JPH03135102A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
- Publication number
- JPH03135102A JPH03135102A JP27158189A JP27158189A JPH03135102A JP H03135102 A JPH03135102 A JP H03135102A JP 27158189 A JP27158189 A JP 27158189A JP 27158189 A JP27158189 A JP 27158189A JP H03135102 A JPH03135102 A JP H03135102A
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- JP
- Japan
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- transistor
- collector
- voltage
- base
- power supply
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スピーカおよびコンバーゼンス・ヨークなど
の負荷を駆動する電力増幅器に係わり、特に誘導性負荷
および容量性負荷を駆動するのに好適な高効率電力増幅
器に関する。
の負荷を駆動する電力増幅器に係わり、特に誘導性負荷
および容量性負荷を駆動するのに好適な高効率電力増幅
器に関する。
近年カラーデイスプレィの高精細化により、水平偏向周
波数は従来の15.75KHzの2倍、4倍と高速化さ
れ、また偏向角も90″から110’へと広角化されて
きている。これに伴いコンバーゼンス補正では、コンバ
ーゼンス・ヨーク(以下CY)を駆動するCY駆動増幅
器の消費電力も増加する方向にある。このためCY駆動
増幅器の消費電力低減が重要な課題となってきている。
波数は従来の15.75KHzの2倍、4倍と高速化さ
れ、また偏向角も90″から110’へと広角化されて
きている。これに伴いコンバーゼンス補正では、コンバ
ーゼンス・ヨーク(以下CY)を駆動するCY駆動増幅
器の消費電力も増加する方向にある。このためCY駆動
増幅器の消費電力低減が重要な課題となってきている。
電力増幅器の高効率化として、特開昭50−45550
号公報で述べられているように、出力振幅に応じて電源
電圧を切り換える方式が知られている。第5図は、この
方式による高効率電力増幅器を示したものである。第5
図において、トランジスタQ1は電力増幅器を行うトラ
ンジスタで、そのベースには信号源1が接続され、エミ
ッタには抵抗負荷4が接続される。そしてコレクタには
、ダイオードD1を介して電源電圧+v1が接続される
。またトランジスタQ2は入力振幅に応じてトランジス
Q1のコレクタに電圧を供給するトランジスタで。
号公報で述べられているように、出力振幅に応じて電源
電圧を切り換える方式が知られている。第5図は、この
方式による高効率電力増幅器を示したものである。第5
図において、トランジスタQ1は電力増幅器を行うトラ
ンジスタで、そのベースには信号源1が接続され、エミ
ッタには抵抗負荷4が接続される。そしてコレクタには
、ダイオードD1を介して電源電圧+v1が接続される
。またトランジスタQ2は入力振幅に応じてトランジス
Q1のコレクタに電圧を供給するトランジスタで。
コレクタには電源電圧+v2が接続されそのエミッタは
トランジスタQ2のベース・エミッタ間逆耐圧保護用の
ダイオードD2を介してトランジスタQ1のコレクタに
接続され、ベースには直流レベル・シフトを行う電圧源
2を介して信号源1に接続される。ここで電源電圧+v
2は電源電圧子v1より電圧の高い電源であり、トラン
ジスタQ2のエミッタ電圧が電源電圧+v1より、低い
場合ダイオードD2はカットオフしておりトランジスタ
Q1のコレクタにはダイオードD1を介して電源電圧+
v1が供給され、負荷に流れる電流は電源電圧+v1か
ら供給される。またトランジスタQ2のエミッタ電圧が
電源電圧+v1より高い場合は、ダイオードD1がカッ
トオフしてトランジスタQ2のエミッタ電圧がダイオー
ドD2を介してトランジスタQlのコレクタに供給され
、負荷に流れる電流は電源電圧+v2から供給される。
トランジスタQ2のベース・エミッタ間逆耐圧保護用の
ダイオードD2を介してトランジスタQ1のコレクタに
接続され、ベースには直流レベル・シフトを行う電圧源
2を介して信号源1に接続される。ここで電源電圧+v
2は電源電圧子v1より電圧の高い電源であり、トラン
ジスタQ2のエミッタ電圧が電源電圧+v1より、低い
