JPH03132059A - Ｉｃの実装方法 - Google Patents
Ｉｃの実装方法Info
- Publication number
- JPH03132059A JPH03132059A JP1268892A JP26889289A JPH03132059A JP H03132059 A JPH03132059 A JP H03132059A JP 1268892 A JP1268892 A JP 1268892A JP 26889289 A JP26889289 A JP 26889289A JP H03132059 A JPH03132059 A JP H03132059A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- conductor
- metal
- circuit board
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波回路におけるＩＣの実装方法に関する。
従来、プリント基板上に電子部品を実装した電子回路が
一般に用いられているが、上記電子部品を集積化した大
規模ＩＣの開発が進むにつれ、ＩＣの消費電流が増大し
ＩＣで発生する熱がＩＣおよび周辺回路の特性および信
頼性に影響をおよぼすようになってきた。ＩＣの放熱方
法の１つとして、ＩＣのモールド部に放熱フィンを取シ
付け、周辺空気の対流によ、９ＩＣよ多発生する熱を放
熱する方法がとられている。又、特開昭５５−４６５６
２号に記載されているように、金属性基板上に薄い絶縁
層を設け、その上に電子回路をｓｇすることによ多金属
性基板に熱を放熱させる方法もある。
一般に用いられているが、上記電子部品を集積化した大
規模ＩＣの開発が進むにつれ、ＩＣの消費電流が増大し
ＩＣで発生する熱がＩＣおよび周辺回路の特性および信
頼性に影響をおよぼすようになってきた。ＩＣの放熱方
法の１つとして、ＩＣのモールド部に放熱フィンを取シ
付け、周辺空気の対流によ、９ＩＣよ多発生する熱を放
熱する方法がとられている。又、特開昭５５−４６５６
２号に記載されているように、金属性基板上に薄い絶縁
層を設け、その上に電子回路をｓｇすることによ多金属
性基板に熱を放熱させる方法もある。
上記従来技術において、放熱フィンについては高周波回
路では回路の周囲はシールドシャシによ）囲まれている
ために放熱フィンの周囲に対流が生じにくく、放熱効果
が十分に得られない。また放熱フィンには一般に金属導
体が用いられるために放熱フィンを介して高周波信号が
周囲に放射しやすくなる問題があった。
路では回路の周囲はシールドシャシによ）囲まれている
ために放熱フィンの周囲に対流が生じにくく、放熱効果
が十分に得られない。また放熱フィンには一般に金属導
体が用いられるために放熱フィンを介して高周波信号が
周囲に放射しやすくなる問題があった。
また、金属性基板を用いた方法は従来のプリント基板を
用いた電子回路に比べてコスト高となるとともに重量、
加工方法１両面基板化等において設計自由度が低下する
問題点があった。
用いた電子回路に比べてコスト高となるとともに重量、
加工方法１両面基板化等において設計自由度が低下する
問題点があった。
本発明の目的は上記従来技術の問題点を考慮し、従来の
プリント基板を用いて効率よ（ＩＣの放熱を行なうとと
もに、ＩＣの高周波シールドについても考慮した実装方
法を提案することにある。
プリント基板を用いて効率よ（ＩＣの放熱を行なうとと
もに、ＩＣの高周波シールドについても考慮した実装方
法を提案することにある。
上記目的を達成するために、基板のＩＣ実装部の接地導
体面積を広くするとともに、ＩＣ近傍で基板に接続され
、ＩＣのモールド部とも接触し、さらにシャシもしくは
金属カバーとも接触する金属板を設ける。
体面積を広くするとともに、ＩＣ近傍で基板に接続され
、ＩＣのモールド部とも接触し、さらにシャシもしくは
金属カバーとも接触する金属板を設ける。
ＩＣよシ発生する熱はＩＣのアース端子よシ基板接地導
体に伝えられ、ＩＣ近傍に設置した金属板を介してシャ
シもしくは金属カバーよシ外部に放熱される。また、Ｉ
