JPS62119924A - 透過マスクの作製方法 - Google Patents
透過マスクの作製方法Info
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- JPS62119924A JPS62119924A JP61270824A JP27082486A JPS62119924A JP S62119924 A JPS62119924 A JP S62119924A JP 61270824 A JP61270824 A JP 61270824A JP 27082486 A JP27082486 A JP 27082486A JP S62119924 A JPS62119924 A JP S62119924A
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- mask
- resist
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- etching
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電磁輻射線または粒子線に対して透過性の部分
を備えたマスク膜のためのホルダ枠を有する、電磁輻射
線や粒子線用の透過マスクを作製する方法に関する。こ
のようなマスクの使用に際してマスク膜の各パターン、
すなわちマスクの透過性部分（開口部）のパターンが種
々の基材、中でも半導体基材の上に転写される。
を備えたマスク膜のためのホルダ枠を有する、電磁輻射
線や粒子線用の透過マスクを作製する方法に関する。こ
のようなマスクの使用に際してマスク膜の各パターン、
すなわちマスクの透過性部分（開口部）のパターンが種
々の基材、中でも半導体基材の上に転写される。
［従来の技術］
このようなマスクは電子線−、イオン線−１およびＸ線
リソグラフィーのために半導体工業において用いられる
。これらのマスク膜は数ｃｍ２ 以上の表面積におい
て僅かに０．００１ ｍｍの範囲の厚さを有しているの
でこれはその作製や、或は使用に際しての輸送のためば
かりでなく、平坦なマスク表面を保証するために、環状
または枠状にそのマスク膜を取り囲むホルダを必要とす
る。
リソグラフィーのために半導体工業において用いられる
。これらのマスク膜は数ｃｍ２ 以上の表面積におい
て僅かに０．００１ ｍｍの範囲の厚さを有しているの
でこれはその作製や、或は使用に際しての輸送のためば
かりでなく、平坦なマスク表面を保証するために、環状
または枠状にそのマスク膜を取り囲むホルダを必要とす
る。
運転においてその透過性マスク膜の上に入射する電磁線
又は粒子線はそのマスク膜の加熱をもたらす。それによ
ってもたらされるマスク膜の膨弓長をできるだけ小さく
保つために、このマスクの上に入射するエネルギー密度
を制限してマスクの上のパターンの形状変化を無視でき
るようにするかまたはマスク膜をこれが予備緊張された
状態、すなわち運転時の線照射が開始される前に既に緊
張された状態に保つようにそのマスク膜を作製すること
ができる。このような予備緊張はそのマスク膜の作製に
際して既に、例えば気相から窒化はう素を析出させるこ
とにより、または窒化珪素／酸化珪素の多重層を析出さ
せることによって適当な製造条件を選ぶことによりその
膜の中に形成させるか、或はまたこのものを作製した後
で、その最初は応力のない状態で基材の上で作られたマ
スク膜を嵩高な取付枠内に張り渡すことによって達成す
ることができる。後者の方法はオーストリア特許第：１
７１，９４７ 号公報に熱的予備緊張法として記述さ
れている。この場合にはその金属膜（例えばニッケルよ
りなる）を室温よりも低い温度において、熱膨張係数が
この膜よりも大きな枠の中に張り渡す。この装着温度か
ら出発して温度を上昇させることによりその枠は膜を緊
張させる。この膜は運転の際に写像媒質、例えば電磁線
や粒子線の作用のもとてその膜の予備張力が失われてし
まわないような強さにしか加熱されるべきでない。しか
しながらマスクの作動温度を本質的に１００℃よりも低
く制限することは次の二つの理由から不利である。すな
わちまず第一に高い生産高（１時間当たりの加工された
基材の数）を保証するために純粋に製造技術の上から基
材の上で、また従ってマスクの上でのできるだけ高い作
業密度が必要である。このような高い作業密度は有機フ
ォトラッカーのみならず種々の無機質の層の上にもパタ
ーン形成することができるようなイオン線リソグラフィ
