JPH01113347A - 光学活性化合物および液晶 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な光学活性物質である光学活性４４換−２
−ペンタノールから３導される新規光学活性化合物およ
び液晶に関する。

液晶には、ネマチック液晶、スメクチック液晶、コレス
テリック液晶などがあるが、本発明の光学活性４−置換
−２−ペンタノールから誘導される光学活性化合物はそ
の内スメクチック液晶、特に強誘電性を有し、表示素子
材料として有用なカイラルスメクチックＣ液晶である。

　また、かかるカイラルスメクチック液晶は、光プリン
ターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等の光
エレクトロニクス素子にも使用可能である。

〔従来の技術〕

現在広く利用されている液晶表示素子は、ネマチック液
晶組成物を用いたねじれネマチック（ＴＮ）方式である
。ＴＮ方式の液晶表示素子は、きわめて安価に製造する
ことができるが、近年要求の高まってきた大画面ＬＣＤ
を実現するためにはしきい特性や応答速度などに重大な
欠点がある。

このため、ＴＮ方式に代わる液晶表示素子の研究開発が
現在活発に進められており、アクティブマトリクス方式
、スーパーＴＮ方式などネマチック液晶組成物を使用す
る表示方式と共に、カイラルスメクチックＣ液晶から成
る強誘電性液晶組成物を使用する強誘電性ＬＣＤの高速
応答性が注目されている。

カイラルスメクチックＣ液晶は、らせん構造を有し、バ
ルク状態では自発分極がキャンセルされているが、その
らせん構造のピッチ長きよりも短いセルギャップの表面
配向処理をした液晶セル中では残留自発分極を示し、外
部電場に対して極めて早い速度（１〜１００マイクロ秒
）で応答し、かつメモリー性も示す（Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒ
ｋらＡｐｐ　１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ　ｔ、、３６，８９
９（１９８０）参照）。

カイラルスメクチックＣ液晶の高速の光スイツチング現
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、表かに高速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。

このようなカイラルスメクチックＣ液晶としては、ｐ−
デシルオキシベンジリデン−ｐ“−アミノ−２−メチル
ブチルシンナメート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略称する）
が最初の例である（Ｒ，Ｂ。

Ｍｅｙｅｒら　Ｊ、ｄｅ　　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　　３庁
、Ｌ−６９（１９７５）参照）。

しかしながら、ＤＯＢＡＭＢＣはシッフ塩基構造を持つ
ために、水分に対して不安定であり、桂皮酸エステルの
二重結合が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。　このようなり。

ＢＡＭＢＣの欠点を克服するために、化学的に安定なカ
イラルスメクチックＣ液晶の合成が試みられ、既に数多
くの化合物が報告されている。

〔発明が解決しようとする問題点３ 強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶を得るために
は、化合物中に光学活性基を含んでいることが必須であ
る。従来、強誘電性液晶合成のための不斉源としてば２
−メチルブタノールが広く用いられている。２−メチル
ブタノールはその（Ｓ）体はエタノール発酵の副産物と
して比較的容易に入手可能であるが、（Ｒ）体の合成は
困難であり、官能基が一つしかないため化学的修飾の自
由度も乏しい。２−メチルブタノール自体あるいは化学
修飾した２−メチルブタノールを不斉源とするカイラル
スメクチック液晶では、強誘電性の尺度になる自発分極
の値が小ざく、高性能の強誘電性液晶は得られていない
。

光学活性基の不斉中心近傍の置換基の効果は、立体的因
子と電子的因子に分けることができる。

強誘電性液晶の外部電場に対する応答速度は自発分極に
比例するので、高速応答のためには自発分極の大きな材
料が望ましい。吉野らは、立体的因子について検討し、
２−メチルブチル基に代えて１−メチルブチル基を使用
すると自発分極が増加することを見出している（Ｆｅｒ
ｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓＸ　５８．２１　（１９８４）
）。また、大病らは自発分極の増大のためには２−オク
タツールの使用が有用であることを報告している゛（特
開昭６０−１４９５４７号公報等参照）。これらの光学
活性基を使用すると自発分極は増加するもののカイラル
スメクチック液晶性が乏しくなる傾向がある。

電子的因子に対するアプローチとして、Ｐ、Ｋｅｌｌｅ
ｒらは不斉炭素に直接塩素原子を結合きせることで不斉
炭素の分極を増大させ、カイラルスメクチック液晶の自
発分極を大きくすることが可能であると報告している（
Ｃ，Ｒ，Ａｃａｄ。

Ｓｃ　ｉ、Ｐａｒｒ　ｉｓ、２８２．Ｃ６３９、（１９
７６））。また、桜井らも同様の手法を取り、更に立体
的因子も付加することによりきわめて自発分極の大きな
カイラルスメクチック液晶を得ることができると報告し
ている（特開昭６０−２１８３５８号公報等参照）。野
手らは不斉炭素にフッ累原子を結合きせることによって
、自発分極の大きなカイラルスメクチック液晶が得られ
ることを報告している（特開昭６２−１９８６ａ３号公
報参照）。しかし、ハロゲン原子を含む光学活性基は化
学的に不安定であり、長期信頼性が前提となる実用化に
は困難な問題が多く残されている。

Ｃ１ａｒｋらは２−アルコキシプロパツールを不斉源と
して用いている（米国特許４５５６７２７号公報参照）
。２−アルコキシプロパツール分子においては、不斉中
心に酸素原子が結合しているので２−メチルブタノール
に比べれば大きな自発分極を持つ化合物が得られるが、
立体的因子の寄与が小きいために増加の程度はそれほど
顕著ではない。

〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明者ら
は、化学的修飾が容易で自発分極の値が大きく、かつ耐
候性に優れた強誘電性液晶化合物を提供することを目的
として鋭意検討した結果、光学活性４−置換−２−ペン
タノールから誘導される次の一般式（Ｉ）で表わされる
光学活性化合物を見出し、本発明に到達した。

（式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、Ｒ
２は炭素数１〜１８の直鎮状アルキル基、炭素数３〜２
０の分岐状アルキル基、シクロヘキシル基、炭素数１〜
１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置換さ
れたシクロヘキシル基、フェニル基または炭素数１〜１
０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置換きれ
たフェニル基を示し、Ｘば単結合、−〇−１−０００−
または一〇〇〇−１Ｙは単結合、−ＣＯＯ−または一０
ＯＣ−１２は単結合、−〇−または一〇〇〇−を示し、
ＡおよびＢはそれぞれ独立に単結合、舎、−Ｓ、（■旨
ＱΣ、Ｘ％、（厄Ｈ徳を、（可８Ｃγ、べｒΣ（り）ト
　　　またμよ　　替 を示し、′ば不斉炭素を示す。

