自主規制措
置運用規定(VCCI)Jが設定されており、その規定
をクリアするために機器のカバー類に妨害波の遮蔽を目
的とした導電膜を形成することができるガラスフィラー
入り樹脂成形品の表面処理方法が必要とされている。
高いガラスフィラー入りポリカーボネイト樹脂より成形
されたカバー類が広く使用されているが、それらの電子
機器より発する妨害波により他の機器に多くの障害を発
生させているので、各種電子機器に対しr情報処理装置
および電子事務用機器から発生する妨害波の自主規制措
置運用規定(VCCI)Jが設定されており、その規定
をクリアするために機器のカバー類に妨害波の遮蔽を目
的とした導電膜を形成することができるガラスフィラー
入り樹脂成形品の表面処理方法が必要とされている。
(従来の技術〕
従来広く使用されている樹脂成形品の表面処理方法は、
第3図の工程順ブロック図で示すように、(1)は、例
えばフレオン系の溶剤により被処理品表面の脱脂と洗浄
を行う脱脂工程。
第3図の工程順ブロック図で示すように、(1)は、例
えばフレオン系の溶剤により被処理品表面の脱脂と洗浄
を行う脱脂工程。
(2)は、室温のクロム酸、硫酸系の液に浸漬すること
によりエツチングして被処理品lの表面を粗面化するエ
ツチング工程。
によりエツチングして被処理品lの表面を粗面化するエ
ツチング工程。
(3)は、上記エツチング工程で被処理品の表面に付着
したクロムを塩酸等で還元して除去する中和工程。
したクロムを塩酸等で還元して除去する中和工程。
(4)は、塩化パラジウムと塩化錫の混合液により被処
理品1の表面にパラジウムと錫を吸着させる触媒付与工
程。
理品1の表面にパラジウムと錫を吸着させる触媒付与工
程。
(5)は、被処理品lを希塩酸の溶液に浸漬して前工程
で付与したパラジウムの表面に付着した余分の錫を除去
する反応促進工程。
で付与したパラジウムの表面に付着した余分の錫を除去
する反応促進工程。
(6)は、無電解により約1μm厚さの銅めっき層を被
処理品の表面に形成する無電解銅めっき工程。
処理品の表面に形成する無電解銅めっき工程。
(7)は、塩化パラジウムの溶液により前記工程で形成
された銅めっき層の表面にパラジウムを吸着させる触媒
付与工程。
された銅めっき層の表面にパラジウムを吸着させる触媒
付与工程。
(8)は、同じく無電解により約0.3μm厚さのニッ
ケルめっき層を被処理品の表面に形成する無電解ニッケ
ルめっき工程。
ケルめっき層を被処理品の表面に形成する無電解ニッケ
ルめっき工程。
の順序により被処理品の表面に妨害波遮蔽用の導電膜を
形成して、その後に装飾用の塗装が行われている。
形成して、その後に装飾用の塗装が行われている。
以上説明した従来の表面処理方法で問題となるのは、上
記第(2)項のエツチング工程により被処理品1の母材
表面を粗面化すると、第4図の拡大断面図(a)に示す
ように被処理品1のポリカーボネイト/ABS樹脂より
なる基材l〜1の表面には小さなエツチング穴2が形成
されるが、その基材1−1表面に露出したフィラー1−
2部分はエツチングされずに残る。その状態で第(6)
工程の無電解銅めっきを行うと、第4図(b)に示すよ
うに被処理品1の表面に露出したフィラー1−2部分に
銅めっき層3が形成されなかったり、或いは銅の薄膜が
フィラー1−2部分を覆っているだけとなり、更に、第
(8)工程の無電解ニッケルめっきにおいても、そのニ
ッケルめっき層とフィラー1−2部分との密着性が悪い
ので、塗装後において被処理品1の表面とめっき層の間
が剥離して形成した導電膜の各所に孔が発生して、妨害
波が通過するという問題が生じている。
記第(2)項のエツチング工程により被処理品1の母材
表面を粗面化すると、第4図の拡大断面図(a)に示す
ように被処理品1のポリカーボネイト/ABS樹脂より
なる基材l〜1の表面には小さなエツチング穴2が形成
されるが、その基材1−1表面に露出したフィラー1−
2部分はエツチングされずに残る。その状態で第(6)
工程の無電解銅めっきを行うと、第4図(b)に示すよ
うに被処理品1の表面に露出したフィラー1−2部分に
銅めっき層3が形成されなかったり、或いは銅の薄膜が
フィラー1−2部分を覆っているだけとなり、更に、第
(8)工程の無電解ニッケルめっきにおいても、そのニ
ッケルめっき層とフィラー1−2部分との密着性が悪い
ので、塗装後において被処理品1の表面とめっき層の間
が剥離して形成した導電膜の各所に孔が発生して、妨害
波が通過するという問題が生じている。
本発明は上記のような問題点に鑑み、ガラスフィラー入
り樹脂成形品の母材表面と導電膜の密着性を良くしてそ
の導電膜の剥離を防止することができる新しいガラスフ
ィラー入り樹脂成形品の表面処理方法の提供を目的とす
る。
り樹脂成形品の母材表面と導電膜の密着性を良くしてそ
の導電膜の剥離を防止することができる新しいガラスフ
ィラー入り樹脂成形品の表面処理方法の提供を目的とす
る。
本発明は、第1図に示すように被処理品の脱脂工程(1
)と、当該被処理品の表面を粗面化するエツチング工程
(2)と、上記エツチング工程で付着したクロムを還元
して除去する中和工程(3)と、該被処理品の表面にパ
ラジウムと錫を吸着させた後に銅めっき層を形成する無
電解銅めっき工程(4,5,6) と、前記鋼めっき層
の表面にニッケルめっき層を形成する無電解ニッケルめ
っき工程(7,8)とからなる合成樹脂の無電解めっき
プロセスにおいて、 弗酸と硝酸系の混合液に浸漬して、上記被処理品の基材
およびフィラー部分に小さな穴を無数に形成するプリエ
ツチング工程(2a)を、上記脱脂工程(1)と該エツ
チング工程(2)の間に付加する(作 用〕 本発明では、プリエツチング工程の弗酸と硝酸系の混合
液に被処理品1を浸漬すると、第2図(a)に示すよう
にその被処理品lの基材1−1表面が浸食されて小さな
