JPH07335404A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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- JPH07335404A JPH07335404A JP6122455A JP12245594A JPH07335404A JP H07335404 A JPH07335404 A JP H07335404A JP 6122455 A JP6122455 A JP 6122455A JP 12245594 A JP12245594 A JP 12245594A JP H07335404 A JPH07335404 A JP H07335404A
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- JP
- Japan
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- temperature coefficient
- positive temperature
- resistance
- coefficient thermistor
- tio
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発熱体やスイッチング素子として用いられて
いる正の抵抗温度特性を有する正特性サーミスタにおい
て、その電気的特性の中で、特に抵抗温度係数および耐
電圧の大きな正特性サーミスタを得ることを目的とす
る。 【構成】 チタン酸バリウムおよびその固溶体を主成分
として、半導体化元素やＳｉ，Ｍｎ，Ａｌを微量添加さ
れてなる仮焼物に過剰のＴｉＯ2粉を主成分１ｍｏｌに
対して０．５〜３．０ｍｏｌ％添加することを特徴とす
るものであり、また、その時の仮焼粉砕粉の平均粒子径
をＤA、過剰ＴｉＯ2粉の平均粒子径をＤ BとするとＤAと
ＤBの比ＤA／ＤBを０．５〜１．０の範囲に制御するこ
とを特徴とする正特性サーミスタの製造方法。
いる正の抵抗温度特性を有する正特性サーミスタにおい
て、その電気的特性の中で、特に抵抗温度係数および耐
電圧の大きな正特性サーミスタを得ることを目的とす
る。 【構成】 チタン酸バリウムおよびその固溶体を主成分
として、半導体化元素やＳｉ，Ｍｎ，Ａｌを微量添加さ
れてなる仮焼物に過剰のＴｉＯ2粉を主成分１ｍｏｌに
対して０．５〜３．０ｍｏｌ％添加することを特徴とす
るものであり、また、その時の仮焼粉砕粉の平均粒子径
をＤA、過剰ＴｉＯ2粉の平均粒子径をＤ BとするとＤAと
ＤBの比ＤA／ＤBを０．５〜１．０の範囲に制御するこ
とを特徴とする正特性サーミスタの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特定の温度で抵抗値が急
激に増大する正特性サーミスタにおいて、特に、抵抗温
度係数および耐電圧の大きな正特性サーミスタの製造方
法に関するものである。
激に増大する正特性サーミスタにおいて、特に、抵抗温
度係数および耐電圧の大きな正特性サーミスタの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムにＹ，Ｌａ，Ｃｅ等の
希土類元素或いはＮｂ，Ｔａ等の遷移金属を微量添加す
ると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で正の抵抗
温度特性（Positive Temperature Coefficient;ＰＴＣ
特性）を示すことは従来より広く知られている。そのＰ
ＴＣ特性を利用して、過電流保護用素子、温度制御用素
子、モータ起動用素子、ヒータ用素子といったさまざま
な用途に応用されてきている。
希土類元素或いはＮｂ，Ｔａ等の遷移金属を微量添加す
ると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で正の抵抗
温度特性（Positive Temperature Coefficient;ＰＴＣ
特性）を示すことは従来より広く知られている。そのＰ
ＴＣ特性を利用して、過電流保護用素子、温度制御用素
子、モータ起動用素子、ヒータ用素子といったさまざま
な用途に応用されてきている。
【０００３】一方、このような正特性サーミスタの製造
方法としては以下に記すものが一般的である。まず配合
された原料をボールミルやディスパーミルなどを用いて
混合し、フィルタープレス、ドラムドライヤー等で脱
水、乾燥した後、これらの混合粉末を仮焼する。次にこ
