JPH031391B2 - - Google Patents

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JPH031391B2
JPH031391B2 JP62326681A JP32668187A JPH031391B2 JP H031391 B2 JPH031391 B2 JP H031391B2 JP 62326681 A JP62326681 A JP 62326681A JP 32668187 A JP32668187 A JP 32668187A JP H031391 B2 JPH031391 B2 JP H031391B2
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cathode
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Emu Ruusu Betei
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    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
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    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
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    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気めつき技術に関し、詳しくはプリ
ント回路の製造に特に有用な電気めつき銅の製造
方法に関する。
本発明は、アルミニウム担体上に形成され、
“超薄”と通称される電気めつき銅箔に適用でき
ると同時に通常の電気めつき銅箔の製造にも適用
することができる。
以下、本発明を主に通常の担体を使用しない金
属箔について記述するが、このことは本発明を通
常の金属箔に限定するものでなく、アルミニウム
または他の担体上に形成された銅箔をも包含する
ものである。これらの担持されていない金属箔の
厚さは約12ミクロンから約35ミクロンまたはそれ
以上程度であり、一方、担持箔と呼称されるもの
の厚さは通常約５ミクロンから12.0ミクロン程度
であり、通常50ミクロンから70ミクロンのアルミ
ニウム板の上に沈着される。本開示の目的上、担
体の語は如可なる適当な基体をも意味し、アルミ
ニウムの語は商業的に入手し得る純粋の金属およ
びアルミニウムを主成分とする合金を意味する。
プリント回路基板を製造する周知の基盤技術
は、回転ドラム上またはアルミニウムシートのよ
うな一時的担体の上に銅を沈着し、必要であれば
銅箔の露出面に処理皮膜を施し（このうなことは
例えば米国特許第3585010号に教示されている）、
銅の露出面または処理面を、エポキシ樹脂を含浸
したガラス繊維マツトまたは基体のようなプリン
ト回路基板に合せ、加熱、加圧することにより胴
の表面をエポキシ樹脂と接着し、その後一時的担
体を使用している場合はそれを取り外すことを包
含している。
樹脂基体と銅箔よりなる前記積層体から良質の
プリント回路を得るには、種々の性質の中で銅箔
は高度に細孔が少く、基体に確実に接着し得るこ
とが必要であり、このことは薄い銅箔の場合に特
に重要である。基体と銅箔との接着性を改良する
一つの方法は、苔形模様の形成などにより、銅箔
上にこぶ状の露出面を形成することである。
米国特許第3293109号に初めて開示され、のち
に米国特許第3990926号により改良された先行技
術においては、高度に細孔が少く、樹脂基体と確
実に接着し得る金属箔を得るために２段階または
それ以上の銅めつきが必要であつた。典型的には
この技術は、初めに銅めつきにより厚さ約50マイ
クロインチ迄の均一な銅基盤を形成し、次いで更
に少くとも１箇の電解浴および／または異なつた
電流密度により必要な厚さを得るとともに銅の外
面をこぶ状とし、これにより接着または積層され
る基体との接着力を増加することを包含する。
このように、従来は、樹脂基本に確実に接着可
能な、別の表現では高い“剥離強力（Peel Stren
gth）”を有し、高度に細孔が少ない銅箔を得るた