プリエツチング穴12aが無数に形成されるとともに、
表面に露出したフィラー1−2部分も浸食されて微小な
穴が発生する。つづくエツチング工程においてはクロム
酸、硫酸系の液により、(b)図に示すように前記プリ
エツチング穴12aが大きなエツチング穴12bに成長
して、被処理品lの基材1−1表面が均一な粗面となる
ととともに露出したフィラー1−2部も粗面化されてい
るため、無電解銅めっき工程においては、(C)図に示
すように形成される銅めっき層3は被処理品lの表面に
密着するから、銅めっき層3およびニッケルめっき層の
不着と剥離を防止することが可能となる。
)と、当該被処理品の表面を粗面化するエツチング工程
(2)と、上記エツチング工程で付着したクロムを還元
して除去する中和工程(3)と、該被処理品の表面にパ
ラジウムと錫を吸着させた後に銅めっき層を形成する無
電解銅めっき工程(4,5,6) と、前記鋼めっき層
の表面にニッケルめっき層を形成する無電解ニッケルめ
っき工程(7,8)とからなる合成樹脂の無電解めっき
プロセスにおいて、 弗酸と硝酸系の混合液に浸漬して、上記被処理品の基材
およびフィラー部分に小さな穴を無数に形成するプリエ
ツチング工程(2a)を、上記脱脂工程(1)と該エツ
チング工程(2)の間に付加する(作 用〕 本発明では、プリエツチング工程の弗酸と硝酸系の混合
液に被処理品1を浸漬すると、第2図(a)に示すよう
にその被処理品lの基材1−1表面が浸食されて小さな
プリエツチング穴12aが無数に形成されるとともに、
表面に露出したフィラー1−2部分も浸食されて微小な
穴が発生する。つづくエツチング工程においてはクロム
酸、硫酸系の液により、(b)図に示すように前記プリ
エツチング穴12aが大きなエツチング穴12bに成長
して、被処理品lの基材1−1表面が均一な粗面となる
ととともに露出したフィラー1−2部も粗面化されてい
るため、無電解銅めっき工程においては、(C)図に示
すように形成される銅めっき層3は被処理品lの表面に
密着するから、銅めっき層3およびニッケルめっき層の
不着と剥離を防止することが可能となる。
(実 施 例)
以下第1図および第2図について本発明の詳細な説明す
る。
る。
第1図は本実施例によるガラスフィラー入り樹脂成形品
の表面処理方法を示す工程順ブロック図、第2図は作用
の説明用拡大断面図を示す。
の表面処理方法を示す工程順ブロック図、第2図は作用
の説明用拡大断面図を示す。
本発明のガラスフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法
は、第1図の工程順ブロック図に示すように、 (1)は、例えばフレオン系の溶剤により被処理品表面
の脱脂と洗浄を行う脱脂工程。
は、第1図の工程順ブロック図に示すように、 (1)は、例えばフレオン系の溶剤により被処理品表面
の脱脂と洗浄を行う脱脂工程。
(2a)は、室温の弗酸と硝酸系の混合液に約1分間浸
漬して、被処理品の基材表面に小さなプリエツチング穴
を形成させるとともに、その基材表面より露出したフィ
ラー部を粗面化するプリエツチング工程。
漬して、被処理品の基材表面に小さなプリエツチング穴
を形成させるとともに、その基材表面より露出したフィ
ラー部を粗面化するプリエツチング工程。
(2)は、従来と同一のクロム酸、硫酸系の液に浸漬す
ることによりエツチングして、前記(2a)の工程で被
処理品の基材に形成されたプリエツチング穴を大きくす
るエツチング工程。
ることによりエツチングして、前記(2a)の工程で被
処理品の基材に形成されたプリエツチング穴を大きくす
るエツチング工程。
中和工程以降は、従来と同一工程により被処理品の表面
に銅めっき層およびニッケルめっき層よりなる妨害波遮
蔽用の導電膜を形成している。
に銅めっき層およびニッケルめっき層よりなる妨害波遮
蔽用の導電膜を形成している。
その結果、プリエツチング工程において第2図(a)に
示すように被処理品■の基材1−1表面に小さなプリエ
ツチング穴12aが形成されるとともにフィラー1−2
部分にも微小な穴が発生し、次のエツチング工程におい
ては、第2図い)に示すように前記プリエツチング穴1
2aが大きくなって、被処理品lの基材1−1表面が均
一な粗面となるとともに露出したフィラー1−2部も粗
面化されるため、無電解銅メツキ工程で形成される銅め
っき層3は第2図(C)に示すように被処理品lの表面
に密着するから銅めっき層3の不着または塗装工程以降
での剥離を防止することができる。
示すように被処理品■の基材1−1表面に小さなプリエ
ツチング穴12aが形成されるとともにフィラー1−2
部分にも微小な穴が発生し、次のエツチング工程におい
ては、第2図い)に示すように前記プリエツチング穴1
2aが大きくなって、被処理品lの基材1−1表面が均
一な粗面となるとともに露出したフィラー1−2部も粗
面化されるため、無電解銅メツキ工程で形成される銅め
っき層3は第2図(C)に示すように被処理品lの表面
に密着するから銅めっき層3の不着または塗装工程以降
での剥離を防止することができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単なプリエツチング工程の付加により、合成樹脂よりな
る被処理品への導体膜不着または剥離を防止することが
できる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上
の効果が期待できるガラスフィラー入り樹脂成形品の表
面処理方法を提供することができる。
単なプリエツチング工程の付加により、合成樹脂よりな
る被処理品への導体膜不着または剥離を防止することが
できる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上
の効果が期待できるガラスフィラー入り樹脂成形品の表