の仮焼粉末をボールミル等で粉砕し、ポリビニルアルコ
ール等の結合剤を加えスラリー状にしたものをスプレー
ドライヤー等により造粒し、所望の形状に成形する。さ
らに、この成形体を通常、空気中１３００〜１４００℃
の高温で本焼成を行い、得られた焼結体に電極を塗布し
最終製品とするものである。
方法としては以下に記すものが一般的である。まず配合
された原料をボールミルやディスパーミルなどを用いて
混合し、フィルタープレス、ドラムドライヤー等で脱
水、乾燥した後、これらの混合粉末を仮焼する。次にこ
の仮焼粉末をボールミル等で粉砕し、ポリビニルアルコ
ール等の結合剤を加えスラリー状にしたものをスプレー
ドライヤー等により造粒し、所望の形状に成形する。さ
らに、この成形体を通常、空気中１３００〜１４００℃
の高温で本焼成を行い、得られた焼結体に電極を塗布し
最終製品とするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような正特性サー
ミスタに要求される特性の１つに高耐電圧化がある。
ミスタに要求される特性の１つに高耐電圧化がある。
【０００５】これは、（１）高電圧回路への適用、
（２）素子の小型化（同一定格電圧の場合）等の利点が
あるためである。
（２）素子の小型化（同一定格電圧の場合）等の利点が
あるためである。
【０００６】この耐電圧の向上を達成するためには、セ
ラミックス自体の結晶粒子径をできるだけ小さくするこ
とが必要であり、従来からその組成面あるいはプロセス
面での種々の検討が行われてきている。
ラミックス自体の結晶粒子径をできるだけ小さくするこ
とが必要であり、従来からその組成面あるいはプロセス
面での種々の検討が行われてきている。
【０００７】組成面では、例えばＣａ等の粒成長抑制元
素を添加することで結晶粒子径を抑制することができる
が、常温での抵抗値が大きくなるなどの欠点がある。
素を添加することで結晶粒子径を抑制することができる
が、常温での抵抗値が大きくなるなどの欠点がある。
【０００８】一方、プロセス面からは焼成温度をできる
だけ低く設定することで粒成長を抑制することが可能で
あるが、ＰＴＣ特性、特に抵抗温度係数の低下が顕著と
なってくる等の問題点が生じる。
だけ低く設定することで粒成長を抑制することが可能で
あるが、ＰＴＣ特性、特に抵抗温度係数の低下が顕著と
なってくる等の問題点が生じる。
【０００９】このような、耐電圧の問題の他に、特に正
特性サーミスタを温度制御用としてヒータ関係の製品に
使用する場合、使用電圧が異なると、その抵抗温度係数
の低下に起因する、所望の発熱温度を示さなくなる等の
課題が発生する。
特性サーミスタを温度制御用としてヒータ関係の製品に
使用する場合、使用電圧が異なると、その抵抗温度係数
の低下に起因する、所望の発熱温度を示さなくなる等の
課題が発生する。
【００１０】本発明は、このような点に鑑み、特に、抵
抗温度係数が大きく耐電圧の高い正特性サーミスタを提
供することを目的とするものである。
抗温度係数が大きく耐電圧の高い正特性サーミスタを提
供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ために本発明は、チタン酸バリウム又はその固溶体から
なる主成分に、半導体化元素として、希土類元素あるい
はＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１種類を
含み、さらにＳｉＯ2、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3を添加した原
料を仮焼し、粉砕する際、さらにＴｉＯ2を添加し、次
に成形し、焼成後、電極を付与するものである。
ために本発明は、チタン酸バリウム又はその固溶体から
なる主成分に、半導体化元素として、希土類元素あるい
はＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１種類を
含み、さらにＳｉＯ2、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3を添加した原
料を仮焼し、粉砕する際、さらにＴｉＯ2を添加し、次
に成形し、焼成後、電極を付与するものである。
【００１２】
【作用】次に本発明の作用について説明する。
【００１３】ＰＴＣ特性の発現のメカニズムは、ポテン
シャル障壁のある粒界に起因していることは、古くより
Ｈｅｙｗａｎｇにより指摘されていた。
シャル障壁のある粒界に起因していることは、古くより
Ｈｅｙｗａｎｇにより指摘されていた。
【００１４】キュリー点以上の温度において、その障壁
