JPH03135206A - 差動型発振回路 - Google Patents
差動型発振回路Info
- Publication number
- JPH03135206A JPH03135206A JP1274162A JP27416289A JPH03135206A JP H03135206 A JPH03135206 A JP H03135206A JP 1274162 A JP1274162 A JP 1274162A JP 27416289 A JP27416289 A JP 27416289A JP H03135206 A JPH03135206 A JP H03135206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- oscillation
- current source
- base
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、TV用チューナやVTR用RFコンバータ等
の高周波IC回路に利用される差動型発振回路に関する
ものである。
の高周波IC回路に利用される差動型発振回路に関する
ものである。
従来の技術
近年、高周波ICのプロセス技術が進歩し、VHF帯や
UHF帯の高周波発振回路もIC化が容易となり、IC
化で回路接続のしゃすい差動型発振回路が、多く利用さ
れるようになってきている。
UHF帯の高周波発振回路もIC化が容易となり、IC
化で回路接続のしゃすい差動型発振回路が、多く利用さ
れるようになってきている。
以下に従来の差動型発振回路の特に、そのバイアス回路
について説明する。
について説明する。
第5図は従来の差動型発振回路部を示すものである。第
5図において、1.2はそれぞれ差動対を形成する発振
用トランジスタで電圧安定化回路12より抵抗6を介し
てベースバイアスを供給し。
5図において、1.2はそれぞれ差動対を形成する発振
用トランジスタで電圧安定化回路12より抵抗6を介し
てベースバイアスを供給し。
第1の発振トランジスタ1のコレクタは、電源うイン1
1に直接接続し、第2の発振トランジスタ2のコレクタ
はインピーダンス素子4(又は抵抗)を介して電源ライ
ン11に接続している。3は、電流源用トランジスタで
、ベースバイアスは5電圧安定化回路12より抵抗7.
抵抗9の抵抗分割で定電圧が与えられ、エミッタ抵抗1
0との関係で電流源の電流を設定する構成としている。
1に直接接続し、第2の発振トランジスタ2のコレクタ
はインピーダンス素子4(又は抵抗)を介して電源ライ
ン11に接続している。3は、電流源用トランジスタで
、ベースバイアスは5電圧安定化回路12より抵抗7.
抵抗9の抵抗分割で定電圧が与えられ、エミッタ抵抗1
0との関係で電流源の電流を設定する構成としている。
以上のように構成された差動型発振回路の動作について
説明する。第6図において時間1=0時点で電源ライン
11にDC電圧を印加すると、電圧安定化回路12と各
バイアス回路の回路定数により決定される時定数によっ
て過渡応答し、時間1=1.で定常状態となり、全回路
のバイアス電圧が一定となる。
説明する。第6図において時間1=0時点で電源ライン
11にDC電圧を印加すると、電圧安定化回路12と各
バイアス回路の回路定数により決定される時定数によっ
て過渡応答し、時間1=1.で定常状態となり、全回路
のバイアス電圧が一定となる。
第6図は、第6図の従来の差動型発振回路のバイアスを
用いた具体的な差動型発振回路の従来例であり、第1の
発振トランジスタ1のベースと第2の発振トランジスタ
2のコレクタ間に、帰還容量C2,C3、同調容量C4
、同調インダクタンスL1からなる共振回路を形成して
いる。また第2の発振トランジスタ2のベースは、接地
容量C4により接地された構成となっている。第6図の
従来の差動型発振回路の共振回路は第3図に等価でき、
発振周波数f。は下記の(イ)式で近似できる。
用いた具体的な差動型発振回路の従来例であり、第1の
発振トランジスタ1のベースと第2の発振トランジスタ
2のコレクタ間に、帰還容量C2,C3、同調容量C4
、同調インダクタンスL1からなる共振回路を形成して
いる。また第2の発振トランジスタ2のベースは、接地
容量C4により接地された構成となっている。第6図の
従来の差動型発振回路の共振回路は第3図に等価でき、
発振周波数f。は下記の(イ)式で近似できる。
