JPH0314033B2 - - Google Patents
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- JPH0314033B2 JPH0314033B2 JP3773682A JP3773682A JPH0314033B2 JP H0314033 B2 JPH0314033 B2 JP H0314033B2 JP 3773682 A JP3773682 A JP 3773682A JP 3773682 A JP3773682 A JP 3773682A JP H0314033 B2 JPH0314033 B2 JP H0314033B2
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Landscapes
- Pyrane Compounds (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明はクマリニル・エステル誘導体およびそ
の製造方法およびこれを用いた液晶組成物に関す
るものである。 ネマチツクまたはネマチツク−コレステリツク
液晶物質は電場の影響下で光散乱、複屈折、反射
能または色などの光学的性質が著しく変化する特
性を示すことで、電気光学的表示素子として広く
利用されている。この様な表示機能は、例えばね
じれセル（twisted cell）中のシヤツト−ヘルフ
リツヒ効果、整列相の歪、動的散乱現象またはコ
レステリツク−ネマチツク相転移などに基づいて
いる。 これらの効果を電気光学的表示素子として工業
的に利用するためには、種々の要求に応じ得る液
晶組成物が必要となる。ここで特に重要とされる
のは湿気や空気および物理的影響（例えば熱、赤
外、可視または紫外部領域の光の輻射、およぴ直
流または交流電場）に対する化学的安定性であ
る。更に工業的に使用し得る液晶組成物として
は、少なくとも０℃〜５℃の温度範囲、好ましく
は−30℃〜85℃以上の温度範囲において液晶メゾ
フエイズ状態として存在し、使用温度範囲内での
粘度が低いものが要求される。しかし公知の化合
物中には、要求される温度範囲で液晶メゾフエイ
ズを示す単一化合物は今のところ見当らない。従
つて、一般には２種またはそれ以上の化合物を混
合した液晶組成物として用いられている。この目
的のために、通常低融点かつ低透明点の化合物を
それよりかなり高い透明点を有する化合物と混合
する。これにより、融点の低い方の成分より低い
融点を有し、透明点は両成分の透明点の中間にあ
る液晶組成物が得られる。 本発明の目的は、ネマチツク温度範囲を拡げる
のに有用な新規な液晶化合物を提供することにあ
る。 本発明者らは、一般式（） 〔式中ＸはCoH2o+1−またはCoH2o+1Ｏ−で示
される基であり、Ｙは
の製造方法およびこれを用いた液晶組成物に関す
るものである。 ネマチツクまたはネマチツク−コレステリツク
液晶物質は電場の影響下で光散乱、複屈折、反射
能または色などの光学的性質が著しく変化する特
性を示すことで、電気光学的表示素子として広く
利用されている。この様な表示機能は、例えばね
じれセル（twisted cell）中のシヤツト−ヘルフ
リツヒ効果、整列相の歪、動的散乱現象またはコ
レステリツク−ネマチツク相転移などに基づいて
いる。 これらの効果を電気光学的表示素子として工業
的に利用するためには、種々の要求に応じ得る液
晶組成物が必要となる。ここで特に重要とされる
のは湿気や空気および物理的影響（例えば熱、赤
外、可視または紫外部領域の光の輻射、およぴ直
流または交流電場）に対する化学的安定性であ
る。更に工業的に使用し得る液晶組成物として
は、少なくとも０℃〜５℃の温度範囲、好ましく
は−30℃〜85℃以上の温度範囲において液晶メゾ
フエイズ状態として存在し、使用温度範囲内での
粘度が低いものが要求される。しかし公知の化合
物中には、要求される温度範囲で液晶メゾフエイ
ズを示す単一化合物は今のところ見当らない。従
つて、一般には２種またはそれ以上の化合物を混
合した液晶組成物として用いられている。この目
的のために、通常低融点かつ低透明点の化合物を
それよりかなり高い透明点を有する化合物と混合
する。これにより、融点の低い方の成分より低い
融点を有し、透明点は両成分の透明点の中間にあ
る液晶組成物が得られる。 本発明の目的は、ネマチツク温度範囲を拡げる
のに有用な新規な液晶化合物を提供することにあ
る。 本発明者らは、一般式（） 〔式中ＸはCoH2o+1−またはCoH2o+1Ｏ−で示
される基であり、Ｙは
【式】基ま
たは水素原子であり、Ｚは
【式】または
【式】または
【式】または
【式】で示される基であ
る。なお、ｎは正の整数。〕で示される新規なク
マリニル・エステル誘導体が液晶組成物製造用の
基礎材料として極めて有用であることを見出し
た。 一般式（）で示される本発明のクマリニル・
エステル誘導体の合成は、一般式（） 〔式中Z1は
マリニル・エステル誘導体が液晶組成物製造用の
基礎材料として極めて有用であることを見出し
た。 一般式（）で示される本発明のクマリニル・
エステル誘導体の合成は、一般式（） 〔式中Z1は
【式】
【式】または
【式】で示されるカルボン酸
誘導体を示す。なお、ｎは正の整数。〕で示され
る化合物に約５倍モルの塩化チオニルを加えて約
２時間還流する。次いで過剰の塩化チオニルを減
圧留去し、残渣にベンゼンを加えた後、一般式
（） 〔式中Z2は−OHで示される７−ヒドロキシ・
クマリン誘導体を示す。なお、ｎは正の整数。〕
で示される化合物を化合物（）と等モルのピリ
ジン溶液を加え、約８時間還流する。その後反応
溶液を希塩酸水溶液中に入れ、エーテルで抽出す
る。エーテル抽出層は希塩酸水溶液、食塩水で洗
浄後、エーテルを減圧留去し、目的の粗化合物を
製造する。粗化合物はカラムクロマトグラフイー
（吸着剤としてシリカゲル、展開溶媒としてクロ
ロホルム）による精製を経てエタノールとベンゼ
ンとの等重量混合溶媒中での再結晶を繰り返し、
一定の融点になるまで行ない精製される。 以下に、本発明を更に具体的なものとするため
に実施例を挙げて詳細に説明する。実施例中、
m.p.およびc.p.は各々融点および透明点を意味
し、特に指摘しないかぎりm.p.からc.p.までの温
度両域ではネマチツク相を示す。 実施例 １ ｐ−ヒドロキシ安息香酸0.145モルとヨウ化−
ｎ−ヘプチル0.145モルとをエタノール300mlに溶
解せしめ、これに水酸化カリウム0.293モルを溶
解した水30mlを加えた後、８時間還流する。反応
終了後水を加え、さらに塩酸酸性溶液とした後析
出した結晶を過して集め、メタノール溶液から
