JPH03133096A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH03133096A JPH03133096A JP1271374A JP27137489A JPH03133096A JP H03133096 A JPH03133096 A JP H03133096A JP 1271374 A JP1271374 A JP 1271374A JP 27137489 A JP27137489 A JP 27137489A JP H03133096 A JPH03133096 A JP H03133096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- light
- transparent electrode
- thin film
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平面型薄膜デイスプレィとして、種々の素子
に利用され得る、薄膜ＥＬ素子に関するものである。
に利用され得る、薄膜ＥＬ素子に関するものである。
（従来の技術）
従来、第１３図に示すように、薄膜ＥＬ素子は、透明基
板１上に透明電極３．第１絶縁体絶緑層５゜ＥＬ発光層
７．第２絶縁体絶緑層９．背面電極１１が順次積層され
た構造となっており、画電極３゜１１間に、交流電圧を
印加し、ＥＬ発光Ｎ７に１０”ボルト／Ｃｌ１１程度の
高電解を形成すると、特有の発光を呈する構成となって
いる。
板１上に透明電極３．第１絶縁体絶緑層５゜ＥＬ発光層
７．第２絶縁体絶緑層９．背面電極１１が順次積層され
た構造となっており、画電極３゜１１間に、交流電圧を
印加し、ＥＬ発光Ｎ７に１０”ボルト／Ｃｌ１１程度の
高電解を形成すると、特有の発光を呈する構成となって
いる。
しかしながら、パターン段差部が、高電解駆動時に絶縁
破壊を誘因する原因となっていた。
破壊を誘因する原因となっていた。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、膜の
段差部をなくすことを目的とするものである。
段差部をなくすことを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明においては、少な（
とも一対の透明電極間に発光層あるいは発光層と絶緑層
を挟持した薄膜ＥＬ素子において、基板と、 該基板の一主面上に所望のパターンに形成された前記透
明電極とを備え、 前記基板の一主面上において、前記透明電極が形成され
ない基板露出部分には絶縁物を配するとともに、前記発
光層成いは絶緑層と該絶縁体の接する面が平坦化されて
いる構成としている。
とも一対の透明電極間に発光層あるいは発光層と絶緑層
を挟持した薄膜ＥＬ素子において、基板と、 該基板の一主面上に所望のパターンに形成された前記透
明電極とを備え、 前記基板の一主面上において、前記透明電極が形成され
ない基板露出部分には絶縁物を配するとともに、前記発
光層成いは絶緑層と該絶縁体の接する面が平坦化されて
いる構成としている。
以下、図面を用いて本発明の第１実施例を説明する。
第１図ないし第８図は、本発明の第１実施例を示す製造
工程図である。第１図に示されるように、市販の無アル
カリガラス２０の上に、透明電極２２としてＩＴＯｌあ
るいはＳｎｏｗ、Ｚｎ０ｚなどをスパッタリング法ある
いは、イオンブレーティング法により成膜する。ここで
、この透明電極２２は、膜厚が２０００人〜４０００人
であり、シート抵抗が１０〜２０Ω／ ｃｎｌ 、透過
率８０％以上のものである。この透明電極２２を、ホト
レジスト２４をマスクとして、エツチングによりパター
ニングする。ここでこのエツチングとして、ドライエツ
チングを用いた場合、一般にホトレジストは、プラズマ
によって変性を受け、その剥離工程にキャロス溶液等の
強酸性溶液へのデイツプが必要となるが、透明電極２２
は耐酸性に劣るため、このドライエツチングは適用がむ
ずかしい。そこで、有機物であるホトレジスト２４を、
０２プラズマ処理による等方的アッシング（例えば１０
０Ｐａ、ＲＦパワー１５０Ｗで５分〜１０分）を行うと
、アンダーカット分のホトレジスト２４の後退を再現性
よく達成できる。これを示したのが第２図である。この
際に、ホトレジスト２４の下側よりまわりこんだプラズ
マにより、ホトレジスト２４の下方からのアッシングも
同時に進むため、よりリフトオフに適した形状に加工さ
れる。次に第３図に示すように、加工されたホトレジス
ト２４の上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置（プラズマに直進性
があり、低温の成膜が可能）にて、透明電極２２と同程
度の膜厚となるように、パターニング後の基板露出部２
６へ、絶縁膜２８（例えば、ＳｉＯ□。
工程図である。第１図に示されるように、市販の無アル
カリガラス２０の上に、透明電極２２としてＩＴＯｌあ
るいはＳｎｏｗ、Ｚｎ０ｚなどをスパッタリング法ある
いは、イオンブレーティング法により成膜する。ここで
、この透明電極２２は、膜厚が２０００人〜４０００人
であり、シート抵抗が１０〜２０Ω／ ｃｎｌ 、透過
率８０％以上のものである。この透明電極２２を、ホト