但し、条件として1/2πf oC2埃1 /2πf0
c3埃。
c3埃。
COR;第2の発振トランジスタ2のコレクタベース間
容量 発明が解決しようとする課題 このような従来の構成では、時間t−11以降で発振ト
ランジスタ1.2と電流源トランジスタ3の各々のベー
ス電位は、電圧安定化回路12で安定されているが、回
路を構成する素子の電流発熱により特に電流源トランジ
スタ3のベース、エミッタ間電圧(以下vBKと言う)
が温度変化で小さくなり、エミッタ電位が上昇する。従
って、エミッタ電流が徐々に増加しそれに伴ってインピ
ーダンス素子4による電位降下が大きくなり、発振トラ
ンジスタ2のコレクタ電位が徐々に低下し、コレクタ、
ベース間電位(以下vCBと言う)も除徐に低下する。
容量 発明が解決しようとする課題 このような従来の構成では、時間t−11以降で発振ト
ランジスタ1.2と電流源トランジスタ3の各々のベー
ス電位は、電圧安定化回路12で安定されているが、回
路を構成する素子の電流発熱により特に電流源トランジ
スタ3のベース、エミッタ間電圧(以下vBKと言う)
が温度変化で小さくなり、エミッタ電位が上昇する。従
って、エミッタ電流が徐々に増加しそれに伴ってインピ
ーダンス素子4による電位降下が大きくなり、発振トラ
ンジスタ2のコレクタ電位が徐々に低下し、コレクタ、
ベース間電位(以下vCBと言う)も除徐に低下する。
一般的にトランジスタのコレクタ。
ベース間容量(以下C68と言う)は、vCBの電位差
が小さくなると増加する為2発振トランジスタ2のCC
Bが、時間1=1.以降で徐々に増加する事となり、差
動型発振回路の発振周波数が、前記(イ)式の関係式に
従って徐々に低下し、正規の発振周波数からずれを生ず
るという課題があった。
が小さくなると増加する為2発振トランジスタ2のCC
Bが、時間1=1.以降で徐々に増加する事となり、差
動型発振回路の発振周波数が、前記(イ)式の関係式に
従って徐々に低下し、正規の発振周波数からずれを生ず
るという課題があった。
本発明は、このような課題を解決するもので、差動型発
振回路の発振周波数の電源投入時からのずれを、少なく
すると共に、電源電圧の変動や温度変化に対しても安定
した正規の発振周波数を得る事を目的とするものである
。
振回路の発振周波数の電源投入時からのずれを、少なく
すると共に、電源電圧の変動や温度変化に対しても安定
した正規の発振周波数を得る事を目的とするものである
。
課題を解決するだめの手段
この課題を解決するために本発明は、差動対を有する第
1と第2の発振トランジスタの各々のコレクタに接続さ
れた第1の抵抗又は、インピーダンス素子同志を接続す
るとともに、この抵抗又はインピーダンス素子同志の接
続点に電源ラインより電圧安定化回路を介して電圧を供
給し、前記第1と第2の発振トランジスタの各々のベー
スに接続した第2の抵抗で接続し、この第2の抵抗同志
の接続点に、前記電源ラインより電圧安定化回路を介し
てベースバイアスを供給し、前記第1と纂2の発振トラ
ンジスタのエミッタ同志を接続し、この共通エミッタ点
へ電流源トランジスタのコレクタを接続し、前記電流源
トランジスタのエミッタを抵抗を介して接地し、前記電
流源トランジスタのベースへ、前記電源ラインより電圧
安定化回路と抵抗を介して、ベースバイアスを供給する
とともに、前記電流源トランジスタのベースは、少なく
とも順バイアス方向にPN接合素子を挿入して接地した
ものである。
1と第2の発振トランジスタの各々のコレクタに接続さ
れた第1の抵抗又は、インピーダンス素子同志を接続す
るとともに、この抵抗又はインピーダンス素子同志の接
続点に電源ラインより電圧安定化回路を介して電圧を供
給し、前記第1と第2の発振トランジスタの各々のベー
スに接続した第2の抵抗で接続し、この第2の抵抗同志
の接続点に、前記電源ラインより電圧安定化回路を介し
てベースバイアスを供給し、前記第1と纂2の発振トラ
ンジスタのエミッタ同志を接続し、この共通エミッタ点
へ電流源トランジスタのコレクタを接続し、前記電流源
トランジスタのエミッタを抵抗を介して接地し、前記電
流源トランジスタのベースへ、前記電源ラインより電圧
安定化回路と抵抗を介して、ベースバイアスを供給する
とともに、前記電流源トランジスタのベースは、少なく
とも順バイアス方向にPN接合素子を挿入して接地した
ものである。
作用