ー装置によってもたらされる。その上に例えばマスクを
真空のもとで使用するような種々のプロセスにおいては
１００℃よりも高いマスク温度が有利であり、と言うの
はそのような温度においてマスクの上に入射する粒子の
蓄積と叩き出しとの間の動的平衡（不純物層等）がもた
らされるからである。前記した熱的予備緊張法によって
取り付けられた金属膜マスクを有するマスクは一般にテ
ストの目的にしか適せず、と言うのはその予備緊張によ
ってマスクの上のパターンの許容できない歪みが現われ
るからである。
又は粒子線はそのマスク膜の加熱をもたらす。それによ
ってもたらされるマスク膜の膨弓長をできるだけ小さく
保つために、このマスクの上に入射するエネルギー密度
を制限してマスクの上のパターンの形状変化を無視でき
るようにするかまたはマスク膜をこれが予備緊張された
状態、すなわち運転時の線照射が開始される前に既に緊
張された状態に保つようにそのマスク膜を作製すること
ができる。このような予備緊張はそのマスク膜の作製に
際して既に、例えば気相から窒化はう素を析出させるこ
とにより、または窒化珪素／酸化珪素の多重層を析出さ
せることによって適当な製造条件を選ぶことによりその
膜の中に形成させるか、或はまたこのものを作製した後
で、その最初は応力のない状態で基材の上で作られたマ
スク膜を嵩高な取付枠内に張り渡すことによって達成す
ることができる。後者の方法はオーストリア特許第：１
７１，９４７ 号公報に熱的予備緊張法として記述さ
れている。この場合にはその金属膜（例えばニッケルよ
りなる）を室温よりも低い温度において、熱膨張係数が
この膜よりも大きな枠の中に張り渡す。この装着温度か
ら出発して温度を上昇させることによりその枠は膜を緊
張させる。この膜は運転の際に写像媒質、例えば電磁線
や粒子線の作用のもとてその膜の予備張力が失われてし
まわないような強さにしか加熱されるべきでない。しか
しながらマスクの作動温度を本質的に１００℃よりも低
く制限することは次の二つの理由から不利である。すな
わちまず第一に高い生産高（１時間当たりの加工された
基材の数）を保証するために純粋に製造技術の上から基
材の上で、また従ってマスクの上でのできるだけ高い作
業密度が必要である。このような高い作業密度は有機フ
ォトラッカーのみならず種々の無機質の層の上にもパタ
ーン形成することができるようなイオン線リソグラフィ
ー装置によってもたらされる。その上に例えばマスクを
真空のもとで使用するような種々のプロセスにおいては
１００℃よりも高いマスク温度が有利であり、と言うの
はそのような温度においてマスクの上に入射する粒子の
蓄積と叩き出しとの間の動的平衡（不純物層等）がもた
らされるからである。前記した熱的予備緊張法によって
取り付けられた金属膜マスクを有するマスクは一般にテ
ストの目的にしか適せず、と言うのはその予備緊張によ
ってマスクの上のパターンの許容できない歪みが現われ
るからである。
［発明の目的］
本発明の対象は平坦でできるだけ内部応力のない金属製
マスク膜が実現されるような透過マスクのための作製方
法である。これに対して本文の初めにあげた類の方法の
一つにおいて本発明によれば、シリコンウェハに少なく
ともその一方の表面の上に環状または枠状の、好ましく
は二酸化珪素および窒化珪素の層よりなる、エツチング
剤に対して珪素よりも高い抵抗性を持つ物質からなる被
覆層を設けること、この環状または枠状の被覆層を設け
た表面と相対する表面上に、好ましくはクロムおよび銅
よりなる接着媒介層を設けること、この層の上に金属製
マスク膜を構成して内部応力のない状態でパターンを形
成し、その際上記マスクの構成は好ましくはインバー鋼
の電着により、蒸着により、又はスパッタリングによっ
て行なうことができ、そして上記マスク膜のパターン形
成をレジストマスク法により、また蒸着或はスパッタリ
ングの場合にはリフトオフ法またはエツチングにより、
好ましくは異方性反応性イオンエツチング法により行な
うこと、およびウェハの材料が上記環状又は枠状の被覆
によって取り囲まれた内側部分において少なくとも上記
マスク膜の層までまたは上記マスク膜がその上に形成さ
れている層までエツチングにより除去し、そしてそれに
より暴露された接着媒介層を選択的エツチングによって
同様に除去すること、が提案される。
マスク膜が実現されるような透過マスクのための作製方
法である。これに対して本文の初めにあげた類の方法の
一つにおいて本発明によれば、シリコンウェハに少なく
