JPH03137055A - 鉛含有正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
鉛含有正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH03137055A JPH03137055A JP1274154A JP27415489A JPH03137055A JP H03137055 A JPH03137055 A JP H03137055A JP 1274154 A JP1274154 A JP 1274154A JP 27415489 A JP27415489 A JP 27415489A JP H03137055 A JPH03137055 A JP H03137055A
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- Japan
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- temperature coefficient
- coefficient thermistor
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、鉛を含有する鉛含有正特性サーミスタの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
従来、チタン酸バリウムを主体とするセラミック材料は
、チタニウムの原子半径に近い５価の元素、あるいはバ
リウムの原子半径に近い３価の元素をドープすることに
より、半導体化することが可能で、そのキュリー点付近
で抵抗値の異常増加が生じる正特性サーミスタ半導体と
して知られている。この正特性サーミスタは、発熱体と
して用いる場合には正特性サーミスタ素子が有する自己
温度制御機能により、一定温度付近で動作する特徴を利
用することができる。すなわち、正特性サーミスタは温
度が低い時、素子の抵抗値が低（なり素子に流れる電流
が増加し、これにより正特性サーミスタは発熱し高温に
なる。しかし、その後素子が高抵抗となり、素子に流れ
る電流が減少し温度が低下する。このような動作のくり
返しにより、正特性サーミスタは一定温度付近で発熱す
る。近年、この正特性サーミスタは温風ヒータの発熱体
として利用されている。
、チタニウムの原子半径に近い５価の元素、あるいはバ
リウムの原子半径に近い３価の元素をドープすることに
より、半導体化することが可能で、そのキュリー点付近
で抵抗値の異常増加が生じる正特性サーミスタ半導体と
して知られている。この正特性サーミスタは、発熱体と
して用いる場合には正特性サーミスタ素子が有する自己
温度制御機能により、一定温度付近で動作する特徴を利
用することができる。すなわち、正特性サーミスタは温
度が低い時、素子の抵抗値が低（なり素子に流れる電流
が増加し、これにより正特性サーミスタは発熱し高温に
なる。しかし、その後素子が高抵抗となり、素子に流れ
る電流が減少し温度が低下する。このような動作のくり
返しにより、正特性サーミスタは一定温度付近で発熱す
る。近年、この正特性サーミスタは温風ヒータの発熱体
として利用されている。
しかし、この正特性サーミスタは高温で発熱させるため
には、材料のキュリー点を高温便にシフトする必要があ
る。そのためには、チタン酸バリウムのバリウムを鉛に
置換し、チタン酸バリウム鉛系材料を作製することにな
る。この材料を用いて焼成する時は、第２図に示すよう
に素体がサヤと反応しないように、例えばアルミナ質サ
ヤ１の中にＺｒＯ２のセッター２を敷き、その上にチタ
ン酸バリウム鉛系材料からなる成形体３を並べて焼成が
行われていた。尚、ＰＴＣ特性を出すため、密閉状態で
は焼成できなかった。
には、材料のキュリー点を高温便にシフトする必要があ
る。そのためには、チタン酸バリウムのバリウムを鉛に
置換し、チタン酸バリウム鉛系材料を作製することにな
る。この材料を用いて焼成する時は、第２図に示すよう
に素体がサヤと反応しないように、例えばアルミナ質サ
ヤ１の中にＺｒＯ２のセッター２を敷き、その上にチタ
ン酸バリウム鉛系材料からなる成形体３を並べて焼成が
行われていた。尚、ＰＴＣ特性を出すため、密閉状態で
は焼成できなかった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような焼成方法では、１２００〜１
３００℃の高温になるために素子の表面からＰｂＯが蒸
発しやすくなる。そして、焼結体の表面と内部とではＰ
ｂの組成が異なり、均質なセラミックが得られないもの
であった。
３００℃の高温になるために素子の表面からＰｂＯが蒸
発しやすくなる。そして、焼結体の表面と内部とではＰ
ｂの組成が異なり、均質なセラミックが得られないもの
であった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、焼成時
にｐｂ雰囲気にすることで、ＰｂＯの蒸発を抑制し、組
成ずれがなく均質な正特性サーミスタを得ることを目的
とするものである。
にｐｂ雰囲気にすることで、ＰｂＯの蒸発を抑制し、組
成ずれがなく均質な正特性サーミスタを得ることを目的
とするものである。
課題を解決するための手段
この問題を解決するために本発明は、鉛を含有したＺｒ
（ｈセッターを使用し焼成することを特＠七する。
（ｈセッターを使用し焼成することを特＠七する。
作用
この方法によれば、セッターに鉛を含有しているため、
焼成時に鉛の雰囲気となるので、素体から鉛が蒸発する
のを抑制することができることとなる。
焼成時に鉛の雰囲気となるので、素体から鉛が蒸発する
のを抑制することができることとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。まず、出発
原料として主原料のＢ ａ Ｃ０３，Ｔ ｉ○２゜Ｐｂ
Ｏおよび半導体化元素であるＹ ２０３ ＋添加物のＳ
ｉ Ｏ２＊ Ｍ ｎ○２を組成比（Ｂａ（＋、５Ｐｂ
ｏ、２）Ｔ ｉ ０３＋０．００３Ｙ２０３＋０．０３
Ｓ ｉ０２＋０．ｏｏ０７Ｍｎ○２になるように秤量し
た。これをボールミルで湿式混合を行なった後、乾燥し
、１０００〜１１００℃の温度で仮焼した。次に、ボー
ルミルで粉砕を行い、乾燥後、適量のポリビニルアルコ
ールを加えて造粒を行い、１ｔｏｎ／ｃＪの圧力で成形
し、２５．０Ｘ１８．Ｏｍ＋＋の角板の成形体を得た。
原料として主原料のＢ ａ Ｃ０３，Ｔ ｉ○２゜Ｐｂ
Ｏおよび半導体化元素であるＹ ２０３ ＋添加物のＳ
ｉ Ｏ２＊ Ｍ ｎ○２を組成比（Ｂａ（＋、５Ｐｂ
ｏ、２）Ｔ ｉ ０３＋０．００３Ｙ２０３＋０．０３
Ｓ ｉ０２＋０．ｏｏ０７Ｍｎ○２になるように秤量し
た。これをボールミルで湿式混合を行なった後、乾燥し
、１０００〜１１００℃の温度で仮焼した。次に、ボー
ルミルで粉砕を行い、乾燥後、適量のポリビニルアルコ
ールを加えて造粒を行い、１ｔｏｎ／ｃＪの圧力で成形
し、２５．０Ｘ１８．Ｏｍ＋＋の角板の成形体を得た。
−方、セッターは出発原料をＺｒＯ２９０ｗｔ％。
Ｐｂ０１０ｗｔ％とし、これを粉砕混合し、９０■口、
厚さ４Ｍの板状に成形し、約１６００℃大気中で１時間
焼成を行って得た。以上のようにして得られた鉛を含有
した成形体と鉛を含有したＺｒＯ２セッターを用い、第
２図に示すようにさや詰めを行う。そして、大気中１２
５０〜１３００℃で１時間焼成し、焼結体を得た。この
ようにして作製した焼結体にＡｅ主電極付与し、その電
気特性を測定した。
厚さ４Ｍの板状に成形し、約１６００℃大気中で１時間
焼成を行って得た。以上のようにして得られた鉛を含有
した成形体と鉛を含有したＺｒＯ２セッターを用い、第
２図に示すようにさや詰めを行う。そして、大気中１２
５０〜１３００℃で１時間焼成し、焼結体を得た。この
ようにして作製した焼結体にＡｅ主電極付与し、その電
気特性を測定した。
また、組成ずれを調べるために焼結体の組成比（Ｐｂ／
Ｔｉ）を分析電子顕微鏡を用いて調べた。
Ｔｉ）を分析電子顕微鏡を用いて調べた。
本実施例と従来例のＰ ｂ ／ Ｔ ｉ比、およびスイ
ッチング温度を下記の表１に示した。また、抵抗温度曲
線を第１図に示す。ここで、従来例は単なるＺｒＯ２セ
ッターを用い、その他は本実施例と同一条件によるもの
である。
ッチング温度を下記の表１に示した。また、抵抗温度曲
線を第１図に示す。ここで、従来例は単なるＺｒＯ２セ
ッターを用い、その他は本実施例と同一条件によるもの
である。
（以 下 余 白 ）
表１に記したように、従来例ではＰ ｂ ／ Ｔ ｉ比
が低下し、明らかにＰｂＯが蒸発しているものと思われ
る。その結果、スイッチング温度も低下が見られた。一
方、本実施例ではＰｂＯの蒸発が少・なく、スイッチン
グ温度の低下も見られず、耐電圧も向上した。
が低下し、明らかにＰｂＯが蒸発しているものと思われ
る。その結果、スイッチング温度も低下が見られた。一
方、本実施例ではＰｂＯの蒸発が少・なく、スイッチン
グ温度の低下も見られず、耐電圧も向上した。
尚、ＺｒＯ２セッターとして、上記の実施例ではＰｂＯ
を１０ｗｔ％含むものについて説明したが、ＰｂＯを１
〜３０ｗｔ％含むＺｒＯ２セッターにおいて、ＰｂＯ蒸
発抑制の効果を発揮することが確認された。そして、Ｐ
ｂＯの含有率が１ｗｔ％未満ではＰｂＯ蒸発抑制の効果
がなく、また３０ｗｔ％を超えた場合にはセッター作製
が不可能なものであった。
を１０ｗｔ％含むものについて説明したが、ＰｂＯを１
〜３０ｗｔ％含むＺｒＯ２セッターにおいて、ＰｂＯ蒸
発抑制の効果を発揮することが確認された。そして、Ｐ
ｂＯの含有率が１ｗｔ％未満ではＰｂＯ蒸発抑制の効果
がなく、また３０ｗｔ％を超えた場合にはセッター作製
が不可能なものであった。
ここで、ＺｒＯ２セッターとして、ＰｂＯを１〜３０ｗ
ｔ％と、Ｙ２Ｏ３を５ｗｔ％以下含むものであっても、
本発明の効果を得ることが確認された。この場合、Ｐｂ
Ｏの範囲限定理由は上記の通りであり、Ｙ２Ｏ３が５ｗ
ｔ％を超えた時にはセッター作製が不可能であった。
ｔ％と、Ｙ２Ｏ３を５ｗｔ％以下含むものであっても、
本発明の効果を得ることが確認された。この場合、Ｐｂ
Ｏの範囲限定理由は上記の通りであり、Ｙ２Ｏ３が５ｗ
ｔ％を超えた時にはセッター作製が不可能であった。
発明゛め効果
以上のように、本発明は焼成時にＰｂを含有したセッタ
ーを使用することで、素体のＰｂＯ蒸発を抑制し、化学
量論比を保った安定な焼結体が得られる。
ーを使用することで、素体のＰｂＯ蒸発を抑制し、化学
量論比を保った安定な焼結体が得られる。
第１図は本発明の実施例と従来例で得られた焼結体の室
温から３００℃までの各温度の比抵抗値を示す図、第２
図は焼成時の素体とセッターのサヤ詰め方法の一例を示
す図である。
温から３００℃までの各温度の比抵抗値を示す図、第２
図は焼成時の素体とセッターのサヤ詰め方法の一例を示
す図である。
Claims (1)
- ＰｂＯを１〜３０ｗｔ％，Ｙ＿２Ｏ＿３を０〜５ｗｔ
％含むＺｒＯ＿２セッターを用いて焼成することを特徴
とする鉛含有正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274154A JPH03137055A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 鉛含有正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274154A JPH03137055A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 鉛含有正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03137055A true JPH03137055A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17537783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274154A Pending JPH03137055A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 鉛含有正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03137055A (ja) |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1274154A patent/JPH03137055A/ja active Pending
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