が温度の上昇に伴い指数関数的に増大する。その粒界抵
抗は次式で示される。
が温度の上昇に伴い指数関数的に増大する。その粒界抵
抗は次式で示される。
【００１５】 ｐ＝ｐ0 ｅｘｐ（φ／ｋＴ） （１） 但し、ｐ0，ｋ：定数 φ：ポテンシャルの障壁高さ Ｔ：絶対温度 さらに、その障壁の高さφは、 φ＝ｅ2 Ｎｓ2 ／２ε1・ε0・Ｎｄ （２） ｅ：電子の電荷、 Ｎｓ：アクセプター密度 Ｎｄ：ドナー密度、 ε1 ：比誘電率 ε0 ：真空の誘電率 である。
【００１６】一方、キュリー点前後で結晶系が正方晶系
ペロブスカイト構造から立方晶系に相転移することが知
られている。
ペロブスカイト構造から立方晶系に相転移することが知
られている。
【００１７】従って、ＰＴＣ特性における抵抗温度係数
を大きくすると言うことは、（１）式におけるφを大き
くすること、即ち（２）式におけるＮｓを大きくするこ
とが必要であり、また結晶構造的には、キュリー点前後
での相転移を阻害するような物質の生成を抑制し、相転
移速度を高めることが求められる。
を大きくすると言うことは、（１）式におけるφを大き
くすること、即ち（２）式におけるＮｓを大きくするこ
とが必要であり、また結晶構造的には、キュリー点前後
での相転移を阻害するような物質の生成を抑制し、相転
移速度を高めることが求められる。
【００１８】このような観点にもとづき、組成面および
プロセス面において鋭意研究した結果本発明に至ったも
のである。その作用について以下に説明する。
プロセス面において鋭意研究した結果本発明に至ったも
のである。その作用について以下に説明する。
【００１９】本発明の組成の中でＡｌ，Ｍｎ，Ｓｉは特
に粒界部分に偏析しＰＴＣ特性に大きく影響する成分で
ある。これにＴｉを若干量過剰添加することで、Ａｌ，
Ｍｎと反応しアクセプター濃度が高められ、その結果
（２）式のＮｓが増し抵抗温度係数が大きくなるものと
考えられる。さらに製造プロセスにおいては仮焼後に過
剰のＴｉを添加することで、より効果的に粒界のみ選択
的にこの機能を発現させることができる。一方、結晶構
造からは、通常の製造プロセスにより作製されたＰＴＣ
素子に認められる副生成物（Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30相やＢａ2
ＴｉＳｉ2Ｏ8相等の液相成分）の生成が仮焼時に既に認
められるが、本発明の製造方法をとることによりこれら
の副生成物の生成が抑制されるため相転移速度が大きく
なるものと考えられる。又、前述した液相成分の生成が
抑制されるため焼結時の粒成長が抑制され、結晶粒子径
が微細化された結果、耐電圧が向上するものと考えられ
る。
に粒界部分に偏析しＰＴＣ特性に大きく影響する成分で
ある。これにＴｉを若干量過剰添加することで、Ａｌ，
Ｍｎと反応しアクセプター濃度が高められ、その結果
（２）式のＮｓが増し抵抗温度係数が大きくなるものと
考えられる。さらに製造プロセスにおいては仮焼後に過
剰のＴｉを添加することで、より効果的に粒界のみ選択
的にこの機能を発現させることができる。一方、結晶構
造からは、通常の製造プロセスにより作製されたＰＴＣ
素子に認められる副生成物（Ｂａ4Ｔｉ13Ｏ30相やＢａ2
ＴｉＳｉ2Ｏ8相等の液相成分）の生成が仮焼時に既に認
められるが、本発明の製造方法をとることによりこれら
の副生成物の生成が抑制されるため相転移速度が大きく
なるものと考えられる。又、前述した液相成分の生成が
抑制されるため焼結時の粒成長が抑制され、結晶粒子径
が微細化された結果、耐電圧が向上するものと考えられ
る。
【００２０】以上詳述したように、本発明の正特性サー
ミスタの製造方法を用いることにより、ＰＴＣ特性、特
に抵抗温度係数が大きく結晶粒子径の抑制された正特性
サーミスタを得ることができる。
ミスタの製造方法を用いることにより、ＰＴＣ特性、特
に抵抗温度係数が大きく結晶粒子径の抑制された正特性
サーミスタを得ることができる。
【００２１】従って、ＰＴＣ特性の電圧依存性が少な
く、耐電圧が向上されるので、より小型化および高電圧
化への適用が可能となる。
く、耐電圧が向上されるので、より小型化および高電圧
化への適用が可能となる。
【００２２】
【実施例】以下実施例により本発明について説明する。
【００２３】（実施例１）（Ｂａ0.8Ｐｂ0.1Ｃａ0.1）
ＴｉＯ3＋０．００２Ｙ2Ｏ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．０
００５ＭｎＯ2＋０．０１Ａｌ2Ｏ3の組成になるよう