Ｃのモールド部よシ放射される熱はＩＣのモールド部に
接触させた金属板およびＩＣの下部に配された基板接地
導体に伝わｐ１同様にシャシもしくは金属カバーよシ外
部に放熱する。従って、上記方法によ、９ＩＣおよび周
辺回路の温度上昇をおさえることができ、特性および信
頼性の劣化を防止することができる。
体に伝えられ、ＩＣ近傍に設置した金属板を介してシャ
シもしくは金属カバーよシ外部に放熱される。また、Ｉ
Ｃのモールド部よシ放射される熱はＩＣのモールド部に
接触させた金属板およびＩＣの下部に配された基板接地
導体に伝わｐ１同様にシャシもしくは金属カバーよシ外
部に放熱する。従って、上記方法によ、９ＩＣおよび周
辺回路の温度上昇をおさえることができ、特性および信
頼性の劣化を防止することができる。
また、ＩＣは上部および側面に金属板が設けられている
ために、高周波信号の放射を抑圧することができ、周辺
回路との高周波アイソレージ■ンが良好となる。
ために、高周波信号の放射を抑圧することができ、周辺
回路との高周波アイソレージ■ンが良好となる。
以下、本発明の一実施例について第１図および第２図を
用いて説明する。第２図はＩＣを実装する基板を上面か
ら見た上面図、第１図は第２図の基板を用いた実装回路
をＩ−Ｉ’面で切断した時の断面図である。同図におい
て、１は基板、２はＩＣ，３は金属板、４は基板上面接
地導体、５は基板下面接地導体、６は下面配線導体、７
はスルホール、８は金属板挿入穴、９は上面金属カバー
１０は下面金属カバー １１は上面配線導体である。Ｉ
Ｃ２は基板１の上面より基板１に装置され、ＩＣの各端
子は上面接地導体４もしくは上面配線導体１１に接続さ
れるとともに、スルホール７を介して下面接地導体５も
しくは下面配線導体６に接続されている。ま九、上面接
地導体４は第２図に示すようにＩＣ２の装置部およびそ
の周辺に幅広く配されている。また、ＩＣ２の近傍には
金属板挿入用の挿入穴８が設けてあり、金属板５は挿入
穴８よシ基板１に挿入して接地導体４もしくは５と半田
付けするとともにＩＣ２のモールド上面に接するように
装置される。金属板５はＩＣ２と均一に接するように板
を湾曲させて弾力性をもたせるとともに、密着性のよい
熱伝導体、たとえばシリコン性接着材やシリコンゴムシ
ート等ヲＩＣのモールド部と金属板の間にはさむととく
よシ、放熱効率の向上を図っている。また、金属板５は
金属カバー９とも接続している。ＩＣ２の内部で発生し
た熱はアース端子より上面接地導体４、スルホール７、
下面接地導体５と伝わシ、金属板３よシ金属カバーへと
伝わシ外部に放熱される。また、ＩＣのモールド部より
放射される熱は上方は金属板３へ厘接伝わ）、下方は上
部接地導体４よシ金属板３へと伝わシ、同様に金属カバ
ー９よシ外部へ放熱される。従って、ＩＣ２で発生する
熱は接地導体および金属板を介して外部に放熱され、Ｉ
Ｃおよび周辺回路の熱くよる特性劣化を防止することが
できる。また、ＩＣ２は上部および下部を接地導体で囲
まれているので、高周波信号の外部への放射を小さくす
ることができ、さらに外部回路とも接地導体および金属
板で分離されており、高周波アイソレージ璽ンが良好な
ことから、本発明は高周波ＩＣを用い念高密度実装に有
効な方法である。なお、本実施例はＩＣの向かい合う２
方向に金属板を配したが、ＩＣ形状および回路条件忙よ
り、１方向のみ、あるｂは５方向以上でも同様の効果が
得られる。また、本実施例ではカバー９と基板１を接続
する金属板とＩＣのモールド部に接触させる金属板を一
体化しているが、別々に作成しても同様の効果が得られ
る。
用いて説明する。第２図はＩＣを実装する基板を上面か
ら見た上面図、第１図は第２図の基板を用いた実装回路
をＩ−Ｉ’面で切断した時の断面図である。同図におい
て、１は基板、２はＩＣ，３は金属板、４は基板上面接
地導体、５は基板下面接地導体、６は下面配線導体、７
はスルホール、８は金属板挿入穴、９は上面金属カバー
１０は下面金属カバー １１は上面配線導体である。Ｉ
Ｃ２は基板１の上面より基板１に装置され、ＩＣの各端
子は上面接地導体４もしくは上面配線導体１１に接続さ
れるとともに、スルホール７を介して下面接地導体５も
