JPH031386B2 - - Google Patents
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- JPH031386B2 JPH031386B2 JP58110313A JP11031383A JPH031386B2 JP H031386 B2 JPH031386 B2 JP H031386B2 JP 58110313 A JP58110313 A JP 58110313A JP 11031383 A JP11031383 A JP 11031383A JP H031386 B2 JPH031386 B2 JP H031386B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
- C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
- C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
- C23F11/14—Nitrogen-containing compounds
- C23F11/149—Heterocyclic compounds containing nitrogen as hetero atom
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は銅または銅合金の防錆処理方法に関
するものである。
するものである。
たとえば、セラミツクスなどの絶縁体の表面に
無電解メツキ法により銅被膜を形成し、この銅被
膜を導電部分とすることは知られている。このよ
うな例としては、セラミツクコンデンサの銅電極
回路基板の導電パターンなどへの応用がある。そ
して銅被膜はそのままでは酸化されやすい性質を
有しているため、通常防錆処理が施される。
無電解メツキ法により銅被膜を形成し、この銅被
膜を導電部分とすることは知られている。このよ
うな例としては、セラミツクコンデンサの銅電極
回路基板の導電パターンなどへの応用がある。そ
して銅被膜はそのままでは酸化されやすい性質を
有しているため、通常防錆処理が施される。
従来の防錆処理は次のようにして実施されてい
た。つまり、防錆剤であるベンゾトリアゾールま
たはベンゾトリアゾール誘導体を溶媒である水ま
たはアルコールに溶解し、この溶液に銅製品また
は銅合金製品を浸漬するか、または前記溶液を銅
製品または銅合金製品に吹き付け、塗布などの手
段で接触させることによつて防錆処理を行い、次
いで水またはアルコール類を除去し、さらに室温
乾燥や沸点以上の高温で乾燥していた。
た。つまり、防錆剤であるベンゾトリアゾールま
たはベンゾトリアゾール誘導体を溶媒である水ま
たはアルコールに溶解し、この溶液に銅製品また
は銅合金製品を浸漬するか、または前記溶液を銅
製品または銅合金製品に吹き付け、塗布などの手
段で接触させることによつて防錆処理を行い、次
いで水またはアルコール類を除去し、さらに室温
乾燥や沸点以上の高温で乾燥していた。
しかしながら、このような方法によれば、溶媒
として高沸点のものを使用しているため、乾燥工
程において結露状態が実現されることになり、銅
製品または銅合金製品の表面に染みが発生した
り、アルコール濃度管理の不備によつて染みが発
生したりして外観不良を起こしていた。
として高沸点のものを使用しているため、乾燥工
程において結露状態が実現されることになり、銅
製品または銅合金製品の表面に染みが発生した
り、アルコール濃度管理の不備によつて染みが発
生したりして外観不良を起こしていた。
また、この従来方法によれば、防錆処理後、い
わゆる水切り工程や熱風乾燥工程が必要となり、
これらの工程が入ることにより、一連の防錆処理
の自動化が行えなかつた。
わゆる水切り工程や熱風乾燥工程が必要となり、
これらの工程が入ることにより、一連の防錆処理
の自動化が行えなかつた。
したがつて、この発明は水切り工程や高温熱風
乾燥工程などが不要な銅または銅合金の防錆処理
方法を提供することを目的とする。
乾燥工程などが不要な銅または銅合金の防錆処理
方法を提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするところは、溶
媒であるトリクロルトリフロロエタンとアルコー
ルの混合溶液に、防錆剤であるベンゾトリアゾー
ルまたはベンゾトリアゾール誘導体を飽和濃度以
下に溶解させて防錆溶液を作り、この防錆溶液と
銅または銅合金と接触させ、次いで防錆剤を含ま
ない前記溶媒の混合溶液で濯ぎ、さらに低沸点の
前記溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄することを特徴
とする銅または銅合金の防錆処理方法である。
媒であるトリクロルトリフロロエタンとアルコー
ルの混合溶液に、防錆剤であるベンゾトリアゾー
ルまたはベンゾトリアゾール誘導体を飽和濃度以
下に溶解させて防錆溶液を作り、この防錆溶液と
銅または銅合金と接触させ、次いで防錆剤を含ま
ない前記溶媒の混合溶液で濯ぎ、さらに低沸点の
