JPH0313703B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0313703B2 JPH0313703B2 JP59161545A JP16154584A JPH0313703B2 JP H0313703 B2 JPH0313703 B2 JP H0313703B2 JP 59161545 A JP59161545 A JP 59161545A JP 16154584 A JP16154584 A JP 16154584A JP H0313703 B2 JPH0313703 B2 JP H0313703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- thin wire
- heat
- cooled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体の製造に使用されるシリコン
ウエハ等の基板を冷却する装置に関する。
ウエハ等の基板を冷却する装置に関する。
（従来技術）
一般に、真空室内でこの種の基板にイオン注入
等の処理を施すと発熱して基板が損傷する危険が
あるので、該基板を冷却水を循環させた基板ホル
ダで保持することが行われている。この場合、基
板は熱により変形を生じ基板ホルダとの接触が離
れて冷却性が悪化するので、基板ホルダの表面に
シリコンラバーのクツシヨン部それを覆う弗素系
樹脂の薄膜を設け、これに基板を当接させること
により基板に変形が生じても離れることなく冷却
出来るようにしている。
等の処理を施すと発熱して基板が損傷する危険が
あるので、該基板を冷却水を循環させた基板ホル
ダで保持することが行われている。この場合、基
板は熱により変形を生じ基板ホルダとの接触が離
れて冷却性が悪化するので、基板ホルダの表面に
シリコンラバーのクツシヨン部それを覆う弗素系
樹脂の薄膜を設け、これに基板を当接させること
により基板に変形が生じても離れることなく冷却
出来るようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
シリコンラバーは、その弾力性が実際の使用条
件で経時的に損なわれ、基板の変形に追従して当
該し得なくなる欠点があり、また、近時のよう
に、基板の処理のために大電流、高電圧が使用さ
れると基板の発熱が多くなり、その熱流束が
1W／cm2にも達すると接触熱伝達係数、熱伝性、
耐熱性の乏しい弗素系樹脂で覆われたシリコンラ
バーの使用が困難になる。
件で経時的に損なわれ、基板の変形に追従して当
該し得なくなる欠点があり、また、近時のよう
に、基板の処理のために大電流、高電圧が使用さ
れると基板の発熱が多くなり、その熱流束が
1W／cm2にも達すると接触熱伝達係数、熱伝性、
耐熱性の乏しい弗素系樹脂で覆われたシリコンラ
バーの使用が困難になる。
本発明は、主として発熱量の多い状況で処理さ
れた基板の冷却に適した耐久性の良い冷却装置を
提供することを目的とするものである。
れた基板の冷却に適した耐久性の良い冷却装置を
提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、真空室内で処理される基板を冷却
水の循環等により冷却された基板ホルダにより保
持するようにしたものに於て、該基板に当接する
基板ホルダの表面に、弾力性を形状加工により調
節した熱良導性の細線を、見掛けのシヨア硬度が
シリコンラバーと同程度になるよう多数植設する
ことにより、上記の目的を達成するようにした。
水の循環等により冷却された基板ホルダにより保
持するようにしたものに於て、該基板に当接する
基板ホルダの表面に、弾力性を形状加工により調
節した熱良導性の細線を、見掛けのシヨア硬度が
シリコンラバーと同程度になるよう多数植設する
ことにより、上記の目的を達成するようにした。
（作用）
基板は基板ホルダの表面に保持され、真空室内
に於てイオン注入等の処理が施されるが、該ホル
ダの表面には、弾力性を形状加工により調節した
熱良導性の細線が、見掛けのシヨア硬度が柔らか
いシリコンラバーと同程度になるように多数植設
されているので、基板の処理に伴う発熱量は該細
線を介して冷却された基板ホルダに伝えられ、基
板が冷却されると共に基板の変形に適合して各細
線が基板に当接し、冷却性が良好になる。
に於てイオン注入等の処理が施されるが、該ホル
ダの表面には、弾力性を形状加工により調節した
熱良導性の細線が、見掛けのシヨア硬度が柔らか
いシリコンラバーと同程度になるように多数植設
されているので、基板の処理に伴う発熱量は該細
線を介して冷却された基板ホルダに伝えられ、基
板が冷却されると共に基板の変形に適合して各細
線が基板に当接し、冷却性が良好になる。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１
図に於て、符号１は真空室２内に配置される基板
ホルダを示し、該基板ホルダ１は例えばCu、Al
等の金属で形成され、その内部には冷却水の循環
路３が設けられる。４は該基板ホルダ１の表面即
ち冷却面に植設した熱伝導率の高いCu、Al、Ｃ、
Mo等の金属繊維からなり、弾力性を形状加工に
より調節した細線で、該細線４の材料、寸法、植
設の密度、形状等を調整して細線群４ａ全体の見
掛けのシヨア硬度が柔らかいシリコンラバーと同
程度になるように植設される。尚、該細線４の弾
力性を調節する形状加工としては、その形状をコ
イル状又は蛇行状に加工することが考えられる。
５は処理されるガリウムヒ素ウエハ、シリコンウ
エハ等の基板を示し、該基板５は直接或いは第２
図のように薄膜６を介して細線群４ａと当接さ
れ、処理に伴つて基板５に発生する熱は細線群４
ａを介して冷却された基板ホルダ１へと伝わり、
基板５が熱割れしないように冷却される。該薄膜
６としては、熱流束が低い範囲では弗素系樹脂の
膜が使用され、熱流束が高い範囲では良熱伝導性
で真空特性の良い可撓材が使用される。