めには多段階銅めつきが必要であつた。“剥離強
力”は通常、樹脂基体と金属箔との接着力を表す
語である。プリント回路の要求を満たすために
は、剥離強力は通常、ASTM Ｄ／1867に定めら
れた測定法によつて約71bs.／in.以上が必要とさ
れている。
前記多段階法は、こぶ状外面を有し、細孔の少
ない金属箔を製造することができるが、各段階の
間で精密な調節、制御が必要であるという欠点を
有している。各段階は注意深い監視を必要とする
だけでなく、各々の段階の電解浴組成、電解浴中
の電流密度、温度などのプロセス変数も他の段階
のそれ等変数と十分に注意して連動しなければな
らない。例えば、２段階プロセスを用いる場合、
第２段階の電解浴組成が変更されると、新しい第
２段階の電解浴組成に対応して第１段階の電解浴
組成その他のプロセス変数を精密に調節する必要
がある。このような調節、連動が必要であるの
で、工程は単純化することができない。従来の多
段階法においては、例え注意深い制御を行つて
も、多段階法が複雑であるため、しばしば信頼性
の問題に直面する。加えて、多段階法を用いるこ
とにより、多くの据付面積、多くの機器が必要と
なり、それに伴つて投資も増加する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、改良された電気めつきによる
金属箔の製造法を提供することにある。
本発明の他の目的は、エポキシ樹脂を含浸した
ガラスフアイバー製回路基板に対して強い接着性
を示すこぶ状の面を有し、均一で実質的に細孔の
ない銅箔を形成する１段階の電気銅めつき法を提
供することにある。
本発明の更に他の目的は、初期の銅の核形成を
増加し、こぶ状の外面を形成することができる方
法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、担体上に電気銅めつ
きを施す改良法を提供することにある。
本発明の他の目的は、アルミニウム担体の上
に、エポキシ樹脂を含浸したガラスフアイバー製
回路基板に対して強い接着性を示すこぶ状の面を
有し、細孔の少ない銅箔を電気めきする改良法を
提供することにある。
本発明の他の目的および利点は、本発明を実施
する上に最適の態様を含む以下の記載から明らか
になるであろう。
〔問題点を解決するための手段〕
概説すると、本発明は、こぶ状の外表面を有
し、高度に細孔の少ない超薄金属箔を形成する１
段電気銅めつき法を提供することにある。
一つの観点からみれば、本発明は、少くとも２
つの異なつた電流密度を用い、酸性銅浴を用いる
１段法で銅を電気めつきし、プリント回路基板と
強固に接着し得るこぶ状の表面を持ち、高度に細
孔の少ない金属箔の形成に特に適した方法を包含
する。前記方法は通常陰極面としてのドラムまた
はアルミニウムのような担体と少くとも２個の陽
極で構成され、前記陽極は少くとも１箇の一次陽
極と少くとも１個の処理陽極とから構成される。
他の観点からみれば、本発明は、初期に銅の核
形成を増加して細孔の少ない銅箔を形成し、こぶ
状の外面を形成する電気銅めつき法に関する。
更に他の観点からみれば、ある濃度の銅イオン
を含有する電解液と前記電解液中に表面を浸漬し
て移動する陰極面とこれに対向する位置に固定さ
れた陽極面とを有する電解槽を用い、該陰極面が
通過する電解槽内の第１の領域において、限界電
流密度より小さい第１の電流密度を適用して前記
陰極面に比較的平滑な銅箔状沈着物を形成し、次
いで該陰極面が通過する電解槽内の第２の領域に
おいて、限界電流より大きい値と小さい値に脈動
する第２の電流密度を適用し、前記銅箔沈着物上
に多数のこぶ模様を形成することよりなる表面処
理された金属箔の製造方法を包含する。
従来の、または支持体のない金属箔を製造する
場合、酸性銅浴中の回転ドラムに電めつきするこ
とにより銅箔が形成される。この場合少くとも１
箇の一次陽極と更に、少くとも１箇の処理陽極即
ち高電流密度の陽極が使用され、後者は高い電流
密度を加えることにより銅箔上にこぶ状の表面を
形成する。高電流密度陽極による処理効果は銅箔
が電解浴から出る部分またはその近くにおいて特
に大きい。
電気めつきにより超薄金属箔を得る場合、担体
は陰極面として作用する。通常、アルミニウムの
担体を洗滌し、苛性アルカリ溶液で食刻し、中和
したのち更に、鉄、コバルトおよびニツケルの塩
よりなる群から選ばれた一つまたはそれ以上の水
溶性塩を含むアルカリ性のアルカリ金属の亜鉛酸
水溶液で前処理する。この被膜は、その後酸で処
理することにより、ほぼ全体が除去され、アルミ
ニウムの上に均一な薄い酸化物の分離層を形成す
る。前記分離層は、本発明の出願人の出願に係る
米国特許第3969199号により詳細に記述されてお
り、電気銅めつきを実施している間中均一な高密
度銅の核形成に適したアルミニウムの表面を提供
する。
銅の金属原子は連続した膜として沈着するので
はなく、“好適点”に始まり、横方向に拡がつて
連続したフイルムを形成するので、初期に多数の
核形成の中心ができることが望ましい。このこと
は、薄い金属箔のめつきにおいて、高度に細孔の
少ない金属箔を形成するために特に重要である。
細孔が少く、プリント回路基板に強固に接着すす
こぶ状の表面を有する超薄金属箔が１段法により
担体上に形成される。電解浴の入口側の端部に、
高電流密度の処理陽極を１箇またはそれ以上付加
して設けることにより核形成点の生成をほぼ改良
することができる。
図面を参照すると、第１図に略示した装置は、
鉛またはステンレススチールのような不活性な材
料でできたタンク１０を有する電解層からなつて
いる。希望するならば、タンク１０を鉛またはス
テンレススチールのような金属あるいはポリ塩化
ビニールまたはゴムのような非金属材料で内張り
したコンクリートで形成してもよい。ドラム陰極
１２は図示されていない通常の適当な支持装置に
より回転可能に支持されている。ドラム陰極は如
可なる適当な導電性金属または合金で構成可能で
あり、そのような材料として鉛、ステンレススチ
ール、コロンビウム、タンタル、チタンおよびそ
れ等の合金がある。好ましい構成では、ドラム陰
極はステンレススチールのドラムよりなり、チタ
ン、クローム、コロンビウム、タンタルまたはそ
れ等の合金の研磨された電着面を有している。前
記ドラム陰極１２は公知の適当な駆動装置（図示
せず）により回転することができる。
前記ドラム陰極１２は、少くとも一部分が電解
液１４に浸漬するように取付けられる。好ましい
構成においては、前記ドラム陰極のほぼ1/2が電
解液１４の表面以下にある。
前記電解液１４は一般に電気めつきすべき銅イ
オンを含む酸性溶液で構成される。実施態様で
は、電解液１４は硫酸銅の硫酸溶液である。操作
中は前記溶液を室温で混合し、若干昇温された状
態に保つのが好ましい。ほぼ室温に保つた場合、
溶液中には銅が、好ましくは硫酸銅の形で約10
ｇ／から約60ｇ／、好ましくは約15ｇ／か
ら約40ｇ／含まれる。前記電解液１４中の硫酸
は銅が硫酸銅として沈澱を開始する迄の濃度で含
有される。好ましい実施態様では、ほぼ室温の電
解液中の硫酸濃度は約10ｇ／から約100ｇ／
である。前述の硫酸銅および硫酸の濃度は電解液
の温度に維存することを理解すべきである。好ま
しい実施態様において、タンク１０は電解液の温
度を希望の水準に保つ装置（図示せず）を備えて
いる。この調温装置は加熱回路およびまたは冷却
回路のような適当な公知の装置で構成することが
できる。硫酸銅の溶解度は温度とともに増加する
ので、昇温された条件のもとでは硫酸銅の濃度範
囲は前記の範囲を超える場合がある。希望するな
らば、硫酸銅−硫酸電解液で表面処理工程をより
容易にするために公知のゼラチンのような蛋白質
および／または適当な界面活性剤を添加してもよ
い。
前記タンク１０は回転可能なドラム陰極１２に
対向する位置に接近して固定された少くとも１箇
の円弧状の不溶性の一次陽極を備えている。前記
主要電極の目的は電解液１４からドラム表面３０
の上に比較的平滑に金属を沈着することである。
幾つかの一次陽極を用いることができるが、第１
図１６，１７に示すように２箇の円弧状の陽極を
用いるのが好ましい。一次陽極１６および１７は
回転ドラム陰極１２とほぼ同心に配置し、各々の
陽極はドラムの表面３０から約４mmから約25mmの
間隔で配置するのが好ましい。最も好ましくは、
各々の陽極はドラム表面３０から約５mmから約15
mmの範囲の距離に配置される。前記一次陽極１６
および１７は図示されていないどのような適当な
通常の取付装置または取付具により、前記タンク
１０内に設置することができる。
一次陽極１６および１７は回転ドラム陰極１２
は対向する位置に接近して配置されるとともに、
一次陽極１６および１７を相互に、電解液の流通
路１８を形成するように配置するのが好ましい。
金属箔を製造する間、電解液は図示されていない
ポンプにより流通路１８を経て、一次陽極１６お
よび１７とドラム表面３０との間隔２０へ送り込
まれる。前記電解液流を形成するために公知の適
当なポンプを使用することができる。希望するな
らば、電解液を液流路１８に分配するのを補助す
るため流通路１８の低い位置の近くに図示されて
いない分配管を設けてもよい。
一次陽極１６および１７は公知の適当な導電性
材料で作成することができる。そのような材料
は、例えば種々の金属であり、好ましくはこの技
術分野で周知の鉛およびその合金である。陽極１
６および１７は寸法安定性陽極あるいは“DSA”
と呼ぶこともできる。これらは米国特許第
3265526号、同第3632498号およびまたは同第
3711385号に開示されている。陽極１６および１
７の相方は共通の電源２２と接続している。陽極
１６，１７および電源２２は公知の電気接続によ
ることができる。
本発明の好ましい実施態様によれば、電気めつ
きされた金属箔にこぶ模様の層を生成する高電流
密度領域は陽極１７の端の部分にある１箇または
それ以上の処理電極２４によつて形成される。
各々の処理陽極２４は、各々の処理陽極を前記陽
極１７から完全に分離する空隙または適当な絶縁
材料で、前記陽極１７から電気的に絶縁すること
ができる。絶縁材料としては公知の材料を使用す
ることができる。
全製造段階を通じて、電解液の撹拌を容易にす
るために、各々の処理陽極２４は、その全ての部
分がドラム表面から等距離にあり、ほぼ平滑な陽
極面３２を形成するように、前記陽極１７に取付
けられる。電解浴の入口端または出口端に複数の
処理電極を設ける場合、各々の処理電極の間隔
は、ドラム表面と陽極表面の間隔の約１倍から約
３倍が好ましい。各々の処理電極の間隔は前記陽
極表面３２と陰極表面３０との間隔の約1.0倍か
ら約2.5倍が最も好ましい。
それぞれの処理陽極２４は主要電源とは別箇の
電源と接続している。一次陽極と処理陽極の電源
を別箇にすることにより、以下に説明するよう
に、処理領域に異なつた電流密度を同時に発生す
ることが可能となる。前記の陽極２４は公知の電
源に接続することができる。
電源としては、公知のものを使用することがで
きる。例えば直流を適用する整流器でもよく。例
えば、正弦波、方形波、三角波あるいは他の所望
の波形のような規則的に繰り返されるパルスを有
する電流を発生する可変電源でもよい。
上記装置の操作中、前記電解液１４は流通路１
８と一次陽極１６，１７と回転ドラム陰極１２の
間の間隔２０に任意の流速で送入される。主要電
源により一次陽極１６および１７に基礎電流密度
を発生するに十分の電流が送られる。既に述べた
ように、基礎電流密度は限界電流より低くなけれ
ばならない。一次陽極に電流を通した結果とし
て、前記電解液１４からの金属は、主要めつき領
域（第１の領域）において、ドラム表面３０に沈
着する。基礎電流密度は限界電流密度より低いの
で、ほぼ均一な厚さを持つ比較的平滑な金属の沈
着物即ち金属箔が前記ドラム表面３０の上に生成
する。本発明における限界電流密度とは、副反応
として水素等が同時に生成する前に、目的とする
電極反応を達成する最大の電流密度をいう。
電気的に沈着した金属箔が処理領域即ち高電流
密度領域（第２の領域）に入る直前に処理陽極２
４にの第２の電流を通電する。この第２の電流
は、ある一部がその期間中限界電流密度より大き
い第２の電流密度を発生し、また他の一部がその
期間中限界電流密度より小さい第２の電流密度を
発生する脈流で構成される。第２の電流を陽極２
４に通じている間第１の電流は陽極２４に通じて
いる。第１の電流はその間も前記陽極１７に通じ
ているのが好ましい。
前述の硫酸銅−硫酸電解液を用いて、処理され
た銅箔即ちコーラル銅を形成するためには、前記
電解液１４を流通路１８および間隙２０を通じて
約0.1ｍ／secから約４ｍ／secの範囲で、好まし
くは約１ｍ／secから約2.5ｍ／secの流速で流す
ことが必要である。基礎電流密度は約0.24A／cm2
から約2A／cm2、好ましくは約0.75A／cm2から約
1.5A／cm2である。処理領域において、前記第２
の電流は平均電流密度で約1.1A／cm2から約6A／
cm2であり、好ましくは約2A／cm2から約3A／cm2で
ある。
電流密度は、或る部分電解液流量の凾数であ
り、電解液の流量を増加するときは沈着する電解
箔の性質を変えることなく、より高い電流密度を
適用することができる。一般に、この中で用いた
ように（文脈から明らかなように）、“低電流密
度”の語は限界電流よりも低い電流密度を意味
し、その範囲は、一般に約0.4A／cm2から約２
“Ａ／cm2であり、高電流密度の語は限界量よりも
高い電流密度を意味し、第２の電流密度は限界電
流より大きい値と小さい値に脈動し、その範囲は
一般に約1.1A／cm2から約6A／cm2である。
処理が完了したのち、処理された金属箔２８
は、公知の適当な方法によつて、ドラム陰極１２
から除去される。例えば、図示されていないナイ
フブレードがドラム陰極から処理箔を剥がすのに
用いられる。引き続いて前記金属箔は中和し、乾
燥し、裁断し、捲き取りリール１３捲き取りおよ
び／または、例えば前述の米国特許第3585010号
に教示されている１またはそれ以上の付加的処理
のための処理領域を通過する。
第１図に示す電解槽は、中央に液流通路１８を
構成した一次陽極１６および１７を備えている
が、前記陽極の代わりに、図示されていない単一
の不溶性、円弧状陽極を用いることもできる。単
一の陽極を用いた場合、回転ドラム表面と前記陽
極表面の間隙への電解液の流入を可能するため前
記陽極の中央部に１箇またはそれ以上の開口部を
設ける必要がある。処理領域を形成するために、
１箇またはそれ以上の処理陽極を設けてもよい。
以上、本発明を、連続法について記載したが、
希望する場合は、前記の処理された金属箔を回分
法で作ることも可能である。このような回分法に
おいて、金属箔にこぶ模様を施す前記処理陽極２
４の代りに、少くとも１箇の一次陽極の一部に脈
流を加えてもよい。
前記脈流は、ある期間に限回電流密度を超える
第２の電流密度が加えられる第１の部分とある期
間に限回電流密度以下の第２の電流密度が加えら
れる第２の部分とよりなつている。脈流の適用に
先立つて、電解液に浸漬した可動陰極表面に通常
法により金属箔を形成する。その後、金属箔の形
成に要した時間と比較して比較的短い時間脈流を
適用して前記の金属箔にこぶ模様処理を加える。
銅のこぶ模様をめつきするために脈流は十分な密
度と衝撃係数（Duty cycle）が必要である。一
般に、脈流の密度は約2000A／ft2から約
10000A／ft2であり、衝撃係数は約10％から90％、
好ましくは約40％から約60％である。さらに具体
的にはオフ・サイクル0.05〜50ｍ秒、好ましくは
0.1〜10ｍ秒、デユーテイ・サイクル0.05〜50ｍ
秒、好ましくは0.10〜10ｍ秒である。
第２図に示実施態様においては、２箇所の高電
流密度領域を使用している。１箇所は第１図の実
施態様に示すように電解浴の出口にあり陽極２４
を使用しており、第２の高電流密度領域は電解槽
の入口にあり、陽極２５を使用している。前記の
陽極２５は陽極２４に関して前述したと同様に取
付けられ絶縁されている。
陽極２５を用いて入口部分に構成された前記高
電流密度領域は、細孔の少ない金属箔の形成に有
効であると前述した望ましい核形成中心を形成す
る。陽極２５は陽極２４と同じ電流密度で操作し
てもよく、他の電源を用いて陽極２４より高いか
またはより低い電流密度で操作してもよい。さら
に、陽極２５に、図示されていない開閉装置を取
り付けてもよく、それにより、陽極２５は希望に
より、高電流密度で操作するため第２または第３
の電源に接続してもよく、または主要電源に接続
してもよい。この場合陽極２５は低電流密度で操
作され事実上主要電極の拡張となる。
第３図は本発明の更に他の実施態様を示す。こ
こでは陽極１６および陽極１７に代つてａからｈ
迄に表示された多数の棒状部材が用いられてい
る。陽極１７の棒状部材ａ，ｂ、および／または
ｃのうちの１箇またはそれ以上を陽極１７を構成
する残余の棒状部材と絶縁することができ、そし
て好ましくは第２の電源に接続することによつて
高電流密度陽極２４の代りに作動することができ
る。同様に、陽極１６の棒状部材ａ，ｂ、およ
び／またはｃの１箇またはそれ以上を陽極１６を
構成する残余の棒状部材と絶縁することができ、
そして好ましくは、第２または第３の電源と接続
して高電流密度陽極２５の代りに作動することが
できる。多数の棒状部材を用いる場合、各棒状部
材の間に絶縁体を配して陽極１７（または陽極１
６）にほぼ平滑な面を構成することが好ましい。
高電流密度が最適値に近い場合、こぶ模様体は
既に陰極表面上にある沈着物から生成を開始し、
基板となる金属箔に十分に接着する。高電流密度
が最適値を超える場合、沈着物はこぶ模様体より
もより粉末状となり、このような“粉末状”の苔
状模様体の基体銅箔への接着を確実にするために
更に平滑な銅めつきを必要とする。
第４Ａ図、第４Ｂ図および第４Ｃ図はそれぞれ
本発明によつて得られた銅箔表面金属組織の電子
顕微鏡写真図、第５図は同じく本発明による銅箔
断面の金属組織の電子顕微鏡写真図である。
本発明の処理された金属箔は適当な基体に積層
することができる。積層体に用いられる基体材料
は前記積層体の使用目的、積層体の使用目的によ
り変化する。好適な基体材料にはポリ四フツ化エ
チレンを含浸したガラス繊維、ポリイミド、三フ
ツ化塩化エチレン重合体および幾つかの共重合体
などの或る種のフルオロカーボン製品を含浸した
ガラス繊維がある。前記金属箔をエポキシ系基体
材料に接着する場合、銅箔上に被膜加工を施すこ
とが好ましく、このことは出願人が先に提出した
米国特許第3585010号に開示されている。必要に
応じて、基体材料に処理された金属箔を接着する
ために接着剤を使用することもできる。前記の処
理された金属箔を基体材料に接着するため公知の
適当な技術を用いることができる。
本発明の好ましい実施態様を銅箔の製造に関連
して説明して来たが、本発明の技術は他の金属に
も同様に応用することができる。これ等の金属の
例として、鉛、錫、亜鉛、鉄、ニツケル、金およ
び銀が銀が挙げられるが、これ等に限定されるも
のではない。使用する電解液の形態電解液中の金
属と酸の濃度、流速および使用する電流密度はめ
つきする金属に従つて変更する必要がある。
前記めつき装置において陰極は、回転ドラム陰
極として説明して来たが、既に指摘したように、
エンドレスベルト型陰極即ち担体支持を用いて本
発明の方法を構成することも可能である。
処理陽極は棒状体を図示説明したが、前記陽極
は円形、方形、卵形、伸張され形でも他の適当な
形状でもよい。
本明細書中に表われる特許、特許出願および外
国特許は参考として掲げたものである。
本発明により、前述の諸目的、装置および利点
を全て満足する表面処理された金属箔を製造する
ための方法および装置が提供されたことは明らか
である。今迄、特定の実施態様に基いて本発明を
記述して来たが、当業者にとつて、前記の記載に
基づいて、各種のの置換、改良、変形があること
は明らかである。従つて、本願は添付した特許請
求の範囲の精神と観点に含まれる置換、改良およ
び変形の全てを包含することを意図するものであ
る 〔発明の効果〕 本発明によれば、エポキシ樹脂を含浸したガラ
スフアイバー製回路基板に対して強い接着性を示
すこぶ状の面を有し、均一で実質的に細孔のない
同箔を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施に好適な装置の一部を
断面で示す概略図である。第２図は、本発明の実
施に好適な他の装置の一部を断面で示した概略図
である。第３図は、本発明の実施に好適な更に他
の装置の一部を断面で示す概略図である。第４Ａ
図、第４Ｂ図および第４Ｃ図はそれぞれ本発明に
よつて得られた銅箔表面金属組織の電子顕微鏡写
真図、第５図は同じく本発明による銅箔断面の金
属組織の電子顕微鏡写真図である。 １０……タンク、１２……ドラム陰極、１３…
…巻き取りリール、１４……電解液、１６……第
１陽極、１７……第１陽極、１８……流通路、２
２……電源、２４……処理陽極、２８……金属
箔、３０……ドラム、３２……陽極表面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ある濃度の銅イオンを含有する電解液と前記
    電解液中に表面を浸漬して移動する陰極面とこれ
    に対向する位置に固定された陽極面とを有する電
    解槽を用い、該陰極面が通過する電解槽内の第１
    の領域において、限界電流密度より小さい第１の
    電流密度を適用して前記陰極面に比較的平滑な銅
    箔状沈着物を形成し、次いで該陰極面が通過する
    電解槽内の第２の領域において、限界電流より大
    きい値と小さい値に脈動する第２の電流密度を適
    用し、前記銅箔沈着物上に多数のこぶ模様を形成
    することを特徴とする、表面処理を施した銅箔の
    製造方法。 ２ 前記電解槽は、少なくとも１箇の不溶性の一
    次陽極と、前記一次陽極より後に位置する少なく
    とも１箇の処理陽極とを有し、該各処理陽極に前
    記第２の電流を適用することを特徴とする特許請
    求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 前記第１および第２の領域において、前記電
    解液を撹拌することを特徴とする特許請求の範囲
    第１項または２項に記載の方法。 ４ 前記電解槽は、少なくとも２箇の一次陽極を
    有し、該複数の一次陽極を、各々の一次陽極と陰
    極の間の空間と少なくとも１箇の液流通路を形成
    するように、各々の一次陽極および各一次陽極と
    前記陰極を離間させ、このようにして構成された
    少なくとも１箇の液流通路および前記各一次陽極
    と前記陰極との間の空間に所望の流速で電解液を
    流すことにより前記電解液を撹拌する特許請求の
    範囲第３項に記載の方法。 ５ 前記電解液が硫酸銅−硫酸溶液であり、前記
    第１電流密度段階での前記電流密度は約0.4A／
    cm2から約2A／cm2の範囲であり、前記第２電流密
    度適用時の電流密度は1.1A／cm2から約6A／cm2の
    範囲である特許請求の範囲第１項または第２項に
    記載の方法。 ６ 前記第１電流密度が約0.75A／cm2から約
    1.5A／cm2の範囲であり、さらに前記第２電流密
    度が約2A／cm2から約3A／cm2の範囲である特許請
    求の範囲第５項に記載の方法。 ７ 前記陰極表面が回転ドラムにより形成されて
    いる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ８ 前記陰極表面がアルミニウム担体を有してい
    る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ９ ある濃度の銅イオンを含有する電解液と前記
    電解液中に表面を浸漬して移動する陰極面とこれ
    に対向する位置に固定された陽極面とを有する電
    解槽を用い、該陰極面が通過する電解槽内の第１
    の領域において、限界電流密度より大きい値と小
    さい値に脈動する第１の電流密度を与えて前記陰
    極表面に核形成部位を形成し、次いで該陰極面が
    通過する電解槽内の第２の領域において、限界電
    流密度より小さい電流密度を適用して前記陰極面
    に比較的平滑な銅箔状沈着物を形成し、さらに該
    陰極面が通過する電解槽内の第３の領域におい
    て、限界電流密度より大きい値と小さい値に脈動
    する第２の高電流密度を与え、前記銅箔沈着物上
    に多数のこぶ模様を形成することを含む、表面処
    理を施した銅箔の製造方法。 １０ 前記電解槽の第２の領域には、少なくとも
    ２箇の限界電流密度よりも小さい電流密度を適用
    する一次陽極を有し、該複数の一次陽極を、各一
    次陽極と陰極の間の空間と少なくとも１箇の液流
    通路が形成されるように、一次陽極相互の間、お
    よび各一次陽極と前記陰極の間に空間を置いて配
    置し、このようにして構成された少なくとも１箇
    の液流通路および前記各一次陽極と前記陰極との
    間の空間に所望の流速で電解液を流すことにより
    前記電解液を撹拌する特許請求の範囲第９項に記
    載の方法。 １１ 前記液流通路の液流速が約0.1ｍ／secから
    約４ｍ／secである特許請求の範囲第９項に記載
    の方法。 １２ 前記電解液が硫酸銅−硫酸溶液を含み、前
    記第２電流密度適用過程では約0.2A／cm2から約
    2A／cm2の範囲の電流密度を適用し、かつ前記脈
    動が約0.5A／cm2から約6A／cm2の範囲の電流密度
    を有する特許請求の範囲第９項に記載の方法。 １３ 前記陰極表面が回転ドラムにより形成され
    ている特許請求の範囲第９項に記載の方法。 １４ 前記陰極がアルミニウム担体を有している
    特許請求の範囲第９項に記載の方法。
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