Ａｉ：たはＢが芳香環を含有する場合、その水素原子の
１個または２個がハロゲン原子で置換されていてもよい
。） 一般式（Ｉ）におけるＲ１は炭素数１〜２０の直鎮状ア
ルキル基であり、炭素数４〜１６の直鎮状アルキル基が
特に好ましく使用可能である。また、−数式（Ｉ）にお
けるＲ２ば炭素数１〜１８の直鎖状アルキル基、炭素１
１．３〜２０の分岐状アルキル基、シクロヘキシル基、
４位が炭素数１〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル
基で置換きれたシクロヘキシル基、フェニル基または４
位が炭素数１〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基
で置換されたフェニル基である。このようなＲ２の好ま
しい態様としては、直鎖状アルキル基としてメチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へブチル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、
ｎ−ドデシル基、ｎ−１−リゾシル基、ｎ−テトラデシ
ル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−
ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基を挙げることがで
きる。分岐状アルキル基としては、１−メチルエチル基
、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１．
２−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メ
チルブチル基、３−メチルブチル基、１．３−ジメチル
ブチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル
基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１
．２−ジメチルベンチル基、１．３−ジメチルペンチル
基、１．４−ジメチルペンチル基、１−メチルヘキシル
基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４
−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１．２−
ジメチルヘキシル基、１．３−ジメチルヘキシル基、１
．４−ジメチルヘキシル基、１−メチルへブチル基、２
−メチルへブチル基、３−メチルへブチル基、４−メチ
ルへブチル基、５−メチルヘプチル基１，６−メチルへ
ブチル基、１．２−ジメチルヘプチル基、１．３−ジメ
チルへブチル基、１．４−ジメチルヘプチル基、１．５
−ジメチルへブチル基、１．６−ジメチルへブチル基、
１−メチルオクチル基、２−メチルオクチル基、３−メ
チルオクチル基、４−メチルオクチル基、５−メチルオ
クチル基、６−メチルオクチル基、７−メチルオクチル
基、１．２ジメチルオクチル基、１．３−ジメチルオク
チル基、１．４−ジメチルオクチル基、１．５−ジメチ
ルオクチル基、１．６−ジメチルオクチル基、１．７−
ジメチルオクチル基などを挙げることができる。直鎖状
アルキル基で４位が置換されたシクロヘキシル基として
は、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘ
キシル基、４−ｎ−プロピルシクロヘキシル基、４−ｎ
−ブチルシクロヘキシル基、４−ｎ−ペンチルシクロヘ
キシル基、４−ｎ−へキシルシクロヘキシル基、４−ｎ
−ヘプチルシクロヘキシル基、４−ｎ−オクチルシクロ
ヘキシル基、４−ｎ−ノニルシクロヘキシル基、４−ｎ
−デシルシクロヘキシル基を挙げることができ、分岐状
アルキル基で４位が置換されたシクロヘキシル基として
は、４−（１−メチルプロピル）シクロヘキシル基、４
−（１−メチルブチル）シクロヘキシル基、４−（２−
メチルブチル）シクロヘキシル基、４−（１−メチルペ
ンチル）シクロヘキシル基、４−（２−メチルペンチル
）シクロヘキシル基、４−（３−メチルペンチル）シク
ロヘキシル基、４−（１−メチルヘキシル）シクロヘキ
シル基、４−（２−メチルヘキシル）シクロヘキシル基
、４−（３−メチルヘキシル）シクロヘキシル基、４−
（４−メチルヘキシル）シクロヘキシル基、４−（１−
メチルへブチル）シクロヘキシル基、４−（２−メチル
ヘプチル）シクロヘキシル基、４−（３−メチルへブチ
ル）シクロヘキシル基、４−（４−メチルへブチル）シ
クロヘキシル基、４−（５−メチルへブチル）シクロヘ
キシル基、４−（１−メチルオクチル）シクロヘキシル
基、４−（２−メチルオクチル）シクロヘキシル基、４
−（３−メチルオクチル）シクロヘキシル基、４−（４
−メチルオクチル）シクロヘキシル基、４−（５−メチ
ルオクチル）シクロヘキシル基、４−（６−メチルオク
チル）シクロヘキシル基などを挙げることができる。４
位がアルキル基で置換されたフェニル基の場合も同様の
構造を例示することができる。

分岐したアルキル基で光学異性体が存在する場合には、
ラセミ体と共に光学活性体も好ましく使用可能である。

本発明で使用する光学活性４−置換−２−ペンタノール
の原料である光学活性２．４−ベンタンジオールは泉ら
の方法（Ｃｈｅｍ、Ｌｅｔ　ｔ、、１０４９（１９７９
））によって、アセチルアセトンを光学活性酒石酸で修
飾したラネーニッケル触媒を用いる不斉水添反応および
それに続く再結晶で光学的に高純度のものが合成できる
。触媒修飾剤となる酒石酸は天然型の（ＲＲ）体および
非天然型の（ＳＳ）体の両方が入手可能であるので、光
学活性２．４−ベンタンジオールも（２Ｓ、４Ｓ）体と
（２Ｒ，４Ｒ）体の両方を合成することが可能であり、
使用目的に応じて選択できる。

本発明の光学活性４−置換−２−ペンタノール（Ｉ）は
、２位と４位に近接して不斉中心か存在するために、不
斉中心近傍が立体的に混み合っており立体配座の変化が
起こり難いと考えられる。また、不斉中心が液晶分子の
骨格に近接して存在するという立体的因子と、不斉炭素
に酸素原子が直接結合しているという電子的因子の両方
を兼ね備えているので、該光学活性４−置換−２−ペン
タノールから誘導される、一般式（Ｉ）で表わされる光
学活性化合物は、非常に大きな自発分極を持つカイラル
スメクチック液晶となり得る。

一般式ＣＩ）で表ねされる光学活性化合物において、液
晶骨格構造を形成するＸＸＹ、Ｚ、ＡおよびＢの組み合
わせとして、下記の構造を挙げることができる。

を表わす。

Ｒ’−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＣＯＯＲ′″ Ｒ’−Ａ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’−Ａ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ１−Ａ−Ｂ−ＣＯＯＲ” Ｒ’−Ａ−００Ｃ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＣＯＯＲ’″ Ｒ’０−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−Ｒ１ Ｒ’０−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’０−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＣＯＯＲ” Ｒ′〇−Ａ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’０−Ａ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’０−Ａ−Ｂ−ＣＯＯＲ” Ｒ”０−Ａ−００Ｃ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’０−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’０−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＣＯＯＲ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＣＯＯＲ”Ｒ’Ｃ０Ｏ−
Ａ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−Ｂ−ＣＯＯＲ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−００Ｃ−Ｂ−Ｒ′″ Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’Ｃ０Ｏ−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＣＯＯＲ”Ｒ’０ＯＣ−
Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’０ＯＣ−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’０ＯＣ−Ａ−Ｃｏｏ−Ｂ−ＣＯＯＲ”Ｒ”０ＯＣ−
Ａ−Ｂ−Ｒ” Ｒ’０ＯＣ−Ａ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’０ＯＣ−Ａ−Ｂ−Ｃ○○Ｒ′″ Ｒ’０ＯＣ−Ａ−００Ｃ−Ｂ−Ｒｔ Ｒ’０ＯＣ−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＯＲ” Ｒ’０ＯＣ−Ａ−００Ｃ−Ｂ−ＣＯＯＲ”ＡおよびＢは
、それぞれ独立に単結合、Ｘφ＞、−＆、−＝ＥＨ唖＞
、＋、云可Ｈ完凶、（■←ｆト、（Ｈ）、幡バ）、べ阪
咎 弱　または　脅 を示すが、特に好ましい組み 合わせば下記の通りである。

Ｙ＝単結合の場合 Ａ＝豊、Ｂ＝−４防 Ａ＝（（ぎ、Ｂ＝（） Ａ＝（Ｅヴ、Ｂ＝（ト Ａ＝会、Ｂ＝（ト 酔（窟Ｂ＝会 Ａ＝−ＯＨ＞、Ｂ＝−＠− Ａ＝（Ｑバ５ｋ　、Ｂ＝〈〉 Ａ＝（）、Ｂ＝−Ｃ縁） Ｙ＝−ＣＯ２−あるいは−００Ｃ−の場合Ａ＝舎、Ｂ＝
（奈 Ａ＝舎、Ｂ＝（ｃバ） Ａ＝（沢ぎ、Ｂ＝合 Ａ＝舎、Ｂ＝ｌ鑵 Ａ＝舎、Ｂ＝％ Ａ＝（区４、Ｂ＝−＠− Ａ＝（刈り、Ｂ＝−※ 一般式（Ｉ）におけるＡおよびＢが芳香環を含有する場
合、その芳香環の水素原子の１個あるいは２個がハロゲ
ン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては
、フッ素原子、塩素原子および臭素原子が好ましく使用
でき、フッ素原子が特に好ましく使用できる。適当なハ
ロゲン置換芳香環を含有する化合物においては、カイラ
ルスメクチック液晶の自発分極の増大あるいは温度範囲
の拡大などの好ましい効果が得られる。