レジスト２４をマスクとして、エツチングによりパター
ニングする。ここでこのエツチングとして、ドライエツ
チングを用いた場合、一般にホトレジストは、プラズマ
によって変性を受け、その剥離工程にキャロス溶液等の
強酸性溶液へのデイツプが必要となるが、透明電極２２
は耐酸性に劣るため、このドライエツチングは適用がむ
ずかしい。そこで、有機物であるホトレジスト２４を、
０２プラズマ処理による等方的アッシング（例えば１０
０Ｐａ、ＲＦパワー１５０Ｗで５分〜１０分）を行うと
、アンダーカット分のホトレジスト２４の後退を再現性
よく達成できる。これを示したのが第２図である。この
際に、ホトレジスト２４の下側よりまわりこんだプラズ
マにより、ホトレジスト２４の下方からのアッシングも
同時に進むため、よりリフトオフに適した形状に加工さ
れる。次に第３図に示すように、加工されたホトレジス
ト２４の上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置（プラズマに直進性
があり、低温の成膜が可能）にて、透明電極２２と同程
度の膜厚となるように、パターニング後の基板露出部２
６へ、絶縁膜２８（例えば、ＳｉＯ□。
Ｓ ｉ ］Ｎ４． Ｓ ｉＯＮ）の埋め込み成膜を行う
。次に成膜後、ホトレジスト２４を市販の剥離液または
アセトン等の有機溶媒へのデイツプにより、除去し、第
４図に示すように平坦化が達成される絶縁膜２８を複数
重するセグメントタイプのものを第５図に示す。次に第
６図に示すように、第１絶縁体層３０（例えばＴｉＯ□
、Ａｆｆｉ□Ｏ，、Ｓ ｉ 、Ｎ。
。次に成膜後、ホトレジスト２４を市販の剥離液または
アセトン等の有機溶媒へのデイツプにより、除去し、第
４図に示すように平坦化が達成される絶縁膜２８を複数
重するセグメントタイプのものを第５図に示す。次に第
６図に示すように、第１絶縁体層３０（例えばＴｉＯ□
、Ａｆｆｉ□Ｏ，、Ｓ ｉ 、Ｎ。
または５ｉＯｚ等）をスパッタリングあるいは電子ビー
ム蒸着にて成膜する。さらにその上に第１発光層３２（
例えば、ＺｎＳ；Ｍｎ、ＺｎＳ；ＴｂＦ、、、ＳｒＳ；
Ｃｅ、ＣａＳ；Ｅｕ等）を、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング、あるいはＭＯＣＶＤにて形成しその上に第２絶
縁体層３４を第１絶縁体層３０と同様の方法にて成膜す
る。
ム蒸着にて成膜する。さらにその上に第１発光層３２（
例えば、ＺｎＳ；Ｍｎ、ＺｎＳ；ＴｂＦ、、、ＳｒＳ；
Ｃｅ、ＣａＳ；Ｅｕ等）を、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング、あるいはＭＯＣＶＤにて形成しその上に第２絶
縁体層３４を第１絶縁体層３０と同様の方法にて成膜す
る。
次に第７図に示すように、第２電極３６として、ＩＴＯ
，ＳｎＯ□、ＺｎＯ□等の透明電極を成膜後、第２電極
２２に絶縁膜２８を形成したのと同じように絶縁膜２８
を形成して平坦化を行う。
，ＳｎＯ□、ＺｎＯ□等の透明電極を成膜後、第２電極
２２に絶縁膜２８を形成したのと同じように絶縁膜２８
を形成して平坦化を行う。
さらに第８図に示すように第３絶縁体Ｎ３８を成膜し、
その上に第２発光層４０さらにその上に第４絶縁体層４
２を形成し、最後に第１電極２２゜第２電極３６と同様
の透明電極、若しくはアルミ等にて電極４４を形成する
。なお、本実施例においては、発光層を２つ有するもの
を示したが、これに限らず単数あるいは３個以上の複数
としてもよいことはもちろんである。
その上に第２発光層４０さらにその上に第４絶縁体層４
２を形成し、最後に第１電極２２゜第２電極３６と同様
の透明電極、若しくはアルミ等にて電極４４を形成する
。なお、本実施例においては、発光層を２つ有するもの
を示したが、これに限らず単数あるいは３個以上の複数
としてもよいことはもちろんである。
以上説明したように、本実施例によれば、所望のパター
ンに形成された透明電極２２の間に絶縁物２８が埋め込
まれて平坦化されているので、透明電極や発光層を複数
重ねて形成しても、段差部が生じることがないので、成
膜時の被覆特性が向上し、高電解で駆動しても、絶縁破
壊を起こすことはないという優れた効果を有する。
ンに形成された透明電極２２の間に絶縁物２８が埋め込
まれて平坦化されているので、透明電極や発光層を複数
重ねて形成しても、段差部が生じることがないので、成
膜時の被覆特性が向上し、高電解で駆動しても、絶縁破
壊を起こすことはないという優れた効果を有する。
第９図には、上記実施例により得られた、発光層を２段
有する薄膜ＥＬ素子を示す。
有する薄膜ＥＬ素子を示す。
尚、本実施例においてはセグメントタイプのものを示し
たが、これに限らず、第１４図と第１５図に示すように
マトリックスタイプのものでもよい。ここで、第１４図
は平面図、第１５図はそのＢ−Ｂ断面図である。
たが、これに限らず、第１４図と第１５図に示すように
マトリックスタイプのものでもよい。ここで、第１４図
は平面図、第１５図はそのＢ−Ｂ断面図である。
次に、第１０図ないし第１２図を用いて、本発明の第２
実施例を説明する。この実施例において製造される薄膜
ＥＬ素子、およびその製造方法は、透明電極に絶縁物を
