JPH03132047A - 半導体装置樹脂封止用の高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、樹脂封止型の半導体装置の製造過程で使用さ
れ、封止用の合成樹脂体のプレヒートを行う加熱装置に
適用できる半導体装置樹脂封止用の高周波加熱装置に関
する。

（従来の技術） 従来、樹脂対ＩＦ型の半導体装置は、金属製のリードフ
レームの所定位置に半導体素子をマウントし、この半導
体素子とリードフレームとの間をワイヤーボンディング
によりＡｕ細線で電気的に接続した後、エポキシ樹脂に
より樹脂封止を行い、外形が形成される。

樹脂対１ヒエ程は、温度１７５℃に熱せられた上下一対
の金型の前記ワイヤーボンド済のリードフレームをセッ
トし、封止金型に設けられたポット内に封止用の合成樹
脂体を入れ、プランジャで加圧して前記金型に設けられ
たキャビティに樹脂を圧送し、加圧、加熱することによ
り行われる。そして前記合成樹脂体は、ポットの内へ投
入される前に、成形時間の短縮、成形品質の向上などの
目的のため、予め高周波加熱手段によりプレヒートされ
るのが一般的である。

第３図は従来のブレヒート用の高周波加熱装置を示す樋
成図であって、１１は円柱状の合成樹脂体、１２ａ、　
１２ｂは表面が樹脂コートされ、かつ平行に配置された
一対の回動可能なローラ電極、１３はローラ電極１２ａ
、　１２ｂの上方に配置された金属板よりなる上部電極
、１４は前記ローラ電極１２ａ、　１２ｂと上部電極１
３との間に、７０Ｍ［（ｚ程度の高周波電圧を印加する
高周波電源である。

同図において、被加熱物の合成樹脂体１１をローラ電極
１２ａ、　１２ｂの間に載置し、一方のローラ電極１２
ａを矢印１５の方向に回転させ、高周波電圧を印加する
と、高周波電流１６が破線のように流れ、合成樹脂体１
１はローラ電極１２ａの回転に従い、矢印１７の方向に
回転しながら均一に加熱される。

（発明が解決しようとする課題） 上記の従来装置において、円柱状の合成樹脂体１１を横
倒しした状態でローラ電極１２ａ、　１２ｂに載置させ
るため、合成樹脂体１１をローラ電極１２ａ、　１２ｂ
に載置する際、および加熱完了後の合成樹脂体１１を取
出す際のハンドリングが煩雑であり、また封１＃−，金
型に設けられたポットに合成樹脂体１１を投入する際は
、合成樹脂体１１を縦方向に立てる必要があり、合成樹
脂体１１の前記ポットへの投入作業を複雑にするという
問題があった。

本発明の目的は、柱状の封止用の合成樹脂体の設置、取
出しの作業性を向上させた半導体装置樹脂封止用の高周
波加熱装置を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 上記の［１的を達成するため、本発明は、半導体素子の
外部を樹脂封止する合成樹脂を加熱する半導体装置樹脂
対１１―用の高周波加熱装置において、回転可能な載置
台に、柱状の封止用の合成樹脂体を長平方向が直立する
ように載置し、前記封止用の合成樹脂体の側部に対向さ
せて加熱用の高周波電極を設けたことを特徴とする。

（作　用） 上記の手段を採用したため、柱状の封止用の合成樹脂体
を載置台に長手方向が直立した状態で、高周波電極で均
一に加熱でき、また合成樹脂体の載置台への設置および
取出しは、合成樹脂体の直立状態でできるために容易に
なされる。

（実施例） 以上１本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の半導体装置樹脂封止用の高周波加熱装
置の一実施例を示す断面図、第２図は第１図の実施例の
セット前の状態を示す断面図であって、１は一体、２は
柱状の封止用の合成樹脂体、３は回転可能で、かつ一体
１に対して上下動可能な載置台、４は載置台３の支軸５
に設けられたフランジ、６ａ、６ｂは一体１の内部に相
対向して配置された加熱用の高周波電極、７は高周波電
源である。

第１図、第２図において、柱状の合成樹脂体２は長手方
向が直立するように載置台３に載１αされ。

合成樹脂体２の左右の側部にそれぞれ配置された高周波
電極６ａ、６ｂには高周波電源７より高周波電圧が印加
されるようになっており、前記載置台：３は高周波損失
は極く少ない材質で形成されている。

また前記載置台３は支軸５の上下動かつ回動に伴なって
上下動かつ回動し、フランジ４は支軸５の上下動に伴な
い上下動し、かつ回動が支軸５に対して自由であるよう
に設けられており、一体１は高周波の漏洩を防ぐ金属材
よりなる。

第２図において、載置台３に直立状態で載置された合成
樹脂体２は、支軸５の上昇により第１図のセット位置、
すなわち高周波電極６ａ、６ｂの間の略中央に位置する
。前記支軸５の上昇によりフランジ４も上昇し、上昇動
の最終端で一体１の底部に接し、一体１と合せて高周波
漏洩防！ヒの作用を行う。

第１図において、支軸５を回動することにより載置台３
を回動させ、続いて高周波電極６ａ、　６ｂの間に高周
波電源７より高周波を印加する。高周波電流８は破線の
ように高周波電極６ａ、６ｂの間を合成樹脂体２を通し
て流れ、合成樹脂体２を急速に加熱することになる。

図示しないタイマ、あるいは赤外線温度調節計により、
所定温度に合成樹脂体２が加熱されて、軟化した状態で
、前記高周波電圧の供給が停止され、支軸５の回転が停
止すると共に下降し、第２図のセット前の状態になる。

上述のように本実施例では、合成樹脂体２を長平方向が
直立した状態で載置台３に設置したり、取出すことがで
きるので作業性がよく、しかも加熱終了後に、封１ヒ金
型に設けられたポットに挿入する際にも、合成樹脂体２
の方向を変える必要がなく、樹脂封１ト工程の自動化を
容易する。

なお、載置台３を一体１に対して吊り下げた状態に設け
てもよい。

（発明の効果） 本発明によれば、柱状の封１ヒ用の合成樹脂体を、載置
台に対して長手方向が直立した状態で設置したり、取出
すことができ、作業性の向上が図れる半導体装置樹脂対
土用の高周波加熱装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体装置樹脂対土用の高周波加
熱装置の一実施例を示す断面図、第２図は第１図の実施
例のセット前の状態を示す断面図、第３図は従来の高周
波加熱装置を示す構成図である。 １　・・・一体、　２・・・合成樹脂体、・・・載置台
、　４　・・・　フランジ、　５支軸、　６ａ、　６ｂ
　　・・高周波電極、・・・品周波′６ｉ源。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体素子の外部を樹脂封止する合成樹脂を加熱
   する半導体装置樹脂封止用の高周波加熱装置において、
   回転可能な載置台に、柱状の封止用の合成樹脂体を長手
   方向が直立するように載置し、前記封止用の合成樹脂体
   の側部に対向させて加熱用の高周波電極を設けたことを
   特徴とする半導体装置樹脂封止用の高周波加熱装置。
2. （２）前記載置台を上下動可能にしたことを特徴とする
   請求項（１）記載の半導体装置樹脂封止用の高周波加熱
   装置。