場合ダイオードD2はカットオフしておりトランジスタ
Q1のコレクタにはダイオードD1を介して電源電圧+
v1が供給され、負荷に流れる電流は電源電圧+v1か
ら供給される。またトランジスタQ2のエミッタ電圧が
電源電圧+v1より高い場合は、ダイオードD1がカッ
トオフしてトランジスタQ2のエミッタ電圧がダイオー
ドD2を介してトランジスタQlのコレクタに供給され
、負荷に流れる電流は電源電圧+v2から供給される。
以上の電源電圧の切り換えは、トランジスタQ2のベー
ス・エミッタ間順方向電圧をVbe2、また電圧源2の
電圧をVaとした場合、信号源電圧振幅が(V1+Vb
a2−Va)となったトキニ切す換えられる。以上の動
作により、電源電圧が入力信号振幅に応じて切り換えら
れるため、高効率な電力増幅を行うことができる。
ス・エミッタ間順方向電圧をVbe2、また電圧源2の
電圧をVaとした場合、信号源電圧振幅が(V1+Vb
a2−Va)となったトキニ切す換えられる。以上の動
作により、電源電圧が入力信号振幅に応じて切り換えら
れるため、高効率な電力増幅を行うことができる。
しかしながら、上記従来技術ではインダクタンス負荷に
ついては考慮されておらず、抵抗負荷では問題がなかっ
たものの、インダクタンス負荷の場合、トランジスタQ
1のコレクタ電圧が電源電圧v2より高くなるといった
電源電圧切り換えの異常動作があり、また出力波形に歪
みを生じた。
ついては考慮されておらず、抵抗負荷では問題がなかっ
たものの、インダクタンス負荷の場合、トランジスタQ
1のコレクタ電圧が電源電圧v2より高くなるといった
電源電圧切り換えの異常動作があり、また出力波形に歪
みを生じた。
第6図は、・上記電源電圧切り換えを適用したSEPP
(Single End Pu5h Pu1l)
形式の電力増幅器を示したもので、インダクタンスを負
荷としている。第6図において、第4図と同一のものに
ついては同じ記号で示し、説明を省略する。また第7図
は、信号源電圧としてVs*5irlなる信号を入力し
たときのトランジスタQ1のエミッタ電圧波形とコレク
タ電流波形とコレクタ電圧波形の関係を示したもので、
インダクタンス負荷であるためにエミッタ電圧波形とコ
レクタ電流波形の間には、 90”の位相ずれが生じて
いる。以下、第6図と第7図を用いてインダクタンス負
荷の場合の異常動作について説明する。まず、SEPP
回路を形成するNPN型トランジスタQ1での動作につ
いて説明する。トランジスタQ1のベース電圧が負のピ
ーク電圧に達したとき、トランジスタQ2のエミッタ電
圧は電源電圧+v1より低く、トランジスタQ1のコレ
クタにはダイオードD1を介して電源電圧+v1が供給
されている。このためベース・コレクタ間容量には、コ
レクタ側で正でベース側が負のV1+Vsなる電圧が充
電される。そしてベース電圧が負のピーク電圧からの正
のピーク電圧に達するまでの間、トランジスタQ1のコ
レクタには電流が流れていないためベース・エミッタ間
容量に充電された電荷は放電されることがない。このた
めトランジスタQ1のコレクタ電圧は、ベース電圧にベ
ース・コレクタ間容量に充電された電圧分が足された電
圧が発生する。
(Single End Pu5h Pu1l)
形式の電力増幅器を示したもので、インダクタンスを負
荷としている。第6図において、第4図と同一のものに
ついては同じ記号で示し、説明を省略する。また第7図
は、信号源電圧としてVs*5irlなる信号を入力し
たときのトランジスタQ1のエミッタ電圧波形とコレク
タ電流波形とコレクタ電圧波形の関係を示したもので、
インダクタンス負荷であるためにエミッタ電圧波形とコ
レクタ電流波形の間には、 90”の位相ずれが生じて
いる。以下、第6図と第7図を用いてインダクタンス負
荷の場合の異常動作について説明する。まず、SEPP
回路を形成するNPN型トランジスタQ1での動作につ
いて説明する。トランジスタQ1のベース電圧が負のピ
ーク電圧に達したとき、トランジスタQ2のエミッタ電
圧は電源電圧+v1より低く、トランジスタQ1のコレ
クタにはダイオードD1を介して電源電圧+v1が供給
されている。このためベース・コレクタ間容量には、コ
レクタ側で正でベース側が負のV1+Vsなる電圧が充
電される。そしてベース電圧が負のピーク電圧からの正
のピーク電圧に達するまでの間、トランジスタQ1のコ
レクタには電流が流れていないためベース・エミッタ間
容量に充電された電荷は放電されることがない。このた
めトランジスタQ1のコレクタ電圧は、ベース電圧にベ
ース・コレクタ間容量に充電された電圧分が足された電
圧が発生する。
よってこの期間、トランジスタQ1のコレクタ電圧は、