ともその一方の表面の上に環状または枠状の、好ましく
は二酸化珪素および窒化珪素の層よりなる、エツチング
剤に対して珪素よりも高い抵抗性を持つ物質からなる被
覆層を設けること、この環状または枠状の被覆層を設け
た表面と相対する表面上に、好ましくはクロムおよび銅
よりなる接着媒介層を設けること、この層の上に金属製
マスク膜を構成して内部応力のない状態でパターンを形
成し、その際上記マスクの構成は好ましくはインバー鋼
の電着により、蒸着により、又はスパッタリングによっ
て行なうことができ、そして上記マスク膜のパターン形
成をレジストマスク法により、また蒸着或はスパッタリ
ングの場合にはリフトオフ法またはエツチングにより、
好ましくは異方性反応性イオンエツチング法により行な
うこと、およびウェハの材料が上記環状又は枠状の被覆
によって取り囲まれた内側部分において少なくとも上記
マスク膜の層までまたは上記マスク膜がその上に形成さ
れている層までエツチングにより除去し、そしてそれに
より暴露された接着媒介層を選択的エツチングによって
同様に除去すること、が提案される。
ウェハの材料およびマスク膜の材料は好ましくはその用
いた温度範囲（製造温度−室温から １００℃よりも高
い運転温度まで）においてできるだけ等しい熱膨張係数
を有するべきである。
いた温度範囲（製造温度−室温から １００℃よりも高
い運転温度まで）においてできるだけ等しい熱膨張係数
を有するべきである。
［作用］
本発明に従う方法を用いることによってマスク膜を、内
部応力なしに、または殆ど内部応力を生ずることなく、
このマスク膜がその上で作られる基材と結合させるとい
うことが達成される。既に述べたように極めて薄いこの
マスク膜は本発明に従う方法を用いることによってこの
マスク膜より本質的に強度の高い枠に固定されており、
それによってこのマスク膜はその取り扱いに際して損傷
を受けることなく取り扱うことができる。
部応力なしに、または殆ど内部応力を生ずることなく、
このマスク膜がその上で作られる基材と結合させるとい
うことが達成される。既に述べたように極めて薄いこの
マスク膜は本発明に従う方法を用いることによってこの
マスク膜より本質的に強度の高い枠に固定されており、
それによってこのマスク膜はその取り扱いに際して損傷
を受けることなく取り扱うことができる。
本発明に従う方法のもう一つの態様においては上記シリ
コンウェハの環状または枠状の被覆部を形成するために
好ましくは気相からの蒸着法によってこれを好ましくは
５００ ｎｍの厚さまで窒化珪素層で、または好ましく
は２００ ｎｍの厚さまでの二酸化珪素および好ましく
は５０ ｎｍの厚さまでの窒化珪素で、全表面を被覆し
、そしてこのウェハの少なくとも一方の表面の上で、但
し好ましくはこのクエへの向い合った両表面の上で上記
環状部または枠状部を残して上記窒化珪素層または二重
層を、例えばプラズマエツチングまたは弗化水素酸を用
いるエツチングによって除去するように行なうことがで
きる。マスク膜の加工域の下でのシリコンウェハのエツ
チングのための被覆層の形成は、このようにして特に簡
単に実施することができ、そしてこの被覆層のウェハ上
の固定を確実にする。
コンウェハの環状または枠状の被覆部を形成するために
好ましくは気相からの蒸着法によってこれを好ましくは
５００ ｎｍの厚さまで窒化珪素層で、または好ましく
は２００ ｎｍの厚さまでの二酸化珪素および好ましく
は５０ ｎｍの厚さまでの窒化珪素で、全表面を被覆し
、そしてこのウェハの少なくとも一方の表面の上で、但
し好ましくはこのクエへの向い合った両表面の上で上記
環状部または枠状部を残して上記窒化珪素層または二重
層を、例えばプラズマエツチングまたは弗化水素酸を用
いるエツチングによって除去するように行なうことがで
きる。マスク膜の加工域の下でのシリコンウェハのエツ
チングのための被覆層の形成は、このようにして特に簡
単に実施することができ、そしてこの被覆層のウェハ上
の固定を確実にする。
マスク膜を電着法によって形成するためには接着媒介層
の上に電気絶縁性の層を塗覆して、例えばフォトラッカ
ーよりなる層の場合にはその粒子線または電磁輻射線に
対して透過性の部分がこの絶縁性層によって被覆される
ように紫外線照射によって写像パターンを形成し、そし
てこの絶縁層によって被覆されていない露出した部分の
上に金属フィルムの電着を行ない、その上で上記絶縁性
層を例えば好ましくはアセトン中で溶解することにより
除去するように行なうことができる。しかしながらまた