に、それぞれ原料として炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、
酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化鉛（ＰｂＯ）、炭酸カル
シウム（ＣａＣＯ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、
二酸化珪素（ＳｉＯ2）、二酸化マンガン（ＭｎＯ2）お
よび酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を秤量した。次に、
これらをボールミルにて湿式混合した後乾燥し、１１０
０℃で２時間仮焼した。その後、この仮焼した粉に過剰
のＴｉＯ2を添加し、ボールミルにて湿式粉砕し乾燥し
た。
ＴｉＯ3＋０．００２Ｙ2Ｏ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．０
００５ＭｎＯ2＋０．０１Ａｌ2Ｏ3の組成になるよう
に、それぞれ原料として炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、
酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化鉛（ＰｂＯ）、炭酸カル
シウム（ＣａＣＯ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、
二酸化珪素（ＳｉＯ2）、二酸化マンガン（ＭｎＯ2）お
よび酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を秤量した。次に、
これらをボールミルにて湿式混合した後乾燥し、１１０
０℃で２時間仮焼した。その後、この仮焼した粉に過剰
のＴｉＯ2を添加し、ボールミルにて湿式粉砕し乾燥し
た。
【００２４】次に、この粉砕粉に結合剤としてポリビニ
ルアルコールを５％加え造粒し、８００ｋｇ／ｃｍ2の
圧力でプレス成形した。この成形物を空気中で約１３５
０℃にて１時間焼成し、直径２０ｍｍ、厚さ２．０ｍｍ
の円板状の焼結体を得た。さらに、この焼結体にＮｉメ
ッキを施した後、銀ペーストを塗布、焼付し電極とし
た。
ルアルコールを５％加え造粒し、８００ｋｇ／ｃｍ2の
圧力でプレス成形した。この成形物を空気中で約１３５
０℃にて１時間焼成し、直径２０ｍｍ、厚さ２．０ｍｍ
の円板状の焼結体を得た。さらに、この焼結体にＮｉメ
ッキを施した後、銀ペーストを塗布、焼付し電極とし
た。
【００２５】次に、このようにして得られた試料の各種
電気特性を測定する。その抵抗温度特性曲線により、常
温抵抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数（α）、耐電圧
（ＶBD）を評価した。その結果を（表１）に示した。
電気特性を測定する。その抵抗温度特性曲線により、常
温抵抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数（α）、耐電圧
（ＶBD）を評価した。その結果を（表１）に示した。
【００２６】
【表１】
【００２７】ここで、抵抗温度係数は次式に従い求め
た。 ［ｌｎ（Ｒ2／Ｒ1）／（Ｔ2−Ｔ1）］×１００（％／
℃） 但し、Ｒ1、Ｔ1；Ｒ25の２倍の抵抗値およびその時の温
度 Ｒ2、Ｔ2；（Ｔ1＋１０）℃の時の抵抗値およびその温
度 である。
た。 ［ｌｎ（Ｒ2／Ｒ1）／（Ｔ2−Ｔ1）］×１００（％／
℃） 但し、Ｒ1、Ｔ1；Ｒ25の２倍の抵抗値およびその時の温
度 Ｒ2、Ｔ2；（Ｔ1＋１０）℃の時の抵抗値およびその温
度 である。
【００２８】尚、試料番号１〜３，６，９，１１，１２
は本発明の比較例である。その中で試料番号３，６，９
は過剰ＴｉＯ2量は本発明の範囲内であるが、原料の混
合時に添加したものであり、それ以外の比較例は過剰Ｔ
ｉＯ2量が本発明の範囲外のものである。
は本発明の比較例である。その中で試料番号３，６，９
は過剰ＴｉＯ2量は本発明の範囲内であるが、原料の混
合時に添加したものであり、それ以外の比較例は過剰Ｔ
ｉＯ2量が本発明の範囲外のものである。
【００２９】（表１）より明らかなように過剰に添加す
るＴｉＯ2量が本発明の範囲内にあり、しかも仮焼後に
添加したものは抵抗温度係数が大きく結晶粒子径が抑制
され、耐電圧も高いことが認められる。
るＴｉＯ2量が本発明の範囲内にあり、しかも仮焼後に
添加したものは抵抗温度係数が大きく結晶粒子径が抑制
され、耐電圧も高いことが認められる。
【００３０】一方、本発明の範囲外の試料は、抵抗温度