電源電圧v1およびトランジスタQ2のエミッタ電圧よ
り必ず高くダイオードD1およびダイオードD2はカッ
トオフされる。またベース電圧が正のピーク電圧に達し
たときは、トランジスタQ1のコレクタに電流が流れ始
めるため、ベース・エミッタ間容量に充電された電荷は
急速に放電してトランジスタQ2のエミッタから電圧の
供給を受ける動作にはいる。しかしながら、ダイオード
D2およびトランジスタQ2が応答するまでの間トラン
ジスタQ1のべ一人・エミッタ間容量から電圧が供給さ
れるため、−瞬電圧が落ちてまた上がるという動作をす
る。また、5EPP回路を形成するPNP型トランジス
タQ3については、トランジスタQ1と極性が異なるだ
けで、動作は同じであるため説明を省略する。
電源電圧v1およびトランジスタQ2のエミッタ電圧よ
り必ず高くダイオードD1およびダイオードD2はカッ
トオフされる。またベース電圧が正のピーク電圧に達し
たときは、トランジスタQ1のコレクタに電流が流れ始
めるため、ベース・エミッタ間容量に充電された電荷は
急速に放電してトランジスタQ2のエミッタから電圧の
供給を受ける動作にはいる。しかしながら、ダイオード
D2およびトランジスタQ2が応答するまでの間トラン
ジスタQ1のべ一人・エミッタ間容量から電圧が供給さ
れるため、−瞬電圧が落ちてまた上がるという動作をす
る。また、5EPP回路を形成するPNP型トランジス
タQ3については、トランジスタQ1と極性が異なるだ
けで、動作は同じであるため説明を省略する。
以上のように負荷がインダクタンスの場合、負荷に電圧
を供給するが電流を流さない状態が存在するため、出力
トランジスタのベース・コレクタ間容量に電荷が蓄積さ
れる状態が存在する。このため電源電圧切り換えの動作
は、負荷が抵抗の場合とは異なった動作を行う。そして
これが原因して、出力波形に歪みを生じてくる。
を供給するが電流を流さない状態が存在するため、出力
トランジスタのベース・コレクタ間容量に電荷が蓄積さ
れる状態が存在する。このため電源電圧切り換えの動作
は、負荷が抵抗の場合とは異なった動作を行う。そして
これが原因して、出力波形に歪みを生じてくる。
また以上の現象は、負荷が容量性負荷の場合でも同様で
あり、負荷に供給される電圧と電流が同相でない場合に
は、必ず同じ現象が生じる。
あり、負荷に供給される電圧と電流が同相でない場合に
は、必ず同じ現象が生じる。
本発明の目的は、負荷が誘導性負荷あるいは容量性負荷
の場合でも、電源電圧切り換えが正常に動作して、かつ
出力電圧波形および電流波形に歪みが生じない高効率電
圧増幅器を提供することにある。
の場合でも、電源電圧切り換えが正常に動作して、かつ
出力電圧波形および電流波形に歪みが生じない高効率電
圧増幅器を提供することにある。
上記目的は、5EPPを形成する出力トランジスタのベ
ース・エミッタ間容量に充電された電荷を放電させる経
路を設けることにより達成される。
ース・エミッタ間容量に充電された電荷を放電させる経
路を設けることにより達成される。
これにより、5EPPを形成する出力トランジスタのベ
ース・エミッタ間容量には電荷が充電されないため、コ
レクタ電圧が電源電圧以上になることがなく、電源電圧
切り換えが正常に動作する。
ース・エミッタ間容量には電荷が充電されないため、コ
レクタ電圧が電源電圧以上になることがなく、電源電圧
切り換えが正常に動作する。
また出力トランジスタのコレクタ電圧は、必ず電源電圧
v1および■2から供給を受けるため、出力波形に歪み
が発生することがない。
v1および■2から供給を受けるため、出力波形に歪み
が発生することがない。
以下1本発明の実施例を図面を参照して説明する。第1
図は本発明の第1の実施例を示したものである。第1図
において従来回路と同一のものについては、同じ記号で
示し説明を省略する。第1図は、5EPP回路形成する
トランジスタQ1およびトランジスタQ3のコレクタと
グランド間にそれぞれ抵抗R3と抵抗R4を設けたもの
で、トランジスタQ1およびトランジスタQ3のベース
・コレクタ間容量に充電される電荷を信号源の出力イン
ピーダンスと抵抗R3および抵抗R4により引き抜く働
きをする。
図は本発明の第1の実施例を示したものである。第1図
において従来回路と同一のものについては、同じ記号で
示し説明を省略する。第1図は、5EPP回路形成する
トランジスタQ1およびトランジスタQ3のコレクタと
グランド間にそれぞれ抵抗R3と抵抗R4を設けたもの
で、トランジスタQ1およびトランジスタQ3のベース
・コレクタ間容量に充電される電荷を信号源の出力イン
ピーダンスと抵抗R3および抵抗R4により引き抜く働