図に於て、符号１は真空室２内に配置される基板
ホルダを示し、該基板ホルダ１は例えばCu、Al
等の金属で形成され、その内部には冷却水の循環
路３が設けられる。４は該基板ホルダ１の表面即
ち冷却面に植設した熱伝導率の高いCu、Al、Ｃ、
Mo等の金属繊維からなり、弾力性を形状加工に
より調節した細線で、該細線４の材料、寸法、植
設の密度、形状等を調整して細線群４ａ全体の見
掛けのシヨア硬度が柔らかいシリコンラバーと同
程度になるように植設される。尚、該細線４の弾
力性を調節する形状加工としては、その形状をコ
イル状又は蛇行状に加工することが考えられる。
５は処理されるガリウムヒ素ウエハ、シリコンウ
エハ等の基板を示し、該基板５は直接或いは第２
図のように薄膜６を介して細線群４ａと当接さ
れ、処理に伴つて基板５に発生する熱は細線群４
ａを介して冷却された基板ホルダ１へと伝わり、
基板５が熱割れしないように冷却される。該薄膜
６としては、熱流束が低い範囲では弗素系樹脂の
膜が使用され、熱流束が高い範囲では良熱伝導性
で真空特性の良い可撓材が使用される。
（発熱の効果）
このように本発明によるときは、基板ホルダの
表面に、弾力性を形状加工により調節した熱良導
性の細線を、シヨア硬度がシリコンラバーと同程
度になるように多数植設したので、基板と各細線
を機械的に強い力を与えずに互いに接触させるこ
とが出来、基板から大きな熱流束を基板ホルダに
伝え得て熱変形、熱割れの生じ易い基板の冷却を
効率良く行える効果がある。
表面に、弾力性を形状加工により調節した熱良導
性の細線を、シヨア硬度がシリコンラバーと同程
度になるように多数植設したので、基板と各細線
を機械的に強い力を与えずに互いに接触させるこ
とが出来、基板から大きな熱流束を基板ホルダに
伝え得て熱変形、熱割れの生じ易い基板の冷却を
効率良く行える効果がある。
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図
はその変形例の要部の截断側面図である。 １…基板ホルダ、２…真空室、４…細線、４ａ
…細線群、５…基板。
はその変形例の要部の截断側面図である。 １…基板ホルダ、２…真空室、４…細線、４ａ
…細線群、５…基板。
Claims (1)
- １ 真空室内で処理される基板を冷却水の循環等
により冷却された基板ホルダにより保持するよう
にしたものに於て、該基板に当接する基板ホルダ
の表面に、弾力性を形状加工により調節した熱良
導性の細線を、見掛けのシヨア硬度がシリコンラ
バーと同程度になるよう多数植設したことを特徴
とする基板の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161545A JPS6142843A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 基板の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161545A JPS6142843A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 基板の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142843A JPS6142843A (ja) | 1986-03-01 |
| JPH0313703B2 true JPH0313703B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=15737138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59161545A Granted JPS6142843A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 基板の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142843A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244820A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-14 | Tadashi Kamata | Semiconductor integrated circuit device, method for producing the same, and ion implanter for use in the method |
| DE10344492B4 (de) | 2003-09-24 | 2006-09-07 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Teilchenstrahlgerät |
| US8945749B2 (en) * | 2011-12-15 | 2015-02-03 | GM Global Technology Operations LLC | Carbon fiber thermal interface for cooling module assembly |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236223A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Ulvac Corp | 基板の冷却装置 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP59161545A patent/JPS6142843A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142843A (ja) | 1986-03-01 |
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