埋め込んで平坦化する部分以外は、前記第１実施例と同
じであるため、その説明は省略する。本実施例において
、前記第１実施例と異なる点は、薄膜ＥＬ素子において
、絶縁膜２８の代わりに、ポリイミド等の有機樹脂を用
いた点である。
実施例を説明する。この実施例において製造される薄膜
ＥＬ素子、およびその製造方法は、透明電極に絶縁物を
埋め込んで平坦化する部分以外は、前記第１実施例と同
じであるため、その説明は省略する。本実施例において
、前記第１実施例と異なる点は、薄膜ＥＬ素子において
、絶縁膜２８の代わりに、ポリイミド等の有機樹脂を用
いた点である。
第１実施例と同様、第１０図に示すように基板２０の上
に透明電極２２を形成し、エツチングにより基板露出部
２６を形成する。その後レジストを除いた後、第１１図
に示すように、低粘度ポリイミド５０をスピンナーにて
パターン間の基板露出部２６に埋め込み塗布をする。ポ
リイミド５゜中の有機溶媒を除去後、０２プラズマによ
り、余分なポリイミドを透明電極２２の上端までエツチ
ングし、加熱にてポリイミド５０を完全重合させること
で平坦化を完了する。この平坦化が行われたものを示す
のが第１２図である。以後、前記第１実施例と同様に、
積層成膜することにより同様な薄膜ＥＬ素子を作ること
ができる。
に透明電極２２を形成し、エツチングにより基板露出部
２６を形成する。その後レジストを除いた後、第１１図
に示すように、低粘度ポリイミド５０をスピンナーにて
パターン間の基板露出部２６に埋め込み塗布をする。ポ
リイミド５゜中の有機溶媒を除去後、０２プラズマによ
り、余分なポリイミドを透明電極２２の上端までエツチ
ングし、加熱にてポリイミド５０を完全重合させること
で平坦化を完了する。この平坦化が行われたものを示す
のが第１２図である。以後、前記第１実施例と同様に、
積層成膜することにより同様な薄膜ＥＬ素子を作ること
ができる。
尚、上記実施例においては、絶縁膜２日の上に第１絶縁
体層３０を設けたものを示したが、この第１絶縁体層３
０を有しないものでもよい。
体層３０を設けたものを示したが、この第１絶縁体層３
０を有しないものでもよい。
以上説明したように本発明によれば、基板において、透
明電極が形成されない基板露出部には、がなくなり、ひ
いては高電解で駆動しても絶縁破壊を起こすことがない
という優れた効果を奏する。
明電極が形成されない基板露出部には、がなくなり、ひ
いては高電解で駆動しても絶縁破壊を起こすことがない
という優れた効果を奏する。
第１図ないし第８図は本発明の第１実施例を示す製造工
程図であり、第９図は上記第１実施例によって得られた
薄膜ＥＬ素子を示す断面図、第１０図ないし第１２図は
本発明の第２実施例を示す製造工程図、第１３図は従来
の薄膜ＥＬ素子を示す断面図、−第１４図は上記第１実
施例の変形例を示す平面図、第１５図はそのＢ−Ｂ断面
図である。 ２０・・・基板、２２・・・透明電極、２８・・・絶縁
体。 ３０．３４・・・絶緑層、３２・・・発光層。
程図であり、第９図は上記第１実施例によって得られた
薄膜ＥＬ素子を示す断面図、第１０図ないし第１２図は
本発明の第２実施例を示す製造工程図、第１３図は従来
の薄膜ＥＬ素子を示す断面図、−第１４図は上記第１実
施例の変形例を示す平面図、第１５図はそのＢ−Ｂ断面
図である。 ２０・・・基板、２２・・・透明電極、２８・・・絶縁
体。 ３０．３４・・・絶緑層、３２・・・発光層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一対の透明電極間に発光層あるいは発光層
と絶緑層を挟持した薄膜ＥＬ素子において、基板と、 該基板の一主面上に所望のパターンに形成された前記透
明電極とを備え、 前記基板の一主面上において、前記透明電極が形成され
ない基板露出部には絶緑体を配するとともに、前記発光
層と該絶縁体の接する面が平坦化されている ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1271374A JPH03133096A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1271374A JPH03133096A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03133096A true JPH03133096A (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=17499183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1271374A Pending JPH03133096A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03133096A (ja) |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1271374A patent/JPH03133096A/ja active Pending
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