JPH0228247B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0228247B2 JPH0228247B2 JP59178433A JP17843384A JPH0228247B2 JP H0228247 B2 JPH0228247 B2 JP H0228247B2 JP 59178433 A JP59178433 A JP 59178433A JP 17843384 A JP17843384 A JP 17843384A JP H0228247 B2 JPH0228247 B2 JP H0228247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cushion
- cover
- fibers
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体の製造に使用されるシリコンウ
エハ等の基板を冷却する装置に関する。
エハ等の基板を冷却する装置に関する。
（従来の技術）
一般に真空室内でこの種基板にイオン注入等の
処理を施すと発熱して基板が損傷する危険がある
ので該基板を冷却水を循環させた基板ホルダで保
持することが行なわれている。
処理を施すと発熱して基板が損傷する危険がある
ので該基板を冷却水を循環させた基板ホルダで保
持することが行なわれている。
この場合、基板は熱により変形を生じ基板ホル
ダとの接触が離れて冷却性が悪化するので基板ホ
ルダの表面にシリコンラバーのクツシヨン部とそ
れを覆うポリ四フツ化エチレンの膜を設け、これ
に基板を当接させることにより基板に変形が生じ
ても離れることなく冷却出来るようにしている。
ダとの接触が離れて冷却性が悪化するので基板ホ
ルダの表面にシリコンラバーのクツシヨン部とそ
れを覆うポリ四フツ化エチレンの膜を設け、これ
に基板を当接させることにより基板に変形が生じ
ても離れることなく冷却出来るようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
シリコンラバーはその弾力性が実際の使用条件
下で経時的に損なわれ基板の変形に追従して当接
し得なくなる欠点があり、また近時のように基板
のイオン注入処理のために大電流、高電圧が使用
されると基板の発熱量が多くなり、その熱流束が
1w／cm2にも達すると接触熱伝達係数、熱伝導性、
耐熱性の乏しいポリ四フツ化エチレンの薄膜で覆
われたシリコンラバーの使用が困難になる。イオ
ン注入処理中、シリコン製の基板の温度は100℃
近傍にまで冷却されていることが好ましい。
下で経時的に損なわれ基板の変形に追従して当接
し得なくなる欠点があり、また近時のように基板
のイオン注入処理のために大電流、高電圧が使用
されると基板の発熱量が多くなり、その熱流束が
1w／cm2にも達すると接触熱伝達係数、熱伝導性、
耐熱性の乏しいポリ四フツ化エチレンの薄膜で覆
われたシリコンラバーの使用が困難になる。イオ
ン注入処理中、シリコン製の基板の温度は100℃
近傍にまで冷却されていることが好ましい。
本発明は主として発熱量の多い状況で処理され
る基板の冷却に適した耐久性の良い冷却装置を提
供することを目的とする。
る基板の冷却に適した耐久性の良い冷却装置を提
供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、真空室内で処理される基板を冷却
水の循環等により冷却された基板ホルダにより保
持するようにしたものに於いて、該基板に当接す
る基板ホルダの表面に、炭素、金属、等の熱良導
体の繊維で形成した布帛状のカバーと、その内部
に収容した該熱良導体の繊維からなるふとんわた
状のクツシヨン材とで構成したクツシヨンを設け
るようにした。
水の循環等により冷却された基板ホルダにより保
持するようにしたものに於いて、該基板に当接す
る基板ホルダの表面に、炭素、金属、等の熱良導
体の繊維で形成した布帛状のカバーと、その内部
に収容した該熱良導体の繊維からなるふとんわた
状のクツシヨン材とで構成したクツシヨンを設け
るようにした。
（作用）
基板を基板ホルダに保持し、これに真空室内に
於いて、イオン注入処理を施すと基板が発熱する
が、該ホルダの表面には熱良導体の繊維で形成し
た布帛状のカバーとその内部の熱良導体のクツシ
ヨン材からなるクツシヨンが設けられているの
で、基板の熱は該クツシヨンを介して順調に基板
ホルダに伝えられ、基板の温度上昇や熱による破
損を防止出来る。また該クツシヨンは熱良導体の
クツシヨン材とその布帛状のカバーとで、柔軟に
構成されているので基板の熱変形に応じて変形
し、該基板とクツシヨン材の当接性が良く、基板
の発熱量が多くなつても良好な冷却を行なえ、ク
ツシヨン材の弾力性を長時間維持することが出来
る。
於いて、イオン注入処理を施すと基板が発熱する
が、該ホルダの表面には熱良導体の繊維で形成し
た布帛状のカバーとその内部の熱良導体のクツシ
ヨン材からなるクツシヨンが設けられているの
で、基板の熱は該クツシヨンを介して順調に基板
ホルダに伝えられ、基板の温度上昇や熱による破
損を防止出来る。また該クツシヨンは熱良導体の
クツシヨン材とその布帛状のカバーとで、柔軟に
構成されているので基板の熱変形に応じて変形
し、該基板とクツシヨン材の当接性が良く、基板
の発熱量が多くなつても良好な冷却を行なえ、ク
ツシヨン材の弾力性を長時間維持することが出来
る。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１
図に於いて１は真空室２内に配置される基板ホル
ダを示し、該基板ホルダ１は例えばCu.Al等の金
属で形成され、その内部には冷却水の循環路３が
設けられる。
図に於いて１は真空室２内に配置される基板ホル
ダを示し、該基板ホルダ１は例えばCu.Al等の金
属で形成され、その内部には冷却水の循環路３が
設けられる。
４は該ホルダ１の表面即ち冷却面に設けたクツ
シヨンで、その上にシリコンウエハ等の基板５が
プツシヤ６により押し付けられて保持される。該
クツシヨン４は布帛状のカバー４ａとその内部に
収容したクツシヨン材４ｂとで構成され、該カバ
ー４ａは炭素、Cu、Al、Mo、Ｗ等の金属又は合
金、或はこれらの金属や合金の表面に１乃至50ミ
クロンの厚さで炭素、Al2O3、SiO2、TiC、TiN