マスク膜は接着媒介層の上にレジスト層を塗覆して、こ
れにこのレジスト層のパターン部の接着媒介層に向いた
側の面において拡張部が形成されるような態様で、すな
わちそこに一種の屋根が生ずるような態様でパターン形
成することによって作ることもできる。次に金属を蒸着
またはスパッタリングすることができ、これにはインバ
ー鋼も適している。その蒸着またはスパッタリングで形
成された金属１漠の端縁部はこの場合にレジストの縁部
から或る間隔を隔てて存在しており、と言うのはこのレ
ジストの表面上の屋根状の拡張部が蒸着またはスパッタ
リングに際してその蒸着またはスパッタリングされた物
質がレジストの縁部に達することを防止するからである
。このレジストは従ってこの金属膜を蒸着又はスパッタ
リングにより形成した後でリフトオフ法で除去すること
ができる。この方法においては金属膜の端縁部は一般に
接着媒介層に対して垂直ではない。
の上に電気絶縁性の層を塗覆して、例えばフォトラッカ
ーよりなる層の場合にはその粒子線または電磁輻射線に
対して透過性の部分がこの絶縁性層によって被覆される
ように紫外線照射によって写像パターンを形成し、そし
てこの絶縁層によって被覆されていない露出した部分の
上に金属フィルムの電着を行ない、その上で上記絶縁性
層を例えば好ましくはアセトン中で溶解することにより
除去するように行なうことができる。しかしながらまた
マスク膜は接着媒介層の上にレジスト層を塗覆して、こ
れにこのレジスト層のパターン部の接着媒介層に向いた
側の面において拡張部が形成されるような態様で、すな
わちそこに一種の屋根が生ずるような態様でパターン形
成することによって作ることもできる。次に金属を蒸着
またはスパッタリングすることができ、これにはインバ
ー鋼も適している。その蒸着またはスパッタリングで形
成された金属１漠の端縁部はこの場合にレジストの縁部
から或る間隔を隔てて存在しており、と言うのはこのレ
ジストの表面上の屋根状の拡張部が蒸着またはスパッタ
リングに際してその蒸着またはスパッタリングされた物
質がレジストの縁部に達することを防止するからである
。このレジストは従ってこの金属膜を蒸着又はスパッタ
リングにより形成した後でリフトオフ法で除去すること
ができる。この方法においては金属膜の端縁部は一般に
接着媒介層に対して垂直ではない。
この膜の中でパターン開口を構成する切口のエツジが接
着媒介層に対して垂直に延びている様にすべき場合には
、これは異方性法（例えば３層レジスト系による）によ
って達成することができ、その際レジストのアンダーエ
ツチング（Ｕｎｔｅｒ−ａｅｔｚｅｎ）は全く起こらな
い６３層レジスト系を用いる場合にはまず最初接着媒介
層の上に基層を形成し、次いでこの層の上にＳｉＯより
なる中間層を蒸着形成し、そして次に電子線または光線
に感受性の薄いレジストの最上層を形成する。この最上
層は次に電子線リソグラフィー又は光リソグラフィーに
よりパターン形成し、そしてこのパターンを例えばＣｌ
１Ｐ３プラズマ中でそのＳｉＯ中間層に転写する。基層
へのパターンの転写は次に０□プラズマの中で行なわれ
、その際パターン形成された中間層がマスキングの役目
をする。
着媒介層に対して垂直に延びている様にすべき場合には
、これは異方性法（例えば３層レジスト系による）によ
って達成することができ、その際レジストのアンダーエ
ツチング（Ｕｎｔｅｒ−ａｅｔｚｅｎ）は全く起こらな
い６３層レジスト系を用いる場合にはまず最初接着媒介
層の上に基層を形成し、次いでこの層の上にＳｉＯより
なる中間層を蒸着形成し、そして次に電子線または光線
に感受性の薄いレジストの最上層を形成する。この最上
層は次に電子線リソグラフィー又は光リソグラフィーに
よりパターン形成し、そしてこのパターンを例えばＣｌ
１Ｐ３プラズマ中でそのＳｉＯ中間層に転写する。基層
へのパターンの転写は次に０□プラズマの中で行なわれ
、その際パターン形成された中間層がマスキングの役目
をする。
しかしながらまたこのシリコンウェハの上のマスク膜の
形成は、接着媒介層の上にその膜の材料を蒸着又はスパ
ッタリングすることによっても作ることができ、その際
インバー鋼がその作動領域においてシリコンとほぼ等し
い熱膨張係数を有しているために好ましい。蛙々のパタ
ーンを好ましくは異方性反応性エツチング法によってこ
の膜物質中に転写することができ、これは一様な金属層
の上にレジスト層または適当なマスキング層を載せてパ
ターン形成した後に行なわれる。
