JPH0313578A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0313578A JPH0313578A JP14732289A JP14732289A JPH0313578A JP H0313578 A JPH0313578 A JP H0313578A JP 14732289 A JP14732289 A JP 14732289A JP 14732289 A JP14732289 A JP 14732289A JP H0313578 A JPH0313578 A JP H0313578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film forming
- thin film
- film
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜形成装置に関し、特に基板ホルダを用
いた連続、単室薄膜形成装置に関するものである。
いた連続、単室薄膜形成装置に関するものである。
第２図（ａ）は従来の薄膜形成装置における基板ホルダ
を示す断面図であり、１は基板ホルダ、２はこの基板ホ
ルダ１に固定され、基板を裏面から固定する押さえ金具
、３は基板、４は基板３の厚み方向の位置を固定するテ
ラス部である。
を示す断面図であり、１は基板ホルダ、２はこの基板ホ
ルダ１に固定され、基板を裏面から固定する押さえ金具
、３は基板、４は基板３の厚み方向の位置を固定するテ
ラス部である。
基板ホルダ１に設置された基板３は、基板３の厚み方向
の位置を固定するテラス部４に接触する。
の位置を固定するテラス部４に接触する。
次いで基板裏面より押さえ金具２によってテラス部４に
押さえることにより基板ホルダ１に固定される。
押さえることにより基板ホルダ１に固定される。
第２図（Ｃ）は従来の連ｗＥ薄膜形成装置の概念図であ
り、１は基板ホルダ、５ａ、５ｂは成膜チャンバ、６は
基板加熱ヒータ、７は対向電極、８ａ。
り、１は基板ホルダ、５ａ、５ｂは成膜チャンバ、６は
基板加熱ヒータ、７は対向電極、８ａ。
８ｂ、８ｃはゲートバルブ、９はガス導入口、１０はガ
ス排気系である。
ス排気系である。
基板３が固定された基板ホルダ１をゲートバルブ８ａを
開いて、成膜チャンバ５ａ内に入れる。
開いて、成膜チャンバ５ａ内に入れる。
次いで基板ホルダｌは基板加熱ヒータ６によって一定温
度に制御され、ガス排気系１９によって真空排気される
。所定の真空度に達した後、成膜が開始される。成膜終
了後、隣接成膜チャンバ５ｂとのゲートパルプ８ｂを開
いて、基板ホルダ１を隣りの成膜チャンバ５ｂ内に入れ
る。成膜チャンバ５ｂ内で更に成膜が行われる。
度に制御され、ガス排気系１９によって真空排気される
。所定の真空度に達した後、成膜が開始される。成膜終
了後、隣接成膜チャンバ５ｂとのゲートパルプ８ｂを開
いて、基板ホルダ１を隣りの成膜チャンバ５ｂ内に入れ
る。成膜チャンバ５ｂ内で更に成膜が行われる。
従来の基板ホルダは以上のように構成されているので、
基板の裏面に成膜できず、裏面に成膜するには、−二基
板表面に成膜した後、形成装置から取り出し、基板を基
板ホルダから取り外して、再度セットし直してから成膜
することが必要で、作業能率が低く、また表面に形成し
た薄膜にキズを生じさせる等の問題点があった。
基板の裏面に成膜できず、裏面に成膜するには、−二基
板表面に成膜した後、形成装置から取り出し、基板を基
板ホルダから取り外して、再度セットし直してから成膜
することが必要で、作業能率が低く、また表面に形成し
た薄膜にキズを生じさせる等の問題点があった。
また、従来の単室および連続薄膜形成装置は、基板ホル
ダの片面のみに薄膜を成長させるため、連続で基板の両
面に薄膜を形成することができないという問題があった
。
ダの片面のみに薄膜を成長させるため、連続で基板の両
面に薄膜を形成することができないという問題があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、基板を容易に脱着でき、かつ基板を取り外
すことな（基板両面に所望の薄膜を形成できる基板ホル
ダを有し、かつ真空を破らずに基板両面に薄膜形成を行
うことのできる薄膜形成装置を得ることを目的とする。
れたもので、基板を容易に脱着でき、かつ基板を取り外
すことな（基板両面に所望の薄膜を形成できる基板ホル
ダを有し、かつ真空を破らずに基板両面に薄膜形成を行
うことのできる薄膜形成装置を得ることを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、基板の端部を伸縮動作
する金具で固定する基板ホルダを有し、かつ成膜室を、
２つの成膜機構を対向して備えた１つの成膜室、あるい
は隣合う成膜室の成膜機構が対向した位置に設けられた
２連の成膜室とし、基板の両面に同時あるいは片面ごと
に同種又は異種の薄膜を、基板を大気にさらすことなく
、形成可能としたものである。
する金具で固定する基板ホルダを有し、かつ成膜室を、
２つの成膜機構を対向して備えた１つの成膜室、あるい
は隣合う成膜室の成膜機構が対向した位置に設けられた
２連の成膜室とし、基板の両面に同時あるいは片面ごと
に同種又は異種の薄膜を、基板を大気にさらすことなく
、形成可能としたものである。
この発明における薄膜形成装置は、基板が、基板ホルダ
に設けた伸縮動作し基板端部のみを被う金具で基板ホル
ダに固定され、かつ成膜室が、一つの真空室内に対向し
た２つの成膜機構をもつ装置、あるいは隣り合う真空室
のそれぞれの成膜機構が対向した位置に設けられた連続
成膜装置であるため、真空を破ったり、基板を基板ホル
ダからはずし裏返して再セットする手間を要することな
く基板の両面に薄膜を形成することができる。