これらの構造単位を含む光学活性化合物の合成は、当業
者周知の方法によって実施することができるが、特に本
発明者らが新たに見出した光学活性４−置換−２−ペン
タノールから誘導される光学活性部分の主なものの合成
方法を、以下に説明する。

イ）　　ＨＯ＋○Ｒ８ 光学活性４−置換−２−ペンタノールＲ”ＯＨを、有機
塩基の存在下で塩化ｐ−トルエンスルホニルと反応させ
てＩ）−トルエンスルホン酸エステルとした後、ハイド
ロキノンモノベンジルエーテルのアルカリ金属塩と反応
させることにより、Ｂ　ｎ　Ｏ＋　ＯＲ”を得る。この
化合物をパラジウム／炭素などの水素添加触媒の存在下
で水素化分解して、光学活性ハイドロキノンモノエーテ
ルＨＯ＋ＯＲ８を得る。

口）　ＨＯ−ｏ−ｏ−ＯＲｘ 光学活性４−置換−２−ペンタノールＲ”ＯＨを、有機
塩基の存在下で塩化ｐ−トルエンスルホニルと反応させ
てｐ−トルエンスルホン酸エステルとした後、４．４“
−ジヒドロキシビフェニルのアルカリ金属塩と反応させ
る。反応生成物を再結晶およびカラムクロマトグラフィ
ーで精製して、目的とするＨｏＲｇ）−（グーＯＲ”を
得る。

ハ）　　ＮｏべφＸＣ００Ｒ８ 光学活性４−置換−２−ペンタノールＲ′″○Ｈを、有
機塩基の存在下でｐ−アセトキシ安息香酸の酸塩化物と
反応させてエステルにした後、ベンジルアミンを用いて
脱アセチル化してｐ−ヒドロキシ安息香酸光学活性エス
テルＨＯ−＠−ＣＯＯＲ”を得る。

二）　　ＨＯべ答’）−Ｒ８ 光学活性４−置換−２−ペンタノールを対応する臭化物
Ｒ”Ｂｒに変換し、グリニヤー試薬ＢｎＯ（巨）ＭｇＢ
ｒと反応きせて５ｎｏ（φ”）−Ｒ′を合成し、イ）と
同様に水素化分解することによってＨＯべ亜刈Ｒ″を得
る。

本発明の光学活性化合物（ｉ）は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など、水分
や光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル
構造およびエーテル構造のみから成り立っているので、
非常に優れた耐候性を有すると共に、光学活性部分の置
換基Ｒ２および液晶骨格構造の化学的修飾を最適化する
ことにより１００ｎＣ／ａｍ’以上と非常に大きな自発
分極値を持つことができるので外部電場に対して高速で
反転可能である。光学活性部分の置換基Ｒ２の化学的修
飾により、低温かつ広い温度範囲でカイラルスメクチッ
ク液晶となる化合物を与えることも可能である。また、
かかる化合物は他の液晶性化合物との相互溶解性がよい
ため、液晶組成物の１成分として用いれば、液晶組成物
のカイラルスメクチックＣ相の液晶温度範囲の拡張や特
性向上に効果的である。単独ではスメクチックＣＭ品と
ならない化合物も、カイラルスメクチックＣＦｉ品組成
物の１成分として好ましく使用可能である。

本発明の光学活性化合物（Ｉ）は、ＴＮ方式あるいはス
ーパーＴＮ方式の液晶表示素子において必要なねじれ構
造を与えるための添加成分として使用することも可能で
ある。

〔実施例〕

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定きれるものではない。

実施例中の液晶相の同定において、Ｃｔよ結晶、■は液
体、Ｃｈはコレステリック液晶、ＳｍＡｕスメクチック
八液晶、ＳｍＣ”仁よりイラルスメクチックＣ液晶、Ｓ
ｍＸは未同定のスメクチック液晶を表わす。

実施例１ （ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸４−
（４’−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ））ピ
フェニルエステル（−数式（１）においてＲ’　”　Ｃ
１□Ｈ２ｓ、Ｒ’　＝　Ｃｘ　Ｈｓ、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝
（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−ペンタノール１
４ｇ（９５，７ミリモル）と乾燥ピリジン３１ｍ１（３
８３ミリモル）を乾燥した２００ｍ１フラスコに入れ、
水浴下で塩化４−トルエンスルホニル１８．２　ｇ　（
９５，７ミリモル）を数回に分けて添加した。添加終了
後室温で一夜攪拌し、反応生成物を３Ｎ塩酸１５０ｍ１
に加えてジエチルエーテル２５０ｍ１で抽出した。エー
テル層をＩＮ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。

硫酸マグネシウムをろ別した後にろ液を濃縮して、粗製
の（ＩＳ、３Ｓ）　−ｐ−トルエンスルホン酸１〜メチ
ル−３−プロポキシブチル、エステル２３゜５ｇｊｉ！
得た。

次に、４．４°−ジヒドロキシピフェニル９．４６ｇ（
５０，８ミリモル）とエタノール１００ｍ１および３０
％水酸化カリウム水溶’ｅ　１５　ｇを３００ｍ１フラ
スコに入れ、８０℃に加熱した後に粗製の（ｉｓ、３Ｓ
）　−ｐ−１−ルエンスルホン酸１−メチルー３−プロ
ポキシブチルエステル２３゜５ｇをエタノール４０ｍ１
に溶解した溶液を滴下し、８０℃で５時間加熱攪拌した
。反応混合物を室温まで放冷した後、析出した結晶をろ
別しろ液を濃縮した。濃縮したろ液にベンゼン１００ｍ
１および酢酸エチル１００ｍ１を加えてよく攪拌した後
にろ別し、ろ液を３Ｎ塩酸次いで飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを
ろ別し、ろ液を濃縮して粗製の（ＩＲ，３Ｓ）−４−ヒ
ドロキシ−４’−（１−メチル−３−プロポキシブトキ
シ）ピフェニルを得た。

これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して
（ＩＲ，３Ｓ）−４−ヒドロキシ−４°−（１−メチル
−３−プロポキシブトキシ）ピフェニル４．５ｇ（１４
，３ミリモル）を得た。

ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸７０８ｍｇ（２，３１
ミリモル）に塩化チオニル６．２ｍｌ　（８５ミリモル
）を加え、２時間加熱還流した後、過剰の塩化チオニル
を留去して対応する酸塩化物を得た。

次に、（ＩＲ，３Ｓ）−４−ヒドロキシ−４゛−（１−
メチル−３−プロポキシブトキシ）ピフエニル８００ｍ
ｇ（２，５４ミリモル）と乾燥トリエチルアミン４．８
４ｍ１　（３４，７ミリモル）の混合物中にｐ−ｎ−ド
デシルオキシ安息香酸塩化物をベンゼン７ｍｌに溶解し
た溶液を水冷下で滴下した後、７０℃で２時間攪拌した
。室温まで放冷し３Ｎ塩酸２０ｍ１を加えて、酢酸エチ
ル５０ｍ１で抽出し有機層をＩＮ塩酸および飽和食塩水
で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸
マグネシウムをろ別した後、溶媒を留去し粗製の生成物
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびエタノー
ルからの再結晶によって精製し、（ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−
ｎ−ドデシルオキシ安息香酸４−（４°−（１−メチル
−３−プロポキシブトキシ））ビフェニルエステル９３
０ｍｇ（１，５４ミリモル）を得た。

出発原料として使用した（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキ
シ−２−ペンタノールは、下記の方法によって合成した
。

１１のフラスコに（２Ｓ、４Ｓ）−ベンタンジオール２
８．３　ｇ　（０，２７モル）、プロピオンアルデヒド
８３．６ｍｌ　（１，４４モル）および乾燥ベンゼン３
００ｍ１を入れ、攪拌下でｐ−トルエンスルホン酸５４
８ｍｇ（２，８８ミリモル）を添加した。

２０分間攪拌を続けた後モレキュラーシーブ４Ａ２０ｇ
を加え、更に５分間攪拌した。固体をろ別し、ろ液から
溶媒を留去した後に減圧蒸留することによって、（４Ｓ
、６Ｓ）−２−エチル−４，６−シメチルー１．３−ジ
オキサン（ｂｐ５０〜５１℃／１４ｍｍＨｇ）２０．７
ｇ（１４４ミリモル）を得た。

塩化アルミニウム５２．４ｇ（３９３ミリモル）を１１
のフラスコに入れて０℃に冷却した後、乾燥ジエチルエ
ーテル１１０ｍ１を加えて３０分間攪拌した。水素化リ
チウムアルミニウム３．６２ｇ（９５５ミリモル）と乾
燥ジエチルエーテル１１０ｍ１の懸濁液を添加して、３
０分間攪拌を継続した後、乾燥ジエチルエーテル４０ｍ
１に溶解した（４Ｓ、６Ｓ）−２−エチル−４，６−ジ
メチル＝１．３−ジオキサン２０．５ｇ（１４２ミリモ
ル）を滴下した。滴下終了後昇温し２０分間還流して、
反応を完結させな。室温に冷却した後に水２．７ｍｌ、
１０％希硫酸２３０ｍ１および水８０ｍ１を順次添加し
た。エーテル層を分離した後、水層をエーテルで２回抽
出しエーテル層を集めて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液次いで飽和食塩水で洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。硫酸マグネシウムをろ別しエーテルを留去して
粗生成物を得、これを減圧蒸留して（２Ｓ、４Ｓ）−４
−プロポキシ−２−ペンタノール（ｂｐ６１．５〜６２
．５℃／３ｍｍＨｇ）１９．３ｇ（１３２ミリ・モル）
を得た。

得られた（ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息
香酸４−（４°−（１−メチル−３−プロポキシブトキ
シ））ビフェニルエステルの赤外吸収スペクトルを第１
図に示す。また、この化合物の’ＨＮＭＲ（ＣＤＣ１３
、ＴＭＳ内部標準）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りである
。

０．７〜２．４（３６Ｈ，−ＣＨｌ−および−Ｇ　Ｈｚ
　）３．２〜３．８（ｍ、３Ｈ，−ＯＣＨおよび一０Ｃ
Ｈ２−） ４．０（ｔ１２Ｈ，Ｐｈ０ＣＨｚ−） ４．３〜４．９（ｒｉｌ　１Ｈ，Ｐｈ０ＣＨ−）６．８
〜７．７．８．０５〜８．２（１２Ｈ，ベンゼン環） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値とよく一致した。　理論値（Ｃｚ＊Ｈｓ４０、として
）　　　Ｃ７７，７０％　８　９．０３％分析値　Ｃ７
７，８％　Ｈ９，１％ 以上の分析データより、この化合物を（ＩＲ１３Ｓ）−
ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸４−（４°−（１−メ
チル−３−プロポキシブトキシ））ビフェニルエステル
と同定した。

この化合物の液晶相転移温度を第１表に示すが、広い温
度範囲でＳｍＣ”相を有していた。

この化合物をポリイミドを塗布しラビング処理したＩＴ
Ｏガラスで構成した厚ざ１０ミクロンの液晶セルに封入
し、三角波法（ピーク高ざ±２０■、５Ｈｚ）で自発分
極Ｐｓの値を測定した。５３℃におけるＰｓの値は３４
ｎＣ／ａｍ”であった。

実施例２ （ＩＲ，３Ｓ）　−ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸４
−（４°−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ））
ビフェニルエステル（−数式（Ｉ）においテＲ’　＝　
Ｃａ　ＨＩ　７、Ｒ２＝　Ｃ２Ｈｓ、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝
−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸の代わりにｐ−ｎ−
オクチルオキシ安息香酸を使用した以外は実施例１と全
く同様にして、（ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−ｎ−オクチルオキ
シ安息香酸４−（４’−Ｄ−メチル−３−プロポキシブ
トキシ））ビフェニルエステルを合成した。

この化合物の液晶相転移温度を第１表に示す。

実施例３〜６ 実施例１におけるｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸を６
−ｎ−アルコキシ−３−ピリジンカルボン酸に変更した
以外は実施例１と全く同様にして下記の化合物を合成し
た。

実施例３　（ＩＲ，３Ｓ）−６−ｎ−Ａ、キシルオキシ
−３−ピリジンカルボン酸４−（４°−（１−メチル−
３−プロポキシブトキシ））ビフェニルエステル（−数
式（Ｉ）においてＲ’　”　ＣＧ　Ｈｔ　ｉ、Ｒ″−＝
Ｃｘ　Ｈｓ、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１２＝−０−
１Ａ＝会、Ｂ＝ｎ　） 実施例４（ＩＲ１３Ｓ）−６−ｎ−オクチルオキシ−３
−ピリジンカルボン酸４−（４°−（１−メチル−３−
プロポキシブトキシ））ビフェニルエステル（−数式（
Ｉ）においてＲ””ＣｅＨ＋□、Ｒ′Ｌ＝Ｃ２Ｈｓ、Ｘ
＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１２＝−〇−１Ａ＝舎、Ｂ＝
（バ）） 実施例５　（ＩＲ，３Ｓ、）−６−ｎ−デシルオキシ−
３−ピリジンカルボン酸４−（４’−（１−メチル−３
−プロポキシブトキシ））ビフェニルエステル（−数式
（Ｉ）においてＲ’＝Ｃｌ０Ｈ２１、Ｒ２＝ＣユＨ６、
Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１２＝−０−１Ａ＝実施例
６　（ＩＲ，３Ｓ）−６−ｎ−ドデシルオキシ−３−ピ
リジンカルボン酸４−（４°−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシ））ビフェニルエステル（−数式ＣＩ）
においてＲ１＝Ｃ＋ｚＨｚｓ、Ｒ’＝Ｃ＝Ｈｓ、Ｘ＝−
Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１２＝−０−１Ａ＝＜ト、Ｂ＝づ
Ｈ）） これらの化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトル
および’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。これらの
化合物の液晶相転移温度を第１表に示す。

実施例７ （ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸４−
（４°−（１−メチル−３−ペンチルオキシブトキシ）
）ビフェニルエステル（−数式（Ｉ）においてＲ’＝Ｃ
ｔｔｈＨｔｓ、Ｒ′Ｌ＝　Ｃ４Ｈり、Ｘ＝−Ｏ−１実施
例１における（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−ペ
ンタノールを（２Ｓ１４Ｓ）−４−ペンチルオキシ−２
−ペンタノールに変更した以外は、実施例１と全く同様
にして（ＩＲ１３Ｓ）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香
酸４−（４’−（１−メチル−３−ペンチルオキシブト
キシ））ビフェニルエステルを合成した。また、（２Ｓ
、４Ｓ）−４−ペンチルオキシ−２−ペンタノールは、
（２Ｓ。

４Ｓ）−ベンタンジオールとバレルアルデヒドを原料と
して、実施例１におけるの全く同様にして合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

また、この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり
、比較的低温域にＳｍＣ”相を有していた。

実施例８ （ＩＲ，３Ｓ）−６−ｎ−ヘキシルオキシ−３−ピリジ
ンカルボン酸４−（４°−（１−メチル−３−ペンチル
オキシブトキシ））ビフェニルエステル（−数式（Ｉ）
においてＲ’　＝ＣＧ　ＨＩ　３、Ｒ’　＝　ＣａＨｓ
、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１２＝−０−１Ａ＝量、
Ｂ＝−＠−＠−＞ 実施例３における（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２
−ペンタノールを（２Ｓ、４Ｓ）−４−ペンチルオキシ
−２−ペンタノールに変更した以外は、実施例３と全く
同様にして（ＩＲ，３Ｓ）−６−ｎ−へキシルオキシ−
３−ピリジンカルボン酸４−（４°−（１−メチル−３
−ペンチルオキシブトキシ））ビフェニルエステルを合
成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び”ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

また、この化合物の融点は２３℃であり、モノトロビッ
クなｃｈ相およびＳｍＡ相を示した。

実施例９ （ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４゜−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブ
トキシ）フェニルエステル（−数式％式％ −ルを出発原料として実施例１におけるのと同様の方法
で（Ｉｓ、３Ｓ）　−ｐ−トルエンスルホン酸１−メチ
ル−３−プロポキシブチルエステルを合成した。

次に、ハイドロキノンモノベンジルエーテル４゜５ｇ（
２２，３ミリモル）、エタノール３０ｍおよび３０％水
酸化ナトリウム水溶液２．４ｇの混合物を７０℃に加熱
して溶解し、これに先に合成した（Ｉｓ、３Ｓ）−ｐ−
トルエンスルホン酸１−メチル−３−ブａボキシブチル
エステル６．７ｇ（２２，３ミリモル）をエタノール５
ｍｌに溶解した溶液を滴下し、５時間加熱還流した。室
温まで放冷した後に溶媒を留去し、３Ｎ塩酸２０ｍ１を
加えて酢酸エチル１００ｍ１で抽出した。分離した有機
層をＩＮ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食
塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。硫酸マグネシウムをろ別し溶媒を留去して得られた
粗製の生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して、（ＩＲ，３Ｓ）−４−ベンジルオキシフェニ
ル−（１−メチル−３−プロポキシ）ブチルエーテル３
．２９ｇ（１０，０ミリモルンをｔ専た。

１ｉ）（ＩＲ１３Ｓ）−ｐ−（１−メチル−３−プロポ
キシブトキシ）フェノールの合成 ｉ）で得られた（ＩＲ，３Ｓ）−４−ベンジルオキシフ
ェニル−（１−メチル−３−プロポキシ）ブチルエーテ
ル３．２１　ｇ　（９，７７ミリモル）をエタノール３
０ｍ１に溶解し、５％パラジウム炭素触媒６４０ｍｇを
加え、室温で水素添加反応を行った。

触媒をろ別し溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製して（ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−（１−
メチル−３−ブロボキシブトキシノフェノール１．９２
ｇ（８，１ミリモル）を得た。

１ｉｉ）（ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４
゛−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシ）フェニルエステルの合成 ４−ｎ−トチ゛シルオキシー４゛−ビフェニルカルボン
酸７６５ｍｇ（２，０ミ１ノモル）に塩化チオニル５．
４ｍｌ　（７４ミリモル）を加え、２時間加熱還流した
後、過剰の塩化チオニルを留去して対応する酸塩化物を
得た。

次に、（ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−（１−メチル−３−プロポ
キシブトキシ）フェノール５００ｍｇ（２゜１ミリモル
）と乾燥トリエチルアミン４．２ｍ１（３０ミリモル）
の混合物中に、上記の４−ｎ−トチ゛シルオキシー４゛
−ビフェニルカルボン酸塩化物をベンゼン７ｍｌに溶解
した（８液を水冷下で滴下した後、７０℃で２時間攪拌
した。室温まで放冷し３Ｎ塩酸２０　ｍ　ｌを加えて、
酢酸エチル５０ｍ１で抽出し有機層をＩＮ塩酸および飽
和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。

硫酸マグネシウムをろ別した後、溶媒を留去し粗製の生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフｆ−およびエタ
ノールからの再結晶によって精製し、（ＩＲ，３Ｓ）　
　ｐ−ｎ−ドデシルオキシ−４′−ビフェニルカルボン
酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ）フェニ
ルエステル４５０ｍｇ（０，７５ミリモル）を得た。

この化合物の赤外吸収スペクトルを第２図に示す。また
、この化合物の’ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤ　Ｃｌ　］
、ＴＭＳ内部標４）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りであっ
た。

０．７〜２．２（３６Ｈ，−ＣＬ−および−Ｃ）（３）
３、：２−３．７（ｍ、３Ｈ，−〇ＣＨ−および一０Ｃ
Ｈ２−） ４．０（ｔ、２Ｈ，Ｐｈ０ＣＨ２−） ４．３〜４．８（ｍ、ＬＨ，ＰｈＯＣＨ−）６．８〜７
．７．８．１〜８．３（１２Ｈ，ベンゼン環） この化合物の元素分析の結果は一向己の通りであり、理
論値とよく一致した。　理論値（Ｃ］９Ｈｓ４０５とし
て）　　　Ｃ７７，７０％　８　９．０３％分析値　Ｃ
７７，６％　　８　９．２％以上の分析データからこの
化合物を（ＩＲ１３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４
°−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシ）フェニルエステルと同定した。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、広い
温度範囲でＳｍＣ’″相を有していた。

７０’　　　　　　９７’　　　　　　１０６’Ｃ−一
→ＳｍＣ”−一→ＳｍＡ　　−一→　■実施例１０ （ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−４゛−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブ
トキシ）フェニルエステル（−数式％式％ 実施例９における４−ｎ−ドデシルオキシ−４゜−ビフ
ェニルカルボン酸を４−ｎ−オクチルオキシ−４°−ビ
フェニルカルボン酸に変更した以外已よ実施例９と全く
同様にして、（ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ
−４゛−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−
プロポキシブトキシ）フェニルエステルを合成した。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであった。

６５＠８９’　　　　　　１２１’ （：、　−）ＳｍＣ’″−）ＳｍＡ−〉■実施例１１ （ＩＲ１３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−４゛−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−へキシルオキ
シブトキシ）フェニルエステル（−数式（Ｉ）において
Ｒ’　”　Ｃａ　Ｈｌ　７、Ｒ”　＝　Ｃｓ　Ｈ１＋、
Ｘ＝−〇−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１ｚ＝−ｏ−１Ａ＝−＠−
＠−１Ｂ＝−＠−） 実施例１ｏにおける（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−
２−ペンタノールを（２Ｓ、４Ｓ）−４−へキシルオキ
シ−２−ペンタノールに変更した以外は実施例１０と全
く同様にして、（ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−才クチルオキ
シ−４゛−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３
−ヘキシルオキシブトキシ）フェニルエステルを合成し
た。また、（２Ｓ。

４Ｓ）−４−へキシルオキシ−２−ペンタノールは、（
２Ｓ、４Ｓ）−ベンタンジオールとヘキサナールを原料
として、実施例１におけるのと全く同様にして合成した
。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、比較
的低温域でＳｍＣ”相を有していた。

１２°　　　　４８°　　　　７２°　　　　１０７゜
Ｃ→ＳｍＸ−＋ＳｍＣ”→ＳｍＡ→工 実施例１２ （ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸ｐ’
−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ）フェニルエ
ステル（−数式（Ｉ）においてＲ’　＝　ＣＩ！Ｈ２ｓ
、Ｒ２＝　Ｃｘ　Ｈｓ、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１
ｚ＝−ｏ−１Ａ＝会、Ｂ＝（（訓） （２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−ペンタノールか
ら合成した（ＩＲ，３Ｓ）−ｐ−（１−メチル−３−プ
ロポキシブトキシ）フェノールをｐ　−ｎ−ドデシルオ
キシ安息香酸塩化物と反応させることによって、（ＩＲ
１３Ｓ）−ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香ａｐ’−（１
−メチル−３−プロポキシブトキシ）フェニルエステル
を合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

また、この化合物の融点は１４℃であり、モノトロピッ
クなＳｍＣ”相を示した。

実施例１３ （Ｉｓ、３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４゜−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブ
トキシカルボニル）フェニルエステル（−数式（１）に
おいてＲ１＝Ｃ＋！Ｈｚｓ、Ｒ”＝Ｃ：Ｒ５、Ｘ＝−Ｏ
−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１ｚ＝−ｃｏｏ−１Ａ＝（斌伽、Ｂ
　＝−＠−） ｉ）（Ｉｓ、３Ｓ）−４−アセトキシ安息香酸１−メチ
ル−３−プロポキシブチルエステルの合成４−アセトキ
シ安息香酸４．４９ｇ（２４，９ミリモル）に塩化チオ
ニル５０ｍ１（６８５ミリモル）を加えて２時間加熱還
流した後、過剰の塩化チオニルを留去して対応する酸塩
化物を得た。

