JPH0878281A

JPH0878281A - 電子部品の製造方法

Info

Publication number: JPH0878281A
Application number: JP6211173A
Authority: JP
Inventors: Iwao Ueno; 巌上野; Yasuo Wakahata; 康男若畑; Michio Jinno; 理穂神野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-09-05
Filing date: 1994-09-05
Publication date: 1996-03-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は電子部品の製造方法に関するもの
で、浸入水分による素子の変成を防止するものである。【構成】そしてこの目的を達成するために本発明は、
焼成後のバリスタ素子１を洗浄させるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、セラミック電子部品は、その
セラミック素子を焼結させるために、例えば、１２００
℃程度の高温で焼成している。

【０００３】上記焼成により、セラミック素子を構成す
る各元素はほとんど全てが、焼結反応し定形のセラミッ
ク素子が形成されることとなる。そして、その後、電極
を形成し、電子部品を得ていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記構成において、問
題となるのは、セラミック素子に水分が浸入すると、電
気特性が劣化してしまうということであった。即ち、上
述したように、高温焼結によりセラミック素子と構成す
る各元素は、ほとんど全てが焼結反応しているのではあ
るが、一部の未反応物質は、この浸入水分によりイオン
化し、その結果として、上述のごとく電気特性を劣化さ
せてしまうのであった。

【０００５】そこで本発明は、浸入水分によるセラミッ
ク素子の変性を防止することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために、本発明は、焼成後のセラミック素子を洗浄
するものである。

【０００７】

【作用】以上の方法によれば、未反応物質は、洗浄によ
り除去されるので、例え浸入水分があったとしても、素
子の変性を防止することが出来る。

【０００８】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について、図
面を用いて説明する。

【０００９】図１において、１はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ ₃を主成分とし、副成分としてＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ
₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＭｎＯ₂などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分と
してＬｉ₂ＣＯ₃などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成
分としてＬｉ₂ＣＯ₃などを添加して形成し、上層３ｂを
Ａｇで形成したものである。さらに外部電極３表面にＮ
ｉメッキ４ａ、その上に半田メッキ４ｂを行った。

【００１０】図２は、製造工程を示し、（５）に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。

【００１１】次に、セラミックシート１ａと内部電極２
とを積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面取り（９）した。

【００１２】次に、バリスタ素子１の端面に、下層３ａ
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）した。その後、洗浄液として
用いるイオン交換水中に浸漬し加熱して、５分以上沸騰
させて、洗浄（１２）し、さらに乾燥後に、下層３ａの
上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電極を塗布（１３）し、
７００〜８５０℃で再酸化のため加熱（１４）する。次
に再度、再酸化（１４）したバリスタ素子１をイオン交
換水に浸漬し、前記と同様に、加熱洗浄（１５）した。

【００１３】（実施例２）以下、第２の実施例につい
て、図１，図３を参照しながら説明する。

【００１４】実施例１と同様にして、図３に示す（５）
〜（９）の工程を経て、次に下層３ａを塗布（１０）
し、還元焼成（１１）した後、Ｈ₂Ｏ₂とＮＨ₄ＯＨとを
用いた水溶液中に浸漬し、洗浄（１２ａ）して、次に、
イオン交換水中に浸漬し洗浄（１２ｂ）し、乾燥した後
に、下層３ａの上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電極を塗
布（１３）し、７００〜８５０℃で再酸化のため加熱す
る（１４）。次に再度、再酸化したバリスタ素子１をイ
オン交換水中に浸漬し加熱洗浄（１５）した。

【００１５】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について、図１，図４を参照しながら説明する。

【００１６】実施例１および２と同様にして、図４に示
す（５）〜（１２）の工程を経た後、上層３ｂを付与し
（１３）、再酸化（１４）して、洗浄（１５）したバリ
スタ素子１の上層３ｂの上にＮｉメッキ及び半田メッキ
（１６）をした後、エタノール溶液中に浸漬し、次に加
熱したイオン交換水で浸漬し洗浄（１７）し、図１に示
すごとく電子部品を得た。

【００１７】このような上記各実施例での洗浄により、
バリスタ素子１に残っていた未反応物質は除去され、浸
入水分によるバリスタ電圧の低下が防止できるものであ
る。

【００１８】さらに、上記各実施例においては、積層バ
リスタを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイ
ル、バリスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層
セラミックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できる
ものであり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問
わない。

【００１９】また、製造工程上重要なことは、（１）水で洗浄する場合、水はイオン交換水、もしくは
純水が望ましい。

【００２０】（２）上記、水で洗浄する場合、加熱した
方が洗浄能力は大幅に向上するが、メッキ後のバリスタ
素子１で実施するとメッキ面が酸化されるため避ける方
が望ましい。

【００２１】（３）Ｈ₂Ｏ₂のアルカリ溶液で洗浄する場
合、Ａｇ焼付け後のバリスタ素子１で実施するとＡｇが
遊離するため避けた方が望ましい。

【００２２】（４）アルコール溶液に浸漬し洗浄する場
合は、浸漬後のバリスタ素子１は、乾燥させることなく
早急に次工程の洗浄を実施する方が望ましい。

【００２３】焼成したバリスタ素子１をイオン交換水に
浸漬することにより、バリスタ素子１中の未反応物質が
拡散しようとして、バリスタ素子１の外部へ出ていく。
またさらに加熱することにより、イオン交換水中に対流
が生じ、未反応物質が外部へ出ていきやすくなる。ま
た、バリスタ素子１をＨ₂Ｏ₂のアルカリ溶液に浸漬する
ことにより、バリスタ素子１中の未反応物質、例えば金
属イオンなどが、Ｈ₂Ｏ₂により酸化して、安定化し、例
え水分がバリスタ素子１中に浸入したとしても特性に影
響を及ぼさない。

【００２４】また、アルコールあるいはその誘導体の溶
液に浸漬することにより、バリスタ素子１内部のすみず
みにまで溶液が浸入し、次に、イオン交換水で加熱洗浄
する際、この溶液が気化し、水と入れ替わる際、未反応
物質も一緒にバリスタ素子１外部へ出ていくこととな
る。

【００２５】なお、洗浄液に浸漬し、加熱する際、５分
以上煮沸することにより、よりよい効果が得られる。

【００２６】また、過酸化水素のアルカリ溶液を用いる
場合、実施例２においては、アルカリ溶液としてＮＨ₄
ＯＨを用いたが、他にも、バリスタ素子１に影響を及ぼ
さないアルカリ溶液であれば構わない。さらに、実施例
３において、エタノール溶液を用いたが、他にメタノー
ル、プロパノール等のアルコール、アセトン等のケト
ン、酢酸メチル等のエステル、エーテル、ベンゼン等の
芳香族化合物で、洗浄液よりも、沸点と粘度の低い溶液
であれば構わない。

【００２７】

【発明の効果】以上のように本発明は、焼成後のセラミ
ック素子を洗浄するものであり、以上の方法によれば、
未反応物質は、洗浄除去され、例え浸入水分があったと
しても、素子の変成を防止することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図

【図２】本発明の第１の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図３】本発明の第２の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【図４】本発明の第３の実施例におけるバリスタの製造
工程図

【符号の説明】

１バリスタ素子２内部電極３外部電極４メッキ電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック素子を焼成し、次に、前記セ
ラミック素子を洗浄する電子部品の製造方法。
【請求項２】セラミック素子を焼成し、次に、このセ
ラミック素子を洗浄液中に浸漬して洗浄する電子部品の
製造方法。
【請求項３】洗浄液として水を用いる請求項２記載の
電子部品の製造方法。
【請求項４】洗浄液として、過酸化水素のアルカリ溶
液を用いる請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】アルカリ溶液として、アンモニア水を用
いる請求項４記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】セラミック素子を焼成後、洗浄液中に浸
漬し、加熱洗浄する電子部品の製造方法。
【請求項７】洗浄液が沸騰してから５分以上加熱する
請求項６記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】セラミック素子を焼成し、次に、酸化の
ための加熱を行った後、前記セラミック素子を洗浄する
電子部品の製造方法。
【請求項９】セラミック素子を焼成後洗浄し、次に、
前記セラミック素子の表面に電極を形成後、洗浄する電
子部品の製造方法。
【請求項１０】電極上にメッキを行った後、洗浄する
請求項９記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】セラミック素子を焼成し、次に、この
セラミック素子を有機溶媒に浸漬させ、次に、この有機
溶媒よりも高温の洗浄液中に浸漬させて洗浄する電子部
品の製造方法。
【請求項１２】有機溶媒は、洗浄液よりも沸点の低い
ものを用いる請求項１１記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】有機溶媒は、洗浄液よりも粘度の低い
ものを用いる請求項１１記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】有機溶媒として、アルコールあるいは
その誘導体の溶液を用いる請求項１１記載の電子部品の
製造方法。
【請求項１５】溶液として、メタノール、エタノー
ル、プロパノールのうち少なくとも一種類以上を含有す
る溶液を用いる請求項１４記載の電子部品の製造方法。