に設けた伸縮動作し基板端部のみを被う金具で基板ホル
ダに固定され、かつ成膜室が、一つの真空室内に対向し
た２つの成膜機構をもつ装置、あるいは隣り合う真空室
のそれぞれの成膜機構が対向した位置に設けられた連続
成膜装置であるため、真空を破ったり、基板を基板ホル
ダからはずし裏返して再セットする手間を要することな
く基板の両面に薄膜を形成することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による薄膜形成装置
の基板ホルダを示し、第１図（ｂ）、 （Ｃ）は押さえ
金具の構造断面図を示す、第１図において、３は基板で
ある。１は基板ホルダ本体であり、これは、装着される
基板３の２つの主面のそれぞれの大部分（９０％以上）
の面積を露出する開口を持つ。
の基板ホルダを示し、第１図（ｂ）、 （Ｃ）は押さえ
金具の構造断面図を示す、第１図において、３は基板で
ある。１は基板ホルダ本体であり、これは、装着される
基板３の２つの主面のそれぞれの大部分（９０％以上）
の面積を露出する開口を持つ。
２は伸縮動作し、基板３を固定する押さえ金具、１１は
押さえ金具２を基板３に押さえるために押さえ金具内部
に内蔵されたバネであり、これにより押さえ金具２は基
板を十分な強度と安定度で保持する機構として機能する
。
押さえ金具２を基板３に押さえるために押さえ金具内部
に内蔵されたバネであり、これにより押さえ金具２は基
板を十分な強度と安定度で保持する機構として機能する
。
基板ホルダ本体１に設けられた押さえ金具２を第１図（
ａ）図示上方に押し上げ、基板３を基板ホル固定される
。
ａ）図示上方に押し上げ、基板３を基板ホル固定される
。
第１図（ｄ）、 （ｅ）はそれぞれこの発明による連続
薄膜形成装置および単室薄膜形成装置の概念図であり、
１は基板ホルダ、５ａ、５ｂは成膜チャンバ、６は基板
加熱ヒータ、７は対向電極、８ａ、８ｂ。
薄膜形成装置および単室薄膜形成装置の概念図であり、
１は基板ホルダ、５ａ、５ｂは成膜チャンバ、６は基板
加熱ヒータ、７は対向電極、８ａ、８ｂ。
８ｃはゲートバルブ、９はガス導入口、１０はガス排気
系である。
系である。
これらの装置は、１つのチャンバー内に、あるいは隣設
した２つのチャンバー内に、２つの対向電極７を有する
。従って、基板３の両面を露出して固定された基板ホル
ダ１を用いることにより、真空を破らず、したがって基
板を大気にさらすことなく、また基板３を取り外すこと
なく基板の両面に同時に、あるいは片面ごとに同種又は
異種の薄膜を、形成可能である。
した２つのチャンバー内に、２つの対向電極７を有する
。従って、基板３の両面を露出して固定された基板ホル
ダ１を用いることにより、真空を破らず、したがって基
板を大気にさらすことなく、また基板３を取り外すこと
なく基板の両面に同時に、あるいは片面ごとに同種又は
異種の薄膜を、形成可能である。
以上のように、この発明によれば伸縮する金具を持つ基
板ホルダにより、基板を基板の両面が露出した状態で保
持するようにし、かつ、１つの成膜チャンバ内、あるい
は隣設チャンバ内に２つの成膜機構を対向させて設置す
るようにしたため、基板の脱着が容易であるとともに、
基板を取り外すことなく、かつ真空を破らずに基板両面
に成膜できる効果がある。
板ホルダにより、基板を基板の両面が露出した状態で保
持するようにし、かつ、１つの成膜チャンバ内、あるい
は隣設チャンバ内に２つの成膜機構を対向させて設置す
るようにしたため、基板の脱着が容易であるとともに、
基板を取り外すことなく、かつ真空を破らずに基板両面
に成膜できる効果がある。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による基板ホルダの
概略図、第１図（ｂ）、 （Ｃ）は押さえ金具の構造断
面図、第１図（イ）、（ｅ）は薄膜形成装置の概念図、
第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の基板ホルダを示す平面
図、および断面図、第２図（Ｃ）は従来の連続薄膜形成
装置の概念図である。 １は基板ホルダ本体、２は押さえ金具、３は基板、４は
テラス部、５ａ、５ｂは成膜チャンバ、６は基板加熱ヒ
ータ、７は対向電極、８ａ、８ｂはゲートバルブ、９は
ガス導入口、１０はガス排気系である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １０ニア７右Ｉ齋逆 第 図 （０） （ｂ） （Ｃ）
概略図、第１図（ｂ）、 （Ｃ）は押さえ金具の構造断
面図、第１図（イ）、（ｅ）は薄膜形成装置の概念図、
第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の基板ホルダを示す平面
図、および断面図、第２図（Ｃ）は従来の連続薄膜形成
装置の概念図である。 １は基板ホルダ本体、２は押さえ金具、３は基板、４は
テラス部、５ａ、５ｂは成膜チャンバ、６は基板加熱ヒ
ータ、７は対向電極、８ａ、８ｂはゲートバルブ、９は
ガス導入口、１０はガス排気系である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １０ニア７右Ｉ齋逆 第 図 （０） （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- （１） 薄膜が形成される基板を装着する基板ホルダを
有する薄膜形成装置において、 上記基板ホルダは、 装着される基板の２つの主面のそれぞれの大部分の面積
を露出した状態で、上記基板を十分な強度と安定度で保
持する機構をもち、 かつ成膜室として、２つの成膜機構を対向して備えた１
つの成膜室、あるいは隣合う成膜室の成膜機構が対向し
た位置に設けられた２連の成膜室を備え、 基板の両面に同時あるいは片面ごとに同種又は異種の薄
膜を、基板を大気にさらすことなく形成可能であること
を特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732289A JPH0313578A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732289A JPH0313578A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0313578A true JPH0313578A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15427565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14732289A Pending JPH0313578A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0313578A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058121A1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Method and device for plasma cvd |
| JP2013072132A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14732289A patent/JPH0313578A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
| WO2002058121A1 (en) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Method and device for plasma cvd |
| JP2002217119A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ法及び装置 |
| US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
| AU2002225452B2 (en) * | 2001-01-22 | 2006-08-10 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Method and device for plasma CVD |
| CN100349261C (zh) * | 2001-01-22 | 2007-11-14 | 石川岛播磨重工业株式会社 | 等离子体cvd法及其装置 |
| JP2013072132A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4339300A (en) | Process for smoothing surfaces of crystalline materials | |
| EP0214515A3 (en) | Method and apparatus for forming metal silicide | |
| US4097636A (en) | Metallized device | |
| JPH0313578A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| EP0810306A3 (en) | Semiconductor liquid phase epitaxial growth method and apparatus, and its wafer holder | |
| JPS62193141A (ja) | ウエハ−保持機構 | |
| KR970018001A (ko) | 반도체 장치 내의 화학 증기 증착 알루미늄층의 제작 공정 | |
| JPH0927454A (ja) | 選択蒸着用マスク | |
| JP2001234327A (ja) | スパッタ用治具 | |
| WO2003032371A3 (en) | High-throughput thin-film fabrication vacuum flange | |
| JPH0596059U (ja) | 基板保持装置 | |
| JPS6315439A (ja) | 選択酸化分離方法 | |
| JPH0248422Y2 (ja) | ||
| JPS62119924A (ja) | 透過マスクの作製方法 | |
| JPS5819470A (ja) | マスク蒸着方法 | |
| JPH04210466A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPS63118062A (ja) | スパツタリング方法 | |
| JPH0273973A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS60180125A (ja) | 真空装置用試料保持治具装置 | |
| JPH02271550A (ja) | ウエハ基板の固定方法 | |
| RU96110939A (ru) | Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния | |
| JPH0249710Y2 (ja) | ||
| JPH0714363Y2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08250448A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JP2005101849A (ja) | 圧電基板の製造方法 |