しくは下面配線導体６に接続されている。ま九、上面接
地導体４は第２図に示すようにＩＣ２の装置部およびそ
の周辺に幅広く配されている。また、ＩＣ２の近傍には
金属板挿入用の挿入穴８が設けてあり、金属板５は挿入
穴８よシ基板１に挿入して接地導体４もしくは５と半田
付けするとともにＩＣ２のモールド上面に接するように
装置される。金属板５はＩＣ２と均一に接するように板
を湾曲させて弾力性をもたせるとともに、密着性のよい
熱伝導体、たとえばシリコン性接着材やシリコンゴムシ
ート等ヲＩＣのモールド部と金属板の間にはさむととく
よシ、放熱効率の向上を図っている。また、金属板５は
金属カバー９とも接続している。ＩＣ２の内部で発生し
た熱はアース端子より上面接地導体４、スルホール７、
下面接地導体５と伝わシ、金属板３よシ金属カバーへと
伝わシ外部に放熱される。また、ＩＣのモールド部より
放射される熱は上方は金属板３へ厘接伝わ）、下方は上
部接地導体４よシ金属板３へと伝わシ、同様に金属カバ
ー９よシ外部へ放熱される。従って、ＩＣ２で発生する
熱は接地導体および金属板を介して外部に放熱され、Ｉ
Ｃおよび周辺回路の熱くよる特性劣化を防止することが
できる。また、ＩＣ２は上部および下部を接地導体で囲
まれているので、高周波信号の外部への放射を小さくす
ることができ、さらに外部回路とも接地導体および金属
板で分離されており、高周波アイソレージ璽ンが良好な
ことから、本発明は高周波ＩＣを用い念高密度実装に有
効な方法である。なお、本実施例はＩＣの向かい合う２
方向に金属板を配したが、ＩＣ形状および回路条件忙よ
り、１方向のみ、あるｂは５方向以上でも同様の効果が
得られる。また、本実施例ではカバー９と基板１を接続
する金属板とＩＣのモールド部に接触させる金属板を一
体化しているが、別々に作成しても同様の効果が得られ
る。
次に第３図に片面プリント基板を用いた時の１実施例を
示す。同図において第１図および第５図と同じ機能を有
するものは同一記号を付して説明を略す。第５図に示す
実施例は、第１図に示す実施例において、基板１に金属
板挿入穴８を設けず、金属板３は基板２の上面に付き当
て、上面接地導体４と半田付けする構成としてあり、第
１図の実施例と同様に、ＩＣの放熱および高周波シール
ドの効果が得られる。
示す。同図において第１図および第５図と同じ機能を有
するものは同一記号を付して説明を略す。第５図に示す
実施例は、第１図に示す実施例において、基板１に金属
板挿入穴８を設けず、金属板３は基板２の上面に付き当
て、上面接地導体４と半田付けする構成としてあり、第
１図の実施例と同様に、ＩＣの放熱および高周波シール
ドの効果が得られる。
第４図および第５図は本発明を片面基板および両面基板
に応用した他の実施例である。同図におりて第１図およ
び第３図と同じ機能を有するものは同一記号を付して説
明を略す。本実施例はシャシ５と金属カバー９の接触面
積を広くして金属カバー９への熱の伝わシを良くし、放
熱効率を上げたことを特徴としている。
に応用した他の実施例である。同図におりて第１図およ
び第３図と同じ機能を有するものは同一記号を付して説
明を略す。本実施例はシャシ５と金属カバー９の接触面
積を広くして金属カバー９への熱の伝わシを良くし、放
熱効率を上げたことを特徴としている。
第６図は本発明の他の実施例で、第１図と同じ機能を有
するものは同一記号を付して説明を略す１２は金属板５
より出した舌片である。本実施例は、高周波シールドに
用いているシールド板の一部を切シ欠き、舌片としてＩ
Ｃの放熱用に用いるもので、ＩＣ専用に金属板を設ける
必要がなく、簡単な構造で放熱と高周波シールドの効果
が得られる。
するものは同一記号を付して説明を略す１２は金属板５
より出した舌片である。本実施例は、高周波シールドに
用いているシールド板の一部を切シ欠き、舌片としてＩ
Ｃの放熱用に用いるもので、ＩＣ専用に金属板を設ける
必要がなく、簡単な構造で放熱と高周波シールドの効果
が得られる。
第７図は本発明の他の実施例で、第１図と同じ機能を有
するものは同一記号を付して説明を略す。
するものは同一記号を付して説明を略す。
本実施例は、金属板３を下金属カバー１０に接触させて
放熱させた例であシ、第１図の実施例と同様の効果を有
する。
放熱させた例であシ、第１図の実施例と同様の効果を有
する。
なお、以上の実施例は金属板５と金属カバー９ないしは
１０を突き合せもしくはツメによる接触で接続している
が、金属カバーに穴をあけて金属板３を突出さて機械的
に固定、もしくは半田付は等によ多接続させることで、
金属板３から金属カバーへの熱伝導性がさらに向上され
る。また、本実施例ではＩＣで発生した熱を金属カバー
に伝えて放熱する例を示したが、シャシに伝えて放熱し
ても同様の効果が得られる。また、本実施例では特に述
べなかったが、基板１とＩＣ２０間にＩＣ２と金属板５
の接触部に用いた密着性の良い熱伝導体を挿入すること
で、ＩＣの放熱効率をさらに向上させることができる。
１０を突き合せもしくはツメによる接触で接続している
が、金属カバーに穴をあけて金属板３を突出さて機械的
に固定、もしくは半田付は等によ多接続させることで、
金属板３から金属カバーへの熱伝導性がさらに向上され
る。また、本実施例ではＩＣで発生した熱を金属カバー
に伝えて放熱する例を示したが、シャシに伝えて放熱し
ても同様の効果が得られる。また、本実施例では特に述
べなかったが、基板１とＩＣ２０間にＩＣ２と金属板５
の接触部に用いた密着性の良い熱伝導体を挿入すること
で、ＩＣの放熱効率をさらに向上させることができる。
本発明によれば、ＩＣの内部で発生した熱はＩＣのアー
ス端子およびＩＣモールド部よシ基板導体もしくは金属
板ｆ伝わシ、シャシもしくは金属カバーよ〕外部に放熱
されるので、ＩＣおよび周辺回路の温度上昇をおさえる
ことができ、温度上昇による特性劣化および信頼性の低
下を防止することができる。さらに、ＩＣ上部に金属板
を接して配すことによりＩＣよシ放射する高周波信号を
抑圧するとともに、周波回路とも基板接地導体および金
属板により分離することができ、高周波特性の優れた実
装方法を提供できる。
ス端子およびＩＣモールド部よシ基板導体もしくは金属
板ｆ伝わシ、シャシもしくは金属カバーよ〕外部に放熱
されるので、ＩＣおよび周辺回路の温度上昇をおさえる
ことができ、温度上昇による特性劣化および信頼性の低
下を防止することができる。さらに、ＩＣ上部に金属板
を接して配すことによりＩＣよシ放射する高周波信号を
抑圧するとともに、周波回路とも基板接地導体および金
属板により分離することができ、高周波特性の優れた実
装方法を提供できる。
第１図は、本発明の一実施例の断面図、第２図は、第１
図のＩＣ実装基板を上部から見た上面図、第３図、第４
図、第５図、第６図、第７図は本発明の他の実施例の断
面図である。 １・・・・・・・・・基板、 ２・・・・・・・・・
ＩＣ，５・・・・・・・・・金属板、 ４，５・・・
・・・・・・接地導体、 ７・・・・・・・・・スル
ホール、 ９．１０・・・・・・・・・金属カバー
１２・・・・・・・・・舌片。
図のＩＣ実装基板を上部から見た上面図、第３図、第４
図、第５図、第６図、第７図は本発明の他の実施例の断
面図である。 １・・・・・・・・・基板、 ２・・・・・・・・・
ＩＣ，５・・・・・・・・・金属板、 ４，５・・・
・・・・・・接地導体、 ７・・・・・・・・・スル
ホール、 ９．１０・・・・・・・・・金属カバー
１２・・・・・・・・・舌片。
Claims (4)
- １．少なくとも１個のＩＣを実装して成る回路基板と、
該回路基板を取り付けて成るシャシ枠体と、該シャシ枠
体を蓋つて成る金属カバーと、前記回路基板およびシャ
シ枠体もしくは金属カバーに接触して成る金属板から成
る電子装置の実装方法において、ＩＣの接地端子は回路
基板に配された接地導体を介して前記金属板に接続され
るとともに、該金属板はＩＣのモールド部にも接触して
いることを特徴とするＩＣの実装方法。 - ２．請求項１において、回路基板はＩＣ実装部の接地導
体を幅広く配したことを特徴とするＩＣの実装方法。 - ３．請求項１において、金属板とＩＣモールド部の接触
部分は、金属板に弾力性をもたせたことを特徴とするＩ
Ｃの実装方法。 - ４．請求項１において、ＩＣのモールド部は密着性の良
い熱伝導体を介して金属板と接触させたことを特徴とす
るＩＣの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268892A JPH03132059A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Ｉｃの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268892A JPH03132059A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Ｉｃの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132059A true JPH03132059A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17464718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268892A Pending JPH03132059A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Ｉｃの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03132059A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541199U (ja) * | 1991-11-07 | 1993-06-01 | 株式会社三ツ葉電機製作所 | 電子部品取付構造 |
| JP2000236193A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Hitachi Ltd | 電子モジュールと光モジュール及びこれを用いた光電子機器 |
| JP2004363183A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Toyota Motor Corp | 電子部品の放熱構造 |
| JP2009076949A (ja) * | 2009-01-15 | 2009-04-09 | Nichia Corp | Ｌｅｄ表示装置およびその使用方法 |
| JP2010199352A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Sekisui Jushi Co Ltd | 放熱パターンを備えた回路基板及び放熱パターン形成方法 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1268892A patent/JPH03132059A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541199U (ja) * | 1991-11-07 | 1993-06-01 | 株式会社三ツ葉電機製作所 | 電子部品取付構造 |
| JP2000236193A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Hitachi Ltd | 電子モジュールと光モジュール及びこれを用いた光電子機器 |
| JP2004363183A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Toyota Motor Corp | 電子部品の放熱構造 |
| JP2009076949A (ja) * | 2009-01-15 | 2009-04-09 | Nichia Corp | Ｌｅｄ表示装置およびその使用方法 |
| JP2010199352A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Sekisui Jushi Co Ltd | 放熱パターンを備えた回路基板及び放熱パターン形成方法 |
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