再結晶を行ない、ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸を
得る。 一方、２−４−ジヒドロキシベンズアルデヒド
0.036モルおよびマロン酸−ジ−ｎ−ブチル0.040
モルとを脱水エタノール15mlに溶解させ、これに
ピペリジン0.4mlと氷酢酸0.1mlを加え４時間還流
する。熱反応溶液に熱水（60℃）24mlを加え放冷
する。析出物を吸引過し、メタノールとベンゼ
ンとの等量混合溶媒から再結晶して、３−ｎ−ブ
トキシカルボニル−７−ヒドロキシクマリンを得
る。この様にして得たｎ−ヘプチルオキシ安息香
酸5.88×10-3モルと約５倍モルの塩化チオニルを
入れ、１時間還流する。過剰の塩化チオニルは減
圧留去し、残渣にベンゼンを加える。それに３−
ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒドロキシクマリ
ン5.88×10-3モルのピリジン溶液を加え８時間還
流する。その後反応液を希塩酸水溶液に投入し、
エーテルで抽出を行う。エーテル抽出層は希塩酸
水溶液、食塩水の順で洗浄した後、エーテルを減
圧留去し、３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−ク
マリニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート の粗品を得る。これを前述のカラムクロマトグラ
フイーにより精製し、さらにメタノールとベンゼ
ンの等重量混合溶媒中で再結晶を行う。得られた
化合物のm.p.は80.4℃、c.p.は101.1℃（ただしス
メクチツク相）であつた。 同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル
−７−クマリニル−4′−アルコキシベンゾエート
誘導体を製造、精製することが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート m.p.159.0℃ ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート m.p.128.5℃ ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ブトキシベンゾエート m.p.89.1℃、c.p.81.5℃（ただモノトロピツクな
スメクチツク相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボキシル−７−クマ
リニル−4′−ブトキシベンゾエート ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4′−ｎ−ヘキシトルオキシベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート m.p.81.1℃、c.p.95.1℃（ただしスメクチツク相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−プロポキシキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート m.p.80.4℃、c.p.101.1℃（ただしスメクチツク
相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ７−クマリニル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート m.p.126.2℃ これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合
の伸縮振動に帰属される３本の吸収スペクトルが
1680〜1760cm-に認められた。 ただし、７−クマリニル−4′−アルコキシベンゾ
エート に関しては、Ｃ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰属される
吸収スペクトルが1720cm-1に１本認められた。 また、これら製造、精製した化合物の元素分析
結果の一例を示すと、 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：66.68％（理論値：66.66％）、 Ｈ：4.86％（理論値：5.09％）であり、 ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：67.38％（理論値：67.31％）、 Ｈ：5.25％（理論値5.40％）であり、 ７−クマリエル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：70.75％（理論値：71.00％）、 Ｈ：5.20％（理論値：5.36％）であり、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：68.37％（理論値68.48％）、 Ｈ：5.86％（理論値5.98％）であり、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート の場合、Ｃ：69.41％（理論値69.51％）、 Ｈ：6.36％（理論値6.48％）であり、ほぼ一致し
た結果であつた。 実施例 ２ ｎ−プロピル安息香酸5.88×10-3モルと前述の
実施例１と同様の方法にて製造、精製した３−ｎ
−ブトキシカルボニル−７−ヒドロキシクマリン
5.88×10-3モルとから同様の方法にて３−ｎ−ブ
トキシカルボニル−７−クマリニル−4′−ｎ−プ
ロピルベンゾエート m.p.109.9℃ を製造、精製して得た。 同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル
−７−クマリニル−4′−アルキルベンゾエート誘
導体を製造、精製することが出来る。 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−メチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−エチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ブチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ペンチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ペンチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘキシルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘプチルベンゾエート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペク
トルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合の
伸縮振動に帰属される３本の吸収スペクトルが
1680〜1760cm-1に認められた。 またこれら製造、精製した化合物の元素分析結
果の一例を示すと、 ３−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−プロピルベンゾエート の場合、Ｃ：70.33％（理論値：70.58％）、 Ｈ：5.82％（理論値：5.92％）であり、ほぼ一致
した結果であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様の方法で製造、精製したｐ−ｎ
−ブトキシ安息香酸0.0555モルを約３倍モルの塩
化チオニルに入れ、約１時間還流する。その後過
剰の塩化チオニルを減圧留去し、その残渣をベン
ゼンに溶解させる。そのベンゼン溶液にｐ−ヒド
ロキシ安息香酸0.0555モルを溶解したピリジン溶
液を加え、８時間還流する。冷却後、反応溶液を
希塩酸水溶液中に投入し、エーテルで抽出する。
その抽出液を希塩酸水溶液、食塩水の順で洗浄
後、エーテルを減圧留去する。得られた粗４−
（4′−ｎブトキシベンゾイルオキシ）安息香酸を
ベンゼンにて再結晶を繰り返し、精製する。この
ようにして得た４−（4′−ｎ−ブトキシベンゾイ
ルオキシ）安息香酸5.88×10-3モルと実施例１と
同様の方法で製造、精製した３−ｎ−ブトキシカ
ルボニル−７−ヒドロキシクマリン5.88×10-3モ
ルとから同様の方法で製造、精製して、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾ
エート m.p.132.5℃、c.p.265.7℃を得た。 同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル
−７−クマリニル−4″−アルコキシベンゾイルオ
キシ−4′−ベンゾエート誘導体を製造、精製する
ことが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト m.p.192.6℃、c.p.336.5℃ ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト m.p.151.2℃、c.p.331.8℃ ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4″−ｐ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベン
ゾエート ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−
ベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−
ベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマニ
ル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベ
ンゾエート ７−クマリニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオ
キシ−4′−ベンゾエート m.p.178.4℃、c.p.224.5℃ これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合
の伸縮振動に帰属される２本の吸収スペクトルが
1730〜1770cm-に認められた。ただし、７−クマ
リニル−4″−アルコキシベンゾイルオキシ−4′−
ベンゾエート に関してはＣ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰属される吸
収スペクトルが1730cm-1に１本認められた。 また、これら製造、精製した化合物の元素分析
結果の一例を示すと、 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト の場合、Ｃ：67.33％（理論値67.44％）、 Ｈ：4.46％（理論値4.68％）であり、 ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト の場合、Ｃ：67.93％（理論値67.92％）、 Ｈ：4.66％（理論値4.94％）であり、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾ
エート の場合、Ｃ：68.72％（理論値68.81％）、 Ｈ：5.39％（理論値5.41％）であり、 ７−クマリニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオ
キシ−4′−ベンゾエート の場合、Ｃ：70.71％（理論値70.73％）、 Ｈ：4.66％（理論値4.84％）であり、ほぼ一致し
た結果であつた。 実施例 ４ アセチルクロライド0.127モル、無水塩化アル
ミニウム0.127モルとを塩化メチレンに加え、約
１時間氷冷しながら撹拌する。その中にｐ−ヒド
ロキシビフエニルと臭化−ｎ−ブチルとから実施
例１と同様の方法にて製造、精製したｐ−ｎ−ブ
トキシビフエニル0.106モルを溶解させた塩化メ
チレン溶液を徐々に滴下する。滴下後、約３時間
撹拌を行い、反応液を氷を入れた希塩酸水溶液中
に入れ、有機層のみを分離する。分離した有機層
を希塩酸水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、食塩水
の順で洗浄し、溶媒を減圧留去して得られた残渣
をエタノールから再結晶して４−アセチル−4′−
ｎ−ブトキシビフエニルを得る。この様にして得
た４−アセチル−4′−ｎ−ブトキシビフエニルを
用いてモレキユラークリスタルスアンドリキツド
クリスタルス（Molecular Crystals and Liquid
Crystals）第38巻、345ページ、1977年出版に記
載のビー．ケー．サダシバ他（B.K.Sadashiva
et al）の方法に従つて4′−ｎ−ブトキシビフエ
ニル−４−カルボン酸を得る。4′−ｎ−ブトキシ
ビフエニル−４−カルボン酸6.36×10-3モルと前
述の実施例１と同様の方法で得た３−ｎ−ブトキ
シカルボニル−７−ヒドロキシクマリン6.36×
10-3モルとから同様の方法にて３−ｎ−ブトキシ
カルボニル−７−クマリニル−4″−ｎ−ブトキシ
ビフエニル−4′−カルボキシレート m.p.133.4℃、c.p.235.9℃（ただしスメクチツ
ク相） を製造、精製して得た。 同様にして以下の３−アルコキシカルボニル−
７−クマリニル−4″−アルコキシビフエニル−
4′−カルボキシレート誘導体を製造、精製するこ
とが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボキシレート ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボキシレート ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボキシ
レート ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボ
キシレート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボ
キシレート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボ
キシレート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、Ｃ＝Ｏ結合の伸
縮振動に帰属される２本の吸収スペクトルが1730
〜1770cm-に認められた。 実施例 ５ ｐ−ｎ−プロピルビフエニルを用いて実施例４
と同様の方法により４−アセチル−4′−ｎ−プロ
ピルビフエニルを経て4′−ｎ−プロピルビフエニ
ル−４−カルボン酸を得る。4′−ｎ−プロピルビ
フエニル−４−カルボン酸6.36×10-3モルと実施
例１と同様の方法で得た３−ｎ−メトキシカルボ
ニル−７−ヒドロキシクマリン6.36×10-3モルと
から同様の方法にて３−メトキシカルボニル−７
−クマリニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−
4′−カルボキシレート m.p.179.6℃、c.p.278.4℃（ただし冷却時に160.2
℃以下でモノトロピツクなスメクチツク相を示
す。 を製造、精製して得た。 同様にして以下の３−アルコキシカルボニ−７
−クマリニル−4″−アルキルビフエニル−4′−カ
ルボキシレート誘導体を製造、精製することが出
来る。 ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボキシレート m.p.166.0℃c.p.249.7℃（ただし、166.0℃〜194.2
℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボキシ
レート m.p.140.4℃、c.P.234.7℃（ただし、140.4℃〜
204.1℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボキシレ
ート m.p.123.7℃、c.p.213.6℃（ただし、123.7℃〜
204.1℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボ
キシレート m.p.133.5℃、c.p.210.1℃（ただし、133.5℃〜
204.9℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボ
キシレート m.p.123.2℃、c.p.204.1℃（ただしスメクチツク
相） ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボ
キシレート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、Ｃ＝Ｏ結合の伸
縮振動に帰属される２本の吸収スペクトルが1730
〜1770cm-に認められた。 実施例 ６ ｐ−ｎ−ブトキシベンズアルデヒド0.084モル
とマロン酸0.126モルおよびピペリジン0.4mlとを
溶解させたピリジン溶液を100℃に３時間加熱し、
その後反応溶液を氷冷した希塩酸水溶液に投入し
て析出した結晶を別して集める。集めた結晶を
希塩酸水溶液、水の順で洗浄した後、氷酢酸から
再結晶を繰り返して、ｐ−ｎ−ブトキシケイ皮酸
を得る。この様にして得たｐ−ｎ−ブトキシケイ
皮酸5.88×10-3モルと実施例１と同様の方法で製
造、精製した３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−
ヒドロキシクマリン5.88×10-3モルとから同様の
方法で製造、精製して ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ブトキシシンナメート m.p.97.5℃、c.p.129.0℃（ただしスメクツク相） を製造、精製して得た。 同様にして以下の３−アルコキシカルボニル−
７−クマリニル−4′−アルコキシシンナメート誘
導体を製造、精製することが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシシンナメイト ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシシンナメイト m.p.151.7℃、c.p.158.6℃ ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト m.p.104.1℃、c.p.132.1℃（ただしスメクチツク
相） ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト 次に、このようにして製造、精製した本発明の
クマリニル・エステル誘導体は液晶組成物製造用
の基礎材料として極めて有用であり、特に低融
点、低透明点を示す液晶誘電体と混合して用いる
ことにより、ネマチツクメゾフエイズを示す温度
範囲、特に透明点を高め、かつあまり粘度を高く
しないという点で極めて有用であることを見出し
た。 本発明に係るクマリニル・エステル誘導体の有
用性を一層具体化するためにその一例の特性を次
表に示す。なお、低融点、低透明点を示す液晶誘
電体として の混合物（以下、液晶誘電体Ａと記す）を用い
た。 表では、全ての混合物について透明点（c.p.）
のみを記載し、融点（m.p）については記載しな
かつた。その理由は全ての混合物は過冷却された
溶融体を形成する傾向が強いことで再現性のある
融点を測定する事が困難であつた。しかし、これ
らの融点は一般に室温より低く、一部は０℃以下
であると考えられる。また表中のΔεは誘電率の
異方性を示している。
る化合物に約５倍モルの塩化チオニルを加えて約
２時間還流する。次いで過剰の塩化チオニルを減
圧留去し、残渣にベンゼンを加えた後、一般式
（） 〔式中Z2は−OHで示される７−ヒドロキシ・
クマリン誘導体を示す。なお、ｎは正の整数。〕
で示される化合物を化合物（）と等モルのピリ
ジン溶液を加え、約８時間還流する。その後反応
溶液を希塩酸水溶液中に入れ、エーテルで抽出す
る。エーテル抽出層は希塩酸水溶液、食塩水で洗
浄後、エーテルを減圧留去し、目的の粗化合物を
製造する。粗化合物はカラムクロマトグラフイー
（吸着剤としてシリカゲル、展開溶媒としてクロ
ロホルム）による精製を経てエタノールとベンゼ
ンとの等重量混合溶媒中での再結晶を繰り返し、
一定の融点になるまで行ない精製される。 以下に、本発明を更に具体的なものとするため
に実施例を挙げて詳細に説明する。実施例中、
m.p.およびc.p.は各々融点および透明点を意味
し、特に指摘しないかぎりm.p.からc.p.までの温
度両域ではネマチツク相を示す。 実施例 １ ｐ−ヒドロキシ安息香酸0.145モルとヨウ化−
ｎ−ヘプチル0.145モルとをエタノール300mlに溶
解せしめ、これに水酸化カリウム0.293モルを溶
解した水30mlを加えた後、８時間還流する。反応
終了後水を加え、さらに塩酸酸性溶液とした後析
出した結晶を過して集め、メタノール溶液から
再結晶を行ない、ｎ−ヘプチルオキシ安息香酸を
得る。 一方、２−４−ジヒドロキシベンズアルデヒド
0.036モルおよびマロン酸−ジ−ｎ−ブチル0.040
モルとを脱水エタノール15mlに溶解させ、これに
ピペリジン0.4mlと氷酢酸0.1mlを加え４時間還流
する。熱反応溶液に熱水（60℃）24mlを加え放冷
する。析出物を吸引過し、メタノールとベンゼ
ンとの等量混合溶媒から再結晶して、３−ｎ−ブ
トキシカルボニル−７−ヒドロキシクマリンを得
る。この様にして得たｎ−ヘプチルオキシ安息香
酸5.88×10-3モルと約５倍モルの塩化チオニルを
入れ、１時間還流する。過剰の塩化チオニルは減
圧留去し、残渣にベンゼンを加える。それに３−
ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒドロキシクマリ
ン5.88×10-3モルのピリジン溶液を加え８時間還
流する。その後反応液を希塩酸水溶液に投入し、
エーテルで抽出を行う。エーテル抽出層は希塩酸
水溶液、食塩水の順で洗浄した後、エーテルを減
圧留去し、３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−ク
マリニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート の粗品を得る。これを前述のカラムクロマトグラ
フイーにより精製し、さらにメタノールとベンゼ
ンの等重量混合溶媒中で再結晶を行う。得られた
化合物のm.p.は80.4℃、c.p.は101.1℃（ただしス
メクチツク相）であつた。 同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル
−７−クマリニル−4′−アルコキシベンゾエート
誘導体を製造、精製することが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート m.p.159.0℃ ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート m.p.128.5℃ ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ブトキシベンゾエート m.p.89.1℃、c.p.81.5℃（ただモノトロピツクな
スメクチツク相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボキシル−７−クマ
リニル−4′−ブトキシベンゾエート ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4′−ｎ−ヘキシトルオキシベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート m.p.81.1℃、c.p.95.1℃（ただしスメクチツク相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−プロポキシキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート m.p.80.4℃、c.p.101.1℃（ただしスメクチツク
相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ヘプチルオキシベンゾエート ７−クマリニル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート m.p.126.2℃ これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合
の伸縮振動に帰属される３本の吸収スペクトルが
1680〜1760cm-に認められた。 ただし、７−クマリニル−4′−アルコキシベンゾ
エート に関しては、Ｃ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰属される
吸収スペクトルが1720cm-1に１本認められた。 また、これら製造、精製した化合物の元素分析
結果の一例を示すと、 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：66.68％（理論値：66.66％）、 Ｈ：4.86％（理論値：5.09％）であり、 ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：67.38％（理論値：67.31％）、 Ｈ：5.25％（理論値5.40％）であり、 ７−クマリエル−4′−ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：70.75％（理論値：71.00％）、 Ｈ：5.20％（理論値：5.36％）であり、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：68.37％（理論値68.48％）、 Ｈ：5.86％（理論値5.98％）であり、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘキシルオキシベンゾエート の場合、Ｃ：69.41％（理論値69.51％）、 Ｈ：6.36％（理論値6.48％）であり、ほぼ一致し
た結果であつた。 実施例 ２ ｎ−プロピル安息香酸5.88×10-3モルと前述の
実施例１と同様の方法にて製造、精製した３−ｎ
−ブトキシカルボニル−７−ヒドロキシクマリン
5.88×10-3モルとから同様の方法にて３−ｎ−ブ
トキシカルボニル−７−クマリニル−4′−ｎ−プ
ロピルベンゾエート m.p.109.9℃ を製造、精製して得た。 同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル
−７−クマリニル−4′−アルキルベンゾエート誘
導体を製造、精製することが出来る。 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−メチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−エチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ブチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ペンチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ペンチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘキシルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ヘプチルベンゾエート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペク
トルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合の
伸縮振動に帰属される３本の吸収スペクトルが
1680〜1760cm-1に認められた。 またこれら製造、精製した化合物の元素分析結
果の一例を示すと、 ３−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−プロピルベンゾエート の場合、Ｃ：70.33％（理論値：70.58％）、 Ｈ：5.82％（理論値：5.92％）であり、ほぼ一致
した結果であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様の方法で製造、精製したｐ−ｎ
−ブトキシ安息香酸0.0555モルを約３倍モルの塩
化チオニルに入れ、約１時間還流する。その後過
剰の塩化チオニルを減圧留去し、その残渣をベン
ゼンに溶解させる。そのベンゼン溶液にｐ−ヒド
ロキシ安息香酸0.0555モルを溶解したピリジン溶
液を加え、８時間還流する。冷却後、反応溶液を
希塩酸水溶液中に投入し、エーテルで抽出する。
その抽出液を希塩酸水溶液、食塩水の順で洗浄
後、エーテルを減圧留去する。得られた粗４−
（4′−ｎブトキシベンゾイルオキシ）安息香酸を
ベンゼンにて再結晶を繰り返し、精製する。この
ようにして得た４−（4′−ｎ−ブトキシベンゾイ
ルオキシ）安息香酸5.88×10-3モルと実施例１と
同様の方法で製造、精製した３−ｎ−ブトキシカ
ルボニル−７−ヒドロキシクマリン5.88×10-3モ
ルとから同様の方法で製造、精製して、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾ
エート m.p.132.5℃、c.p.265.7℃を得た。 同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル
−７−クマリニル−4″−アルコキシベンゾイルオ
キシ−4′−ベンゾエート誘導体を製造、精製する
ことが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト m.p.192.6℃、c.p.336.5℃ ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト m.p.151.2℃、c.p.331.8℃ ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4″−ｐ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベン
ゾエート ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−
ベンゾエート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−
ベンゾエート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマニ
ル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベ
ンゾエート ７−クマリニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオ
キシ−4′−ベンゾエート m.p.178.4℃、c.p.224.5℃ これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合
の伸縮振動に帰属される２本の吸収スペクトルが
1730〜1770cm-に認められた。ただし、７−クマ
リニル−4″−アルコキシベンゾイルオキシ−4′−
ベンゾエート に関してはＣ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰属される吸
収スペクトルが1730cm-1に１本認められた。 また、これら製造、精製した化合物の元素分析
結果の一例を示すと、 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト の場合、Ｃ：67.33％（理論値67.44％）、 Ｈ：4.46％（理論値4.68％）であり、 ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾエー
ト の場合、Ｃ：67.93％（理論値67.92％）、 Ｈ：4.66％（理論値4.94％）であり、 ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−4′−ベンゾ
エート の場合、Ｃ：68.72％（理論値68.81％）、 Ｈ：5.39％（理論値5.41％）であり、 ７−クマリニル−4″−ｎ−ブトキシベンゾイルオ
キシ−4′−ベンゾエート の場合、Ｃ：70.71％（理論値70.73％）、 Ｈ：4.66％（理論値4.84％）であり、ほぼ一致し
た結果であつた。 実施例 ４ アセチルクロライド0.127モル、無水塩化アル
ミニウム0.127モルとを塩化メチレンに加え、約
１時間氷冷しながら撹拌する。その中にｐ−ヒド
ロキシビフエニルと臭化−ｎ−ブチルとから実施
例１と同様の方法にて製造、精製したｐ−ｎ−ブ
トキシビフエニル0.106モルを溶解させた塩化メ
チレン溶液を徐々に滴下する。滴下後、約３時間
撹拌を行い、反応液を氷を入れた希塩酸水溶液中
に入れ、有機層のみを分離する。分離した有機層
を希塩酸水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、食塩水
の順で洗浄し、溶媒を減圧留去して得られた残渣
をエタノールから再結晶して４−アセチル−4′−
ｎ−ブトキシビフエニルを得る。この様にして得
た４−アセチル−4′−ｎ−ブトキシビフエニルを
用いてモレキユラークリスタルスアンドリキツド
クリスタルス（Molecular Crystals and Liquid
Crystals）第38巻、345ページ、1977年出版に記
載のビー．ケー．サダシバ他（B.K.Sadashiva
et al）の方法に従つて4′−ｎ−ブトキシビフエ
ニル−４−カルボン酸を得る。4′−ｎ−ブトキシ
ビフエニル−４−カルボン酸6.36×10-3モルと前
述の実施例１と同様の方法で得た３−ｎ−ブトキ
シカルボニル−７−ヒドロキシクマリン6.36×
10-3モルとから同様の方法にて３−ｎ−ブトキシ
カルボニル−７−クマリニル−4″−ｎ−ブトキシ
ビフエニル−4′−カルボキシレート m.p.133.4℃、c.p.235.9℃（ただしスメクチツ
ク相） を製造、精製して得た。 同様にして以下の３−アルコキシカルボニル−
７−クマリニル−4″−アルコキシビフエニル−
4′−カルボキシレート誘導体を製造、精製するこ
とが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボキシレート ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボキシレート ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボキシ
レート ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボ
キシレート ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボ
キシレート ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−ブトキシビフエニル−4′−カルボ
キシレート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、Ｃ＝Ｏ結合の伸
縮振動に帰属される２本の吸収スペクトルが1730
〜1770cm-に認められた。 実施例 ５ ｐ−ｎ−プロピルビフエニルを用いて実施例４
と同様の方法により４−アセチル−4′−ｎ−プロ
ピルビフエニルを経て4′−ｎ−プロピルビフエニ
ル−４−カルボン酸を得る。4′−ｎ−プロピルビ
フエニル−４−カルボン酸6.36×10-3モルと実施
例１と同様の方法で得た３−ｎ−メトキシカルボ
ニル−７−ヒドロキシクマリン6.36×10-3モルと
から同様の方法にて３−メトキシカルボニル−７
−クマリニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−
4′−カルボキシレート m.p.179.6℃、c.p.278.4℃（ただし冷却時に160.2
℃以下でモノトロピツクなスメクチツク相を示
す。 を製造、精製して得た。 同様にして以下の３−アルコキシカルボニ−７
−クマリニル−4″−アルキルビフエニル−4′−カ
ルボキシレート誘導体を製造、精製することが出
来る。 ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4″−
ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボキシレート m.p.166.0℃c.p.249.7℃（ただし、166.0℃〜194.2
℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボキシ
レート m.p.140.4℃、c.P.234.7℃（ただし、140.4℃〜
204.1℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボキシレ
ート m.p.123.7℃、c.p.213.6℃（ただし、123.7℃〜
204.1℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボ
キシレート m.p.133.5℃、c.p.210.1℃（ただし、133.5℃〜
204.9℃の範囲はスメクチツク相） ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボ
キシレート m.p.123.2℃、c.p.204.1℃（ただしスメクチツク
相） ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4″−ｎ−プロピルビフエニル−4′−カルボ
キシレート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペ
クトルの測定により同定を行い、Ｃ＝Ｏ結合の伸
縮振動に帰属される２本の吸収スペクトルが1730
〜1770cm-に認められた。 実施例 ６ ｐ−ｎ−ブトキシベンズアルデヒド0.084モル
とマロン酸0.126モルおよびピペリジン0.4mlとを
溶解させたピリジン溶液を100℃に３時間加熱し、
その後反応溶液を氷冷した希塩酸水溶液に投入し
て析出した結晶を別して集める。集めた結晶を
希塩酸水溶液、水の順で洗浄した後、氷酢酸から
再結晶を繰り返して、ｐ−ｎ−ブトキシケイ皮酸
を得る。この様にして得たｐ−ｎ−ブトキシケイ
皮酸5.88×10-3モルと実施例１と同様の方法で製
造、精製した３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−
ヒドロキシクマリン5.88×10-3モルとから同様の
方法で製造、精製して ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クマリニル−
4′−ｎ−ブトキシシンナメート m.p.97.5℃、c.p.129.0℃（ただしスメクツク相） を製造、精製して得た。 同様にして以下の３−アルコキシカルボニル−
７−クマリニル−4′−アルコキシシンナメート誘
