JPS62115123A - 表示素子用電極基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、ＥＬ表示素子、液晶表示素子などの各種表示
素子用電極基板に関する。

ｒ従来技術およびその問題点」 ＥＬ表示素子、液晶表示素子などの各種表示素子におい
ては、ガラス等の基板上にパターン化された透明電極を
形成し、さらにその上に絶縁膜を積層した基板が用いら
れている。

従来の薄膜ＥＬ表示素子について説明すると、第７図に
示すように、ガラス基板ｌ上に、ＩＴＯ膜などからなる
透明電極２がパターン化されて形成され、基板ｌおよび
透明電極２上には、絶縁膜３が形成されている。さらに
、絶縁膜３上に、ＥＬ発光ｎ莫ａ、絶縁膜５、対向電極
８が順次積層されて素子が構成されている。この薄膜Ｅ
Ｌ表示素子は、透明電極２と対向電極６との間に数１０
Ｈｚから数ＫＨｚの交流電界を印加することにより、Ｅ
Ｌ発光膜４の活性種イオンが励起され、発光するように
なっている。

しかしながら、−ｈ記のような薄膜ＥＬ表示素子では、
基板１および透明電極２上に絶縁膜３を形成するとき、
絶縁膜３が均一な厚さで積層されるので、透明電極２の
肩部２ａに段差が形成される。そして、この段差は、絶
縁膜３上に形成するＥＬ発光膜４、絶縁膜５、対向電極
６にもそのまま残されることになる。このように段差が
できると、その部分における絶縁Ｍ３等の厚さが極めて
薄くなるため、ショート等が発生しやすくなるという問
題点があった。このため、製品の歩留りや素子の信頼性
が低下していた。

「発明の目的」 本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、透明
電極の肩部におけるショート等の発生を防上して信頼性
を向」−させた表示素子用電極基板を提供することにあ
る。

「発明の構成」 本発明の表示素子用電極基板は、基板上にパターン化さ
れた透明電極と絶縁膜とを備えた表示素子用電極基板に
おいて、前記基板および前記透明電極−１−に前記絶縁
膜が上面を平坦化された状態で積層されていることを特
徴とする。

このように、基板および透明電極上に絶縁膜が上面を平
坦化された状態で積層されているので、透明電極の肩部
における段差がなく、透明電極が絶縁膜によってしっか
りと覆われるのでショートの発生が防１１−され、素子
の信頼性が向上する。

ｒ発明の実施例」 １１図には、本発明を適用した薄膜ＥＬ表示素子の実施
例が示されている。

この薄膜ＥＬ表示素子は、ガラス基板１１−にに、透明
電極１２．絶縁膜１３、ＥＬ発光膜１４、絶縁膜１５、
対向電極１６が順次積層されて構成されている。透明電
極１２はｌ１１２０３に５ｎ０２をドープしたＩＴＯ膜
からなり、絶縁膜１３および１５はＴａ２０５からなり
、ＫＬ発光膜はＺｎＳにＭｎをドープした膜からなり、
対向電極１６はＡＩ膜からなっている。そして、本発明
では、絶縁膜１３が基板１１および透明電極１２」二を
覆い、その上面が平坦化されている。したがって、透明
電極１２の肩部における絶縁膜１３の段部はなく、絶縁
膜１３上に形成されるＥＬ発光膜１４、絶縁膜１５、対
向電極１６もそれぞれ平坦に形成されている。

透明電極１２および絶縁膜１３は、次のようにして形成
することができる。すなわち、第２図に示すように、基
板１１上に透明電極１２を厚さ１５００〜２０００人程
度に形成する。そして、透明電極１２」二にレジスト１
７（商品名ｒ　０ＦＰＲ−８００Ｊ　、東京応化（株）
製）を厚さ１〜２　＄ＬＩｌで塗布し、現像してパター
ン化する。第３図に示すように、エツチングして透明電
極１２のレジスト１７で覆われていない部分を除去し、
透明電極１２をパターン化する。第４図に示すように、
Ｔａをターゲットとし、Ａｒ　８０ＳＣＣＭ、０２１３
８ＣＣＨの雰囲気下、基板温度１２０℃以下の条件でス
パッタリングして、Ｔａ２０５からなる絶縁膜１３′を
形成する。この場合、絶縁膜１３°の厚さは透明電極１
２と同じ程度の厚さ、すなわち１５００〜２０００人と
する。第５図に示すように、リフトオフ法により、レジ
スト１７を剥離してレジスト１７上に積層された絶縁膜
１３′を除去する。これにより、絶縁膜１３°　と透明
電極１２とが同じ高さ、すなわち透明電極１２の間隙に
絶縁膜１３°が埋設された状態となる。第６図に示すよ
うに、前記と同様な条件でスパッタリングし、絶縁膜１
３°および透明電極＋２１−にさらにＴａ２０５を積層
して絶縁膜１３を形成する。透明電極１２」−への絶縁
膜１３の積層厚さは５０００Å以下程度とする。こうし
て、透明電極１２は絶縁膜１３によって完全に覆われ、
しかも絶縁膜１３上面は平坦化される。なお、絶縁膜１
３としては、Ｙ２Ｏ３、５ｉＪ４．５ｉＯｚ、ＳｉＣな
ども使用できる。

ネらに、絶縁膜１３上のＥＬ発光膜１４、絶縁膜１５、
対向電極１６は、従来と同様な方法、例えばスパッタリ
ング法などで形成することができる。

この薄膜ＥＬ表示素子では、絶縁膜１３に段差がないの
で、透明電極１２が絶縁膜１３により完全に覆われ、シ
ョートの発生が極めて少なくなり、信頼性が向上したも
のとなっている。

なお、本発明は、薄膜ＥＬ表示素子だけでなく、例えば
液晶表示素子などの電極基板にも適用することができる
。ただし、本発明は、全体の層が薄く形成され、しかも
高電圧が印加されるため、透明電極の肩部におけるショ
ートの発生が多い薄膜ＥＬ表示素子に特に効果的である
。

「発明の効果」 以上説明したように、本発明によれば、基板および透明
電極上に絶縁膜が上面を平坦化された状態で積層されて
いるので、透明電極の肩部における段差がなく、透明電
極が絶縁膜によりしっかりと覆われてショートの発生が
防１Ｆされ、素子の信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を薄膜ＥＬ表示素子に適用した例を示す
部分断面図、第２図、第３図、第４図、第５図および第
６図は同薄膜ＥＬ表示素子の製造に際して基板−にに透
明電極および絶縁膜を形成する工程をそれぞれ順に示す
断面図、第７図は従来の薄膜ＥＬ表示素子の一例を示す
部分断面図である。 図中、１１は基板、１２は透明電極、１３．１３°は絶
縁膜、１４はＥＬ発光膜、１５は絶縁膜、１８は対向電
極である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上にパターン化された透明電極と絶縁膜とを備えた
   表示素子用電極基板において、前記基板および前記透明
   電極上に前記絶縁膜が上面を平坦化された状態で積層さ
   れていることを特徴とする表示素子用電極基板。