形成は、接着媒介層の上にその膜の材料を蒸着又はスパ
ッタリングすることによっても作ることができ、その際
インバー鋼がその作動領域においてシリコンとほぼ等し
い熱膨張係数を有しているために好ましい。蛙々のパタ
ーンを好ましくは異方性反応性エツチング法によってこ
の膜物質中に転写することができ、これは一様な金属層
の上にレジスト層または適当なマスキング層を載せてパ
ターン形成した後に行なわれる。
［実施例］
以下、本発明に従う方法を実施例によって更に詳細に説
明する。この場合に第１ないし第６図は透過マスクの作
製における６つの異なった段階をそれぞれ長手方向の断
面図で示している。
明する。この場合に第１ないし第６図は透過マスクの作
製における６つの異なった段階をそれぞれ長手方向の断
面図で示している。
シリコンウェハ１が作製に際して基材として、そして後
にはまたマスク＋１５！ ５のための枠としても用いら
れる。シリコンウェハは特に高い表面品質および好まし
い人手条件において一定のエツチング特性を有するため
に優れている。シリコンウェハ１は約５００ ｎｍの厚
さの窒化珪素層として構成されていることのできる、気
相から蒸着させる方法で形成した全面的な被覆層を備え
ている。一方の表面のみに被覆層を設けることも可能で
ある。
にはまたマスク＋１５！ ５のための枠としても用いら
れる。シリコンウェハは特に高い表面品質および好まし
い人手条件において一定のエツチング特性を有するため
に優れている。シリコンウェハ１は約５００ ｎｍの厚
さの窒化珪素層として構成されていることのできる、気
相から蒸着させる方法で形成した全面的な被覆層を備え
ている。一方の表面のみに被覆層を設けることも可能で
ある。
この被覆層はまた多層より構成されていることも可能で
ある。中でも２層に構成するのが好都合である。これら
の層のうち一方の層は５ｉ０２よりなって２００ ｎｍ
の厚さを有することができ、モして一第２の層は５０
ｎｍ の厚さを打して窒化珪素より作られていること
ができる。次にエツチング川溶液（例えば弗化水素酸）
を用いるかまたはプラズマエツチングによってこのウェ
ハ１の中央部分の被覆層を除去してそれにより一つ以上
の側方部の被覆層２のみが枠またはリングの形でウェハ
１の向い合った両面３．７の上に残留させるようにする
ことによってこの被覆層を環状または枠状に形成する。
ある。中でも２層に構成するのが好都合である。これら
の層のうち一方の層は５ｉ０２よりなって２００ ｎｍ
の厚さを有することができ、モして一第２の層は５０
ｎｍ の厚さを打して窒化珪素より作られていること
ができる。次にエツチング川溶液（例えば弗化水素酸）
を用いるかまたはプラズマエツチングによってこのウェ
ハ１の中央部分の被覆層を除去してそれにより一つ以上
の側方部の被覆層２のみが枠またはリングの形でウェハ
１の向い合った両面３．７の上に残留させるようにする
ことによってこの被覆層を環状または枠状に形成する。
この側方部の被覆層２の寸法はその作製されるべきマス
ク膜１の大きざに応じて決定される。
ク膜１の大きざに応じて決定される。
ウェハ１の上側表面３の上に層４が設けられ、この層の
」二にマスク膜が形成される。この層４は接着媒介層と
して構成され、そして好ましくはクロム層および銅層よ
りなる（第２図）。この層４の上にフォトラッカー８を
塗覆してパターン形成する。好ましくは３層レジスト層
の塗覆を行なってそれにより最上層にパターン形成をし
た後でそのパターンの厚い有機基層への転写を異方性エ
ツチング法によって行なうことができ、そしてその際垂
直な縁部が生ずるようにする（第３図）。基材の被覆さ
れていない部分の上に電着によって金属層としてマスク
膜５が得られる（第４図）。多種の浴液添加剤を加える
ことによって例えばニッケル等の析出を次のように、す
なわちその電着して成長したｌ１１２５が内部応力なく
、そして充分な表面品質を存するように構成することが
できる。
」二にマスク膜が形成される。この層４は接着媒介層と
して構成され、そして好ましくはクロム層および銅層よ
りなる（第２図）。この層４の上にフォトラッカー８を
塗覆してパターン形成する。好ましくは３層レジスト層
の塗覆を行なってそれにより最上層にパターン形成をし
た後でそのパターンの厚い有機基層への転写を異方性エ
ツチング法によって行なうことができ、そしてその際垂
直な縁部が生ずるようにする（第３図）。基材の被覆さ
れていない部分の上に電着によって金属層としてマスク
膜５が得られる（第４図）。多種の浴液添加剤を加える