この構成によりPN接合素子で温度保障が行えるので、
差動型発振回路の発振周波数の電源投入時からのずれが
少なく、電源電圧の変動や温度変動に対しても安定した
発振周波数が得られる。
差動型発振回路の発振周波数の電源投入時からのずれが
少なく、電源電圧の変動や温度変動に対しても安定した
発振周波数が得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は、本発明の一実施例による差動型発振回路のバ
イアス回路を示す回路図である。第1図において、1,
2はそれぞれ差動対を形成する第1及び第2の発振用ト
ランジスタで、これらの発振用トランジスタ1,2に対
し、ベースバイアスは、電圧安定化回路12より抵抗6
を介し対称に与えられると共に、コレクタ電圧も電圧安
定化回路12より抵抗4を介し対称に供給されている。
イアス回路を示す回路図である。第1図において、1,
2はそれぞれ差動対を形成する第1及び第2の発振用ト
ランジスタで、これらの発振用トランジスタ1,2に対
し、ベースバイアスは、電圧安定化回路12より抵抗6
を介し対称に与えられると共に、コレクタ電圧も電圧安
定化回路12より抵抗4を介し対称に供給されている。
3は電流源用トランジスタでベースバイアスは、電圧安
定化回路12より抵抗7 PN接合素子8、抵抗9で
分割された電圧が与えられ、エミッタ抵抗1oとで電流
源の電流を設定する構成としている。
定化回路12より抵抗7 PN接合素子8、抵抗9で
分割された電圧が与えられ、エミッタ抵抗1oとで電流
源の電流を設定する構成としている。
以上のように構成された差動型発振回路のバイアス回路
について以下その動作説明をする。第1図において時間
1=0時点で電源ライン11にDC電圧を印加すると電
圧安定化回路12と各バイアス回路の回路定数により決
定される時定数によって過渡応答し、時間1=1.で定
常状態となり、全回路のバイアス電圧が一定となる。そ
の後の時間1=1.以降では、電圧安定化回路12より
電圧供給されている発振トランジスタ1,20ベースバ
イアスと抵抗4の中点の電位は安定しているが1回路を
構成する素子の電流発熱でPN接合素子8も温度上昇し
、PN接合素子8の両端間の電位も温度上昇し、1度当
り、約−1,8mVで変化し、電流源トランジスタ3の
ベース電位も同様に徐々に低下する事となる。しかし、
電流源トランジスタ3自身も温度上昇の影響によりペー
スエミッタ間電位(vBx)が低下し、エミッタ電位自
身は常に安定に保たれる事となり、電流源トランジスタ
3のエミッタ電流も常に安定する方向となり、抵抗4に
よる電位降下の値も安定し、発振トランジスタ1,2の
コレクタ電位は、それぞれ同電位でバランスし、安定し
たvCBとなる。すなわちCcBの値の変化も小さくな
り、発振周波数の周波数変動も極めて改善される。
について以下その動作説明をする。第1図において時間
1=0時点で電源ライン11にDC電圧を印加すると電
圧安定化回路12と各バイアス回路の回路定数により決
定される時定数によって過渡応答し、時間1=1.で定
常状態となり、全回路のバイアス電圧が一定となる。そ
の後の時間1=1.以降では、電圧安定化回路12より
電圧供給されている発振トランジスタ1,20ベースバ
イアスと抵抗4の中点の電位は安定しているが1回路を
構成する素子の電流発熱でPN接合素子8も温度上昇し
、PN接合素子8の両端間の電位も温度上昇し、1度当
り、約−1,8mVで変化し、電流源トランジスタ3の
ベース電位も同様に徐々に低下する事となる。しかし、
電流源トランジスタ3自身も温度上昇の影響によりペー
スエミッタ間電位(vBx)が低下し、エミッタ電位自
身は常に安定に保たれる事となり、電流源トランジスタ
3のエミッタ電流も常に安定する方向となり、抵抗4に
よる電位降下の値も安定し、発振トランジスタ1,2の
コレクタ電位は、それぞれ同電位でバランスし、安定し
たvCBとなる。すなわちCcBの値の変化も小さくな
り、発振周波数の周波数変動も極めて改善される。
以下、第2図に示す具体的な差動型発振回路の回路図に
基づきさらに詳しく説明する。
基づきさらに詳しく説明する。
第2図における回路図は、第1図の差動型発振回路のバ
イアス回路に共振回路を形成する素子を、第1の発振ト
ランジスタ1のベースと第2の発振トランジスタ2のコ
レクタ間に、帰還容量C2,C,、同調容量C4、同調
