JPH03132111A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH03132111A
JPH03132111A JP1270883A JP27088389A JPH03132111A JP H03132111 A JPH03132111 A JP H03132111A JP 1270883 A JP1270883 A JP 1270883A JP 27088389 A JP27088389 A JP 27088389A JP H03132111 A JPH03132111 A JP H03132111A
Authority
JP
Japan
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circuit
output
signal
test
test result
Prior art date
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Pending
Application number
JP1270883A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasukazu Ota
太田 康和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP1270883A priority Critical patent/JPH03132111A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にテスト回路を内蔵した
半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
第3図に示すように従来、テスト回路4を内蔵した半導
体装置は、その半導体装置の本来の機能を動作させる機
能回路3の機能論理信号SI)を受ける入力端りとテス
ト回路4のテスト結果信号STを受ける入力端Tを有し
、その両信号SD、STのいずhかを制御信号CIl 
C2によって選択する選択回路1.と出力回路1とを直
列にした選択出力回路21を有していた。
出力回路lの0MO8の中点Mうば、制御信号ピーダン
スの王状態のいずれかとなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置は、本来の動作状態とテスト
状態を選択・合成する論理回路を有しているので、テス
ト回路を内蔵しない場合に比べ選択回路分の論理段数が
増加する。
したがって機能論理信号は前記論理回路を通過する分だ
け遅延時間が増加して出力するという欠点があり、これ
は近年の高速動作の要求に対して特に障害となっていた
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、内部の機能論理信号またはテス
ト結果信号を入力してそれぞれに対応する出力信号を共
通の外部出力端子に供給し、かつ制御信号によって高イ
ンピーダンス状態になる0MO3)ランジスタの中点を
有する複数の出力回路を含んで構成されている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の回路図である。
本来の機能論理信号SDを入力し対応する出力信号S、
を出力する出力回路lと、テスト結果信号S、に対応す
る出力信号S、を出力する出力回路2のそれぞれのCM
OSトランジスタの中点Md1M、が共に出力端子D0
に接続している。
本来の論理動作を出力させる場合は、OET入力を高レ
ベルに固定して出力回路2の出力状態を高インピーダン
ス状態にしておく。
こうすることで、テスト回路4がない場合と同様に、D
入力とOE大入力組合せ状態により出力端子D0は高レ
ベル、低レベルまたは高インピーダンス状態の玉出力が
可能である。
一方、σ盲を高レベルに固定することで、出力回路1の
出力は高インピーダンス状態となり、テスト結果信号S
TはOETが低レベルの時にDoに出力される。
OETが高レベルの時はDoは高インピーダンス状態に
なる。
出力回路2はテスト結果信号S、の出力専用のため、高
速動作は要求されないので、出力回路2のトランジスタ
の寸法は小さくても良く、出力回路1から見た場合の出
力回路2の負荷浮遊容量は無視できる。
また、出力回路1は実質上テスト回路4がない場合の回
路と同様であり、第3図の余計な選択回路1.を持たな
いのでその分の余分な遅延時間は出力回路11は本来の
機能論理信号SDを出力するための出力回路であり、テ
スト結果信号S T l 1ST2を出力するための出
力回路12と13を構成する0MO3)ランジスタの中
点M、を出力端子D0に接続している。
本来の動作をさせる場合は、下Tを高レベルに、T2を
低レベルにそれぞれ固定し、出力回路12及び13の出
力を高インピーダンス状態にしておく。
この場合、入力信号百。とOE入力信号の組合せ状態に
より、出力端子D0は高レベル、低レベルまたは高イン
ピーダンス状態の出力が可能である。
一方、OEを低レベルに固定することで出力回路11の
出力は高インピーダンス状態になる。
そして、T丁のテスト結果信号St+が低レベルの時に
出力回路12は高レベル出力、T2のテスト結果信号S
t□が高レベルの時に出力回路13は低レベル出力とな
り、それぞれDoに出力される。
ただし、S、1の低レベルとST2の高レベルは同時に
発生しないように制御される。
出力回路11は前述の第1図の出力回路1と同様にテス
ト回路4の出力回路12.13が並列なので機能データ
の遅延時間の増加はない。
しかも、出力回路12及び13の回路は、それぞれ1個
のトランジスタで構成されているので、半導体装置のチ
ップ上の配置に特別の考慮はいらない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、高インピーダンスな状態
を出力できる複数個の出力回路の出力端を外部端子に共
通接続して遅延時間を増加させることなく、テスト回路
の状態を出力できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の回路図、第2図は本発
明の第2の実施例の回路図、第3図は従来の半導体装置
の一例の回路図である。 1.2.11〜13・・・・・・出力回路、3・・・・
・・機能回路、4・・・・・・テスト回路、5〜7・・
・・・・NANDゲート、Do・・・・・・外部出力端
子、M・・・・・・CMOSトランジスタの中点、SD
・・・・・・機能論理信号、S、・・・・・テスト結果
信号。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 内部の機能論理信号またはテスト結果信号を入力してそ
    れぞれに対応する出力信号を共通の外部出力端子に供給
    し、かつ制御信号によって高インピーダンス状態になる
    CMOSトランジスタの中点を有する複数の出力回路を
    含むことを特徴とする半導体装置。
JP1270883A 1989-10-17 1989-10-17 半導体装置 Pending JPH03132111A (ja)

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JPH03132111A true JPH03132111A (ja) 1991-06-05

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