きをする。
また第2図は、本発明による第2の実施例を示したもの
で第1図と同一のものについては、同じ記号で示し説明
を省略する。ここでは、ダイオードD1の両端とダイオ
ードD3の両端にそれぞれ抵抗R5と抵抗R6を付加し
たもので、トランジスタQ1およびトランジスタQ3の
ベース・コレクタ間に蓄えられた電荷を信号源の出力イ
ンピーダンスと抵抗R5および抵抗R6により引き抜く
働きをする。
で第1図と同一のものについては、同じ記号で示し説明
を省略する。ここでは、ダイオードD1の両端とダイオ
ードD3の両端にそれぞれ抵抗R5と抵抗R6を付加し
たもので、トランジスタQ1およびトランジスタQ3の
ベース・コレクタ間に蓄えられた電荷を信号源の出力イ
ンピーダンスと抵抗R5および抵抗R6により引き抜く
働きをする。
また第3図は、本発明による第3の実施例を示したもの
で第1図と同一のものについては、同じ記号で示し説明
を省略する。ここでは、ダイオードD1の両端とダイオ
ードD3の両端にそれぞれコンデンサC1とコンデンサ
C2を付加したもので、トランジスタQ1のベース・コ
レクタ間に蓄えられた電荷をコンデンサC1に充電し、
トランジスタQ3のベース・コレクタ間に蓄えられた電
荷をコンデンサC2に充電する働きをする。これにより
、トランジスタQ1とトランジスタQ3のベース・コレ
クタ間容量に蓄えられた電荷は、コンデンサC1とコン
デンサC2に引き抜かれる。
で第1図と同一のものについては、同じ記号で示し説明
を省略する。ここでは、ダイオードD1の両端とダイオ
ードD3の両端にそれぞれコンデンサC1とコンデンサ
C2を付加したもので、トランジスタQ1のベース・コ
レクタ間に蓄えられた電荷をコンデンサC1に充電し、
トランジスタQ3のベース・コレクタ間に蓄えられた電
荷をコンデンサC2に充電する働きをする。これにより
、トランジスタQ1とトランジスタQ3のベース・コレ
クタ間容量に蓄えられた電荷は、コンデンサC1とコン
デンサC2に引き抜かれる。
また第4図は、本発明による第4の実施例を示したもの
で第1図と同一のものについては、同じ記号で示し説明
を省略する。ここでは、トランジスタQ1およびトラン
ジスタQ3のベース・エミッタ間に抵抗R7および抵抗
R8を接続して、トランジスタQ1のベース・コレクタ
間容量に蓄えられた電荷を抵抗R7で放電し、トランジ
スタQ3のベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を
抵抗R8で放電するものである。
で第1図と同一のものについては、同じ記号で示し説明
を省略する。ここでは、トランジスタQ1およびトラン
ジスタQ3のベース・エミッタ間に抵抗R7および抵抗
R8を接続して、トランジスタQ1のベース・コレクタ
間容量に蓄えられた電荷を抵抗R7で放電し、トランジ
スタQ3のベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を
抵抗R8で放電するものである。
本発明によれば、負荷が誘導性負荷であってもまた容量
性負荷であっても電源電圧切り換えが異常動作すること
がなく、5EPPを形成する出力トランジスタのコレク
タには必ず電源から供給されるため出力波形に歪みを生
じない。また出力トランジスタのコレクタ電圧が電源電
圧以上となることがないため、トランジスタのコレクタ
・エミッタ間耐圧の点でも有利である。このため、イン
ダクタンスを負荷とするCY@動増幅器としては好適で
、低消費電力かつ低歪みにcyを駆動することが可能と
なる。
性負荷であっても電源電圧切り換えが異常動作すること
がなく、5EPPを形成する出力トランジスタのコレク
タには必ず電源から供給されるため出力波形に歪みを生
じない。また出力トランジスタのコレクタ電圧が電源電
圧以上となることがないため、トランジスタのコレクタ
・エミッタ間耐圧の点でも有利である。このため、イン
ダクタンスを負荷とするCY@動増幅器としては好適で
、低消費電力かつ低歪みにcyを駆動することが可能と
なる。
第1図は本発明の第1の実施例を示した電力増幅器の回
路図、第2図は本発明の第2の実施例を示した電力増幅
器の回路図、第3図は本発明の第3の実施例を示した電
力増幅器の回路図、第4図は本発明の第4の実施例を示
した電力増幅器の回路図、第5図は従来例の電力増幅器
の回路図、第6図は負荷をインダクタンス負荷とした従
来例の電力増幅器の回路図、第7図は第6図での出力ト
ランジスタでの各波形を示した波形図である。 1・・・信号源、 2,3・・・電圧源、4
・・・抵抗負荷、 5・・・インダクタンス負
荷。 %611UイUイタ′j (イニタ゛クタ5スp、笥の
場合ン第 図
路図、第2図は本発明の第2の実施例を示した電力増幅
器の回路図、第3図は本発明の第3の実施例を示した電
力増幅器の回路図、第4図は本発明の第4の実施例を示
した電力増幅器の回路図、第5図は従来例の電力増幅器
の回路図、第6図は負荷をインダクタンス負荷とした従
来例の電力増幅器の回路図、第7図は第6図での出力ト
ランジスタでの各波形を示した波形図である。 1・・・信号源、 2,3・・・電圧源、4
・・・抵抗負荷、 5・・・インダクタンス負
荷。 %611UイUイタ′j (イニタ゛クタ5スp、笥の
場合ン第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ベースに信号が入力され、エミッタに負荷が接続さ
れ、コレクタに第1の電源が第1のダイオードを介して
接続された第1のトランジスタと、エミッタが上記第1
のトランジスタのコレクタに第2のダイオードを介して
接続され、コレクタが第2の電源に接続され、ベースが
上記第1のベースに電圧源を介して接続された第2のト
ランジスタからなる増幅回路において、上記第1のトラ
ンジスタのベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を
放電する経路を設けたことを特徴とする増幅回路。 2、請求項1記載の増幅回路において、プッシュプル回
路を構成したことを特徴とする増幅回路。 3、請求項1記載の増幅回路において、上記第1のトラ
ンジスタのベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を
放電する経路として、上記第1のトランジスタのコレク
タとグランド間に抵抗を接続したことを特徴とする増幅
回路。 4、請求項1記載の増幅回路において、上記第1のトラ
ンジスタのベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を
放電する経路として、上記第1のダイオードの両端に抵
抗を接続したことを特徴とする増幅回路。 5、請求項1記載の増幅回路において、上記第1のトラ
ンジスタのベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を
放電する経路として、上記第1のダイオードの両端にコ
ンデンサを接続したことを特徴とする増幅回路。 6、請求項1記載の増幅回路において、第1のトランジ
スタのベース・コレクタ間容量に蓄えられた電荷を放電
する経路として、第1のトランジスタのベース・エミッ
タ間に抵抗を接続したことを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27158189A JPH03135102A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27158189A JPH03135102A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03135102A true JPH03135102A (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=17502073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27158189A Pending JPH03135102A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03135102A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014033811A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | G級増幅回路 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27158189A patent/JPH03135102A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014033811A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | G級増幅回路 |
| JP5851617B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-02-03 | 三菱電機株式会社 | G級増幅回路 |
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