インダクタンスL、にて構成し、さらに、第2の発振ト
ランジスタ2のベースから接地間へ、接地容量C4を挿
入した構成としたものである。第2図における差動型発
振回路の共振回路も前記第3図の等価回路と同様で、発
振周波数f。も(イ)式で近似できる。しかし、前出の
第1図の実施例の差動型発振回路のバイアス回路の動作
説明のように、第2の発振トランジスタ2のvCHの電
位差の安定度が極めて良好な為にCamの変化が極めて
圧縮される。従って(イ)式におけるCcaの変化が小
さく安定しているこの為に発振周波数f。の電源投入時
からのずれが改善される。
イアス回路に共振回路を形成する素子を、第1の発振ト
ランジスタ1のベースと第2の発振トランジスタ2のコ
レクタ間に、帰還容量C2,C,、同調容量C4、同調
インダクタンスL、にて構成し、さらに、第2の発振ト
ランジスタ2のベースから接地間へ、接地容量C4を挿
入した構成としたものである。第2図における差動型発
振回路の共振回路も前記第3図の等価回路と同様で、発
振周波数f。も(イ)式で近似できる。しかし、前出の
第1図の実施例の差動型発振回路のバイアス回路の動作
説明のように、第2の発振トランジスタ2のvCHの電
位差の安定度が極めて良好な為にCamの変化が極めて
圧縮される。従って(イ)式におけるCcaの変化が小
さく安定しているこの為に発振周波数f。の電源投入時
からのずれが改善される。
第4図は、電源投入時を基準とした時間(1)対周波数
変(ヒ(Δfo)の実験データを示すグラフでありHは
、第6図の従来例の特性カーブ、仲)は、第2図の本発
明の一実施例の特性カーブを示しており(ロ)は周波数
変化(Δfo)が小さく、改善されていることが判る。
変(ヒ(Δfo)の実験データを示すグラフでありHは
、第6図の従来例の特性カーブ、仲)は、第2図の本発
明の一実施例の特性カーブを示しており(ロ)は周波数
変化(Δfo)が小さく、改善されていることが判る。
以上のように本実施例によれば、差動型発振回路の発振
トランジスタ1,2のベースバイアスとコレクタ電源を
対称に電圧安定化回路12より供給するとともに、電流
源トランジスタ3のベースバイアスにPN接合素子8を
用いて温度依存性を持たせる事により、発振周波数の電
源投入時からのずれを大幅に改善でき、したがって電源
電圧及び温度の変化に対しても極めて安定した発振周波
数で発振する事が可能となる。
トランジスタ1,2のベースバイアスとコレクタ電源を
対称に電圧安定化回路12より供給するとともに、電流
源トランジスタ3のベースバイアスにPN接合素子8を
用いて温度依存性を持たせる事により、発振周波数の電
源投入時からのずれを大幅に改善でき、したがって電源
電圧及び温度の変化に対しても極めて安定した発振周波
数で発振する事が可能となる。
尚1本実施例では、PM接合素子8をダイオードを用い
て説明したが、トランジスタのベース。
て説明したが、トランジスタのベース。
エミッタ間のPN接合、若しくは、ベース、コレクタ間
のPN接合を用いても同様の効果が得られる。
のPN接合を用いても同様の効果が得られる。
尚、発振トランジスタ1.2及び電流源トランジスタ3
を本実施例では、バイポーラトランジスタを用いて説明
したが、ベースをゲートに、コレフタをドレインに、エ
ミッタをソースに置き換えたFITを用いても同様の効
果が得られる。
を本実施例では、バイポーラトランジスタを用いて説明
したが、ベースをゲートに、コレフタをドレインに、エ
ミッタをソースに置き換えたFITを用いても同様の効
果が得られる。
尚、さらに第2図の実施例において帰還容量C4とC2
の接続点と同調容量C4と同調インダクタンスL、との
接続点間に数+Ωの小抵抗を挿入した場合が、最も改善
効果が大きかった。
の接続点と同調容量C4と同調インダクタンスL、との
接続点間に数+Ωの小抵抗を挿入した場合が、最も改善
効果が大きかった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、差動型発振回路のバイア
ス回路を対称型に且つ、電流源のベースバイアスにPN
接合素子を用いて温度依存性を持たせる事により、発振
周波数の電源投入時からのずれと、電圧及び温度変化に
対する周波数変化を極めて少なくする事が可能となり、
本発明を用いたT’l/チューナやRFコンバータにお
いては、電源投入時から、安定した画質を得る事ができ