係数および耐電圧の向上は認められず、特に、過剰Ｔｉ
Ｏ2の多い試料番号１１，１２に関しては、常温抵抗値
が極端に高くなってしまう。
係数および耐電圧の向上は認められず、特に、過剰Ｔｉ
Ｏ2の多い試料番号１１，１２に関しては、常温抵抗値
が極端に高くなってしまう。
【００３１】（実施例２） （実施例１）と同様の組成となるように原料を配合しボ
ールミルにて湿式混合する。次にこの混合物を乾燥した
後、１１００℃で２時間仮焼した。さらにこの仮焼粉に
１．０ｍｏｌ％のＴｉＯ2を添加しボールミルにて湿式
粉砕した。このときこの仮焼粉砕粉の平均粒子径を
ＤA、過剰ＴｉＯ2粉の平均粒子径をＤBとした。
ールミルにて湿式混合する。次にこの混合物を乾燥した
後、１１００℃で２時間仮焼した。さらにこの仮焼粉に
１．０ｍｏｌ％のＴｉＯ2を添加しボールミルにて湿式
粉砕した。このときこの仮焼粉砕粉の平均粒子径を
ＤA、過剰ＴｉＯ2粉の平均粒子径をＤBとした。
【００３２】ここで、ＤAとＤBとの比ＤA／ＤBを（表
２）の試料番号１〜９になるように試料の粉砕時間を調
整した。
２）の試料番号１〜９になるように試料の粉砕時間を調
整した。
【００３３】
【表２】
【００３４】さらにこの粉砕粉を（実施例１）と同様な
方法で造粒、成形、焼成し電極を形成した。次に、この
ように作製された試料の各種の電気特性を測定した。そ
の抵抗温度特性より（実施例１）と同様にＲ25、α、Ｖ
BDを評価した。その評価結果を（表２）に示した。
方法で造粒、成形、焼成し電極を形成した。次に、この
ように作製された試料の各種の電気特性を測定した。そ
の抵抗温度特性より（実施例１）と同様にＲ25、α、Ｖ
BDを評価した。その評価結果を（表２）に示した。
【００３５】（表２）より明らかなようにＤA／ＤB比が
本発明の範囲内である０．５〜１．０であると常温抵抗
値の上昇が抑えられしかも結晶粒子径が抑制され、抵抗
温度係数および耐電圧の向上が図られる。しかし、ＤA
／ＤB比が本発明の範囲外であるとＲ25が上昇すると同
時にαおよびＶBDの低下が認められる。この理由は以下
の通りである。
本発明の範囲内である０．５〜１．０であると常温抵抗
値の上昇が抑えられしかも結晶粒子径が抑制され、抵抗
温度係数および耐電圧の向上が図られる。しかし、ＤA
／ＤB比が本発明の範囲外であるとＲ25が上昇すると同
時にαおよびＶBDの低下が認められる。この理由は以下
の通りである。
【００３６】一般的に、バリウムとチタンの固相反応
は、チタンからバリウムへの一方的なイオン拡散で進行
すると考えられている。従って、チタンの粒子径が小さ
いほどこの反応は容易に進行すると思われる。本発明で
は仮焼粉砕粉の平均粒子径を過剰添加のＴｉＯ2の平均
粒子径より小さくすることで、バリウムとの反応を抑制
し、粒界での反応をより効果的に行わせることができ、
さらに前述した副生成物を抑制する効果も有するため、
より一層の抵抗温度係数および耐電圧の向上が図られる
ものと考えられる。しかし、ＤA／ＤBが０．５より小さ
いと粒界での反応が不均一となるため、本発明の効果は
低減されるものと考えられる。
は、チタンからバリウムへの一方的なイオン拡散で進行
すると考えられている。従って、チタンの粒子径が小さ
いほどこの反応は容易に進行すると思われる。本発明で
は仮焼粉砕粉の平均粒子径を過剰添加のＴｉＯ2の平均
粒子径より小さくすることで、バリウムとの反応を抑制
し、粒界での反応をより効果的に行わせることができ、
さらに前述した副生成物を抑制する効果も有するため、
より一層の抵抗温度係数および耐電圧の向上が図られる
ものと考えられる。しかし、ＤA／ＤBが０．５より小さ
いと粒界での反応が不均一となるため、本発明の効果は
低減されるものと考えられる。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
は、チタン酸バリウムまたはその固溶体を主成分とし、
半導体化元素あるいはＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち
少なくとも１種類、Ａｌ，Ｍｎ，Ｓｉが添加されてなる
仮焼粉に、さらに、ＴｉＯ2を主成分１ｍｏｌに対して
０．５〜３．０ｍｏｌ％添加し、さらに仮焼粉砕粉と過
剰ＴｉＯ2の平均粒子径の比が０．５〜１．０となるよ
うにコントロールしたものでサーミスタ素子を形成する
ものである。その結果、結晶粒子径を抑制し均一な粒成
長を促し、耐電圧を向上させることができる。また、粒
界でのアクセプター密度が増大することにより抵抗温度
係数を向上させることができる。
は、チタン酸バリウムまたはその固溶体を主成分とし、