前記溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄することを特徴
とする銅または銅合金の防錆処理方法である。
ここで、防錆処理の対象である銅または銅合金
としては、 セラミツクス、プラスチツクなどの非処理物
に電解メツキまたは無電解メツキにより形成さ
れた銅または銅合金被膜 銅または銅合金そのものからなるものなどが
ある。
としては、 セラミツクス、プラスチツクなどの非処理物
に電解メツキまたは無電解メツキにより形成さ
れた銅または銅合金被膜 銅または銅合金そのものからなるものなどが
ある。
そして、の銅または銅合金は通常湿式で処理
されるため水分を含んでおり、水置換乾燥ととも
に、防錆処理が必要とされる。
されるため水分を含んでおり、水置換乾燥ととも
に、防錆処理が必要とされる。
またの銅または銅合金は水を含んでいない
が、高温の熱処理を経るため、表面が非常に化学
的活性を有しており、放置すると大気中の湿気に
より酸化が急激に進行することになり、やはり防
錆処理が必要とされる。
が、高温の熱処理を経るため、表面が非常に化学
的活性を有しており、放置すると大気中の湿気に
より酸化が急激に進行することになり、やはり防
錆処理が必要とされる。
溶媒であるトリクロルトリフロロエタンとアル
コールの混合溶液は、アルコール含有量を共沸点
温度以下で混合したものが使用される。
コールの混合溶液は、アルコール含有量を共沸点
温度以下で混合したものが使用される。
また、防錆剤としはベンゾトリアゾールまたは
その誘導体が使用される。ベンゾトリアゾールの
誘導体としては、たとえばポリアミン誘導体があ
る。
その誘導体が使用される。ベンゾトリアゾールの
誘導体としては、たとえばポリアミン誘導体があ
る。
この発明方法によれば、溶媒としてトリクロル
トリフロロエタンとアルコールの混合溶液を用い
るため、従来のように水または水を含むアルコー
ルからなる溶媒で処理したものにくらべ酸化を促
進する要素を含んでおらず、したがつて酸化や表
面の染みの発生が認められない。
トリフロロエタンとアルコールの混合溶液を用い
るため、従来のように水または水を含むアルコー
ルからなる溶媒で処理したものにくらべ酸化を促
進する要素を含んでおらず、したがつて酸化や表
面の染みの発生が認められない。
また、この発明方法によれば、従来のように水
や水を含むアルコールを溶媒として用いた場合、
水切り工程や高温熱風乾燥処理が必要であつた
が、このような工程が省略でき、連続して防錆処
理が実現でき、防錆処理の自動化が容易に実現す
ることができる。
や水を含むアルコールを溶媒として用いた場合、
水切り工程や高温熱風乾燥処理が必要であつた
が、このような工程が省略でき、連続して防錆処
理が実現でき、防錆処理の自動化が容易に実現す
ることができる。
さらに、従来方法によれば、水または水を含む
アルコールが汚染されたとき、廃液処理が必要で
あつたが、この発明方法のようにトリクロルトリ
フロロエタンとアルコールの混合溶液を用いるこ
とによつて、蒸気再生が可能となり、大幅な節水
ができることになる。
アルコールが汚染されたとき、廃液処理が必要で
あつたが、この発明方法のようにトリクロルトリ
フロロエタンとアルコールの混合溶液を用いるこ
とによつて、蒸気再生が可能となり、大幅な節水
ができることになる。
さらに、また、この発明方法においては、防錆
溶液と銅または銅合金を接触させたのち、防錆剤
を含まない混合溶媒でリンス処理を施し、さらに
低沸点の混合溶媒にて蒸気洗浄するが、この低沸
点の混合溶媒は沸点が50℃以下に設定される。し
たがつて、蒸気洗浄を低温で実施でき、防錆処理
対象である銅または銅合金の酸化も防止すること
ができる。
溶液と銅または銅合金を接触させたのち、防錆剤
を含まない混合溶媒でリンス処理を施し、さらに
低沸点の混合溶媒にて蒸気洗浄するが、この低沸
点の混合溶媒は沸点が50℃以下に設定される。し
たがつて、蒸気洗浄を低温で実施でき、防錆処理
対象である銅または銅合金の酸化も防止すること
ができる。
以下、この発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
処理対象品として、セラミツクスの表面に銅の
無電解メツキ被膜を形成したものを準備し、さら
にメツキ処理後水洗した。
無電解メツキ被膜を形成したものを準備し、さら
にメツキ処理後水洗した。
一方、ベンゾトリアゾールのポリアミン誘導体
をトリクロルトリフロロエタンとアルコールの共
沸点混合溶液に20％加えて防錆溶液を作つた。こ
の防錆溶液に上記セラミツクスを浸漬した。ここ
で、浸漬の他、吹き付け、筆塗などで接触させて
もよい。そののち防錆溶液からセラミツクスを引
き上げ、さらに防錆剤を含まない前記溶媒の混合
溶液で濯いだ。次いで低沸点（45℃）の前記溶媒
の混合溶媒にて蒸気洗浄した。
をトリクロルトリフロロエタンとアルコールの共
沸点混合溶液に20％加えて防錆溶液を作つた。こ
の防錆溶液に上記セラミツクスを浸漬した。ここ
で、浸漬の他、吹き付け、筆塗などで接触させて