るという効果が得られる。
ス回路を対称型に且つ、電流源のベースバイアスにPN
接合素子を用いて温度依存性を持たせる事により、発振
周波数の電源投入時からのずれと、電圧及び温度変化に
対する周波数変化を極めて少なくする事が可能となり、
本発明を用いたT’l/チューナやRFコンバータにお
いては、電源投入時から、安定した画質を得る事ができ
るという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例による差動型発振回路のバイ
アス回路の回路図、第2図は第1図の差動型発振回路の
バイアス回路を用いた具体的な差動型発振回路の回路図
、第3図は差動型発振回路の共振回路の等価回路図、第
4図は差動型発振回路の電源投入時からの時間(1)対
周波数変化(Δf)の従来例との比較を示すグラフ、第
5図は従来例の差動型発振回路のバイアス回路の回路図
、第6図は第6図の従来の差動型発振回路のバイアス回
路を用いた具体的な差動型発振回路の回路図である。 1・゛・°第1の発振トランジスタ、2゛パ・パ第2の
発振トランジスタ、3・・・・・電流源トランジスタ。 4 ゛−−−゛インピーダンス素子、5・・・・・・ベ
ース抵抗、6・・・・・・差動型発振トランジスタの共
通エミッタ点、7・・・・・・ベース抵抗、8・・・・
・・PN接合素子、9・・・・・・抵抗、10゛・・・
”°エミッタ抵抗、11・パ・・電源ライン、12・・
・・・・電圧安定化回路。
アス回路の回路図、第2図は第1図の差動型発振回路の
バイアス回路を用いた具体的な差動型発振回路の回路図
、第3図は差動型発振回路の共振回路の等価回路図、第
4図は差動型発振回路の電源投入時からの時間(1)対
周波数変化(Δf)の従来例との比較を示すグラフ、第
5図は従来例の差動型発振回路のバイアス回路の回路図
、第6図は第6図の従来の差動型発振回路のバイアス回
路を用いた具体的な差動型発振回路の回路図である。 1・゛・°第1の発振トランジスタ、2゛パ・パ第2の
発振トランジスタ、3・・・・・電流源トランジスタ。 4 ゛−−−゛インピーダンス素子、5・・・・・・ベ
ース抵抗、6・・・・・・差動型発振トランジスタの共
通エミッタ点、7・・・・・・ベース抵抗、8・・・・
・・PN接合素子、9・・・・・・抵抗、10゛・・・
”°エミッタ抵抗、11・パ・・電源ライン、12・・
・・・・電圧安定化回路。
Claims (1)
- 差動対を有する第1と第2の発振トランジスタの各々の
コレクタに接続された第1の抵抗又は、インピーダンス
素子同志を接続するとともに、この抵抗又はインピーダ
ンス素子同志の接続点に電源ラインより電圧安定化回路
を介して電圧を供給し、前記第1と第2の発振トランジ
スタの各々のベースに接続した第2の抵抗で接続し、こ
の第2の抵抗同志の接続点に、前記電源ラインより電圧
安定化回路を介してベースバイアスを供給し、前記第1
と第2の発振トランジスタのエミッタ同志を接続し、こ
の共通エミッタ点へ電流源トランジスタのコレクタを接
続し、前記電流源トランジスタのエミッタを抵抗を介し
て接地し、前記電流源トランジスタのベースへ、前記電
源ラインより電圧安定化回路と抵抗を介して、ベースバ
イアスを供給するとともに、前記電流源トランジスタの
ベースは、少なくとも順バイアス方向にPN接合素子を
挿入して接地した差動型発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27416289A JP2874219B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 差動型発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27416289A JP2874219B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 差動型発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03135206A true JPH03135206A (ja) | 1991-06-10 |