次に、（２Ｓ、４Ｓ）−４−ブコボキシー２−ペンタノ
ール４ｇ（２７，４ミリモル）と乾燥トリエチルアミン
４５ｍ１　（３２４ミリモル）の混合物中の先に合成し
た酸塩化物をベンゼン４０ｍ１に溶解した溶液を水冷下
で滴下した後、７０℃で２時間加熱攪拌した。室温まで
放冷し３Ｎ塩酸１３０ｍ１を加えて、酢酸エチル２００
ｍ１で抽出した。

分離した有機層をＩＮ塩酸、飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを
ろ別し溶媒を留去して得られた粗製の生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して、（Ｉｓ、３Ｓ
）−４−アセトキシ安息香酸１−メチル−３−プロポキ
シブチルエステル４．４６ｇ（２２，５ミリモル）を得
た。

１ｉ）（Ｉｓ、３Ｓ）　−４−ヒドロキシ安忍香酸１−
メチル−３−プロポキシブチルエステルの合成 ｉ）で得られた（Ｉｓ、３Ｓ）−４−アセトキシ安息香
酸１−メチル−３−プロポキシブチルエステル４．４６
ｇ（２２，５ミリモル）、ベンジルアミン３．２ｍｌ　
（２８，９ミリモル）およびジエチルエーテル５６ｍ１
の混合物を室温で６時間攪拌した後、３Ｎ塩酸２０ｍ１
を加えてジエチルエーテル１５０ｍ１で抽出した。分離
した有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。

硫酸マグネシウムをろ別し溶媒を留去した後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して（Ｉｓ、３Ｓ）
−４−ヒドロキシ安息香酸１−メチル−３−プロポキシ
ブチルエステル３．５９ｇ（１３，５ミリモル）を得た
。

１ｉｉ）（ＩＳ、３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４
゛−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシカルボニル）フェニルエステルの合成 ４−ｎ−ドデシルオキシ−４°−ビフェニルカルボン酸
５７４ｍｇ（１，５ミリモル）に塩化チオニル５．０ｍ
ｌ　（６８，５ミリモル）を加え、２時間加熱還流した
後、過剰の塩化チオニルを留去して、対応する酸塩化物
を得た。

次に、ｉｉ）で得られた（ＩＲ，３Ｓ）−４−ヒドロキ
シ安息香酸１−メチル−３−プロポキシブチルエステル
４５０ｍｇ（１，６９ミリモル）と乾燥トリエチルアミ
ン７ｍｌ　（５１ミリモル）の混合物中に上記の４−ｎ
−ドデシルオキシ−４”−ビフェニルカルボン酸塩化物
をベンゼン６ｍｌに溶解した溶液を水冷下で滴下した後
、７０℃で２時間攪拌した。室温まで放冷し３Ｎ塩酸２
０ｍ１を加えて、酢酸エチル５０ｍ１で抽出し有機層を
ＩＮ塩酸および飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ別した後、
溶媒を留去し粗製の生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーおよびエタノールからの再結晶によって精製
し、（Ｉｓ、３Ｓ）−４−ｎ−トチ゛シルオキシー４°
−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポ
キシブトキシカルボニル）フェニルエステル７１０ｍｇ
（１，１３ミリモル）を得た。

この化合物の赤外吸収スペクトルを第３図に示す。また
、この化合物の’ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤ　Ｃ１３、
ＴＭＳ内部標準）は下記の通りであった。

０．７〜２．０（３６Ｈ１−ＣＨｚ−および−ＣＲ２）
３．２〜３．７（ｍ、３Ｈ，−ＯＣＨおよび一０ＣＨ２
−） ３．９５（ｔ、２Ｈ，Ｐｈ０ＣＨｉ） ５．１〜５．６（ｍ、ＬＨ，−ＣＯＯＣＨ−）６．８５
〜７．７．８．０〜８．２５（１２Ｈ，ベンゼン環） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値とよく一致した。　理論値（Ｃ４ｏＨ９４０６として
）　　　Ｃ７６，１６％　Ｈ８，６３％分析値　Ｃ７６
，１％　Ｈ８，８％ 以上の分析データからこの化合物を（Ｉｓ、３Ｓ）−４
−ｎ−ドデシルオキシ−４゛−ビフェニルカルボン酸ｐ
−（１−メチル−３−プロポキシブトキシカルボニル）
フェニルエステルと同定した。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、広い
温度範囲でＳｍＣ”相を有していた。

６６’　　　　　　１０２°　　　　　１１３゜Ｃ−＋
ＳｍＣ″−−→ＳｍＡ　　−−→　Ｉ三角波法で測定し
た自発分極ＰｓＯ値は、５７℃において１３４ｎＣ／ａ
ｍ２であった。

実施例１４ （Ｉｓ、３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−４゛−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブ
トキシカルボニル）フェニルエステル（一般式（Ｉ）に
おいてＲ’　＝　Ｃａ　Ｈｌ　７、Ｒ”　＝　ＣｔＨ９
、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１ｚ＝−ｃｏｏ−１Ａ＝
（（防（ト、Ｂ＝−４防） ４−ｎ−トチ゛シルオキシー４゛−ビフェニルカルボン
酸の代わりに４−ｎ−オクチルオキシ−４−ビフェニル
カルボン酸を使用した以外は実施例１３と全く同様にし
て、（Ｉ　Ｓ、　３Ｓ）−４−ｎ　−オクチルオキシ−
４“−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プ
ロポキシブトキシカルボニル）フェニルエステルを合成
した。

この化合物の液晶相転移温度りよ下記の通りであり、広
い温度範囲でＳｍＣ”相を有していた。

実施例１５ （ＩＳ、３Ｓ）−４−ｎ−デシル−４“−とフェニルカ
ルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブトキシカ
ルボニル）フェニルエステル（−数式％式％ 単結合、Ｙ＝−ＣＯＯ−１ｚ＝−ｃｏｏ−１Ａ＝（（ラ
ベ互ト、Ｂ＝会） ４−ｎ−トチ゛シルオキシー４°−ビフェニルカルボン
酸の代わりに４−ｎ−デシル−４°−ビフェニルカルボ
ン酸を使用した以外己よ実施例１３と全く可様にして、
（ＩＳ、３Ｓ）　−４−ｎ−デシル−４゛−ビフェニル
カルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ
カルボニル）フェニルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、低温
かつ広い温度範囲でＳｍＣ”相を有していた。

実施例１６ （Ｉｓ、３Ｓ）４−ｎ−ドデシル−４′−とフェニルカ
ルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブトキシカ
ルボニル）フェニルエステル（−数式％式％ ルボン酸の代わりに４−ｎ−ドデシル−４゛−ビフェニ
ルカルボン酸を使用した以外は実施例１３と全く同様に
して、（ＩＳ、３Ｓ）−４−ｎ−ドデシル−４゛−ビフ
ェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブ
トキシカルボニル）フェニルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
びＩＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、低温
かつ広い温度範囲でＳｍＣ’″相を有していた。

この化合物の自発分極Ｐｓを三角波法で測定したところ
、２６℃において１１４ｎＣ／ｃｍ’であった。また、
厚き２ミクロンのセルを用いて外部電場に対する応答速
度を測定した。２６℃において±２０Ｖ、ＩＨｚの矩形
波を印加したところ、明瞭なスイッチングが認められ、
応答時間は５５マイクロ秒であった。

実施例１７ （ＩＳ、３Ｓ）　　ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸ｐ
’−（Ｌ−メチル−３−プロポキシブトキシカルボニル
）フェニルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ’　”　
Ｃｌ□Ｈ２５、Ｒ２＝Ｃ，ｉ（Ｓ、Ｘ＝−〇−１Ｙ−−
ｃｏｏ−１ｚ＝−ｃｏｏ−１Ａ＝合、Ｂ　＝Ｃ）４−ｎ
−トチ°シルオキシー４−−ビフェニルカルボン酸の代
わりにｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸を使用する以外
は実施例１３と全く同様にして、（Ｉｓ、３Ｓ）　　ｐ
−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸ｐ−（１−メチル−３−
プロポキシブトキシカルボニル）フェニルエステルを合
成した。

この化合物の融点は２２℃であり、モノトロピックなＳ
ｍＸ相を有していた。

実施例１８ （ＩＳ、３Ｓ）　−４−ｎ−ドデシルオキシ−４“−ビ
フェニルカルボン酸１−メチル−３−プロポキシブチル
エステル（−数式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃ１□Ｈｚｓ、
Ｒ”　＝　Ｃ２Ｈｓ、Ｘ＝−Ｏ−１Ｙ＝単結合、ｚ＝−
ｃｏｏ−１Ａ　＝−＠−、Ｂ　＝　−＠−）４−ｎ−ド
デシルオキシ−４゛−ビフェニルカルボン酸を酸塩化物
に変換した後、（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−
ペンタノールでエステル化することによって、（ＩＳ、
３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４゛−ビフェニルカ
ルボン酸１−メチル−３−プロポキシブチルエステルを
合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の融点は３０℃であり、液晶性は示ざなかっ
た。

実施例１９ （ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−３−フルオ
ロ安息香酸４−（４’−（１−メチル−３−プロポキシ
ブトキシ））ピフェニルエステル（−数式（１）におい
てＲ’　＝　Ｃａ　Ｈｓ　７、Ｒ’　＝　Ｃ２Ｈｓ、Ｂ
＝（欧ト） ′　　実施例１におけるｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香
酸を４−ｎ−才クチルオキシ−３−フルオロ安息香酸に
変更した以外は実施例１と全く同様にして、（ＩＲ，３
Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−３−フルオロ安息香酸
４−（４’−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ）
）ビフェニルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の融点は７１℃であり、モノトロピックなコ
レステリック相を示した。

実施例２０ （ＩＲ１３Ｓ）−４−ｎ−才クチルオキシ−３＝フルオ
ロ−４゛−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３
−プロポキシブトキシ）フェニルエステル（−数式（１
）においてＲ’　”　Ｃｅ　Ｈ工７、Ｒ２＝実施例９に
おける４−ｎ−ドデシルオキシ−４゛−ビフェニルカル
ボン酸の代わりに４−ｎ−才クチルオキシ−３−フルオ
ロ−４′−ビフェニルカルボン酸を使用した以外は実施
例９と全く同様にして、（ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オク
チルオキシ−３−フルオロ−４゛−ビフェニルカルボン
酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ）フェニ
ルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、非常
に広い温度範囲でＳｍＣ”相を有していた。

一５０″ｔ６７”　　　　　　　８３’Ｃ−一→ＳｍＣ
”−−→ＳｍＡ　　−一→　Ｉ”−５０℃は」！１定装
置の下限温度であり、この温度においてもＳｍＣ”状態
を示した。従って、正確な融点は不明である。

この化合物の自発分極Ｐｓを三角波法で測定した所、２
５℃において７９ｎＣ／ｃｍ’であった。

また、実施例１６と同様の方法で測定した応答時間は、
２５℃において２６０マイクロ秒であった。

実施例２１ （ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−３−フルオ
ロ−４゛−ビフェニルカルボンａｐ−（１−メチル−３
−へキシルオキシブトキシ）フェニルエステル（−数式
（Ｉ）においてＲ’　”　Ｃｅ　Ｈ１゜、実施例２０に
おける（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−ペンタノ
ールの代わりに（２Ｓ、４Ｓ）−４−へキシルオキシ−
２−ペンタノールを使用した以外は実施例２０と全く同
様にして、（ＩＲ１３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−
３−フルオロ−４°−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−
メチル−３−へキシルオキシブトキシ）フェニルエステ
ルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであリ、低温
かつ非常に広い温度範囲でＳ　ｍ　Ｃ”相を有していた
。

−５０”　　　　　４８’　　　　　　７３゜Ｃ−→Ｓ
ｍＣ”−→ＳｍＡ　　−→■ ”−５０℃は測定装置の下限温度であり、この温度にお
いてもＳｍＣ”状態を示した。従って、正確な融点は不
明である。

この化合物の自発分極Ｐｓを三角波法で測定した所、２
５℃において４９ｎＣ／ｃｍ２であった。

また、実施例１６と同様の方法で測定した応答時間は、
２５℃において２２０マイクロ秒であった。

実施例２２ （ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−３−フルオ
ロ−４゛−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３
−エトキシブトキシ）フェニルエステル（一般式（Ｉ）
においてＲ’＝ＣｅＨ＋７、Ｒ’＝Ｃ実施例２ｏにおけ
る（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−ペンタノール
の代わりに（２Ｓ、４Ｓ）−４−二トキシ−２−ペンタ
ノールを使用した以外は実施例２０と全く同様にして、
（ＩＲ，３Ｓ）−４−ｎ−オクチルオキシ−３−フルオ
ロ−４゜−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３
−エトキシブトキシ）フェニルエステルを合成した。

また、（２Ｓ、４Ｓ）−４−エトキシ−２−ペンタノー
ルは、（２Ｓ、４Ｓ）−ベンタンジオールとアセトアル
デヒドを原料として、実施例１におけるのと全く同様に
して合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、低温
かつ非常に広い温度範囲でＳｍＣ’″相を有していた。

−５０”　　　　　６５’　　　　　　８４”Ｃ−一→
ＳｍＣｌｌ−→ＳｍＡ　　−一→■り−５０℃は測定装
置の下限温度であり、この温度においてもＳｍＣ”状態
を示した。従って、正確な融点は不明である。

実施例２３ （ＩＳ、３Ｓ）　−４−ｎ−オクチルオキシ−３−フル
オロ−４°−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−
３−プロポキシブトキシカルボニル）フェニルエステル
（一般式（Ｉ）においてＲ”　＝Ｃｓ実施例１３におけ
る４−ｎ−デシルオキシ−４゜−ビフェニルカルボン酸
の代わりに４−ｎ−オクチルオキシ−３−フルオロ−４
°−ビフェニルカルボン酸を使用した以外は実施例１３
と全く同様にして、（Ｉｓ、３Ｓ）−４−ｎ−才クチル
オキシ−３−フルオロ−４°−ビフェニルカルボン酸ｐ
−（１−メチル−３−プロポキシブトキシカルボニル）
フェニルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、非常
に広い温度範囲でＳｍＣ”相を有していた。

４４°　　　　　８４’　　　　　　１０７＠Ｃ−一→
ＳｍＣ”−−→ＳｍＡ　　−−→■実施例２４ （Ｉｓ、３Ｓ）−４−（５−へブチル−２−ピリミジル
）安息香酸１−メチル−３−プロポキシブチルエステル
（一般式（Ｉ）においてＲ’　＝Ｃ７Ｈ□５、Ｒ’＝Ｃ
ｔＨｓ、Ｘ＝単結合、Ｙ＝単結合、Ｚ＝−Ｃ４−（５−
へブチル−２−ピリミジル）安息香酸を酸塩化物に変換
した後、（２Ｓ、４Ｓ）−４−プロポキシ−２−ペンタ
ノールでエステル化することにより（Ｉｓ、３Ｓ）−４
−（５−へブチル−２−ピリミジル）安息香酸１−メチ
ル−３−プロポキシブチルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の融点は４６℃であり、液晶性は示きなかっ
た。

実施例２５ （ＩＲ，３Ｓ）−５−ｎ−才クチル−２−（４−（１−
メチル−３−プロポキシブトキシ）フェニル）ピリミジ
ン（一般式（Ｉ）においてＲ”　”　Ｃｅ　Ｈ１７、Ｒ
’　”　Ｃｚ　Ｈ１、Ｘ＝単結合、Ｙ＝単結合、Ｚ＝５
−オクチル−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）ピリミジ
ン１．０８ｇ（３，８１ミリモル）をエタノール１０ｍ
１に溶解し、３０％水酸化ナトリウム水溶液１．３ｇを
加えた後、（Ｉｓ、３Ｓ）−ｐ−トルエンスルホン酸１
−メチル−３−プロポキシブチルエステル１．２６ｇ（
４，１９ミリモル）をエタノール３ｍｌに１ｇ贋した溶
液を滴下した。４時間加熱遍流した後、室温まで放冷し
溶媒を留去した。３Ｎ塩酸１０ｍ１を加えた後、酢酸エ
チル５０ｍ１で抽出し、有機層をＩＮ塩酸、次いで飽和
食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥した後
、溶媒を留去し得られた粗製の生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することによって、目的物
である（ＩＲ１３Ｓ）−５−オクチル−２−（４−（１
−メチル−３−プロポキシブトキシ）フェニル）ピリミ
ジン１２０ｍｇ（０゜２９ミリモル）を得た。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物は室温で液体状態であり、−８０’Ｃまで冷
却しても結晶化しなかったが、液晶性は認められなかっ
た。

実施例２６ ６−（ｐ−ｎ−ドデシルオキシフェニル）−３−ピリジ
ンカルボン酸ｐ’−（１−メチル−３−へキシルオキシ
ブトキシカルボニル）フェニルエステル（−数式（Ｉ）
においてＲ””Ｃ＋ｚＨ２ｓ、Ｒ”＝Ｃｓ　Ｈ１ｒ、Ｘ
＝−Ｏ−１Ｙ＝−ＣＯＯ−１２＝−０−１Ａ＝（８）、
Ｂ、＝−ｏ−） 実施例１１における４−ｎ−ドデシルオキシ−４゛−ビ
フェニルカルボン酸を６−（ｐ−ｎ−ドデシルオキシフ
ェニル）−３−ピリジンカルボン酸に変更した以外は実
施例１１と全く同様にして、６−（ｐ−ｎ−ドデシルオ
キシフェニル）−３−ピリジンカルボン酸ｐ’−（１−
メチル−３−へキシルオキシブトキシカルボニル）フェ
ニルエステルを合成した。

この化合物の同定は元素分析、赤外吸収スペクトルおよ
び’ＨＮＭＲスペクトルによって行った。

この化合物の液晶相転移温度は下記の通りであり、Ｓｍ
Ｃ”相を有していた。

実施例２７（液晶組成物） 実施例２５の化合物である（ＩＲ，３Ｓ）−５−ｎ−オ
クチル−２−（４−（１−メチル−３−プロポキシブト
キシ）フェニル）ピリミジン１０重量％、２−（４−オ
クチルオキシフェニル）−５−オクチルピリミジン４９
重量％および２−（４−オクチルオキシフェニル）−５
−デシルピリミジン４１重量％から成る液晶組成物を調
製した。この液晶組成物は下記の液晶相転移温度を示し
、室温域においてＳｍＣ”相を有していた。

１０’　　　　　　３９°　　　　　６１゜Ｃ−−→Ｓ
ｍＣ”　−一→ＳｍＡ　　−一→　Ｉ（ＩＲ，３Ｓ）−
５−ｎ−オクチル−２−（４−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシ）フェニル）ピリミジン単独ではＳｍＣ
”液晶とはならないが、ＳｍＣ相を有する２−（４−オ
クチルオキシフェニル）−５−オクチルピリミジンおよ
び２−　（４−オクチルオキシフェニル）−５−デシル
ピリミジンと混合することによって、広い温度範囲でＳ
ｍＣ８相となる混合物を得ることができた。

実施例２８（液晶組成物） 実施例１５の化合物である（ＩＳ、３Ｓ）−４−ｎ−デ
シル−４°−ビフェニルカルボン酸ｐ　−（１−メチル
−３−プロポキシブトキシカルボニル）フェニルエステ
ル４０重量％、実施例１７の化合物である（ＩＳ、３Ｓ
）　　ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸ｐ−（１−メチ
ル−３−プロポキシブトキシカルボニル）フェニルエス
テル４０重量％および実施例２３の化合物である（ＩＲ
，３Ｓ）−４−ｎ−才クチルオキシ−３−フルオロ−４
′−ビフェニルカルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシカルボニル）フェニルエステル２０重量
％から成る液晶組成物を調製した。この液晶組成物は下
記の液晶相転移温度を示し、室温域を含むきわめて広い
温度範囲でＳ　ｍ　Ｃ’″相を有していた。

ｔ）５０℃は測定装置の下限温度であり、この温度にお
いてもＳｍＣ”状態を示した。従って、正確な融点は不
明である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、光学活性４−置換−２−ペンタノール
から誘導される新規な光学活性化合物を与えることがで
きる。かかる光学活性化合物は、液晶特に強誘電性液晶
として優れた性能を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１の化合物である（ＩＲ１３Ｓ）−ｐ
−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸４−（４゜−（１−メチ
ル−３−プロポキシブトキシ））ビフェニルエステルの
赤外吸収スペクトルであり、第２図は、実施例９の化合
物である（ＩＲ１３Ｓ）−４−ｎ−ドデシルオキシ−４
′−ビフェニルカルボンｍｐ−（１−メチル−３−プロ
ポキシブトキシ）フェニルエステルの赤外吸収スペクト
ルであり、第３図は、実施例１３の化合物である（Ｉｓ
、３Ｓ）＝４−ｎ−ドデシルオキシ−４°−ビフェニル
カルボン酸ｐ−（１−メチル−３−プロポキシブトキシ
カルボニル）フェニルエステルの赤外吸収スペクトルで
ある。 特７［出願大東し株式会社 四明管

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）次の一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、
   Ｒ＾２は炭素数１〜１８の直鎖状アルキル基、炭素数３
   〜２０の分岐状アルキル基、シクロヘキシル基、炭素数
   １〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置
   換されたシクロヘキシル基、フェニル基または炭素数１
   〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置換
   されたフェニル基を示し、Ｘは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ
   Ｏ−または−ＯＯＣ−、Ｙは単結合、−ＣＯＯ−または
   −ＯＯＣ−、Ｚは単結合、−Ｏ−または−ＣＯＯ−を示
   し、ＡおよびＢはそれぞれ独立に単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼ を示し、＾ｘは不斉炭素を示す。 ＡまたはＢが芳香環を含有する場合、その水素原子の１
   個または２個がハロゲン原子で置換されていてもよい。 ） で表わされる光学活性化合物。
2. （２）次の一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、
   Ｒ＾２は炭素数１〜１８の直鎖状アルキル基、炭素数３
   〜２０の分岐状アルキル基、シクロヘキシル基、炭素数
   １〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置
   換されたシクロヘキシル基、フェニル基または炭素数１
   〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置換
   されたフェニル基を示し、Ｘは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ
   Ｏ−または−ＯＯＣ−、Ｙは単結合、−ＣＯＯ−または
   −ＯＯＣ−、Ｚは単結合、−Ｏ−または−ＣＯＯ−を示
   し、ＡおよびＢはそれぞれ独立に単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼ を示し、＾ｘは不斉炭素を示す。 ＡまたはＢが芳香環を含有する場合、その水素原子の１
   個または２個がハロゲン原子で置換されていてもよい。 ） で表わされる光学活性化合物からなる液晶。
3. （３）次の一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、
   Ｒ＾２は炭素数１〜１８の直鎖状アルキル基、炭素数３
   〜２０の分岐状アルキル基、シクロヘキシル基、炭素数
   １〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置
   換されたシクロヘキシル基、フェニル基または炭素数１
   〜１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基で４位が置換
   されたフェニル基を示し、Ｘは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ
   Ｏ−または−ＯＯＣ−、Ｙは単結合、−ＣＯＯ−または
   −ＯＯＣ−、Ｚは単結合、−Ｏ−または−ＣＯＯ−を示
   し、ＡおよびＢはそれぞれ独立に単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼ を示し、＾＊は不斉炭素を示す。 ＡまたはＢが芳香環を含有する場合、その水素原子の１
   個または２個がハロゲン原子で置換されていてもよい。 ） で表わされる光学活性化合物を少なくとも１種含有する
   液晶組成物。