導体を製造、精製することが出来る。 ３−メトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシシンナメイト ３−エトキシカルボニル−７−クマリニル−4′−
ｎ−ブトキシシンナメイト m.p.151.7℃、c.p.158.6℃ ３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト ３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト m.p.104.1℃、c.p.132.1℃（ただしスメクチツク
相） ３−ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリ
ニル−4′−ｎ−ブトキシシンナメイト 次に、このようにして製造、精製した本発明の
クマリニル・エステル誘導体は液晶組成物製造用
の基礎材料として極めて有用であり、特に低融
点、低透明点を示す液晶誘電体と混合して用いる
ことにより、ネマチツクメゾフエイズを示す温度
範囲、特に透明点を高め、かつあまり粘度を高く
しないという点で極めて有用であることを見出し
た。 本発明に係るクマリニル・エステル誘導体の有
用性を一層具体化するためにその一例の特性を次
表に示す。なお、低融点、低透明点を示す液晶誘
電体として の混合物（以下、液晶誘電体Ａと記す）を用い
た。 表では、全ての混合物について透明点（c.p.）
のみを記載し、融点（m.p）については記載しな
かつた。その理由は全ての混合物は過冷却された
溶融体を形成する傾向が強いことで再現性のある
融点を測定する事が困難であつた。しかし、これ
らの融点は一般に室温より低く、一部は０℃以下
であると考えられる。また表中のΔεは誘電率の
異方性を示している。
【表】
【表】
【表】
表中には液晶誘電体Ａと混合した例を示した
が、その他の好ましい液晶誘電体としては、アゾ
ベンゼン類、アゾキシベンゼン類、ビフエニル
類、シツフ塩基、特にベンジリデン誘導体、フエ
ニルベンゾエート類、フエニルシクロヘキサン
類、シクロヘキシルベンゾエート類、ピリミジン
類、ピペラジン類、チオエステル類からなる群か
ら選ばれる液晶化合物または液晶組成物がある。 以上の説明から明らかなように、本発明に係る
新規なクマリニル・エステル誘導体は、液晶組成
物製造用の基礎材料として極めて有用であり、得
られた液晶組成物のネマチツクメゾフエイズを示
す温度範囲も広く、工業的価値の大なるものであ
る。
が、その他の好ましい液晶誘電体としては、アゾ
ベンゼン類、アゾキシベンゼン類、ビフエニル
類、シツフ塩基、特にベンジリデン誘導体、フエ
ニルベンゾエート類、フエニルシクロヘキサン
類、シクロヘキシルベンゾエート類、ピリミジン
類、ピペラジン類、チオエステル類からなる群か
ら選ばれる液晶化合物または液晶組成物がある。 以上の説明から明らかなように、本発明に係る
新規なクマリニル・エステル誘導体は、液晶組成
物製造用の基礎材料として極めて有用であり、得
られた液晶組成物のネマチツクメゾフエイズを示
す温度範囲も広く、工業的価値の大なるものであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（） 〔式中ＸはCoH2o+1−またはCoH2o+1Ｏ−で示
される基であり、Ｙは【式】基ま たは水素原子であり、Ｚは【式】または 【式】または 【式】または 【式】で示される基であ る。なお、ｎは正の整数。〕で示されることを特
徴とするクマリニル・エステル誘導体。 ２ 一般式 〔式中ＸはCoH2o+1−またはCoH2o+1Ｏ−で示
される基であり、Ｙは【式】基ま たは水素原子であり、Ｚは【式】または 【式】または 【式】または 【式】で示される基であ る。なお、ｎは正の整数。〕で示されるクマリニ
ル・エステル誘導体を製造するに際し、 一般式（） 〔式中Z1は−COOHまたはその反応性誘導体
を示す。〕で示される化合物と一般式（） 〔式中Z2は−OHまたはその反応性誘導体を示
す。〕で示される化合物とを等モル混合し、塩化
チオニルの存在下で反応せしめることを特徴とす
るクマリニル・エステル誘導体の製造方法。 ３ 少なくとも２種の液晶成分からなり、その１
種は一般式（） 〔式中ＸはCoH2o+1−またはCoH2o+1Ｏ−で示
される基であり、Ｙは【式】基ま たは水素原子であり、Ｚは【式】または 【式】または 【式】または 【式】で示される基であ る。なお、ｎは正の整数。〕で示される化合物群
から選ばれることを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037736A JPS58154570A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037736A JPS58154570A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154570A JPS58154570A (ja) | 1983-09-14 |
| JPH0314033B2 true JPH0314033B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=12505767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037736A Granted JPS58154570A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154570A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3093507B2 (ja) * | 1993-02-15 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示方法および表示装置 |
| JP2006232727A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Chisso Corp | クマリン誘導体、この化合物を含有する液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57037736A patent/JPS58154570A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154570A (ja) | 1983-09-14 |
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