| JP2874219B2 JP2874219B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=17537902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27416289A Expired - Fee Related JP2874219B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 差動型発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874219B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006095502A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2008-08-14 | 日本電気株式会社 | 電圧制御発振器および電圧制御発振器の周波数制御方法 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27416289A patent/JP2874219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006095502A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2008-08-14 | 日本電気株式会社 | 電圧制御発振器および電圧制御発振器の周波数制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2874219B2 (ja) | 1999-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920000104B1 (ko) | 크리스탈 발진기 회로 | |
| JPH0693604B2 (ja) | 非安定マルチバイブレータ回路 | |
| US5434544A (en) | Oscillator | |
| JPH04233805A (ja) | 電圧制御平衡発振器回路 | |
| US4063193A (en) | Differential transistor pair integrated circuit oscillator with L-C tank circuit | |
| US6853262B2 (en) | Voltage-controlled oscillator circuit which compensates for supply voltage fluctuations | |
| KR100450252B1 (ko) | 발진회로및발진방법 | |
| US5025229A (en) | Voltage-controlled oscillator using a surface elastic wave resonator | |
| JP2003179430A (ja) | 発振器用集積回路 | |
| US4194158A (en) | Integrated front end circuit for VHF receiver | |
| JP2874219B2 (ja) | 差動型発振回路 | |
| JP2643180B2 (ja) | モノリシック集積回路 | |
| JPH0519321B2 (ja) | ||
| US20010052826A1 (en) | Voltage-controlled oscillator | |
| JP2003218634A (ja) | 発振回路 | |
| JPH03280605A (ja) | 可変周波数発振器 | |
| JP2576193B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPS6125241B2 (ja) | ||
| JPS61267403A (ja) | 1端子型発振回路 | |
| JPH11177339A (ja) | 発振回路 | |
| JP2000299608A (ja) | 発振回路 | |
| JPH0127295Y2 (ja) | ||
| JPH0812976B2 (ja) | 電圧制御形発振回路 | |
| JPS6029214Y2 (ja) | マイクロ波トランジスタ発振器 | |
| JPH01300604A (ja) | 電圧制御型圧電発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |