JPS63118062A - スパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS63118062A JPS63118062A JP61265921A JP26592186A JPS63118062A JP S63118062 A JPS63118062 A JP S63118062A JP 61265921 A JP61265921 A JP 61265921A JP 26592186 A JP26592186 A JP 26592186A JP S63118062 A JPS63118062 A JP S63118062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- sputtering
- sheet
- holes
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスパッタリング方法に関するものである。
従来の技術
以下、図面ｋｇ照にしながら従来のスパッタ用マスキン
グ方法について説明を行う。
グ方法について説明を行う。
従来のスパッタ用マスキング方法は第２図に示す様に基
台１上に板スパッタ物である絶縁基板２を置き、その上
から絶縁基板２のＳｉＣ薄膜を形成すべき所に合わせて
設けたマスク穴４を有する厚さ０．２ｍｍ〜２．□ｍｍ
の金属製のマスク板３を密着させて重ね、ビス６、ナツ
ト７にて固定して行っていた。
台１上に板スパッタ物である絶縁基板２を置き、その上
から絶縁基板２のＳｉＣ薄膜を形成すべき所に合わせて
設けたマスク穴４を有する厚さ０．２ｍｍ〜２．□ｍｍ
の金属製のマスク板３を密着させて重ね、ビス６、ナツ
ト７にて固定して行っていた。
発明が解決しようとする問題点
ところがこの様な従来の方法では、マスク板３はヒータ
ーでの加熱、スパッタエネルギーによる発熱、およびマ
スク板３とマスク板３に付着するＳＩＧとの熱膨張系数
の相異により、スパッタ中にマスク板３が反りマスク板
３と被スパツタ物である絶縁基板２の間に空隙が生じ、
絶縁基板２上の８１Ｇが形成されるべき所の周囲にもＳ
ｉＣかにじんだ様に形成され、マスク板３が機能全十分
にはださなかった。また、マスク＆３を厚くすることに
よりマスク板３の反りを小さくする事はできるが、逆に
、絶縁基板２のスパッタされるべき所がマスク板３の影
となって、絶縁基板２に規定のＳＩＧの膜厚を得るだめ
のスパッタ時間が長くなり、実用に供せなかった。
ーでの加熱、スパッタエネルギーによる発熱、およびマ
スク板３とマスク板３に付着するＳＩＧとの熱膨張系数
の相異により、スパッタ中にマスク板３が反りマスク板
３と被スパツタ物である絶縁基板２の間に空隙が生じ、
絶縁基板２上の８１Ｇが形成されるべき所の周囲にもＳ
ｉＣかにじんだ様に形成され、マスク板３が機能全十分
にはださなかった。また、マスク＆３を厚くすることに
よりマスク板３の反りを小さくする事はできるが、逆に
、絶縁基板２のスパッタされるべき所がマスク板３の影
となって、絶縁基板２に規定のＳＩＧの膜厚を得るだめ
のスパッタ時間が長くなり、実用に供せなかった。
第３図はスパッタ用マスク板３の厚みとマスク板の反り
及びスパッタ時間との関係を示す図である。同図から明
らかな様に、マスク板３の反りは厚みを厚くすると少な
くなるがスパッタ時間が長くなる。
及びスパッタ時間との関係を示す図である。同図から明
らかな様に、マスク板３の反りは厚みを厚くすると少な
くなるがスパッタ時間が長くなる。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、マスク板が
反りにくく、かつ短時間で板スパッタ物である絶縁基板
に規定のＳｉＣ膜厚の得られるスパッタリング方法を提
供することを目的とするものである。
反りにくく、かつ短時間で板スパッタ物である絶縁基板
に規定のＳｉＣ膜厚の得られるスパッタリング方法を提
供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明のスパッタ用マスキ
ング方法は、仮スパッタ物である絶縁基板のＳｉＣが飛
来する面に、絶縁基板のＳｉＣ薄膜を形成さすべき所に
合わせて設けた貫通穴を有する金属製マスク板を密着さ
せ、さらに前記金属板に、前記貫通穴と同位置に前記貫
通穴より一回り大きな貫通穴を設けた金属製マスク押え
板を密着させてスパッタを行うものである。
ング方法は、仮スパッタ物である絶縁基板のＳｉＣが飛
来する面に、絶縁基板のＳｉＣ薄膜を形成さすべき所に
合わせて設けた貫通穴を有する金属製マスク板を密着さ
せ、さらに前記金属板に、前記貫通穴と同位置に前記貫
通穴より一回り大きな貫通穴を設けた金属製マスク押え
板を密着させてスパッタを行うものである。
作用
この方法により、従来の方法では反りにより機能を十分
はたさないくらいにマスク板を薄くしても、マスク押え
板が、マスク板を押えつけているため、マスク板はほと
んど反ることはない。また、マスク押え板の貫通穴は、
マスク板の貫通穴と同位置でかつ−回り大きいので、被
スパツタ物である絶縁基板のスパッタされるべき所がマ
スク押え板の影となる影響は小さい。よってこの方法を
用いることでＳｉＣのにじみが無く、かつ短時間で被ス
パツタ物である絶縁基板に規定のＳｉＣ膜厚の得られる
こととなる。
はたさないくらいにマスク板を薄くしても、マスク押え
板が、マスク板を押えつけているため、マスク板はほと
んど反ることはない。また、マスク押え板の貫通穴は、
マスク板の貫通穴と同位置でかつ−回り大きいので、被
スパツタ物である絶縁基板のスパッタされるべき所がマ
スク押え板の影となる影響は小さい。よってこの方法を
用いることでＳｉＣのにじみが無く、かつ短時間で被ス
パツタ物である絶縁基板に規定のＳｉＣ膜厚の得られる
こととなる。
実施例
以下、本発明の一実施例のスパッタ用マスキング方法を
図面を５照に説明する。
図面を５照に説明する。
第１図に示すように、基台１上に被スパツタ物である絶
縁基板２を置き、その上から絶縁基板２のＳｉＣ薄膜を
形成すべき所に合わせて設けたマスク穴４を有する厚さ
０．０５〜Ｑ、５ｍｍの金属製マスク板３を密着して重
ね、さらにその上からマスク板３と同位置でマスク穴４
より、周囲に板厚分大きくした貫通穴を有するマスク押
え板５を密着して重ね、ビス６、ナツト７にて固定して
スパッタを行う方法である。以上の方法にてマスク板の
反りが、Ｑ 、 ３ ｍｍ以下、１０μｍのｓｉ、ｃ膜
厚を得るためのスパッタ時間は１０時間以下という効果
が得られた。
縁基板２を置き、その上から絶縁基板２のＳｉＣ薄膜を
形成すべき所に合わせて設けたマスク穴４を有する厚さ
０．０５〜Ｑ、５ｍｍの金属製マスク板３を密着して重
ね、さらにその上からマスク板３と同位置でマスク穴４
より、周囲に板厚分大きくした貫通穴を有するマスク押
え板５を密着して重ね、ビス６、ナツト７にて固定して
スパッタを行う方法である。以上の方法にてマスク板の
反りが、Ｑ 、 ３ ｍｍ以下、１０μｍのｓｉ、ｃ膜
厚を得るためのスパッタ時間は１０時間以下という効果
が得られた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、マスク板にマスク板と同
位置にマスク穴より一回り大きい貫通穴を有するマスク
押え板を重ねることにより、Ｓ工Ｇのにじみがなく、か
つ短時間で規定のＳｉＣ膜厚を得られるスパッタ用マス
キング方法を提供することができる。
位置にマスク穴より一回り大きい貫通穴を有するマスク
押え板を重ねることにより、Ｓ工Ｇのにじみがなく、か
つ短時間で規定のＳｉＣ膜厚を得られるスパッタ用マス
キング方法を提供することができる。
第１図は本発明における一実施例のスパッタ用マスキン
グ方法の斜視図、第２図は従来例のスパッタ用マスキン
グ方法の斜視図、第３図はマスク板厚さとスパッタ時間
及びマスク板反りとの関係を示す図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・絶縁基板、３・・
・・・・マスク板、４・・・・・・マスク穴、５・・・
・・・マスク押え板、６・・・・・・ビス、７・・・・
・・ナツト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
グ方法の斜視図、第２図は従来例のスパッタ用マスキン
グ方法の斜視図、第３図はマスク板厚さとスパッタ時間
及びマスク板反りとの関係を示す図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・絶縁基板、３・・
・・・・マスク板、４・・・・・・マスク穴、５・・・
・・・マスク押え板、６・・・・・・ビス、７・・・・
・・ナツト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- ＳｉＣ薄膜をスパッタにより絶縁基板の特定部分に形成
するに際し、前記絶縁基板のＳｉＣが飛来する面に、前
記絶縁基板のＳｉＣ薄膜を形成さすべき所に合わして設
けた貫通穴を有する金属板を密着させ、さらに前記金属
板に、前記貫通穴と同位置に前記貫通穴より大きな貫通
穴を設けた押え金属板を密着させスパッタを行うことを
特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265921A JPS63118062A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | スパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265921A JPS63118062A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | スパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118062A true JPS63118062A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17423942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61265921A Pending JPS63118062A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | スパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63118062A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4988424A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-29 | Ppg Industries, Inc. | Mask and method for making gradient sputtered coatings |
| JP2007065439A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電気光学装置用マスク部材 |
| KR100976617B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2010-08-18 | 주식회사 제온시스 | 기판 증착용 지그 |
| US7820016B2 (en) * | 2005-06-27 | 2010-10-26 | Lg Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method of preventing damage thereof |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61265921A patent/JPS63118062A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4988424A (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-29 | Ppg Industries, Inc. | Mask and method for making gradient sputtered coatings |
| US7820016B2 (en) * | 2005-06-27 | 2010-10-26 | Lg Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method of preventing damage thereof |
| US8052853B2 (en) | 2005-06-27 | 2011-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method of preventing damage thereof |
| JP2007065439A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電気光学装置用マスク部材 |
| KR100976617B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2010-08-18 | 주식회사 제온시스 | 기판 증착용 지그 |
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