やテフロンその他の有機物をコーテイングした複
合材料の熱良導体からなる繊維を織つた布帛状の
カバー、該熱良導体の不織布状又はフエルト状の
カバーにより形成される。また、クツシヨン材４
ｂも前記熱良導体の繊維で形成され、該繊維は弾
力性を保有させるために例えば螺旋状に形成され
てカバー４ａ内に互に絡み合つたふとんわた状に
収容される。
シヨンで、その上にシリコンウエハ等の基板５が
プツシヤ６により押し付けられて保持される。該
クツシヨン４は布帛状のカバー４ａとその内部に
収容したクツシヨン材４ｂとで構成され、該カバ
ー４ａは炭素、Cu、Al、Mo、Ｗ等の金属又は合
金、或はこれらの金属や合金の表面に１乃至50ミ
クロンの厚さで炭素、Al2O3、SiO2、TiC、TiN
やテフロンその他の有機物をコーテイングした複
合材料の熱良導体からなる繊維を織つた布帛状の
カバー、該熱良導体の不織布状又はフエルト状の
カバーにより形成される。また、クツシヨン材４
ｂも前記熱良導体の繊維で形成され、該繊維は弾
力性を保有させるために例えば螺旋状に形成され
てカバー４ａ内に互に絡み合つたふとんわた状に
収容される。
この場合クツシヨン４のマクロな面積当りのシ
ヨア硬度が柔らかいシリコンラバーと同程度にな
るようにクツシヨン材４ｂをカバー４ａ内に詰め
ることが望ましい。
ヨア硬度が柔らかいシリコンラバーと同程度にな
るようにクツシヨン材４ｂをカバー４ａ内に詰め
ることが望ましい。
該基板５のイオン注入処理に伴う発熱はクツシ
ヨン４を介して冷却された基板ホルダ１に伝わり
基板５の温度上昇を防ぐが、該クツシヨン４は熱
良導体のカバー４ａとその内部のクツシヨン材４
ｂとで構成されているので、基板５の発熱を順調
にホルダ１に伝えることが出来ると共に弾力性も
良いので基板５の変形に応じた当接が可能で冷却
性良く、長時間弾力性を維持出来る。
ヨン４を介して冷却された基板ホルダ１に伝わり
基板５の温度上昇を防ぐが、該クツシヨン４は熱
良導体のカバー４ａとその内部のクツシヨン材４
ｂとで構成されているので、基板５の発熱を順調
にホルダ１に伝えることが出来ると共に弾力性も
良いので基板５の変形に応じた当接が可能で冷却
性良く、長時間弾力性を維持出来る。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、基板ホルダの
表面に炭素、金属等の熱良導体の繊維で形成した
布帛状のカバーと該熱良導体の繊維からなるふと
んわた状のクツシヨン材とで構成したクツシヨン
を設けるようにしたので基板にはその変形に応じ
て弾力的に熱良導体のクツシヨンが接し冷却性が
向上すると共にその弾力性も長時間保有し得て耐
久性が良い等の効果がある。
表面に炭素、金属等の熱良導体の繊維で形成した
布帛状のカバーと該熱良導体の繊維からなるふと
んわた状のクツシヨン材とで構成したクツシヨン
を設けるようにしたので基板にはその変形に応じ
て弾力的に熱良導体のクツシヨンが接し冷却性が
向上すると共にその弾力性も長時間保有し得て耐
久性が良い等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図
はその要部の拡大図である。 １……基板ホルダ、２……真空室、４……クツ
シヨン、４ａ……カバー、４ｂ……クツシヨン
材。
はその要部の拡大図である。 １……基板ホルダ、２……真空室、４……クツ
シヨン、４ａ……カバー、４ｂ……クツシヨン
材。
Claims (1)
- １ 真空室内で処理される基板を冷却水の循環等
により冷却された基板ホルダにより保持するよう
にしたものに於いて、該基板に当接する基板ホル
ダの表面に、炭素、金属、等の熱良導体の繊維で
形成した布帛状のカバーと、その内部に収容した
該熱良導体の繊維からなるふとんわた状のクツシ
ヨン材とで構成したクツシヨンを設けることを特
徴とする基板の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178433A JPS6158260A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 基板の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178433A JPS6158260A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 基板の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158260A JPS6158260A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0228247B2 true JPH0228247B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=16048424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178433A Granted JPS6158260A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 基板の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158260A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62201936U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | ||
| JPH08165571A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-25 | Nissin Electric Co Ltd | 基板保持装置およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59178433A patent/JPS6158260A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6158260A (ja) | 1986-03-25 |
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