面処理方法を提供することができる。
第1図は本発明の一実施例によるガラスフィラー入り樹
脂成形品の表面処理方法を示す工程順ブロック図、 第2図は作用の説明用拡大断面図、 第3図は従来の表面処理方法を示す工程順ブロック図、 第4図は課題を説明する拡大断面図である。 図において、 1は被処理品、 1−1は基材、 1−2はフィラー 3は銅めっき層、 12aはプリエツチング穴、 12bはエツチング穴、 を示す。
脂成形品の表面処理方法を示す工程順ブロック図、 第2図は作用の説明用拡大断面図、 第3図は従来の表面処理方法を示す工程順ブロック図、 第4図は課題を説明する拡大断面図である。 図において、 1は被処理品、 1−1は基材、 1−2はフィラー 3は銅めっき層、 12aはプリエツチング穴、 12bはエツチング穴、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理品の脱脂工程(1)と、当該被処理品の表面を
粗面化するエッチング工程(2)と、上記エッチング工
程で付着したクロムを還元して除去する中和工程(3)
と、該被処理品の表面にパラジウムと錫を吸着させた後
に銅めっき層を形成する無電解銅めっき工程(4,5,
6)と、前記銅めっき層の表面にニッケルめっき層を形
成する無電解ニッケルめっき工程(7,8)とからなる
合成樹脂の無電解めっきプロセスにおいて、 弗酸と硝酸系の混合液に浸漬して、上記被処理品の基材
およびフィラー部分に小さな穴を無数に形成するプリエ
ッチング工程(2a)を、上記脱脂工程(1)と該エッ
チング工程(2)の間に付加したことを特徴とするガラ
スフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26740989A JPH03130373A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ガラスフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26740989A JPH03130373A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ガラスフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130373A true JPH03130373A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17444445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26740989A Pending JPH03130373A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ガラスフィラー入り樹脂成形品の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03130373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05339738A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-12-21 | General Electric Co <Ge> | 過マンガン酸塩処理による樹脂質物品への無電解めっき被膜の密着性の改良法 |
| JP2012151326A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子部品のシールド方法 |
| JP2015115559A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2024116885A (ja) * | 2023-02-16 | 2024-08-28 | 株式会社デンソーエレクトロニクス | 継電器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263674A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Toray Ind Inc | 樹脂成形品の表面金属化方法 |
| JPH02217477A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 樹脂成形品の金属メッキ前処理方法 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP26740989A patent/JPH03130373A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263674A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Toray Ind Inc | 樹脂成形品の表面金属化方法 |
| JPH02217477A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 樹脂成形品の金属メッキ前処理方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10312197B2 (en) | 2013-12-13 | 2019-06-04 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| JP2024116885A (ja) * | 2023-02-16 | 2024-08-28 | 株式会社デンソーエレクトロニクス | 継電器 |
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