もよい。そののち防錆溶液からセラミツクスを引
き上げ、さらに防錆剤を含まない前記溶媒の混合
溶液で濯いだ。次いで低沸点（45℃）の前記溶媒
の混合溶媒にて蒸気洗浄した。
このようにして処理したセラミツクス表面の銅
の無電解メツキ被膜を観察したところ、染みの発
生は見られなかつた。また処理後1000時間空気中
に放置したところ、酸化現象の発生は見られなか
つた。
の無電解メツキ被膜を観察したところ、染みの発
生は見られなかつた。また処理後1000時間空気中
に放置したところ、酸化現象の発生は見られなか
つた。
実施例 ２
この実施例では処理対象品として銅線を選ん
だ。
だ。
この銅線は特性改善のために100℃以上の温度
で熱処理工程に付されるが、この実施例では200
℃で熱処理したものを用いた。
で熱処理工程に付されるが、この実施例では200
℃で熱処理したものを用いた。
この銅線をすでに上記した実施例１と同様にし
て処理した。得られた銅線の表面を観察したとこ
ろ、染みの発生は見られなかつた。また処理後
1000時空気中に放置したところ、酸化現象の発生
は認められなかつた。
て処理した。得られた銅線の表面を観察したとこ
ろ、染みの発生は見られなかつた。また処理後
1000時空気中に放置したところ、酸化現象の発生
は認められなかつた。
Claims (1)
- １ 溶媒であるトリクロルトリフロロエタンとア
ルコールの混合溶液に、防錆剤であるベンゾトリ
アゾールまたはベンゾトリアゾール誘導体を飽和
濃度以下に溶解させて防錆溶液を作り、この防錆
溶液と銅または銅合金と接触させ、次いで防錆剤
を含まない前記溶媒の混合溶液で濯ぎ、さらに低
沸点の前記溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄すること
を特徴とする銅または銅合金の防錆処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110313A JPS602681A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 銅または銅合金の防錆処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110313A JPS602681A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 銅または銅合金の防錆処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602681A JPS602681A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH031386B2 true JPH031386B2 (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=14532540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110313A Granted JPS602681A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 銅または銅合金の防錆処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602681A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287155A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH0878281A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| US7264740B2 (en) * | 2003-03-28 | 2007-09-04 | David Hughes Horne | Process for increasing strength, flexibility and fatigue life of metals |
| CN102064020B (zh) * | 2010-10-28 | 2012-04-25 | 吴浩 | 微波高频电容器端电极的制作方法 |
| JP6848243B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2021-03-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性基板の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58110313A patent/JPS602681A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS602681A (ja) | 1985-01-08 |
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