ことによって例えばニッケル等の析出を次のように、す
なわちその電着して成長したｌ１１２５が内部応力なく
、そして充分な表面品質を存するように構成することが
できる。
マスク膜５を構成する層が形成された後でこのマスク膜
５の部分においてシリコンウェハ１をその環状または枠
状の被覆層（被覆層２）に達するまで例えば苛性カリを
用いる選択的なエツチング−によって除去する（第５図
）。次に層４（接着媒介層）をそのシリコンウェハ１に
よって囲まれた部分の内側において選択的に除去するこ
とかできる。このようにして内部応力のないマスク膜５
がホルダの中に形成される（第６図）。
５の部分においてシリコンウェハ１をその環状または枠
状の被覆層（被覆層２）に達するまで例えば苛性カリを
用いる選択的なエツチング−によって除去する（第５図
）。次に層４（接着媒介層）をそのシリコンウェハ１に
よって囲まれた部分の内側において選択的に除去するこ
とかできる。このようにして内部応力のないマスク膜５
がホルダの中に形成される（第６図）。
第１ないし第６図は透過マスク作製のための本発明に従
う方法の各工程段階をそれぞれ図式断面図で示す。 １・・・シリコンウェハ ２・・・被覆層 ３・・・上面 ４・・・接着媒介層 ５マスク膜 ８・・・フォトラッカー ＦＩＧ、３
う方法の各工程段階をそれぞれ図式断面図で示す。 １・・・シリコンウェハ ２・・・被覆層 ３・・・上面 ４・・・接着媒介層 ５マスク膜 ８・・・フォトラッカー ＦＩＧ、３
Claims (6)
- （１）電磁輻射線または粒子線に対して透過性の部分を
備えたマスク膜のためのホルダ枠を有する電磁輻射線や
粒子線用の透過マスクを作製するに当たり、シリコンウ
エハに少なくともその一方の表面の上に環状または枠状
の、好ましくは二酸化珪素および窒化珪素の層よりなる
、エッチング剤に対して珪素よりも高い抵抗性を持つ物
質からなる被覆層を設けること、この環状または枠状の
被覆層を設けた表面と相対する表面上に、好ましくはク
ロムおよび銅よりなる接着媒介層を設けること、この層
の上に金属性マスク膜を構成して内部応力のない状態で
パターンを形成し、その際上記マスクの構成は好ましく
はインバー鋼の電着により、蒸着により、又はスパッタ
リングによって行なうことができ、そして上記マスク膜
のパターン形成をレジストマスク法により、また蒸着或
はスパッタリングの場合にはリフトオフ法またはエッチ
ングにより、好ましくは異方性反応性イオンエッチング
法により行なうこと、およびウェハの材料が上記環状又
は枠状の被覆によって取り囲まれた内側部分において少
なくとも上記マスク膜の層まで、または上記マスク膜が
その上に形成されている層までエッチングにより除去し
、そしてそれにより暴露された接着媒介層を選択的エッ
チングによって同様に除去することを特徴とする、上記
透過マスクの作製方法。 - （２）上記シリコンウェハの環状または枠状の被覆部を
形成するために好ましくは気相からの蒸着法によってこ
れを好ましくは５００ｎｍの厚さまで窒化珪素層で、ま
たは好ましくは２００ｎｍの厚さまでの二酸化珪素およ
び好ましくは５０ｎｍの厚さまでの窒化珪素で、全表面
を被覆し、そしてこのウエハの少なくとも一方の表面の
上で、但し好ましくはこのウエハの向い合った両表面の
上で上記環状部または枠状部を残して上記窒化珪素層ま
たは二重層を、例えばプラズマエッチングまたは弗化水
素酸を用いるエッチングによつて除去する特許請求の範
囲第１項に従う方法。 - （３）接着媒介層の上に電気絶縁性の層を塗覆して、例
えばフォトラッカーよりなる層の場合にはその粒子線ま
たは電磁輻射線に対して透過性の部分がこの絶縁性層に
よって被覆されるように紫外線照射によって写像パター
ンを形成し、そしてこの絶縁層によって被覆されていな
い露出した部分の上に金属フィルムの電着を行ない、そ
の上で上記絶縁性層を例えば好ましくはアセトン中で溶
解することにより除去する、特許請求の範囲第１または
第２項に従う方法。 - （４）接着媒介層の上にレジスト層を塗覆してこれにこ
のレジスト層のパターン部の接着媒介層に向いた側の面
において拡張部が形成されるような態様で写像用パター
ンを形成し、レジストのパターンの開口中にこのレジス
トのパターン部の壁面に向う側方へ或る間隔をあけなが
ら金属を蒸着またはスパッタリングによって充填し、そ
してその後でレジスト層をリフトオフ法で除去する、特
許請求の範囲第１または第２項に従う方法。 - （５）接着媒介層の上に順に引き続く３段階においてそ