半導体化元素あるいはＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち
少なくとも１種類、Ａｌ，Ｍｎ，Ｓｉが添加されてなる
仮焼粉に、さらに、ＴｉＯ2を主成分１ｍｏｌに対して
０．５〜３．０ｍｏｌ％添加し、さらに仮焼粉砕粉と過
剰ＴｉＯ2の平均粒子径の比が０．５〜１．０となるよ
うにコントロールしたものでサーミスタ素子を形成する
ものである。その結果、結晶粒子径を抑制し均一な粒成
長を促し、耐電圧を向上させることができる。また、粒
界でのアクセプター密度が増大することにより抵抗温度
係数を向上させることができる。
【００３８】従って、高電力回路への応用や素子の小型
化等が期待できるため、その工業的利用価値は大きい。
化等が期待できるため、その工業的利用価値は大きい。
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン酸バリウム又はその固溶体からな
る主成分に、副成分として、希土類元素あるいはＮｂ，
Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１種類、さらにＳ
ｉＯ2、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3を添加した原料を仮焼し、次
に粉砕する際、さらにＴｉＯ2を添加し、その後成形、
焼成し、最後に電極を付与する正特性サーミスタの製造
方法。 - 【請求項２】 粉砕する際に添加するＴｉＯ2の平均粒
子径をＤB、仮焼した原料の平均粒子径をＤAとすると、
ＤA／ＤBが０．５〜１．０となるようにする請求項１記
載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項３】 粉砕する際のＴｉＯ2の添加量を主成分
１ｍｏｌに対して０．５〜３．０ｍｏｌ％にする請求項
１または２記載の正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122455A JPH07335404A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122455A JPH07335404A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335404A true JPH07335404A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14836278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6122455A Pending JPH07335404A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335404A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012863A1 (fr) * | 1997-09-05 | 1999-03-18 | Tdk Corporation | Ceramique semi-conductrice a base de titanate de baryum |
| US6071842A (en) * | 1997-09-05 | 2000-06-06 | Tdk Corporation | Barium titanate-based semiconductor ceramic |
| US6221800B1 (en) | 1997-09-05 | 2001-04-24 | Tdk Corporation | Method of producing PTC semiconducting ceramic |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP6122455A patent/JPH07335404A/ja active Pending
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| WO1999012863A1 (fr) * | 1997-09-05 | 1999-03-18 | Tdk Corporation | Ceramique semi-conductrice a base de titanate de baryum |
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