れぞれ１層づつのレジスト層を塗覆し、その際最初のレ
ジスト層（基層）の上に好ましくはＳｉＯよりなる上記
基層よりも木質的に薄い層（中間層）を、そしてこの中
間層の上に更にもう１層の同様に薄い電子線感受性また
は光線感受性の層を塗覆し、この最上層に電子線リソグ
ラフィーまたはフォトリソグラフィーによって写像パタ
ーンを形成し、そしてこのパターンを例えばＣＨＦ＿３
プラズマ中で中間層中に写し、その上でこのパターン形
成された中間層をマスキングとしてそのパターンを基層
中に好ましくはＯ＿２−プラズマ中で転写し、次いで蒸
着またはスパッタリングによって金属膜をレジストの各
開口内に形成し、そしてレジストをその後で除去する、
特許請求の範囲第１または第２項に従う方法。 - （６）接着媒介層の上に好ましくはインバー鋼を蒸着ま
たはスパッタリングすることによって金属層を形成し、
この金属層の上にレジスト層またはマスキング層を塗覆
してパターン形成し、その上で異方性反応性エッチング
法によってこのパターンを金属層中に転写する、特許請
求の範囲第１または第２項に従う方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT3313/85 | 1985-11-13 | ||
| AT331385 | 1985-11-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119924A true JPS62119924A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=3548620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61270824A Pending JPS62119924A (ja) | 1985-11-13 | 1986-11-13 | 透過マスクの作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0222739A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62119924A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746681B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1995-05-17 | 富士通株式会社 | Ｘ線ステッパー用マスクの製造方法 |
| WO1997043693A1 (de) * | 1996-05-13 | 1997-11-20 | Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh | Verfahren zur herstellung einer strukturierten folie und verwendung derselben |
| US6491835B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Metal mask etching of silicon |
| US10488749B2 (en) * | 2017-03-28 | 2019-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photomask and method of forming the same |
| CN115747712B (zh) * | 2022-08-25 | 2024-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制造方法 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP61270824A patent/JPS62119924A/ja active Pending
- 1986-11-13 EP EP86890317A patent/EP0222739A3/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0222739A2 (de) | 1987-05-20 |
| EP0222739A3 (de) | 1989-10-04 |
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